專利名稱：多層陶瓷電容器和該多層陶瓷電容器的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器和該多層陶瓷電容器的制造方法，更具體地，涉及一種具有良好可靠性的高容量多層陶瓷電容器和該高容量多層陶瓷電容器的制造方法。
背景技術：
通常，諸如電容器、感應器、壓電元件、變阻器、熱敏電阻等使用陶瓷材料的電子部件包括由陶瓷材料制成的陶瓷本體、形成在陶瓷本體內(nèi)的內(nèi)電極和外電極,該外電極安裝在所述陶瓷本體的表面上以連接于所述內(nèi)電極。陶瓷電子部件中的多層陶瓷電容器構(gòu)造成包括多個層疊的電介質(zhì)層；布置成彼此相對的內(nèi)電極，每個電介質(zhì)層位于所述內(nèi)電極之間；以及電連接于內(nèi)電極的外電極。由于諸如小型化、高容量、容易安裝等優(yōu)點，多層陶瓷電容器已經(jīng)廣泛用作例如計算機、PDA(掌上電腦)、移動電話等移動通信設備的器件。最近，由于電子產(chǎn)品已經(jīng)變得小型化且多功能，芯片元件也已經(jīng)傾向于小型化和多功能。結(jié)果，需要在增加多層陶瓷電容器的容量的同時使得多層陶瓷電容器小型化。通常，可以按照如下方式制造多層陶瓷電容器。首先，通過制造陶瓷基片并且在陶瓷基片上印刷導電膠，形成內(nèi)電極。通過使得其上形成有內(nèi)電極的陶瓷基片層疊多層(從數(shù)層到數(shù)百層)，以制造基片陶瓷層合板。此后，通過在高溫和高壓下壓縮基片陶瓷層合板，制造固化基片陶瓷層合板，并且該固化基片陶瓷層合板經(jīng)由切割工藝以制造基片芯片。此后，通過塑化(即增塑)和燒制基片芯片并且隨后在其上形成外電極，從而制造完成多層陶瓷電容器。最近，由于多層陶瓷電容器已經(jīng)小型化并且其容量增加，陶瓷層合板也已經(jīng)減薄且多層化。由于陶瓷基片減薄且多層化，其上形成有內(nèi)電極的陶瓷基片層和其上不形成有內(nèi)電極的另一陶瓷基片層之間存在厚度差，并且在壓縮陶瓷基片層之后，其間還存在密度差。由于厚度和密度的差異，在陶瓷本體中會出現(xiàn)諸如裂紋，小孔等內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有良好可靠性的高容量多層陶瓷電容器和該高容量多層陶瓷電容器的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，提供了一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括多層本體，該多層本體具有彼此相對的第一側(cè)面和第二側(cè)面，并且具有連接所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面的第三側(cè)面和第四側(cè)面；內(nèi)電極，該內(nèi)電極形成在所述多層本體中，并且形成為與所述第三側(cè)面或所述第四側(cè)面間隔開預定距離；凹槽部分，該凹槽部分形成在所述多層本體的頂表面和底表面的至少一個上，并且形成為平行于所述第三側(cè)面或第四側(cè)面且距離該第三側(cè)面或第四側(cè)面預定距離；以及外電極，該外電極從所述第三側(cè)面和第四側(cè)面延伸到所述多層本體的頂表面或底表面以覆蓋所述凹槽部分。所述多層陶瓷電容器還可包括形成在所述多層本體的第一側(cè)面和第二側(cè)面上的第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分。所述第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分可以形成在所述頂表面和底表面的至少一個上，并且可包括形成為平行于所述多層本體的第三側(cè)面或第四側(cè)面的所述凹槽部分。
所述凹槽部分可呈V形。所述第一側(cè)面部分和所述第二側(cè)面部分可以由陶瓷漿料制成。所述多層陶瓷電容器還可包括虛電極，該虛電極距離所述內(nèi)電極預定距離，并且形成在所述內(nèi)電極與所述第三側(cè)面或第四側(cè)面之間的預定距離內(nèi)。所述虛電極的一端暴露于所述第三側(cè)面或第四側(cè)面。所述多層本體可通過層疊多個電介質(zhì)層而形成，該多個電介質(zhì)層的寬度形成所述第一側(cè)面與第二側(cè)面之間的距離，并且所述內(nèi)電極的寬度與所述電介質(zhì)層的寬度相同。所述多層陶瓷電容器還可包括虛電極，該虛電極形成在電介質(zhì)層上并與所述內(nèi)電極間隔開預定距離，且該虛電極的寬度與所述電介質(zhì)層的寬度相同。所述內(nèi)電極可包括第一內(nèi)電極，該第一內(nèi)電極的一端暴露于所述第三側(cè)面，并且另一端形成為與所述第四側(cè)面間隔開預定距離；以及第二內(nèi)電極，該第二內(nèi)電極的一端暴露于所述第四側(cè)面，并且另一端形成為與所述第三側(cè)面間隔開預定距離。根據(jù)本發(fā)明的另一典型實施方式，提供了一種多層陶瓷電容器的制造方法，該方法包括制備第一陶瓷基片和第二陶瓷基片，所述第一陶瓷基片上形成有多個帶型第一內(nèi)電極圖案，該多個帶型第一內(nèi)電極圖案形成為彼此間隔開預定距離，所述第二陶瓷基片上形成有多個帶型第二內(nèi)電極圖案，該多個帶型第二內(nèi)電極圖案形成為彼此間隔開預定距離；通過交替地層疊所述第一陶瓷基片和第二陶瓷基片，以使得各個所述帶型第一內(nèi)電極圖案的中心部分與所述帶型第二內(nèi)電極圖案之間的預定距離彼此重疊，從而形成陶瓷基片層合板；對應于所述帶型第一內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離和所述帶型第二內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離，在所述陶瓷基片層合板的頂表面和底表面的至少一個上形成凹槽部分；以及切割所述陶瓷基片層合板。