專利名稱：：晶片的制造方法和制造裝置以及固化性樹脂組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于除去晶片的翹曲、起伏(5^^)的方法，所述晶片的翹曲和起伏是以硅為代表的單晶錠切片時(shí)產(chǎn)生的。
背景技術(shù)：
：對于現(xiàn)有的晶片制造，是通過例如圖8所示的工藝制造的。首先，在步驟SIO，在對通過例如單晶提拉法制造的單晶錠的外周進(jìn)行磨削后，實(shí)施用于結(jié)晶方向定位的例如定位面加工(才U二>亍一'〉3>7，'7卜加工)、缺口加工(77f加工)，利用內(nèi)周刃式鋸或線狀鋸將單晶錠切片(步驟S10:切片工序)。接下來，在步驟S20，利用磨削磨石對切下的晶片的外周部進(jìn)行倒角(磨斜棱(bevding))(步驟S20:倒角工序)，然后在步驟S30，通過研磨工序或者雙面磨削工序形成均勻的厚度。其后，在步驟S40，通過磨削磨石對晶片表面的兩面分別或同時(shí)進(jìn)行磨削(研磨)，除去由切片產(chǎn)生的晶片上的起伏，從而將晶片的兩面平坦化。此時(shí)，利用研磨機(jī)磨削晶片的兩面時(shí)，晶片表面產(chǎn)生加工變質(zhì)層。于是，在步驟S50，通過利用酸或堿的蝕刻或者CMP(ChemicalMechanicalPolishing:化學(xué)機(jī)械研磨法)等研磨來除去加工變質(zhì)層。一直以來以該方式制造以硅為代表的晶片，但由于從單晶錠到制造出晶片的工序數(shù)較多，因此要求簡化晶片制造工序。因此，人們對省略研磨工序或雙面磨削工序的情況進(jìn)行了研究。但是，僅利用通常的磨削工序，存在難以除去在將單晶錠切片時(shí)產(chǎn)生的晶片表面的翹曲、起伏這樣的問題。在專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2中公開了用于除去這樣的起伏的方法。在這些方法中，首先在切出的晶片的任意一個(gè)面上涂布蠟或樹脂等，并使其固化。固化時(shí)，將平坦的板壓接在蠟或樹脂的表面上，從而使固化后的樹脂的表面成為均勻的平坦面(基準(zhǔn)面)。接下來，在蠟或樹脂固化后，以固化的表面為下側(cè)并使基準(zhǔn)面與卡盤工作臺的面接觸來將晶片保持在卡盤工作臺上。進(jìn)而，利用磨削磨石對保持在卡盤工作臺上的晶片的上側(cè)表面進(jìn)行磨削。由此，除去表面存在的起伏，再通過進(jìn)行必要量的磨削，從而能形成均勻的平坦面。其后，使在晶片的上側(cè)表面形成的平坦面為下側(cè)，將晶片保持在卡盤工作臺上。并且，在磨削前將固化的蠟或樹脂除去，然后對晶片的另一面進(jìn)行起伏的除去和磨削，由此能夠?qū)⒕庸こ删哂蓄A(yù)定厚度且表面平坦的晶片。但是，在上述的方法中，由于沒有對涂布在晶片表面上的蠟或樹脂的厚度進(jìn)行限定，因此在某些厚度下可能產(chǎn)生以下問題。例如，涂布在晶片上的樹脂等的厚度過薄時(shí)，不能借助樹脂等來充分補(bǔ)償(抹平)起伏，導(dǎo)致磨削時(shí)起伏被轉(zhuǎn)印(転寫)到晶片的加工面上，結(jié)果不能除去起伏。另一方面，涂布在晶片上的樹脂等的厚度過厚時(shí)，在樹脂等的彈性的作用下晶片從磨削磨石下逃脫，因此即使能夠除去表面的起伏，也不能將晶片磨削成均一的厚度。為了解決該問題，在專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4中提出了如下技術(shù)作為用于在晶片表面上形成基準(zhǔn)面的表面固定化方法，使用糊狀的固化性材料，借助該固化性材料來補(bǔ)償晶片的翹曲、起伏。作為用于補(bǔ)償翹曲、起伏的構(gòu)成，專利文獻(xiàn)3中僅公開了在用于固定晶片的方法中使用粘接材料。另外，在專利文獻(xiàn)4中公開了通過將固化性材料涂布成特定的厚度而能夠補(bǔ)償起伏這樣的技術(shù)。但是，難以同時(shí)除去晶片表面的翹曲、起伏，另外在使用固化性樹脂組合物的情況下，通常將其涂布在基材上并使其固化后會出現(xiàn)由固化帶來的收縮，從而因該收縮導(dǎo)致晶片出現(xiàn)翹曲?