本發(fā)明涉及晶片的加工方法，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有器件，該晶片的加工方法沿著分割預(yù)定線將該晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件芯片并且利用樹脂包覆一個(gè)個(gè)的器件芯片。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在作為大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的正面上由排列成格子狀的分割預(yù)定線劃分出多個(gè)區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域中形成ic、lsi等器件。通過沿著分割預(yù)定線對(duì)這樣形成的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切斷，而對(duì)形成有器件的區(qū)域進(jìn)行分割從而制造出一個(gè)個(gè)的器件芯片。

近年來，開發(fā)出如下的封裝技術(shù)：將晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件芯片，并且利用樹脂包覆一個(gè)個(gè)的器件芯片。在下述專利文獻(xiàn)1中公開了作為該封裝技術(shù)之一的被稱為晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(wl-csp)的封裝技術(shù)。

在下述專利文獻(xiàn)1所公開的封裝技術(shù)中，在晶片的背面上包覆樹脂，并形成從晶片的正面沿著分割預(yù)定線而到達(dá)樹脂的切削槽，當(dāng)在晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂而包覆各器件芯片并且在切削槽中埋設(shè)了模制樹脂之后，通過厚度比切削槽的寬度薄的切削刀具對(duì)埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂進(jìn)行切斷，而分割成一個(gè)個(gè)晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(wl-csp)。

并且，為了提高ic、lsi等半導(dǎo)體芯片的處理能力，將如下的形式的半導(dǎo)體晶片實(shí)用化：通過在硅等基板的正面上層疊了由siof、bsg(siob)等無機(jī)物系的膜和聚酰亞胺系、聚對(duì)二甲苯系等作為聚合物膜的有機(jī)物系的膜構(gòu)成的低導(dǎo)電率絕緣體被膜(low-k膜)所得到的功能層而形成半導(dǎo)體器件，作為使用該形式的半導(dǎo)體晶片而制造出晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(wl-csp)的晶片的加工方法開發(fā)出包含如下的工序的技術(shù)。

(1)在從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線形成切削槽時(shí)，以使切削刀具的破壞力不會(huì)到達(dá)功能層上所形成的器件的方式沿著分割預(yù)定線向功能層照射激光光線并形成激光加工槽，由此沿著分割預(yù)定線去除功能層(功能層去除工序)。

(2)從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線上所形成的激光加工槽通過寬度比激光加工槽的寬度窄的第1切削刀具而形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的切削槽(切削槽形成工序)。

(3)在晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂并且在切削槽中埋設(shè)模制樹脂(模制工序)。

(4)在晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂的正面上粘貼保護(hù)部件并對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而使切削槽露出(背面磨削工序)。

(5)在劃片帶上粘貼晶片的背面，通過厚度比切削槽的寬度薄的第2切削刀具而對(duì)埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂進(jìn)行切斷，由此分割成一個(gè)個(gè)晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(wl-csp)(分割工序)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2006-100535號(hào)公報(bào)

但是，將實(shí)施上述分割工序時(shí)所使用的第2切削刀具的厚度設(shè)定為20μm以下很困難，而且分割預(yù)定線的寬度也被限制，因此第1切削刀具的厚度也必然被限制(例如為40μm以下)，利用第1切削刀具而沿著分割預(yù)定線形成的切削槽的寬度也被限制。因此，埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂的寬度不足夠，在通過第2切削刀具對(duì)埋設(shè)在切削槽中的模制樹脂進(jìn)行切斷時(shí)第2切削刀具的側(cè)面與器件芯片的側(cè)面之間所存在的模制樹脂的寬度較小為10μm左右，因此存在給器件芯片的側(cè)面帶來損傷且難以利用模制樹脂圍繞器件芯片的外周的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于，提供一種晶片的加工方法，能夠不給器件芯片的側(cè)面帶來損傷而得到品質(zhì)良好的、外周被模制樹脂圍繞的器件芯片。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有器件，該器件在正面上具有多個(gè)凸起，該晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：

槽形成工序，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線照射對(duì)于晶片具有吸收性的波長的激光光線，沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的槽；

模制工序，在實(shí)施了該槽形成工序的晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂并且在該槽中埋設(shè)模制樹脂；

保護(hù)部件粘貼工序，在實(shí)施了該模制工序的晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂的正面上粘貼保護(hù)部件；

背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了該保護(hù)部件粘貼工序的晶片的背面進(jìn)行磨削而使該槽露出，并使該槽中所埋設(shè)的模制樹脂在晶片的背面露出；以及

分割工序，利用具有比該槽的寬度薄的厚度的切削刀具對(duì)沿著該槽而露出的模制樹脂的寬度方向中央部沿著該槽進(jìn)行切削，從而將晶片分割成一個(gè)個(gè)的具有被模制樹脂圍繞的外周的器件芯片。

優(yōu)選在上述分割工序中，從晶片的背面?zhèn)葘?duì)沿著槽而露出的模制樹脂的寬度方向中央部沿著槽進(jìn)行切削。

優(yōu)選實(shí)施如下的晶片支承工序：將實(shí)施了上述背面磨削工序的晶片的背面粘貼于外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶的正面上，并且將晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂的正面上所粘貼的上述保護(hù)部件剝離，之后實(shí)施上述分割工序。

另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有器件，該器件在正面上具有多個(gè)凸起，該晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：

槽形成工序，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線照射對(duì)于晶片具有吸收性的波長的激光光線，沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的槽；

模制工序，在實(shí)施了該槽形成工序的晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂并且在該槽中埋設(shè)模制樹脂；

