本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置一般包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板內(nèi)作為絕緣作用的層間介質(zhì)層位于柵極與源、漏極層之間，需要經(jīng)鍍膜、活化、氫化、掩模曝光、干法刻蝕以及剝離工序以形成接觸孔，使得源、漏極線可以與多晶硅層相連并傳輸電信號。

而在低溫多晶硅技術(shù)工藝中，層間介質(zhì)層一般采用氧化硅siox和氮化硅sinx兩層結(jié)構(gòu)形成，但是兩層結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層存在大視角色偏嚴(yán)重的現(xiàn)象，而使用氧化硅siox、氮化硅sinx、氧化硅siox三層結(jié)構(gòu)，又容易因上層的氧化硅siox位于柵極線邊緣的部分受底層?xùn)艠O線的形狀、氮化硅sinx所受應(yīng)力差異等原因產(chǎn)生斷裂，若層間介質(zhì)層存在裂紋，在層間介質(zhì)層上形成源、漏極時，源、漏極的形成材料會進(jìn)入層間介質(zhì)層的裂紋中，導(dǎo)致顯示面板顯示不良，且采用三層結(jié)構(gòu)在層間介質(zhì)層，由于氧化硅對光刻膠的吸附性較差，故需要在涂布光刻膠前涂布光刻膠粘合劑，而光刻膠粘合劑容易導(dǎo)致顯示面板多個亮點和暗點不良現(xiàn)象的發(fā)生。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，用以在不引起大視角色偏的基礎(chǔ)上，減少顯示裝置多個亮點和暗點現(xiàn)象的發(fā)生，提高顯示裝置的顯示效果。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，包括：包括：提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成有源層，在所述有源層朝向所述襯底基板或背離所述襯底基板的一側(cè)形成柵極層，，還包括：

在所述有源層背離所述襯底基板的一側(cè)形成層間介質(zhì)層，其中：沿遠(yuǎn)離所述襯底基板方向、形成的所述層間介質(zhì)層包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層、第三膜層以及第四膜層，其中所述第一膜層和所述第三膜層包括氧化硅層，所述第二膜層和所述第四膜層包括氮化硅層；

形成位于所述層間介質(zhì)層上的光刻膠層；

形成從所述層間介質(zhì)層延伸至所述有源層的過孔；

形成位于所述層間介質(zhì)層背離所述襯底基板一側(cè)的源、漏極層，其中在形成所述源、漏極層的同時去除所述層間介質(zhì)層中未被所述源、漏極層覆蓋的部分內(nèi)的第四膜層。

本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法，將層間介質(zhì)層采用四層膜層形成，這樣可以避免原有的三層膜層位于頂層的氧化硅與光刻膠粘附性差，需要額外涂布光刻膠粘合劑的問題，可以節(jié)省成本，同時可以減少由于涂布光刻膠粘合劑產(chǎn)生的多個亮點和暗點現(xiàn)象的發(fā)生，此外，形成的層間介質(zhì)層位于源、漏極未覆蓋的區(qū)域的部分上的第四膜層(氮化硅膜層)在經(jīng)過刻蝕工藝形成源、漏極的同時被刻蝕掉，可以使得層間介質(zhì)層未被源、漏極覆蓋的區(qū)域仍為三層膜層(氧化硅層、氮化硅層、氧化硅層)，這樣可以不引起顯示裝置大視角色差。

故，本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法，可以在不引起大視角色偏的基礎(chǔ)上，減少顯示裝置多個亮點和暗點現(xiàn)象的發(fā)生，提高顯示裝置的顯示效果。

在一些可選的實施方式中，形成的所述第四膜層的厚度大于等于20納米且小于等于80納米。便于刻蝕去除。

在一些可選的實施方式中，形成的所述第一膜層、所述第二膜層以及所述第三膜層的厚度大于等于80納米且小于等于1000納米。

在一些可選的實施方式中，所述在形成所述源、漏極層的同時去除所述層間介質(zhì)層中未被所述源、漏極層覆蓋的部分內(nèi)的第四膜層，具體包括：

在采用刻蝕工藝形成源、漏極層的同時、刻蝕掉所述層間介質(zhì)層中未被所述源、漏極層覆蓋的部分內(nèi)的第四膜層。

在一些可選的實施方式中，所述柵極層位于所述有源層背離所述襯底基板的一側(cè)，所述陣列基板的制備方法還包括：

形成位于所述襯底基板與所述有源層之間的遮光層；

形成位于所述遮光層和所述有源層之間的緩沖層；

形成位于所述有源層和所述柵極層之間的柵極絕緣層；

形成位于所述源、漏極層上的平坦層；

形成位于所述平坦層上的第一電極層；

形成位于所述第一電極層上的鈍化層；

形成從所述鈍化層延伸至源、漏極層的接觸孔；

形成位于所述鈍化層上的第二電極層，所述第二電極層通過所述接觸孔與所述源、漏極層連接。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的有源層，位于所述有源層朝向所述襯底基板或背離所述襯底基板一側(cè)的柵極層，位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的層間介質(zhì)層以及位于所述層間介質(zhì)層背離所述襯底基板一側(cè)的源、漏極層，其中：所述層間介質(zhì)層上設(shè)有延伸至所述有源層的過孔，所述源、漏極層通過所述過孔與所述有源層連接；