；谶@樣的理由，期望開發(fā)出這樣一種材料，該材料能夠除去在磨削加工時(shí)的晶片的翹曲、起伏且能夠抑制在固化性樹脂組合物的固化過程中晶片出現(xiàn)翹曲。專利文獻(xiàn)l:日本特開平11-111653號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2000-5982號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開平8-66850號公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2006-269761號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供在涂布于晶片表面上的固化性樹脂組合物固化時(shí)晶片不出現(xiàn)翹曲、而且在晶片表面的磨削加工工序中能除去晶片表面的翹曲、起伏并能將晶片磨削至所需厚度的、新穎且改良的制造晶片的方法和制造裝置以及在上述制造方法中使用的固化性樹脂組合物。為了解決上述問題而做出的本發(fā)明涉及包括以下構(gòu)成的制造晶片的方法。即，該晶片的制造方法具有如下工序(A)準(zhǔn)備薄板狀晶片的前工序，該薄板狀晶片是由晶錠切片而得到的；(B)固化性樹脂組合物層形成工序，在該工序中，以10pm20(Vm的膜厚將具有下述的(bl)和(b2)特性的固化性樹脂組合物涂布在上述晶片的第一面上，(bl)固化收縮率為7n/。以下，(b2)固化體的儲能模量(E，)于25。C的值為1.0X106Pa3.0X109Pa;(C)平坦化工序，在該工序中，利用擠壓單元對涂布有上述固化性樹脂組合物的晶片的第二面進(jìn)行擠壓，由此將涂布在第一面上的固化性樹脂組合物層平坦化；(D)固化性樹脂組合物層固定化工序，在該工序中，在將利用上述擠壓單元產(chǎn)生的擠壓解除后，對涂布在上述晶片上的固化性樹脂組合物層照射活性能量射線，使所述固化性樹脂組合物層在晶片表面固化；(E)第一磨削工序，在該工序中，將由上述固化性樹脂組合物層固定的晶片的第二面磨削加工成平坦面；(F)第二磨削工序，在該工序中，以通過上述表面加工工序平坦化的晶片的第二面為基準(zhǔn)面，對第一面進(jìn)行磨削加工。另外，本發(fā)明還涉及供上述晶片的制造方法使用的制造晶片的裝置。即，制造晶片的裝置的特征在于，該裝置至少具備具有大致水平的保持面的臺，在該臺上以將第一面涂布有固化性樹脂組合物的晶片的第二面露出的方式保持該晶片；與上述臺對置的擠壓單元，該擠壓單元從上述第二面?zhèn)认蛏鲜雠_方向?qū)Ρ３衷谠撆_上的上述晶片進(jìn)行擠壓；活性能量射線照射單元，該單元對涂布在上述晶片上的上述固化性樹脂組合物照射活性能量射線；第一磨削單元，該單元將由上述固化性樹脂組合物層固定的上述晶片的上述第二面磨削加工成平坦面；和第二磨削單元，該單元以利用上述第一磨削單元平坦化后的上述晶片的上述第二面為基準(zhǔn)面，對上述第一面進(jìn)行磨削加工。在該晶片的制造方法中，在由晶錠切片而得到的晶片的第一面上涂布特定固化性樹脂組合物，形成固化性樹脂組合物層。作為該涂布方法，例如可以通過預(yù)先將固化性樹脂組合物涂布處理在例如PET膜等具有透光性的部件上，在固化性樹脂組合物層上放置晶片，由此來實(shí)施涂布，但是對該涂布方法沒有特別限定，只要不妨礙本發(fā)明的功能即可。接下來，將形成有固化性樹脂組合物層的一側(cè)的表面作為基準(zhǔn)面，使固化性樹脂組合物層存在的面為底面，通過用平坦的板狀部件等擠壓單元來均等地?cái)D壓晶片，從而加工成平坦面。然后，對固化性樹脂組合物層照射紫外線、電子射線、Y射線等活性能量射線使其固化。需要說明的是，此時(shí)，使擠壓單元脫離晶片后再照射活性能量射線，使上述固化性樹脂組合物層固化。這是因?yàn)?，這樣不會在固化性樹脂組合物層殘存內(nèi)部應(yīng)力。然后，以平坦面與構(gòu)成晶片保持單元的卡盤工作臺等部件接觸的方式來載置晶片，對晶片的與平坦面相反一側(cè)的第二面進(jìn)行磨削。