切削槽形成工序，從實(shí)施了該模制工序的晶片的正面?zhèn)壤镁哂斜仍摬鄣膶挾缺〉暮穸鹊那邢鞯毒邔?duì)晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂和該槽中所埋設(shè)的模制樹脂的寬度方向中央部沿著該槽進(jìn)行切削而形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的切削槽；

保護(hù)部件粘貼工序，在實(shí)施了該切削槽形成工序的晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂的正面上粘貼保護(hù)部件；以及

背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了該保護(hù)部件粘貼工序的晶片的背面進(jìn)行磨削而使該槽中所埋設(shè)的模制樹脂和該切削槽在晶片的背面露出，從而將晶片分割成一個(gè)個(gè)的具有被模制樹脂圍繞的外周的器件芯片。

優(yōu)選晶片的加工方法還包含如下的晶片支承工序：在該分割工序之前，將實(shí)施了上述背面磨削工序的晶片的背面粘貼于外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶的正面上，并且將晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂的正面上所粘貼的上述保護(hù)部件剝離。

根據(jù)本發(fā)明的晶片的加工方法的第1方式，在槽形成工序中，通過沿著分割預(yù)定線(寬度為80μm)對(duì)功能層照射激光光線而形成激光加工槽而沿著分割預(yù)定線將功能層去除，然后能夠形成達(dá)到相當(dāng)于深度器件芯片的完工厚度的寬度較寬的槽。因此，當(dāng)通過在分割工序中利用具有比槽的寬度薄的厚度的切削刀具對(duì)沿著晶片的槽而露出的模制樹脂的寬度方向中央部沿著槽進(jìn)行切削而將晶片分割成具有被模制樹脂圍繞的外周的一個(gè)個(gè)的器件芯片時(shí)，即使使用寬度被限制為20μm以上的切削刀具，也不會(huì)給器件芯片的側(cè)面帶來損傷。

并且，根據(jù)本發(fā)明的晶片的加工方法的第2方式，在槽形成工序中，能夠通過激光光線的照射而形成以相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的深度形成的寬度比切削槽的寬度寬的槽。因此，在切削槽形成工序中，在利用具有比槽的寬度薄的厚度的切削刀具對(duì)晶片的正面所敷設(shè)的模制樹脂和埋設(shè)在槽中的模制樹脂的寬度方向中央部沿著槽進(jìn)行切削而形成深度相當(dāng)于器件的完工厚度的切削槽時(shí)，即使使用寬度被限制為20μm以上的切削刀具，也不會(huì)給器件的側(cè)面帶來損傷。

附圖說明

圖1的(a)、(b)是半導(dǎo)體晶片的立體圖和放大地示出主要部分的剖視圖。

圖2是用于實(shí)施槽形成工序的切削裝置的主要部分立體圖。

圖3的(a)～(e)是槽形成工序的說明圖。

圖4的(a)～(c)是模制工序的說明圖。

圖5的(a)～(c)是示出凸起露出工序的說明圖。

圖6的(a)、(b)是保護(hù)部件粘貼工序的說明圖。

圖7的(a)～(c)是背面磨削工序的說明圖。

圖8是用于實(shí)施分割工序的切削裝置的主要部分立體圖。

圖9的(a)～(d)是分割工序的說明圖。

圖10是晶片支承工序的說明圖。

圖11是被分割成一個(gè)個(gè)的器件的立體圖。

圖12是用于實(shí)施切削槽形成工序的切削裝置的主要部分立體圖。

圖13的(a)～(d)是切削槽形成工序的說明圖。

圖14的(a)、(b)是示出保護(hù)部件粘貼工序的另一實(shí)施方式的說明圖。

圖15的(a)～(c)是示出背面磨削工序的另一實(shí)施方式的說明圖。

標(biāo)號(hào)說明

2：半導(dǎo)體晶片；20：基板；21：功能層；22：分割預(yù)定線；23：器件；24：凸起；3：激光加工裝置；31：激光加工裝置的卡盤工作臺(tái)；32：激光光線照射單元；322：聚光器；4：樹脂包覆裝置；40：模制樹脂；5：研磨裝置；51：研磨裝置的卡盤工作臺(tái)；52：研磨單元；524：研磨工具；6：保護(hù)帶；7：磨削裝置；71：磨削裝置的卡盤工作臺(tái)；72：磨削單元；76：磨削輪；8：切削裝置；81：切削裝置的卡盤工作臺(tái)；82：切削單元；823：切削刀具；f：環(huán)狀的框架；t：劃片帶。

具體實(shí)施方式

以下，關(guān)于本發(fā)明的晶片的加工方法的優(yōu)選的實(shí)施方式，一邊參照附圖一邊詳細(xì)地說明。

在圖1的(a)和(b)中示出通過本發(fā)明的晶片的加工方法而加工的半導(dǎo)體晶片的立體圖和主要部分放大剖視圖。半導(dǎo)體晶片2中，在直徑為200mm、厚度為400μm的硅等基板20的正面20a上具有層疊了絕緣膜和形成電路的功能膜而得到的功能層21。該功能層21的厚度被設(shè)定為10μm，形成功能層21的絕緣膜由低導(dǎo)電率絕緣體被膜(low-k膜)構(gòu)成，該低導(dǎo)電率絕緣體被膜(low-k膜)由sio2膜、或siof、bsg(siob)等無機(jī)物系的膜和聚酰亞胺系、聚對(duì)二甲苯系等作為聚合物膜的有機(jī)物系的膜構(gòu)成。在這樣形成的功能層21中多條分割預(yù)定線22呈格子狀形成，并且在該多條分割預(yù)定線22所劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有ic、lsi等器件23。另外，分割預(yù)定線22的寬度被設(shè)定為80μm，器件23全部采用同一結(jié)構(gòu)。在器件23的正面上分別形成有多個(gè)作為突起電極的凸起24。以下，對(duì)于沿著分割預(yù)定線22將該半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)具有器件23的芯片并且利用樹脂包覆一個(gè)個(gè)的器件芯片的晶片的加工方法進(jìn)行說明。