沿所述有源層指向所述源、漏極方向，所述層間介質(zhì)層被所述源、漏極層覆蓋的部分包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層、第三膜層以及第四膜層，所述層間介質(zhì)層未被所述源、漏極覆蓋的部分包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層、第三膜層，其中所述第一膜層和所述第三膜層包括氧化硅層，所述第二膜層所述第四膜層包括氮化硅層。

在一些可選的實施方式中，所述第四膜層的厚度大于等于20納米且小于等于80納米。

在一些可選的實施方式中，所述第一膜層、所述第二膜層以及所述第三膜層的厚度大于等于80納米且小于等于1000納米。

在一些可選的實施方式中，所述柵極層位于所述有源層背離所述襯底基板的一側(cè)，所述陣列基板還包括：

位于所述襯底基板與所述有源層之間的遮光層；

位于所述遮光層和所述有源層之間的緩沖層；

位于所述有源層和所述柵極層之間的柵極絕緣層；

位于所述源、漏極層上的平坦層；

位于所述平坦層上的第一電極層；

位于所述第一電極層上的鈍化層，所述鈍化層上設(shè)有延伸至源、漏極層的接觸孔；

位于所述鈍化層上的第二電極層，所述第二電極層通過所述接觸孔與所述源、漏極層連接。

本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任一項所述的陣列基板。由于上述陣列基板可以在不引起大視角色偏的基礎(chǔ)上，減少顯示裝置多個亮點和暗點現(xiàn)象的發(fā)生，提高顯示裝置的顯示效果，故本發(fā)明提供的顯示面板具有較好的顯示效果。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。具有較好的顯示效果。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制備方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制備過程中形成柵極層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a～圖3d為本發(fā)明實施例提供的層間介質(zhì)層的形成過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制備制備過程中形成層間介質(zhì)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a～圖5c為本發(fā)明實施例提供的源、漏極形成過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制備制備過程中形成源、漏極后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-襯底基板2-有源層

3-層間介質(zhì)層31-第一膜層

32-第二膜層33-第三膜層

34-第四膜層4-光刻膠層

5-過孔6-源、漏極層

7-柵極層8-遮光層

9-緩沖層10-柵極絕緣層

11-平坦層12-第一電極層

13-鈍化層14-接觸孔

15-第二電極層16-觸控電極

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明專利保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，包括：

步驟s101：提供一襯底基板1，在襯底基板1上形成有源層2，在有源層2朝向襯底基板或背離襯底基板1的一側(cè)形成柵極層7；以柵極層位于有源層背離襯底基板的一側(cè)為例，此步驟后形成的結(jié)構(gòu)如圖2所示。有源層2與襯底基板1之間還可以設(shè)置其它膜層，例如緩沖層9、遮光層8等。

步驟s102：在有源層2背離襯底基板1的一側(cè)形成層間介質(zhì)層3，其中：沿遠(yuǎn)離襯底基板1方向、形成的層間介質(zhì)層3包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層31、第二膜層32、第三膜層33以及第四膜層34，其中第一膜層31和第三膜層33為氧化硅層，第二膜層32和第四膜層34為氮化硅層；如圖3a所示，每層膜可以采用鍍膜的方式形成。步驟s103：形成位于層間介質(zhì)層3上的光刻膠層4；如圖3b所示。

步驟s104：形成從層間介質(zhì)層3延伸至有源層2的過孔5；如圖3c所示，對涂覆有光刻膠層4的層間介質(zhì)層3進(jìn)行掩模曝光，去掉所要形成的過孔5對應(yīng)的部分的光刻膠，如圖3d所示，對層間介質(zhì)層3進(jìn)行刻蝕形成所需的過孔5，并去除多余的光刻膠，上述掩模曝光中所用的掩模的具體形狀可以根據(jù)需要設(shè)定，所涂覆的光刻膠可以為正性光刻膠也可以為負(fù)性光刻膠。步驟s104完成后形成的陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖4所示。

步驟s105：形成位于層間介質(zhì)層3背離襯底基板1一側(cè)的源、漏極層6，其中在形成源、漏極層6的同時去除層間介質(zhì)層3中未被源、漏極層6覆蓋的部分內(nèi)的第四膜層34。如圖5a～圖5c所示，以柵極層位于有源層背離襯底基板的一側(cè)為例，步驟s105完成后形成的陣列基板如圖6所示。

