技術(shù)編號(hào)：12827312
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。背景技術(shù)隨著集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，芯片上將集成更多器件，芯片也將具有更快的速度。在這些要求的推進(jìn)下，器件的幾何尺寸將不斷縮小，在芯片的制造工藝中不斷采用新材料、新技術(shù)和新的制造工藝。目前半導(dǎo)體器件的制備工藝逐漸成熟。隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷減小給器件制備帶來更多的挑戰(zhàn)，目前半導(dǎo)體器件中晶體管的制備方法通常是先形成NMOS和PMOS柵極材料層，首先對(duì)PMOS進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，然后對(duì)NMOS進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，然后形成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。