在晶片的加工方法的第1實(shí)施方式中，首先，實(shí)施槽形成工序，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線照射對(duì)于晶片具有吸收性的波長的激光光線，沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的槽。使用圖2所示的激光加工裝置3來實(shí)施該槽形成工序。圖2所示的激光加工裝置3具有：卡盤工作臺(tái)31，其對(duì)被加工物進(jìn)行保持；激光光線照射單元32，其對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)31上的被加工物照射激光光線；以及拍攝單元33，其對(duì)保持在卡盤工作臺(tái)31上的被加工物進(jìn)行拍攝。卡盤工作臺(tái)31構(gòu)成為對(duì)被加工物進(jìn)行吸引保持，通過未圖示的加工進(jìn)給單元使該卡盤工作臺(tái)31在圖2中箭頭x所示的加工進(jìn)給方向上移動(dòng)，并且通過未圖示的分度進(jìn)給單元使該卡盤工作臺(tái)31在圖2中箭頭y所示的分度進(jìn)給方向上移動(dòng)。

上述激光光線照射單元32包含實(shí)質(zhì)上水平配置的圓筒形狀的殼體321。在殼體321內(nèi)配設(shè)有未圖示的脈沖激光振蕩器和具有重復(fù)頻率設(shè)定單元的脈沖激光光線振蕩單元。在上述殼體321的前端部裝配有聚光器322，該聚光器322用于對(duì)從脈沖激光光線振蕩單元振蕩出的脈沖激光光線進(jìn)行會(huì)聚。另外，激光光線照射單元32具有聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元(未圖示)，該聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元用于對(duì)聚光器322所會(huì)聚的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)位置進(jìn)行調(diào)整。

構(gòu)成上述激光光線照射單元32的殼體321的前端部上所裝配的拍攝單元33具有：對(duì)被加工物進(jìn)行照明的照明單元；捕捉該照明單元所照明的區(qū)域的光學(xué)系統(tǒng)；以及對(duì)該光學(xué)系統(tǒng)所捕捉的圖像進(jìn)行拍攝的拍攝元件(ccd)等，該拍攝單元33將拍攝到的圖像信號(hào)發(fā)送給未圖示的控制單元。

參照?qǐng)D2和圖3對(duì)槽形成工序進(jìn)行說明，在該槽形成工序中，使用上述的激光加工裝置3，將對(duì)于晶片具有吸收性的波長的激光光線從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線進(jìn)行照射，沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的槽。

首先，在上述的圖2所示的激光加工裝置3的卡盤工作臺(tái)31上載置構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b。并且，通過使未圖示的吸引單元進(jìn)行動(dòng)作，而將半導(dǎo)體晶片2保持在卡盤工作臺(tái)31上(晶片保持工序)。因此，關(guān)于保持在卡盤工作臺(tái)31上的半導(dǎo)體晶片2，功能層21的正面21a成為上側(cè)。這樣，對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持的卡盤工作臺(tái)31被未圖示的加工進(jìn)給單元定位在拍攝單元33的正下方。

當(dāng)將卡盤工作臺(tái)31定位在拍攝單元33的正下方時(shí)，通過拍攝單元33和未圖示的控制單元執(zhí)行對(duì)半導(dǎo)體晶片2的應(yīng)該激光加工的加工區(qū)域進(jìn)行檢測的對(duì)準(zhǔn)作業(yè)。即，拍攝單元33和未圖示的控制單元執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，并執(zhí)行激光光線照射位置的對(duì)準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn)工序)，該圖案匹配等圖像處理用于進(jìn)行半導(dǎo)體晶片2的規(guī)定方向上所形成的分割預(yù)定線22與沿著該分割預(yù)定線22照射激光光線的激光光線照射單元32的聚光器322的對(duì)位。并且，對(duì)于半導(dǎo)體晶片2上在與上述規(guī)定方向垂直的方向上所形成的分割預(yù)定線22，也同樣地執(zhí)行激光光線照射位置的對(duì)準(zhǔn)。

在實(shí)施了上述的對(duì)準(zhǔn)工序之后，如圖3的(a)所示，使卡盤工作臺(tái)31向照射激光光線的激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域移動(dòng)，將規(guī)定的分割預(yù)定線22定位在聚光器322的正下方。此時(shí)，如圖3的(a)所示，將半導(dǎo)體晶片2定位為分割預(yù)定線22的一端(在圖3的(a)中為左端)位于聚光器322的正下方。并且，如圖3的(c)所示，使從聚光器322照射的脈沖激光光線lb的聚光點(diǎn)p對(duì)準(zhǔn)于從分割預(yù)定線22的寬度方向左端起15μm的位置上的正面附近。接著，從激光光線照射單元32的聚光器322照射對(duì)于半導(dǎo)體晶片2具有吸收性的波長的脈沖激光光線并且使卡盤工作臺(tái)31在圖3的(a)中箭頭x1所示的方向上以規(guī)定的加工進(jìn)給速度移動(dòng)。并且，如圖3的(b)所示，分割預(yù)定線22的另一端(在圖3的(b)中為右端)到達(dá)聚光器322的正下方位置之后，停止脈沖激光光線的照射并且停止卡盤工作臺(tái)31的移動(dòng)(槽形成工序)。在圖示的實(shí)施方式中按照以下的加工條件進(jìn)行該槽形成工序。

