技術(shù)編號：11836172
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于制造半導(dǎo)體裝置，特別是有關(guān)于制造半導(dǎo)體裝置期間的注入程序。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置通過一制造程序形成在一晶圓上。在某些情況下，形成在一晶圓上的半導(dǎo)體裝置是相同的，亦即它們具有相同的尺寸和相同的特性。然而，現(xiàn)代半導(dǎo)體裝置的制造程序可包含數(shù)十或甚至數(shù)百個程序步驟，并且程序變化可能導(dǎo)致裝置的尺寸偏差。此裝置尺寸偏差可能會導(dǎo)致裝置特性的偏差，例如半導(dǎo)體裝置的閾值電壓Vth、或崩潰電壓Vpt。這種偏差可能在當(dāng)晶圓的尺寸增加或各個半導(dǎo)體裝置的尺寸減小時變更大。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方...
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