此處，固化性樹脂組合物具有于25"的儲能模量(E')值為1.0X106Pa3.0X109Pa的特征，并且通過使其厚度為10^im200^im，可以借助該固化性樹脂組合物層來充分補(bǔ)償晶片的翹曲、起伏，從而在磨削加工工序中不會使翹曲、起伏轉(zhuǎn)印到晶片的加工面上。并且利用固化性樹脂組合物層的適度的彈性作用，能夠?qū)⒕砻婺ハ鞒删坏暮穸?。另外，由于固化性樹脂組合物層還具有固化收縮率為7%以下這一特征，因此還能夠改善在固化性樹脂組合物固化時(shí)，晶片隨該固化性樹脂組合物的收縮而在晶片上產(chǎn)生新的翹曲這一現(xiàn)象。如此，在不進(jìn)行研磨工序或雙面磨削工序的情況下，通過磨削工序?qū)⒕牡诙婕庸こ沙チ寺N曲、起伏的均勻的平坦面。其后，對晶片的第一面進(jìn)行加工，但此處，也可以在磨削第一面之前將涂布在第一面上的固化性樹脂組合物層除去。作為除去的方法，通過浸漬在60°C9(TC的熱水中能夠容易地剝離本發(fā)明的固化性組合物層，因此優(yōu)選通過熱水浸漬來將涂布在第一面上的固化性樹脂組合物層剝離除去，但在本發(fā)明中，并不限于此方法，還可以采用例如有機(jī)溶劑浸漬或者水蒸氣蒸等來將涂布在第一面上的固化性樹脂組合物層剝離除去等方法。另外，在固化性樹脂組合物層形成在膜上的情況下，通過剝離膜可以容易地將上述固化性樹脂組合物層剝離除去。其后，將晶片載置在卡盤工作臺等固定部件上并使經(jīng)平坦化加工的第二面與固定部件接觸，對第一面進(jìn)行磨削。此時(shí)，由于與固定部件接觸的第二面是平坦面，因此能夠?qū)⒌谝幻婕庸こ珊穸染鶆虻钠教姑?，也不會使翹曲、起伏轉(zhuǎn)印到第一面上。另外，也可以不除去固化性樹脂組合物層，在固化性樹脂組合物層附著在晶片的第一面上這種狀態(tài)下，在后工序中將晶片的第一面與該固化性樹脂組合物層一同磨削，而不是如上所述的預(yù)先除去固化性樹脂組合物層后再對第一面進(jìn)行磨削。如此，可以通過一個(gè)切削工序來進(jìn)行固化性樹脂組合物層的除去和晶片的翹曲、起伏的除去，進(jìn)而能夠?qū)⒕庸こ鼍哂芯鶆蚝穸鹊钠教姑?。另外，在本發(fā)明中，還可以將固化性樹脂組合物預(yù)先涂布處理在具有透光性的軟質(zhì)薄膜上，在該處理后的膜的固化性樹脂組合物上載置晶片，由此成為固化性樹脂組合物層形成工序。通過在膜上形成固化性樹脂組合物層，可以在加工晶片的第一面后除去固化性樹脂組合物層時(shí)容易地將該組合物層從晶片上剝離除去，因此可以簡化剝離工序，還能夠降低在剝離時(shí)在晶片上施加過度的應(yīng)力而導(dǎo)致其破損的可能性。作為膜的材質(zhì)，PET、聚烯烴制造的膜是特別適合的，因?yàn)檫@種膜的柔軟性優(yōu)異并且固化性樹脂組合物層的隨動性良好，但并不限于此。另外，本發(fā)明還涉及供上述晶片的制造方法使用的固化性樹脂組合物。即，本發(fā)明涉及一種固化性樹脂組合物，其特征在于，該組合物具有下述的(bl)和(b2)特性，(bl)固化收縮率為7c/。以下，(b2)固化體的儲能模量(E，)于25i:的值為1.0X106Pa3.0X109Pa。如上說明那樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在磨削工序中能除去切片時(shí)產(chǎn)生的晶片表面的翹曲和起伏并且能夠使晶片表面上不新出現(xiàn)翹曲而將晶片磨削至所需厚度的、晶片的制造方法和制造裝置以及在上述制造方法中使用的固化性樹脂組合物。圖1是表示本發(fā)明的晶片的制造方法的流程圖。圖2是用于說明本發(fā)明的涂布工序和固化性樹脂組合物層的表面加工工序的示意圖。圖3是本發(fā)明的晶片制造裝置的一例的示意圖。圖4是起伏完全消失的晶片的魔鏡觀察照片。圖5是起伏基本消失的晶片的魔鏡觀察照片。圖6是確認(rèn)到起伏仍有殘留的晶片的魔鏡觀察照片。圖7是不使用固化性樹脂組合物而制造出的晶片的魔鏡觀察照片。圖8是表示現(xiàn)有的晶片的制造方法的流程圖。