激光光線的波長：355nm

脈沖寬度：5ns

重復(fù)頻率：40khz

輸出：4w

聚光光斑直徑：φ20μm

加工進(jìn)給速度：200mm/秒

通過根據(jù)上述加工條件實(shí)施槽形成工序，而在半導(dǎo)體晶片2中，如圖3的(d)所示，沿著分割預(yù)定線22將功能層21斷開，形成有到達(dá)基板20的、寬度為10μm且深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度(100μm)的激光加工槽25。

接著，在圖3的(b)中，使卡盤工作臺(tái)31在與紙面垂直的方向(分度進(jìn)給方向)上在本實(shí)施方式中移動(dòng)10μm。并且，從激光光線照射單元32的聚光器322照射脈沖激光光線并且使卡盤工作臺(tái)31在圖3的(b)中箭頭x2所示的方向上以規(guī)定的加工進(jìn)給速度移動(dòng)，在到達(dá)圖3的(a)所示的位置之后停止脈沖激光光線的照射并且停止卡盤工作臺(tái)31的移動(dòng)。通過對(duì)于1條分割預(yù)定線22往復(fù)實(shí)施3次該槽形成工序，而如圖3的(e)所示，沿著分割預(yù)定線22按照寬度60μm將功能層21斷開，并且形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度(100μm)的激光加工槽250。這樣，沿著半導(dǎo)體晶片2上所形成的所有的分割預(yù)定線22實(shí)施槽形成工序。

這樣，在槽形成工序中，由于通過沿著分割預(yù)定線22照射激光光線而形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度(100μm)的激光加工槽250，因此能夠沿著寬度為80μm的分割預(yù)定線22形成寬度為60μm的激光加工槽250。

在實(shí)施了上述的槽形成工序之后，實(shí)施模制工序，在半導(dǎo)體晶片2的正面上敷設(shè)模制樹脂并且在激光加工槽250中埋設(shè)模制樹脂。在該模制工序中，如圖4的(a)所示，在樹脂包覆裝置4的作為保持工作臺(tái)41的上表面的保持面上載置被實(shí)施了上述槽形成工序的構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的功能層21的背面20b側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引單元進(jìn)行動(dòng)作而在保持工作臺(tái)41的保持面上對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持。因此，關(guān)于保持在保持工作臺(tái)41上的半導(dǎo)體晶片2，功能層21的正面21a成為上側(cè)。這樣，在保持工作臺(tái)41上對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行保持之后，如圖4的(a)所示，將樹脂提供噴嘴42的噴出口421定位于保持工作臺(tái)41上所保持的半導(dǎo)體晶片2的中心部，通過使未圖示的樹脂提供單元進(jìn)行動(dòng)作，而從樹脂提供噴嘴42的噴出口421向保持工作臺(tái)41上所保持的半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a的中央?yún)^(qū)域滴下規(guī)定的量的模制樹脂40。在向半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a的中央?yún)^(qū)域滴下規(guī)定的量的模制樹脂40之后，如圖4的(b)所示使保持工作臺(tái)41在箭頭41a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)規(guī)定的時(shí)間，由此如圖4的(b)和(c)所示，在半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a上敷設(shè)模制樹脂40并且在激光加工槽250中埋設(shè)模制樹脂40。另外，模制樹脂40在本實(shí)施方式中使用熱固化性的液狀樹脂(環(huán)氧系樹脂)，當(dāng)敷設(shè)在半導(dǎo)體晶片2的正面2a上并且埋設(shè)在激光加工槽250中之后，加熱到150℃左右而使其固化。

接著，實(shí)施凸起露出工序，對(duì)半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a所敷設(shè)的模制樹脂40進(jìn)行研磨，而使形成在器件23的正面上的凸起24露出。使用圖5的(a)所示的研磨裝置5來實(shí)施該凸起露出工序。圖5的(a)所示的研磨裝置5具有：卡盤工作臺(tái)51，其對(duì)被加工物進(jìn)行保持；以及研磨單元52，其對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)51上的被加工物進(jìn)行研磨?？ūP工作臺(tái)51構(gòu)成為在上表面上對(duì)被加工物進(jìn)行吸引保持，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而在圖5的(a)中箭頭51a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。研磨單元52具有：主軸殼體521；主軸522，其旋轉(zhuǎn)自如地支承于該主軸殼體521，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；裝配器523，其裝配于該主軸522的下端；以及研磨工具524，其安裝于該裝配器523的下表面。該研磨工具524由圓形狀的基臺(tái)525和裝配于該基臺(tái)525的下表面的研磨墊526構(gòu)成，基臺(tái)525通過緊固螺栓527安裝于裝配器523的下表面。另外，關(guān)于研磨墊526，在本實(shí)施方式中，由二氧化硅構(gòu)成的磨粒作為研磨材料而混入毛氈。

要想使用上述的研磨裝置5來實(shí)施上述凸起露出工序，如圖5的(a)所示那樣在卡盤工作臺(tái)51的上表面(保持面)上載置被實(shí)施了上述模制工序的構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引單元進(jìn)行動(dòng)作而在卡盤工作臺(tái)51上對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持(晶片保持工序)。因此，關(guān)于保持在卡盤工作臺(tái)51上的半導(dǎo)體晶片2，在功能層21的正面21a所敷設(shè)的模制樹脂40成為上側(cè)。這樣在卡盤工作臺(tái)51上對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行了吸引保持之后，使卡盤工作臺(tái)51在圖5的(a)中箭頭51a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并且使研磨單元52的研磨工具524在圖5的(a)中箭頭524a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，而如圖5的(b)所示那樣使研磨墊526與作為被加工面的半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a所敷設(shè)的模制樹脂40的上表面接觸，使研磨工具524像圖5的(a)和圖5的(b)中箭頭524b所示那樣以規(guī)定的研磨進(jìn)給速度向下方(與卡盤工作臺(tái)51的保持面垂直的方向)研磨進(jìn)給規(guī)定的量。其結(jié)果為，像圖5的(c)所示那樣對(duì)半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a所敷設(shè)的模制樹脂40進(jìn)行研磨，使器件23的正面上所形成的凸起24露出。另外，當(dāng)在上述模制工序中以不包覆凸起24的方式在半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a上敷設(shè)了模制樹脂40的情況下，上述的凸起露出工序并不是必須的。