所述凹槽部分通過擠壓所述陶瓷基片層合板而形成。所述多層陶瓷電容器的制造方法還可包括在所述帶型第一內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離內(nèi)形成第一虛電極圖案，或在所述帶型第二內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離內(nèi)形成第二虛電極圖案。所述陶瓷基片層合板的切割可以通過以預定寬度切割該陶瓷基片層合板，而使得所述陶瓷基片被切割成條型層合板，從而各個所述條型層合板具有側(cè)面和沿該條型層合板的寬度方向形成的所述凹槽部分，且所述側(cè)面上暴露有第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊，以及所述陶瓷基片層合板的切割還包括在暴露有所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊的所述條型層合板的側(cè)面上形成由陶瓷漿料制成的第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分。
所述多層陶瓷電容器的制造方法還可包括在所述第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分的形成之后，通過沿相同切割線切割各個所述第一內(nèi)電極的中心部分和所述第二內(nèi)電極之間的預定距離，而將所述條型層合板切割成多層本體，每個所述多層本體具有第三側(cè)面和第四側(cè)面，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的相應一端分別暴露于所述第三側(cè)面和第四側(cè)面。所述多層陶瓷電容器的制造方法還可包括形成外電極，該外電極從所述多層本體的第三側(cè)面或第四側(cè)面延伸到所述多層本體的頂表面或底表面，以覆蓋所述凹槽部分。所述陶瓷基片層合板的切割可以通過以預定寬度切割該陶瓷基片層合板，而使得所述陶瓷基片被切割成條型層合板，從而各個所述條型層合板具有側(cè)面和沿該條型層合板的寬度方向形成的所述凹槽部分，所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊暴露于所述側(cè)面；以及通過沿相同切割線切割各個所述第一內(nèi)電 極的的中心部分和所述第二內(nèi)電極之間的預定距離，而將所述條型層合板切割成多層本體，各個所述多層本體具有第三側(cè)面和第四側(cè)面，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的相應一端暴露于所述第三側(cè)面和第四側(cè)面，并且所述陶瓷基片層合板的切割還包括在暴露有所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊的所述多層本體的側(cè)面上形成由陶瓷漿料制成的第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分。所述多層陶瓷電容器的制造方法還可包括形成外電極，該外電極從所述多層本體的第三側(cè)面或第四側(cè)面延伸到所述多層本體的頂表面或底表面，以覆蓋所述凹槽部分。


通過結(jié)合附圖的以下詳細描述，將更清楚地理解本發(fā)明的上述和其它方面，特征和其它優(yōu)點，其中圖IA是根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的立體示意圖；以及圖IB是沿圖IA中的線A-A’剖切的多層陶瓷電容器的剖視圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的剖視圖；圖2B是多層本體和側(cè)面部分的立體分解圖；圖2C是多層本體的立體分解圖；以及圖2D是顯示多層陶瓷電容器的一部分的俯視平面圖；以及圖3A到圖3F是示意性顯示根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的制造方法的剖視圖和立體圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖詳細描述本發(fā)明的典型實施方式。然而，本發(fā)明可以被實施為許多不同形式并且不應當被解釋為限于這里闡述的實施方式。更確切地說，提供這些實施方式使得本公開將徹底且完整，并且將把本發(fā)明的范圍完全表達給本領域技術人員。在圖中，部件的形狀和尺寸為了清楚而被夸大。在整個說明書中，相同的或等同的元件通過相同的附圖標記標示。圖IA是根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的立體示意圖。圖IB是沿圖IA的線A-A’剖切的多層陶瓷電容器的剖視圖。參考圖IA和圖1B，根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器構(gòu)造成包括多層本體111、形成在多層本體中的多個內(nèi)電極121和122、形成在多層本體的頂表面和底表面上的凹槽部分V、以及形成在多層本體的外表面上的外電極131和132。多層本體111可以具有彼此相對的第一側(cè)面I和第二側(cè)面2以及連接第一側(cè)面和第二側(cè)面的第三側(cè)面3和第四側(cè)面4。多層本體111的形狀不受特別限制，但可以是如示出的具有第一到第四側(cè)面的長方體形狀。形成在多層本體111中的多個內(nèi)電極121和122的相應一端交替地暴露于第三或第四側(cè)面，并且該多個內(nèi)電極121和122的另一端可以形成為與第三側(cè)面或第四側(cè)面間隔