上述有源層可以為多晶硅層，也可以為單晶硅層。

可選的，形成的第四膜層34的厚度大于等于20納米且小于等于80納米。這樣可以在形成源、漏極時便于將第四膜層34一起刻蝕去除。例如：第四膜層34的厚度可以為20納米、30納米、45納米、50納米、60納米、70納米、80納米等，這里就不再一一贅述。

可選的，形成的第一膜層31、第二膜層32以及第三膜層33的厚度大于等于80納米且小于等于1000納米。第一膜層31、第二膜層32以及第三膜層33的厚度可以相同也可以不同，上述第一膜層31、第二膜層32、第三膜層33的厚度可以為80納米、150納米、300納米、500納米、600納米、850納米、900納米、1000納米等，這里就不再一一贅述，具體的第一膜層31、第二膜層32以及第三膜層33的厚度本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際產(chǎn)品需要設(shè)定。

上述步驟s106中，在形成源、漏極層6的同時去除層間介質(zhì)層3中未被源、漏極層6覆蓋的部分內(nèi)的第四膜層34，具體包括：

在采用刻蝕工藝形成源、漏極層6的同時、刻蝕掉層間介質(zhì)層3中未被源、漏極層6覆蓋的部分內(nèi)的第四膜層34。如圖5a所示，在層間介質(zhì)層3上鍍金屬膜，如圖5b所示，在金屬膜的保留區(qū)域上涂布光刻膠，并對涂布有光刻膠的金屬膜進(jìn)行刻蝕去除不需要的金屬膜對應(yīng)的區(qū)域，在刻蝕的同時，與現(xiàn)有技術(shù)相比增加一些刻蝕時間以將不需要的金屬膜對應(yīng)的區(qū)域覆蓋的第四膜層34去除。如圖5c所示，最后將金屬膜的保留區(qū)域上的光刻膠剝離，形成源、漏極層6。

本發(fā)明提供的一種具體實施方式中，柵極層位于有源層背離襯底基板的一側(cè)，陣列基板的制備方法還包括：

形成位于襯底基板1與有源層2之間的遮光層8；遮光層8可以采用鍍膜工藝形成。

形成位于遮光層8和有源層2之間的緩沖層9；緩沖層9可以采用鍍膜工藝形成。

形成位于有源層2和柵極層7之間的柵極絕緣層10；柵極絕緣層10可以采用鍍膜工藝形成。

形成位于源、漏極層6上的平坦層11；平坦層11可以采用鍍膜工藝形成。

形成位于平坦層11上的第一電極層12；

形成位于第一電極層12上的鈍化層13；鈍化層13采用鍍膜工藝形成。

形成從鈍化層13延伸至源、漏極層6的接觸孔14，接觸孔14可以采用掩膜板曝光、刻蝕等工藝形成。

形成位于鈍化層13上的第二電極層15，第二電極層15通過接觸孔14與源、漏極層6連接。形成的陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖7和圖8所示。上述第一電極可以為公共電極，第二電極為像素電極。

本發(fā)明提供的另一種具體實施方式中，柵極層位于有源層朝向襯底基板的一側(cè)，陣列基板的制備方法還包括：

形成位于有源層和柵極層之間的柵極絕緣層；柵極絕緣層可以采用鍍膜工藝形成。

形成位于源、漏極層上的平坦層；平坦層可以采用鍍膜工藝形成。

形成位于平坦層上的第一電極層；

形成位于第一電極層上的鈍化層；鈍化層采用鍍膜工藝形成。

形成從鈍化層延伸至源、漏極層的接觸孔，接觸孔可以采用掩膜板曝光、刻蝕等工藝形成。

形成位于鈍化層上的第二電極層15，第二電極層15通過接觸孔與源、漏極層6連接。上述第一電極可以為公共電極，第二電極為像素電極。此種結(jié)構(gòu)的陣列基板中，也可以在柵極層和襯底基板之間形成遮光層和緩沖層。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括：襯底基板，位于襯底基板上的有源層，位于有源層朝向襯底基板或背離襯底基板一側(cè)的柵極層，位于有源層遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的層間介質(zhì)層以及位于層間介質(zhì)層背離襯底基板一側(cè)的源、漏極層，其中：層間介質(zhì)層上設(shè)有延伸至有源層的過孔，源、漏極層通過過孔與有源層連接；

沿有源層指向源、漏極方向，層間介質(zhì)層被源、漏極層覆蓋的部分包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層、第三膜層以及第四膜層，層間介質(zhì)層未被源、漏極覆蓋的部分包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層、第三膜層，其中第一膜層和第三膜層包括氧化硅層，第二膜層第四膜層包括氮化硅層。