在實(shí)施了上述的凸起露出工序之后，實(shí)施保護(hù)部件粘貼工序，在半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面21a所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上粘貼保護(hù)部件。即，像圖6所示那樣在半導(dǎo)體晶片2的正面2a所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上粘貼作為保護(hù)部件的保護(hù)帶6。另外，關(guān)于保護(hù)帶6，在本實(shí)施方式中厚度為100μm的由聚氯乙烯(pvc)構(gòu)成的片狀基材的正面上涂布有厚度5μm左右的丙烯酸樹脂系的糊。

接著，實(shí)施背面磨削工序，對(duì)于構(gòu)成實(shí)施了保護(hù)部件粘貼工序的半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面進(jìn)行磨削而使激光加工槽250露出，使激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂在構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面露出。使用圖7所示的磨削裝置7來實(shí)施該背面磨削工序。圖7的(a)所示的磨削裝置7具有：卡盤工作臺(tái)71，其對(duì)被加工物進(jìn)行保持；以及磨削單元72，其對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)71上的被加工物進(jìn)行磨削。卡盤工作臺(tái)71構(gòu)成為在作為保持面的上表面上對(duì)被加工物進(jìn)行吸引保持，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而在圖7的(a)中箭頭71a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。磨削單元72具有：主軸殼體721；主軸722，其旋轉(zhuǎn)自如地支承于該主軸殼體721，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而旋轉(zhuǎn)；裝配器723，其裝配于該主軸722的下端；以及磨削輪724，其安裝于該裝配器723的下表面。該磨削輪724由圓環(huán)狀的基臺(tái)725和呈環(huán)狀裝配于該基臺(tái)725的下表面的磨削磨具726構(gòu)成，基臺(tái)725被緊固螺栓727安裝于裝配器723的下表面。

要想使用上述的磨削裝置7來實(shí)施上述背面磨削工序，如圖7的(a)所示那樣在卡盤工作臺(tái)71的上表面(保持面)上載置實(shí)施了上述保護(hù)部件粘貼工序的半導(dǎo)體晶片2的保護(hù)帶6側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引單元進(jìn)行動(dòng)作而在卡盤工作臺(tái)71上隔著保護(hù)帶6對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持。因此，關(guān)于保持在卡盤工作臺(tái)71上的半導(dǎo)體晶片2，基板20的背面20b成為上側(cè)。當(dāng)這樣在卡盤工作臺(tái)71上隔著保護(hù)帶6對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持之后，使卡盤工作臺(tái)71在圖7的(a)中箭頭71a所示的方向上以例如300rpm旋轉(zhuǎn)，并且使磨削單元72的磨削輪724在圖7的(a)中箭頭724a所示的方向上以例如6000rpm旋轉(zhuǎn)，像圖7的(b)所示那樣使磨削磨具726與作為被加工面的構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b接觸，使磨削輪724像圖7的(a)和圖7的(b)中箭頭724b所示那樣按照以1μm/秒的磨削進(jìn)給速度向下方(與卡盤工作臺(tái)71的保持面垂直的方向)磨削進(jìn)給規(guī)定的量。其結(jié)果為，對(duì)構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b進(jìn)行磨削，像圖7的(c)所示那樣使激光加工槽250在構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b露出，使激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40在構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b露出。

在實(shí)施了上述的背面磨削工序之后，實(shí)施分割工序，利用具有比上述激光加工槽250的寬度薄的厚度的切削刀具沿著激光加工槽250對(duì)沿著激光加工槽250露出的模制樹脂40的寬度方向中央部進(jìn)行切削，由此將半導(dǎo)體晶片2分割成具有被模制樹脂圍繞的外周的一個(gè)個(gè)的器件芯片。在本實(shí)施方式中使用圖8所示的切削裝置8來實(shí)施該分割工序。圖8所示的切削裝置8具有：卡盤工作臺(tái)81，其對(duì)被加工物進(jìn)行保持；切削單元82，其對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)81上的被加工物進(jìn)行切削；以及拍攝單元83，其對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)81上的被加工物進(jìn)行拍攝?？ūP工作臺(tái)81構(gòu)成為對(duì)被加工物進(jìn)行吸引保持，通過未圖示的切削進(jìn)給單元而在圖8中箭頭x所示的切削進(jìn)給方向上移動(dòng)，通過未圖示的分度進(jìn)給單元而在箭頭y所示的分度進(jìn)給方向上移動(dòng)。

上述切削單元82包含：實(shí)質(zhì)上水平配置的主軸殼體821；旋轉(zhuǎn)自如地支承于該主軸殼體821的主軸822；以及裝配于該主軸822的前端部的具有環(huán)狀的切削刃823a的切削刀具823，通過配設(shè)在主軸殼體821內(nèi)的未圖示的伺服電機(jī)而使主軸822在箭頭822a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。另外，切削刀具823的環(huán)狀的切削刃823a在本實(shí)施方式中被設(shè)定為20μm。上述拍攝單元83由顯微鏡和ccd照相機(jī)等光學(xué)單元構(gòu)成，將拍攝得到的圖像信號(hào)發(fā)送給未圖示的控制單元。