開預定距離。
詳細地，內(nèi)電極121和122可以形成為具有不同極性的成對的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122。第一內(nèi)電極121的一端可以暴露于第三側(cè)面3并且另一端部可以形成為與第四側(cè)面4間隔開預定距離。第二內(nèi)電極122的一端可以暴露于第四側(cè)面4并且另一端可以形成為與第三側(cè)面3間隔開預定距離。多層本體的頂表面和底表面可以設置有凹槽部分V，并且該凹槽部分V可以形成為平行于多層本體的第三或第四側(cè)面。凹槽部分V可以構(gòu)造成包括第一凹槽部分和第二凹槽部分，該第一凹槽部分形成為與多層本體的第四側(cè)面間隔開預定距離，該第二凹槽部分形成為與多層本體的第三側(cè)面間隔開預定距離。在本發(fā)明的典型實施方式中，多層本體的頂表面和底表面都可以設置有凹槽部分V ;然而，本發(fā)明不限于此，也可以頂表面和底表面中的僅一個設置有凹槽部分V。多層本體的第三側(cè)面3和第四側(cè)面4可以設置有第一和第二外電極131和132，該第一和第二外電極電連接于相應一端暴露于第三側(cè)面或第四側(cè)面的內(nèi)電極。外電極131和132可以從多層本體的第三側(cè)面和第四側(cè)面延伸到多層本體的頂表面或底表面以覆蓋凹槽部分V。外電極和多層本體之間的接觸區(qū)域可以通過凹槽部分V加寬，因此提高了外電極的粘合強度。圖2A到圖2D是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一典型實施方式的多層陶瓷電容器的示意圖。在這里，主要描述不同于上述典型實施方式的其它部件，并將省略相同部件的詳細描述。圖2A是根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的剖視圖。圖2B是多層本體和側(cè)面部分的立體分解圖。圖2C是多層本體的立體分解圖。圖2D是多層陶瓷電容器的一部分的俯視平面圖。參考圖2A到圖2D，多層本體111可以具有彼此相對的第一側(cè)面I和第二側(cè)面2以及連接第一側(cè)面和第二側(cè)面的第三側(cè)面3和第四側(cè)面4。具體地，參考圖2C和圖2D，多層本體111可以通過層疊多個電介質(zhì)層112而形成。多個電介質(zhì)層112可以處于燒結(jié)狀態(tài)，并且可以形成為一體而使得相鄰電介質(zhì)層之間的邊界并不明顯。內(nèi)電極121和122可以形成在電介質(zhì)層上，并且內(nèi)電極121和122可以通過燒結(jié)形成在多層本體111內(nèi)，并使得各個電介質(zhì)層位于相應的所述內(nèi)電極之間。更詳細地，第一內(nèi)電極121可以形成在一個電介質(zhì)層112上，并且第二內(nèi)電極122可以形成在另一電介質(zhì)層112上。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122不是完全地沿電介質(zhì)層的縱向形成。在本發(fā)明的典型實施方式中，電介質(zhì)層的長度可以形成多層本體的第三側(cè)面和第四側(cè)面之間的距離，并且電介質(zhì)層的寬度可以形成多層本體的第一側(cè)面和第二側(cè)面之間的距離。第一內(nèi)電極121的一端可以形成到第三側(cè)面3以暴露于第三側(cè)面3，并且第一內(nèi)電極121的另一端可以形成為與陶瓷本體的第四側(cè)面4間隔開預定距離dl。暴露于多層本體的第三側(cè)面3的第一內(nèi)電極的一端可以連接于第一外電極131。 第二內(nèi)電極122的一端可以暴露于第四側(cè)面4以連接于第二外電極132，并且第二內(nèi)電極122的另一端可以形成為與第三側(cè)面3間隔開預定距離。此外，多層本體111的內(nèi)部可形成有虛電極123和124，該虛電極123和124與內(nèi)電極121和122間隔開預定距離。該虛電極可以指對 電容器的容量形成不具有作用的電極，即使其連接于外電極。第一虛電極123可以形成為與第一內(nèi)電極121間隔開預定距離，以不電連接于電介質(zhì)層112上的第一內(nèi)電極121。第一虛電極123可以形成在第一內(nèi)電極121和第四側(cè)面之間的預定位置，并且第一虛電極123的一端可以暴露于第四側(cè)面。此外，第二虛電極124可以形成為間隔開預定距離，以不電連接于電介質(zhì)層112上的第二內(nèi)電極122。第二虛電極124可以形成在第二內(nèi)電極122和第三側(cè)面之間的預定位置，并且第二虛電極124的一端可以暴露于第三側(cè)面。