以柵極層位于有源層背離襯底基板一側(cè)為例，如圖5c以及圖7所示，本發(fā)明還提供的陣列基板，包括：襯底基板1，位于襯底基板1上的有源層2，位于有源層2背離襯底基板1一側(cè)的柵極層7，位于柵極層7背離襯底基板1一側(cè)的層間介質(zhì)層3以及位于層間介質(zhì)層3背離襯底基板1一側(cè)的源、漏極層6，其中：層間介質(zhì)層3上設(shè)有延伸至有源層2的過孔5，源、漏極層6通過過孔5與有源層2連接；

沿有源層2指向源、漏極方向，層間介質(zhì)層3被源、漏極層6覆蓋的部分包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層31、第二膜層32、第三膜層33以及第四膜層34，層間介質(zhì)層3未被源、漏極覆蓋的部分包括：依次層疊設(shè)置的第一膜層31、第二膜層32、第三膜層33，其中第一膜層31和第三膜層33包括氧化硅層，第二膜層32第四膜層34包括氮化硅層。

本發(fā)明提供的陣列基板，將位于柵極和源漏極之間的層間介質(zhì)層3采用四層膜層形成，這樣可以避免原有的三層膜層位于頂層的氧化硅與光刻膠粘附性差，需要額外涂布光刻膠粘合劑的問題，可以節(jié)省成本，同時可以減少由于涂布光刻膠粘合劑產(chǎn)生的多個亮點和暗點現(xiàn)象的發(fā)生，此外，形成的層間介質(zhì)層3位于源、漏極未覆蓋的區(qū)域的部分上的第四膜層34(氮化硅膜層)在經(jīng)過刻蝕工藝形成源、漏極的同時被刻蝕掉，可以使得層間介質(zhì)層3未被源、漏極覆蓋的區(qū)域仍為三層膜層(氧化硅層、氮化硅層、氧化硅層)，這樣可以不引起顯示裝置大視角色差。

故，本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法，可以在不引起大視角色偏的基礎(chǔ)上，減少顯示裝置多個亮點和暗點現(xiàn)象的發(fā)生，提高顯示裝置的顯示效果。

上述有源層可以為多晶硅層也可以為單晶硅層。

可選的，第四膜層34的厚度大于等于20納米且小于等于80納米。這樣可以在形成源、漏極時便于將第四膜層34一起刻蝕去除。例如：第四膜層34的厚度可以為20納米、30納米、45納米、50納米、60納米、70納米、80納米等，這里就不再一一贅述。

可選的，第一膜層31、第二膜層32以及第三膜層33的厚度大于等于80納米且小于等于1000納米。第一膜層31、第二膜層32以及第三膜層33的厚度可以相同也可以不同，上述第一膜層31、第二膜層32、第三膜層33的厚度可以為80納米、150納米、300納米、500納米、600納米、850納米、900納米、1000納米等，這里就不再一一贅述，具體的第一膜層31、第二膜層32以及第三膜層33的厚度本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際產(chǎn)品需要設(shè)定。

如圖7所示，一種具體實施方式中，柵極層位于有源層背離襯底基板的一側(cè)，陣列基板還包括：

位于襯底基板1與有源層2之間的遮光層8；

位于遮光層8和有源層2之間的緩沖層9；

位于有源層2和柵極層7之間的柵極絕緣層10；

位于源、漏極層6上的平坦層11；

位于平坦層11上的第一電極層12；

位于第一電極層12上的鈍化層13，鈍化層13上設(shè)有延伸至源、漏極層6的接觸孔14；

位于鈍化層13上的第二電極層15，第二電極層15通過接觸孔14與源、漏極層6連接。

另一種具體實施方式中，柵極層位于有源層朝向襯底基板的一側(cè)，陣列基板還包括：

位于有源層和柵極層之間的柵極絕緣層；

位于源、漏極層上的平坦層；

位于平坦層上的第一電極層；

位于第一電極層上的鈍化層，鈍化層上設(shè)有延伸至源、漏極層的接觸孔；

位于鈍化層上的第二電極層15，第二電極層15通過接觸孔與源、漏極層6連接。此種結(jié)構(gòu)的陣列基板中，也可以在柵極層和襯底基板之間設(shè)置遮光層和緩沖層。

本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任一項所述的陣列基板。由于上述陣列基板可以在不引起大視角色偏的基礎(chǔ)上，減少顯示裝置多個亮點和暗點現(xiàn)象的發(fā)生，提高顯示裝置的顯示效果，故本發(fā)明提供的顯示面板具有較好的顯示效果。

上述顯示面板可以為觸控面板，該觸控面板可以為內(nèi)嵌式觸控面板。上述內(nèi)嵌式觸控面板內(nèi)的觸控電極16可以與源、漏電極同步形成。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。具有較好的顯示效果。

本發(fā)明實施例提供的顯示裝置可以為手機、平板電腦、電子紙、電子相框中的任意一種。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。