要想使用上述的切削裝置8來實(shí)施分割工序，在卡盤工作臺(tái)81上載置實(shí)施了上述背面磨削工序的半導(dǎo)體晶片2的保護(hù)帶6側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引單元進(jìn)行動(dòng)作而在卡盤工作臺(tái)81上隔著保護(hù)帶6對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持。因此，關(guān)于保持在卡盤工作臺(tái)81上的半導(dǎo)體晶片2，基板20的背面20b成為上側(cè)。這樣，對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持的卡盤工作臺(tái)81被未圖示的切削進(jìn)給單元定位在拍攝單元83的正下方。

當(dāng)卡盤工作臺(tái)81被定位于拍攝單元83的正下方時(shí)，通過拍攝單元83和未圖示的控制單元執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)作業(yè)，對(duì)構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20中所形成的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40的應(yīng)該切削的切削區(qū)域進(jìn)行檢測。即，拍攝單元83和未圖示的控制單元執(zhí)行用于進(jìn)行模制樹脂40與切削刀具823的對(duì)位的圖像處理，并執(zhí)行切削區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn)工序)，該模制樹脂埋設(shè)在構(gòu)成40半導(dǎo)體晶片2的基板20的第1方向上所形成的激光加工槽250中。并且，對(duì)于構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20上所形成的與上述第1方向垂直的第2方向上所形成的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40，也同樣地執(zhí)行切削區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)。在該對(duì)準(zhǔn)工序中，由于激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40在構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面露出，因此通過拍攝單元83對(duì)激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40進(jìn)行拍攝而能夠明確地進(jìn)行檢測。

在像以上那樣進(jìn)行了對(duì)保持在卡盤工作臺(tái)81上的半導(dǎo)體晶片2的切削區(qū)域進(jìn)行檢測的對(duì)準(zhǔn)之后，使對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行保持的卡盤工作臺(tái)81向切削加工區(qū)域的切削開始位置移動(dòng)。此時(shí)，像圖9的(a)所示那樣半導(dǎo)體晶片2被定位為應(yīng)該切削的埋設(shè)于激光加工槽250中的模制樹脂40的一端(在圖9的(a)中為左端)位于比切削刀具823的環(huán)狀的切削刃823b的正下方靠右側(cè)規(guī)定的量的位置，并且將埋設(shè)于激光加工槽250中的模制樹脂40的寬度方向中央定位于與切削刀具823對(duì)應(yīng)的位置。

在這樣切削裝置8的卡盤工作臺(tái)81上所保持的半導(dǎo)體晶片2被定位于切削加工區(qū)域的切削開始位置之后，使切削刀具823從圖9的(a)中雙點(diǎn)劃線所示的待機(jī)位置像箭頭z1所示那樣向下方切入進(jìn)給，像圖9的(a)中實(shí)線所示那樣定位于規(guī)定的切入進(jìn)給位置。該切入進(jìn)給位置像圖9的(a)和圖9的(c)所示那樣被設(shè)定于切削刀具823的環(huán)狀的切削刃823b的下端到達(dá)構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上所粘貼的保護(hù)帶6的位置。

接著，使切削刀具823在圖9的(a)中箭頭822a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，使卡盤工作臺(tái)81在圖9的(a)中箭頭x1所示的方向上以規(guī)定的切削進(jìn)給速度移動(dòng)。并且，在激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40的另一端(在圖9的(b)中為右端)到達(dá)到位于比切削刀具823的環(huán)狀的切削刃823b的正下方靠左側(cè)規(guī)定的量的位置之后，停止卡盤工作臺(tái)81的移動(dòng)。通過這樣對(duì)卡盤工作臺(tái)81進(jìn)行切削進(jìn)給，像圖9的(d)所示那樣激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40和半導(dǎo)體晶片2的正面所敷設(shè)的模制樹脂40被到達(dá)保護(hù)帶6的寬度為20μm的分割槽401完全切削(分割工序)。

在該分割工序中，像上述那樣，通過切削刀具823沿著激光加工槽250對(duì)具有60μm的寬度的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40的寬度方向中央進(jìn)行切削，其中，該激光加工槽250比通過以往的加工方法沿著分割預(yù)定線22所形成的切削槽的寬度(40μm)寬20μm，因此即使使用寬度被限制為20μm以上的切削刀具，在切削刀具的側(cè)面與器件芯片的側(cè)面之間也存在寬度分別為20μm左右的模制樹脂，因此不會(huì)給器件芯片的側(cè)面帶來損傷。

接著，使切削刀具823像圖9的(b)中箭頭z2所示那樣上升而定位在雙點(diǎn)劃線所示的待機(jī)位置，使卡盤工作臺(tái)81在圖9的(b)中箭頭x2所示的方向上移動(dòng)，而返回到圖9的(a)所示的位置。并且，使卡盤工作臺(tái)81在與紙面垂直的方向(分度進(jìn)給方向)上分度進(jìn)給相當(dāng)于埋設(shè)有模制樹脂40的激光加工槽250的間隔(分割預(yù)定線22的間隔)的量，將接下來應(yīng)該切削的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40定位在與切削刀具823對(duì)應(yīng)的位置。這樣，在將接下來應(yīng)該切削的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40定位在與切削刀具823對(duì)應(yīng)的位置之后，實(shí)施上述的分割工序。并且，對(duì)于構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20上所形成的所有的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40實(shí)施上述的分割工序。