內(nèi)電極121和122或虛電極123和124可具有與電介質(zhì)層112相同的寬度。就是說，內(nèi)電極121和122或虛電極123和124可以完全沿電介質(zhì)層112的寬度方向形成。因此，內(nèi)電極121和122的遠邊和虛電極123和124的遠邊可以暴露于多層本體111的第一和第二側(cè)面。所述內(nèi)電極的遠邊指的是所述內(nèi)電極的朝向多層本體的第一側(cè)面I或第二側(cè)面2的部分的內(nèi)電極的遠邊，表示內(nèi)電極的沿寬度方向的一個邊根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，雖然內(nèi)電極和電介質(zhì)層形成得較薄，但內(nèi)電極完全地形成為橫跨電介質(zhì)層的寬度以增加內(nèi)電極之間的重疊區(qū)域，因此增加多層陶瓷電容器的容量。此外，通過減少了由于多層陶瓷電容器內(nèi)的內(nèi)電極而形成的臺階以便提高絕緣電阻的壽命，從而使得多層陶瓷電容器具有良好的可靠性并同時具有優(yōu)良的容量特性。如上所述，當電介質(zhì)層上還形成有虛電極時，因內(nèi)電極所形成的臺階可以更有效地減少。參考圖2B，暴露有內(nèi)電極121和122的遠邊的多層本體111的兩個側(cè)面上可形成有第一側(cè)面部分113和第二側(cè)面部分114。因此，可以防止遠邊暴露于第一和第二側(cè)面的內(nèi)電極的缺點。多層本體111的頂表面和底表面可以設置有平行于多層本體的第三或第四側(cè)面的凹槽部分V。凹槽部分V可以構(gòu)造成包括第一凹槽部分和第二凹槽部分，該第一凹槽部分形成為與多層本體的第四側(cè)面間隔開預定距離，該第二凹槽部分形成為與多層本體的第三側(cè)面間隔開預定距離。第一內(nèi)電極121的一端可以形成為與第四側(cè)面間隔開預定距離，并且第一內(nèi)電極121和第四側(cè)面之間可以具有不形成有內(nèi)電極的區(qū)域。多層本體的頂表面對應于不存在第一內(nèi)電極121的所述區(qū)域可以設置有第一凹槽部分。第一凹槽部分可呈V形，并且該V形的中心部分可形成在多層本體的頂表面和底表面上的位置，該位置對應于第一內(nèi)電極121和第一虛電極123之間所形成的預定距離。
此外，第二凹槽部分的中心部分可以形成在多層本體的頂表面和底表面上的位置，該位置對應于第二內(nèi)電極122和第二虛電極124之間所形成的預定距離。此外，第一和第二側(cè)面部分113和114的頂表面和底表面可以設置有凹槽部分V。該凹槽部分V可以形成為與多層本體111的第三或第四側(cè)面平行。類似于形成在多層本體111的頂表面和底表面上的凹槽部分V，該凹槽部分V可以形成為與多層本體的第三或第四側(cè)面平行。根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，第一側(cè)面部分113和第二側(cè)面部分114可以由陶瓷漿料制成。通過控制陶瓷漿料的量和形狀，第一側(cè)面部分113和第二側(cè)面部分114可以形成為具有要求的形狀和厚度(或者定義為寬度)。
第一和第二側(cè)面部分113和114的厚度不受特別限制，但可以設置為2-30 iim。當?shù)谝缓偷诙?cè)面部分113和114的厚度小于2 y m時，多層陶瓷電容器的防潮性能可能降低并且在形成外電極時可能出現(xiàn)放射狀裂紋。此外，當?shù)谝缓偷诙?cè)面部分113和114之間的厚度超過30iim時，在多層本體的塑化和燒制過程中可能難以去除殘留的碳，因此降低內(nèi)電極的連結(jié)性。此外，內(nèi)電極之間的重疊區(qū)域相對減小，由此，難以保證多層陶瓷電容器高容量。多層本體的第三側(cè)面3和第四側(cè)面4可具有第一和第二外電極131，132，以電連接于暴露的內(nèi)電極121和122的相應一端。第一和第二外電極131和132可以從多層本體的第三側(cè)面和第四側(cè)面延伸到多層本體的頂表面或底表面，以覆蓋形成在多層本體上的凹槽部分V。此外，在本發(fā)明的典型實施方式中，第一和第二外電極131和132可以延伸到形成在第一和第二側(cè)面部分113和114上的凹槽部分V。外電極和多層本體之間的接觸區(qū)域可以通過凹槽部分V而加寬，因此提高外電極的粘合強度。在本發(fā)明的典型實施方式中，第一和第二側(cè)面部分的厚度可以較小，因此相對加寬了形成在多層本體中的內(nèi)電極之間的重疊區(qū)域。此外，通過使第一和第二側(cè)面部分的厚度形成為較小，可以容易地去除殘留的碳。因此，殘留的碳的濃度分布較小，因此維持相同的微細結(jié)構(gòu)并且提高內(nèi)電極的連結(jié)性。本發(fā)明的典型實施方式提高了多層本體和外電極之間的粘合強度，因此提高了對抗外部撞擊的機械強度。此外，在本發(fā)明的典型實施方式中，通過在最大化多層陶瓷電容器的容量的同時，提高了防潮性能和絕緣電阻特性，多層陶瓷電容器可以制造成具有良好的
可靠性。下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的制造方法。圖3A到圖3F是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的制造方法的剖視圖和立體圖。首先，如圖3A中所示，多個帶型第一內(nèi)電極圖案221a可以形成在陶瓷基片212a上，并彼此間隔開預定距離d2。多個帶型第一內(nèi)電極圖案221a可以形成為彼此平行。預定距離d2是允許內(nèi)電極與具有不同極性的外電極隔離的距離并且可以被看作圖2D中示出的dlX2的距離。陶瓷基片212a可以由陶瓷坯泥制成，該陶瓷坯泥包括陶瓷粉末、有機溶劑和有機粘結(jié)劑。
