技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法。該方法包含：準(zhǔn)備包含多個(gè)凸起部形成在一基板上的一晶圓；這些突起部向上突起在基板的一表面并且具有從基板的表面上測(cè)量的一高度。此方法更包含決定代表相鄰的突起部之間的間隔的分布的一間隔分布，以及基于高度和間隔分布計(jì)算一注入角度。此注入角度為基板的一法線方向和一注入方向之間的一角度。此方法也包含以計(jì)算的注入角度注入離子。

技術(shù)研發(fā)人員：周承翰;楊怡箴;張耀文;盧道政
受保護(hù)的技術(shù)使用者：旺宏電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510146245
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.31
技術(shù)公布日：2016.11.23