在實(shí)施了上述的分割工序之后，實(shí)施晶片支承工序，將半導(dǎo)體晶片2的背面粘貼于外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶的正面上，并且將半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上所粘貼的保護(hù)部件剝離。即，如圖10所示，在外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架f的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶t的正面上粘貼實(shí)施了上述的分割工序的半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b。并且，將構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上所粘貼的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶6剝離。因此，關(guān)于劃片帶t的正面上所粘貼的半導(dǎo)體晶片2，功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂40成為上側(cè)。這樣，實(shí)施了晶片支承工序的半導(dǎo)體晶片2被搬送到作為下一工序的拾取工序，對(duì)于每個(gè)器件芯片進(jìn)行拾取。這樣被拾取的器件芯片25構(gòu)成如圖11所示那樣正面和側(cè)面被模制樹脂40包覆的晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(wl-csp)。

另外，在上述的實(shí)施方式中示出了對(duì)實(shí)施了上述分割工序的半導(dǎo)體晶片2實(shí)施上述晶片支承工序的例子，但也可以對(duì)實(shí)施了上述背面磨削工序的半導(dǎo)體晶片2實(shí)施晶片支承工序，然后從劃片帶t的正面上所粘貼的半導(dǎo)體晶片2的正面將激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40的寬度方向中央切斷而形成晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(wl-csp)。

接著，參照?qǐng)D12至圖15對(duì)本發(fā)明的晶片的加工方法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。在該第2實(shí)施方式中，首先也同樣地實(shí)施上述第1實(shí)施方式中的槽形成工序、模制工序以及凸起露出工序。

接著，實(shí)施切削槽形成工序，從半導(dǎo)體晶片2的正面?zhèn)韧ㄟ^具有比上述激光加工槽250的寬度薄的厚度的切削刀具而沿著激光加工槽250對(duì)激光加工槽250的正面所敷設(shè)的模制樹脂和激光加工槽250內(nèi)所埋設(shè)的模制樹脂的寬度方向中央部進(jìn)行切削從而形成深度與器件芯片的完工厚度相當(dāng)?shù)那邢鞑?02。可以使用上述圖8所示的切削裝置8來實(shí)施該切削槽形成工序。

要想使用上述圖8所示的切削裝置8來實(shí)施切削槽形成工序，像圖12所示那樣在卡盤工作臺(tái)81上載置構(gòu)成實(shí)施了上述第1實(shí)施方式中的槽形成工序、模制工序以及凸起露出工序的半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引單元進(jìn)行動(dòng)作而在卡盤工作臺(tái)81上對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持。因此，關(guān)于保持在卡盤工作臺(tái)81上的半導(dǎo)體晶片2，功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂40成為上側(cè)。這樣，對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持的卡盤工作臺(tái)81被未圖示的切削進(jìn)給單元定位在拍攝單元83的正下方。

當(dāng)將卡盤工作臺(tái)81定位在拍攝單元83的正下方時(shí)，通過拍攝單元83和未圖示的控制單元執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)作業(yè)，對(duì)沿著激光加工槽250對(duì)半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂和激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂的寬度方向中央部進(jìn)行切削而應(yīng)該形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的切削槽的切削區(qū)域進(jìn)行檢測。即，拍攝單元83和未圖示的控制單元執(zhí)行用于進(jìn)行模制樹脂40與切削刀具823的對(duì)位的圖像處理并執(zhí)行切削區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn)工序)，該模制樹脂40埋設(shè)在半導(dǎo)體晶片2的第1方向上所形成的激光加工槽250。另外，在本實(shí)施方式中，由于在形成有激光加工槽250的半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面上敷設(shè)有模制樹脂40，因此拍攝單元83對(duì)形成于隔著分割預(yù)定線22而相鄰的器件23上且從模制樹脂40的正面露出的凸起24進(jìn)行拍攝而發(fā)送給未圖示的控制單元。并且，未圖示的控制單元將相鄰的器件23上所形成的凸起24與凸起24的中間位置決定為分割預(yù)定線22上所形成的激光加工槽250的寬度方向中間位置。這樣，在執(zhí)行了相對(duì)于埋設(shè)了半導(dǎo)體晶片2的第1方向上所形成的模制樹脂40的激光加工槽250的對(duì)準(zhǔn)之后，對(duì)于半導(dǎo)體晶片2上所形成的與上述第1方向垂直的第2方向上所形成的激光加工槽250也同樣地執(zhí)行切削區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)。

在像上述那樣進(jìn)行了對(duì)卡盤工作臺(tái)81上所保持的半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂和激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂的切削區(qū)域進(jìn)行檢測的對(duì)準(zhǔn)之后，使對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行保持的卡盤工作臺(tái)81向切削加工區(qū)域的切削開始位置移動(dòng)。此時(shí)，像圖13的(a)所示那樣半導(dǎo)體晶片2被定位為應(yīng)該切削的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40的一端(在圖13的(a)中為左端)位于比切削刀具823的環(huán)狀的切削刃823a的正下方靠右側(cè)規(guī)定的量的位置。

在這樣保持在切削裝置8的卡盤工作臺(tái)81上的半導(dǎo)體晶片2被定位于切削加工區(qū)域的切削開始位置之后，使切削刀具823從圖13的(a)中雙點(diǎn)劃線所示的待機(jī)位置像箭頭z1所示那樣向下方切入進(jìn)給，像圖13的(a)中實(shí)線所示那樣定位于規(guī)定的切入進(jìn)給位置。該切入進(jìn)給位置像圖13的(c)所示那樣被設(shè)定為切削刀具823的環(huán)狀的切削刃823a的下端到達(dá)激光加工槽250的底面的位置，該激光加工槽250按照相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的深度形成于構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20。