陶瓷粉末是具有高的介電常數(shù)的材料，但不限于此?？梢允褂免佀徜^(BaTiO3)材料、鉛復合I丐鈦礦材料、鈦酸銀(SrTiO3)材料等等,優(yōu)選地,可以使用鈦酸鋇(BaTiO3)粉末。當其上形成有多個帶型第一內(nèi)電極圖案221a的陶瓷基片212a被燒制時，陶瓷基片212a可以變成構(gòu)成多層本體111的電介質(zhì)層112。帶型第一內(nèi)電極圖案221a可以由包括導電金屬的內(nèi)電極漿料制成。導電金屬可以是Ni，Cu, Pd或其合金，但并不限于此。在陶瓷基片212a上形成帶型第一內(nèi)電極圖案221a的方法不受特別限制，而是可以通過例如印刷方法而形成，該印刷方法諸如絲網(wǎng)印刷方法或凹版印刷方法。此外，第一虛電極圖案223a可以形成在帶型第一內(nèi)電極圖案221a之間的預定距離d2內(nèi)。第一虛電極圖案223a可以形成為與帶 型第一內(nèi)電極圖案221a間隔開預定距離以便電絕緣。因此，如圖2A到圖2D中所示，可以制造多層陶瓷電容器。此外，多個帶型第二內(nèi)電極圖案222a可以形成在另一陶瓷基片212a上并彼此間隔開預定距離。此外，第二虛電極圖案224a可以形成在帶型第二內(nèi)電極圖案222a之間的預定距離內(nèi)。下文中，其上形成有第一內(nèi)電極圖案221a的陶瓷基片可以稱為第一陶瓷基片，并且其上形成有第二內(nèi)電極圖案222a的陶瓷基片可以稱為第二陶瓷基片。接下來，如圖3B中示出的，第一和第二陶瓷基片可以交替地層疊以使得帶型第一內(nèi)電極圖案221a和帶型第二內(nèi)電極圖案222a交替地層疊。此后，帶型第一內(nèi)電極圖案221a可形成第一內(nèi)電極221，并且?guī)偷诙?nèi)電極圖案222a可形成第二內(nèi)電極222。此外，第一虛電極圖案223a可形成第一虛電極223，并且第二虛電極圖案224a可形成第二虛電極224。圖3C是根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的第一和第二陶瓷基片層疊而成的陶瓷基片層合板210的剖視圖，并且圖3D是第一和第二陶瓷基片層疊而成的陶瓷基片層合板210的立體圖。參考圖3C和圖3D，印刷有多個平行的帶型第一內(nèi)電極圖案221a的第一陶瓷基片和印刷有多個平行的帶型第二內(nèi)電極圖案222a的第二陶瓷基片交替地層疊。更詳細地，第一陶瓷基片和第二陶瓷基片層疊成使得印刷在第一陶瓷基片上的帶型第一內(nèi)電極圖案221a的中心部分和印刷在第二陶瓷基片上的帶型第二內(nèi)電極圖案222a之間的距離d2彼此重疊。帶型第二內(nèi)電極圖案222a之間的距離d2內(nèi)可以形成有第二虛電極圖案。陶瓷基片層合板210的頂表面和底表面的至少一個上可以形成有凹槽部分。形成凹槽部分的方法不受特別限制，并且因此，例如可以使用擠壓陶瓷基片層合板210的方法。可以根據(jù)陶瓷基片層合板的強度和需要的凹槽部分的形狀適當?shù)剡x擇施加到陶瓷基片層合板的壓力的大小。凹槽部分可以形成在由內(nèi)電極和虛電極產(chǎn)生的臺階所處的區(qū)域中。凹槽部分可以形成在陶瓷基片的頂表面或底表面上，并對應于不存在內(nèi)電極或虛電極的區(qū)域。更詳細地，凹槽部分可以形成在對應于帶型內(nèi)電極圖案之間的預定距離的位置以及對應于帶型內(nèi)電極圖案和虛電極圖案之間的預定距離的位置。根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，參照帶型內(nèi)電極圖案的長度方向可以容易地形成凹槽部分。
在本發(fā)明的典型實施方式中，帶型內(nèi)電極圖案之間可以形成有兩個凹槽部分。因此，本發(fā)明的典型實施方式可以提高切割精度并且減少了芯片尺寸的分配工作。下面將提供其詳細描述。接下來，如圖3D中所示，陶瓷基片層合板210可以被切割以橫斷多個帶型第一內(nèi)電極圖案221a和多個帶型第二內(nèi)電極圖案222a。就是說，陶瓷基片層合板210可以沿切割線Cl-Cl被切割成條型層合板220。在這種情況下，層疊的陶瓷基片和虛電極圖案與帶型內(nèi)電極圖案一起也被切割。因此，內(nèi)電極和虛電極可具有與電介質(zhì)層的寬度相同的寬度。此外，形成在陶瓷基片層合板的頂表面和底表面上的凹槽部分可以沿條型層合板的寬度方向被切割。內(nèi)電極的沿寬度方向的遠邊和虛電極的沿寬度 方向的遠邊可以暴露于條型層合板220的切割表面。條型層合板的切割表面各可以稱為條型層合板的第一側(cè)面和第二側(cè)面。接下來，如圖3E中示出的，條型層合板220的第一側(cè)面和第二側(cè)面各可以設置有第一側(cè)面部分213a和第二側(cè)面部分214a。條型層合板220的第一和第二側(cè)面可以被看作對應于圖2B中示出的多層本體111的第一側(cè)面和第二側(cè)面。條型層合板220中的第一和第二側(cè)面部分213a，214a可以由包含陶瓷粉末的陶瓷漿料制成。陶瓷漿料可包括陶瓷粉末、有機粘結(jié)劑和有機溶劑?？梢钥刂铺沾蓾{料的量使得第一和第二側(cè)面部分213a和214a具有需要的厚度(或?qū)挾?。通過將陶瓷漿料施加到條型層合板220的第一和第二側(cè)面，可以形成第一和第二側(cè)面部分213a和214a。施加陶瓷漿料的方法不受特別限制，例如，陶瓷漿料可以通過噴射方法被噴射或可以使用滾筒被施加。此外，條型層合板的第一和第二側(cè)面可以浸泡在陶瓷漿料中以在第一和第二側(cè)面上形成第一和第二側(cè)面部分213a和214a。在陶瓷漿料形成在第一和第二側(cè)面上之后，可以在第一和第二側(cè)面部分的頂表面和底表面的至少一個上形成凹槽部分。該凹槽部分可形成為具有與形成在條型層合板上的凹槽部分的形狀相同的形狀。接下來，如圖3E和圖3F中所示，設置有第一和第二側(cè)面部分213a和214a的條型層合板220可以沿切割線C2-C2被切割成對應于單個芯片尺寸。可以參考圖3C來確定切割線C2-C2的位置。在本發(fā)明的典型實施方式中，當條型層合板沿切割線C2-C2被切割成具有單個芯片尺寸時，凹槽部分可作為參照標志。如上所述，在本發(fā)明的典型實施方式中，兩個凹槽部分可以形成在帶型內(nèi)電極圖案之間，因此提高了切割精度。此外，與形成一個凹槽部分的情況相比，在帶型內(nèi)電極圖案之間形成兩個凹槽部分的情況可以提高參照標志的位置精度，因此減少了芯片尺寸的分配工作。就是說，與在帶型內(nèi)電極圖案之間形成一個凹槽部分的情況相比，形成兩個凹槽部分的情況可減少凹槽部分的分布位置。條型層合板220被切割成芯片尺寸的段，因此形成多層本體211，該多層本體具有形成在其上的第一和第二側(cè)面部分213和214。圖3F未清楚地示出第二側(cè)面部分214并且用虛線示出其輪廓。在沿切割線C2-C2切割條型層合板220時，第一內(nèi)電極的重疊的中心部分和形成在第二內(nèi)電極之間的預定距離d2可以沿相同切割線，即線C2-C2進行切割?？蛇x擇地，第二內(nèi)電極的中心部分和第一內(nèi)電極之間的預定距離可以沿相同的切割線進行切割。在形成虛電極時，彼此重疊的第一內(nèi)電極的中心部分和形成在第二內(nèi)電極之間的第二虛電極的中心部分可以沿相同的切割線進行切割。在另一方面，第二內(nèi)電極的中心部分和形成在第一內(nèi)電極之間的第一虛電極的中心部分可以沿相同的切割線進行切割。因此，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的一端可以交替地暴露于沿切割線C2-C2的切割表面。此外，第一和第二虛電極的端部可以交替地暴露于沿切割線C2-C2的切割表面。暴露有第一內(nèi)電極221或第二虛電極224的 表面被看作圖2B中示出的多層本體的第三側(cè)面3，并且暴露有第二內(nèi)電極222或第一虛電極223的表面可以被看作圖2B中示出的多層本體的第四側(cè)面4。在沿切割線C2-C2切割條型層合板220時，帶型第一內(nèi)電極圖案221a之間的預定距離d2被對半切割，由此，第一內(nèi)電極221的一個端部可以形成為距離第四側(cè)面的預定距離dl。此外，第二內(nèi)電極222可形成為距離第三側(cè)面的預定距離。根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，第一和第二虛電極可以分別形成在預定距離內(nèi)，并且第一虛電極223的一端可以暴露于第四側(cè)面且第二虛電極224的一端可以暴露于第三側(cè)面。多層本體的頂表面和底表面的至少一個可以設置有凹槽部分V。更詳細地，對應于形成在第一內(nèi)電極221和第一虛電極223之間的預定距離的區(qū)域設置有第一凹槽部分，并且對應于形成在第二內(nèi)電極222和第二虛電極224之間的預定距離的區(qū)域可以設置有第二凹槽部分。此后，兩個側(cè)面上形成有第一和第二側(cè)面部分213和214的多層本體211可以被塑化和燒制。接下來，第三側(cè)面和第四側(cè)面各可以設置有外電極，該外電極連接于第一和第二內(nèi)電極的相應一端。外電極可以從第三側(cè)面和第四側(cè)面延伸到多層本體的頂表面或底表面，以因此覆蓋凹槽部分。此外，第一和第二側(cè)面部分在形成在條型層合板的兩個側(cè)面上之后可以進行塑化和燒制，并且隨后條型層合板可以被切割成多層本體的形狀。此后，可以執(zhí)行在多層本體上形成外電極的過程。根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，當條型層合板220上形成有第一和第二側(cè)面部分并且隨后被切割成芯片尺寸的段時，多個多層本體111上可通過一次工藝形成有側(cè)面部分。此外，雖然未示出，但在形成第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分之前，條型層合板可以被切割成芯片尺寸的段，以形成多個多層本體。就是說，條型層合板可以被切割為使得彼此重疊的第一內(nèi)電極的中心部分和第二內(nèi)電極之間的預定距離沿相同切割線被切割。因此，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的一端可以交替地暴露于切割表面。此后，多層本體的第一和第二側(cè)面上可以形成有第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分。然后按照上面描述的方法形成第一和第二側(cè)面部分。