接著，使切削刀具823在圖13的(a)中箭頭822a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，使卡盤工作臺(tái)81在圖13的(a)中箭頭x1所示的方向上以規(guī)定的切削進(jìn)給速度移動(dòng)。并且，在激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40的另一端(圖13的(b)中為右端)到達(dá)到位于比切削刀具823的環(huán)狀的切削刃823b的正下方靠左側(cè)規(guī)定的量的位置之后，停止卡盤工作臺(tái)81的移動(dòng)。通過這樣對(duì)卡盤工作臺(tái)81進(jìn)行切削進(jìn)給，而像圖13的(d)所示那樣在半導(dǎo)體晶片2的正面所敷設(shè)的模制樹脂40和激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40中形成有寬度為20μm且到達(dá)激光加工槽250的底面的切削槽402(切削槽形成工序)。

接著，使切削刀具823像圖13的(b)中箭頭z2所示那樣上升而定位在雙點(diǎn)劃線所示的待機(jī)位置，使卡盤工作臺(tái)81在圖13的(b)中箭頭x2所示的方向上移動(dòng)，而返回圖13的(a)所示的位置。并且，使卡盤工作臺(tái)81在與紙面垂直的方向(分度進(jìn)給方向)上分度進(jìn)給相當(dāng)于埋設(shè)有模制樹脂40的激光加工槽250的間隔(分割預(yù)定線22的間隔)的量，將接下來應(yīng)該切削的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40定位在與切削刀具823對(duì)應(yīng)的位置。這樣，在將接下來應(yīng)該切削的激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40定位在與切削刀具823對(duì)應(yīng)的位置之后，實(shí)施上述的切削槽形成工序。并且，對(duì)于半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂40和激光加工槽250中所埋設(shè)的所有的模制樹脂40實(shí)施上述的切削槽形成工序。

在實(shí)施了上述的切削槽形成工序之后，實(shí)施保護(hù)部件粘貼工序，在半導(dǎo)體晶片2的正面所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上粘貼保護(hù)部件。即，像圖14所示那樣在實(shí)施了上述切削槽形成工序的半導(dǎo)體晶片2的正面2a所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上粘貼作為保護(hù)部件的保護(hù)帶6。另外，保護(hù)帶6與上述圖6所示的實(shí)施方式同樣，在厚度為100μm的由聚氯乙烯(pvc)構(gòu)成的片狀基材的正面上涂布有厚度5μm左右的丙烯酸樹脂系的糊。

接著，實(shí)施背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了保護(hù)部件粘貼工序的構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面進(jìn)行磨削而使激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40在構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面露出，由此將半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)的具有被模制樹脂圍繞的外周的器件芯片?？梢允褂蒙鲜鰣D7所示的切削裝置7來實(shí)施該背面磨削工序。

要想使用上述的磨削裝置7來實(shí)施上述背面磨削工序，在像圖15的(a)所示那樣在卡盤工作臺(tái)71的上表面(保持面)上載置實(shí)施了上述保護(hù)部件粘貼工序的半導(dǎo)體晶片2的保護(hù)帶6側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引單元進(jìn)行動(dòng)作而在卡盤工作臺(tái)71上隔著保護(hù)帶6對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持。因此，關(guān)于保持在卡盤工作臺(tái)71上的半導(dǎo)體晶片2，基板20的背面20b成為上側(cè)。當(dāng)這樣在卡盤工作臺(tái)71上隔著保護(hù)帶6對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行吸引保持之后，使卡盤工作臺(tái)71在圖15的(a)中箭頭71a所示的方向上以例如300rpm旋轉(zhuǎn)，并且使磨削單元72的磨削輪724在圖15的(a)中箭頭724a所示的方向上以例如6000rpm旋轉(zhuǎn)，在像圖15的(b)所示那樣使磨削磨具726與作為被加工面的構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b接觸，使磨削輪724像圖15的(a)和圖15的(b)中箭頭724b所示那樣以例如1μm/秒的磨削進(jìn)給速度向下方(與卡盤工作臺(tái)71的保持面垂直的方向)磨削進(jìn)給規(guī)定的量。其結(jié)果為，對(duì)構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b進(jìn)行磨削，像圖15的(c)所示那樣激光加工槽250在構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b露出，激光加工槽250中所埋設(shè)的模制樹脂40在構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b露出。其結(jié)果為，將半導(dǎo)體晶片2分割成具有被模制樹脂40圍繞的外周的一個(gè)個(gè)的器件芯片25。

在像以上那樣實(shí)施了背面磨削工序之后，與上述圖10所示的晶片支承工序同樣，在外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架f的內(nèi)側(cè)開口部的劃片帶t的正面上粘貼實(shí)施了上述的背面磨削工序的構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的基板20的背面20b。并且，將半導(dǎo)體晶片2的功能層21的正面所敷設(shè)的模制樹脂40的正面上所粘貼的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶6剝離，搬送到作為下一工序的拾取工序，按照每一個(gè)器件芯片25進(jìn)行拾取。這樣拾取的器件芯片25像圖11所示那樣構(gòu)成正面和側(cè)面被模制樹脂40包覆的晶片級(jí)芯片尺寸封裝件(wl-csp)。

以上，根據(jù)圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不僅限于上述的實(shí)施方式，但在本發(fā)明的主旨的范圍中可以進(jìn)行各種變形。例如，在上述的實(shí)施方式中，示出了對(duì)作為晶片的由硅等基板20和功能層21構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行加工的例子，其中該功能層21是在該基板20的正面20a上層疊由低導(dǎo)電率絕緣體被膜(low-k膜)構(gòu)成的絕緣膜和形成電路的功能膜而得到的，但本發(fā)明即使應(yīng)用于其他結(jié)構(gòu)的晶片也能夠?qū)崿F(xiàn)相同的作用效果。