其上形成有第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分的多層本體可以被塑化和燒制。此后，暴露有第一內(nèi)電極的多層本體的第三側(cè)面和暴露有第二內(nèi)電極的多層本體的第四側(cè)面上各自可以形成有外電極。外電極可以從第三側(cè)面和第四側(cè)面延伸到多層本體的頂表面或底表面，因此覆蓋凹槽。如上面闡述的，根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，多層本體的頂表面和底表面的至少一個可以設置有凹槽部分，并且可設置外電極以覆蓋凹槽部分。因此，外電極和多層本體的接觸區(qū)域被加寬，以提高外電極的粘合強度，因此提高對抗外部撞擊的機械強度。 根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，雖然內(nèi)電極和電 介質(zhì)層較薄地形成，但內(nèi)電極完全地形成為跨越電介質(zhì)層的寬度，以增加內(nèi)電極之間的重疊區(qū)域，因此增加多層陶瓷電容器
的容量。此外，通過減少由于多層陶瓷電容器內(nèi)的內(nèi)電極所形成的臺階，以便提高絕緣電阻的壽命，從而可以提供具有良好的可靠性，同時具有優(yōu)良的容量特性的多層陶瓷電容器。另外，在本發(fā)明的典型實施方式中，第一和第二側(cè)面部分的厚度可以較小，因此相對加寬了形成在多層本體中的內(nèi)電極之間的重疊區(qū)域。此外，通過使第一和第二側(cè)面部分的厚度形成得較小，可以容易地去除殘留的碳。因此，殘留的碳的分布濃度較小，因此維持良好的微細結(jié)構(gòu)并且提高內(nèi)電極的連結(jié)性。雖然已經(jīng)結(jié)合典型實施方式顯示且描述了本發(fā)明，但本領域技術人員應當清楚，可以作出修改和改變而不偏離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括 多層本體，該多層本體具有彼此相対的第一側(cè)面和第二側(cè)面，并且具有連接所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面的第三側(cè)面和第四側(cè)面； 內(nèi)電極，該內(nèi)電極形成在所述多層本體中，并且形成為與所述第三側(cè)面或所述第四側(cè)面間隔開預定距離； 凹槽部分，該凹槽部分形成在所述多層本體的頂表面和底表面中的至少ー個上，并且形成為平行于所述第三側(cè)面或第四側(cè)面，且距離該第三側(cè)面或第四側(cè)面預定距離；以及 外電極，該外電極從所述第三側(cè)面和第四側(cè)面延伸到所述多層本體的頂表面或底表面以覆蓋所述凹槽部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器還包括形成在所述多層本體的第一側(cè)面和所述第二側(cè)面上的第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分形成在所述頂表面和底表面中的至少ー個上，并且包括形成為平行于所述多層本體的第三側(cè)面或第四側(cè)面的所述凹槽部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器，其中，所述凹槽部分呈V形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側(cè)面部分和所述第二側(cè)面部分由陶瓷漿料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器還包括虛電極，所述虛電極距離所述內(nèi)電極預定距離，并且形成在所述內(nèi)電極與所述第三側(cè)面或第四側(cè)面之間的預定距離內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，所述虛電極的一端暴露于所述第三側(cè)面或第四側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器，其中，所述多層本體通過層疊多個電介質(zhì)層而形成，該多個電介質(zhì)層的寬度形成所述第一側(cè)面與第二側(cè)面之間的距離，并且所述內(nèi)電極的寬度與所述電介質(zhì)層的寬度相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器還包括虛電極，該虛電極形成在所述電介質(zhì)層上并與所述內(nèi)電極間隔開預定距離，且該虛電極的寬度與所述電介質(zhì)層的寬度相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器，其中，所述內(nèi)電極包括第一內(nèi)電極，該第一內(nèi)電極的一端暴露于所述第三側(cè)面，并且另一端形成為與所述第四側(cè)面間隔開預定距離；以及第ニ內(nèi)電極，該第二內(nèi)電極的一端暴露于所述第四側(cè)面，并且另一端形成為與所述第三側(cè)面間隔開預定距離。
11.一種多層陶瓷電容器的制造方法，所述方法包括 制備第一陶瓷基片和第二陶瓷基片，所述第一陶瓷基片上形成有多個帶型第一內(nèi)電極圖案，該多個帶型第一內(nèi)電極圖案形成為彼此間隔開預定距離，所述第二陶瓷基片上形成有多個帶型第二內(nèi)電極圖案，該多個帶型第二內(nèi)電極圖案形成為彼此間隔開預定距離； 通過交替地層疊所述第一陶瓷基片和所述第二陶瓷基片，以使得各個所述帶型第一內(nèi)電極圖案的中心部分與所述帶型第二內(nèi)電極圖案之間的預定距離彼此重疊，從而形成陶瓷基片層合板；對應于所述帶型第一內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離和所述帶型第二內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離，在所述陶瓷基片層合板的頂表面和底表面中的至少ー個上形成凹槽部分；以及 切割所述陶瓷基片層合板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述凹槽部分通過擠壓所述陶瓷基片層合板而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，該方法還包括在所述帶型第一內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離內(nèi)形成第一虛電極圖案，或在所述帶型第二內(nèi)電極圖案之間所形成的預定距離內(nèi)形成第二虛電極圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述陶瓷基片層合板的切割通過以預定寬度切割該陶瓷基片層合板，而使得所述陶瓷基片被切割成條型層合板，從而各個所述條型層合板具有側(cè)面和沿該條型層合板的寬度方向形成的所述凹槽部分，且所述側(cè)面上暴露有第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊；以及 所述陶瓷基片層合板的切割還包括在暴露有所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊的所述條型層合板的側(cè)面上形成由陶瓷漿料制成的第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，該方法還包括在所述第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分形成之后，通過沿相同切割線切割各個所述第一內(nèi)電極的中心部分和所述第二內(nèi)電極之間的預定距離，而將所述條型層合板切割成多層本體，每個所述多層本體具有第三側(cè)面和第四側(cè)面，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的相應一端分別暴露于所述第三側(cè)面和第四側(cè)面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，該方法還包括形成外電極，該外電極從所述多層本體的第三側(cè)面或第四側(cè)面延伸到所述多層本體的頂表面或底表面，以覆蓋所述凹槽部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述陶瓷基片層合板的切割通過以預定寬度切割該陶瓷基片層合板，而使得所述陶瓷基片被切割成條型層合板，從而各個所述條型層合板具有側(cè)面和沿該條型層合板的寬度方向形成的所述凹槽部分，所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊暴露于所述側(cè)面；以及通過沿相同的切割線切割各個所述第一內(nèi)電極的中心部分和所述第二內(nèi)電極之間的預定距離，而將所述條型層合板切割成多層本體，各個所述多層本體具有第三側(cè)面和第四側(cè)面，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的相應一端暴露于所述第三側(cè)面和第四側(cè)面，并且 所述陶瓷基片層合板的切割還包括在暴露有所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的遠邊的所述多層本體的側(cè)面上形成由陶瓷漿料制成的第一側(cè)面部分和第二側(cè)面部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，該方法還包括形成外電極，所述外電極從所述多層本體的第三側(cè)面或第四側(cè)面延伸到所述多層本體的頂表面或所述底表面，以覆蓋所述凹槽部分。
全文摘要
提供一種多層陶瓷電容器和該多層陶瓷電容器的制造方法。該多層陶瓷電容器包括多層本體，該多層本體具有彼此相對的第一側(cè)面和第二側(cè)面并且具有連接所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面的第三側(cè)面和第四側(cè)面；內(nèi)電極，所述內(nèi)電極形成在所述多層本體中并且形成為與所述第三側(cè)面或所述第四側(cè)面間隔開預定距離；凹槽部分，所述凹槽部分形成在所述多層本體的頂表面和底表面的至少一個上，并形成為平行于第三或第四側(cè)面且距離第三或第四側(cè)面預定距離；和外電極，所述外電極從第三側(cè)面和第四側(cè)面延伸到多層本體的頂表面或底表面以覆蓋所述凹槽部分。
文檔編號H01G4/30GK102683016SQ20111039059
公開日2012年9月19日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者金亨俊 申請人:三星電機株式會社