符號說明10晶片10a晶片的第一表面10b晶片的第二表面11透光性膜12平坦的固定部件13平坦的板狀部件20固化性樹脂組合物層具體實(shí)施例方式下面參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明9的是，在本說明書和附圖中，對具有實(shí)質(zhì)上相同的功能結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素賦予相同的符號，從而省略重復(fù)說明。首先，基于附圖對本發(fā)明的晶片的制造方法進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的代表性實(shí)施方式中的晶片的制造方法的流程圖。圖2是用于說明晶片的制造方法中的工序(A)(F)的示意圖。本發(fā)明在磨削工序中將晶片的翹曲和表面的起伏除去，所述晶片的翹曲和表面的起伏是在晶片的制造方法中利用現(xiàn)有的磨削工序無法除去的。如圖1所示，在本發(fā)明的晶片的制造方法中的工序(A)中，首先，將單晶錠切片，得到切出的晶片(步驟S110:切片工序)。在步驟S110，在對通過例如單晶提拉法制造的單晶錠的外周進(jìn)行磨削后，實(shí)施用于結(jié)晶方向定位的例如定位面加工、缺口加工。并且，利用例如線狀鋸將單晶錠切片，得到晶片。在接下來的工序(B)中，將固化性樹脂組合物涂布在切出的晶片的第一表面上，形成固化性樹脂組合物層(步驟S120:固化性樹脂組合物層形成工序)。如圖2(a)所示，在切出的晶片IO上存在對單晶錠進(jìn)行切片時(shí)產(chǎn)生的翹曲和起伏。如果以存在這些翹曲、起伏的面為基準(zhǔn)面，將晶片載置在卡盤工作臺等固定部件12上，對與基準(zhǔn)面相反一側(cè)的加工面進(jìn)行磨削，則起伏轉(zhuǎn)印到加工面上。因此，需要形成平坦的基準(zhǔn)面，將固化性樹脂組合物涂布在晶片10的第一面10a上來形成平坦面。對在步驟S120中將固化性樹脂組合物涂布到晶片10的第一面10a上的方法沒有特別限定，可以通過例如固化性樹脂組合物的膜化、旋涂、絲網(wǎng)印刷、輥涂、模涂或幕涂等方法來實(shí)施該涂布。另外，圖2(b)中顯示了如下狀態(tài)在具有透光性的軟質(zhì)薄膜11上預(yù)先以一定的膜厚涂布固化性樹脂組合物，形成固化性樹脂組合物層，并在固化性樹脂組合物層20上載置晶片10，由此在晶片10的第一面10a上形成固化性樹脂組合物層20。需要說明的是，涂布的固化性樹脂組合物層20的膜厚為10pm200pm、優(yōu)選為20|am100^im。通過形成具有該范圍的膜厚的固化性樹脂組合物層20，可以將晶片表面上存在的翹曲、起伏充分補(bǔ)償。如果膜厚小于10pm，則磨削晶片10時(shí)固化性樹脂組合物層20不能充分吸收沖擊，導(dǎo)致翹曲、起伏殘存；如果膜厚大于200pm，則磨削晶片10時(shí)晶片10從磨削磨石下逃脫，結(jié)果翹曲、起伏殘存。并且，如果膜厚大于200pm，則在通過溫水浸漬來將固化性樹脂組合物層20剝離除去時(shí)，水不能充分滲透到粘接界面，導(dǎo)致難以無殘?jiān)赝耆珓冸x。此處，作為涂布的固化性樹脂組合物，是具有以下特征的固化性樹脂組合物(bl)固化收縮率為7%以下；(b2)固化體的儲能模量于25'C的值為1.0X106Pa3.0X109Pa、進(jìn)一步優(yōu)選為5.0X106Pa1.5X109Pa。如果固化收縮率大于7%，則固化性樹脂組合物固化時(shí)晶片10跟隨固化性樹脂組合物一同收縮，導(dǎo)致在晶片IO上出現(xiàn)翹曲。另外，如果固化體的儲能模量于25"C的值大于3.0X109Pa，則不能補(bǔ)償晶片10的翹曲、起伏;如果固化體的儲能模量于25C的值小于1.0X106Pa，則磨削加工時(shí)晶片10從磨削磨石下逃脫，翹曲、起伏被轉(zhuǎn)印到加工面上，導(dǎo)致晶片各表面上殘存翹曲、起伏。只要涂布的固化性樹脂組合物是具有上述特征的固化性樹脂組合物，則對其種類沒有限制，在本發(fā)明中，優(yōu)選由以下物質(zhì)構(gòu)成的固化性樹脂組合物(i)至少在分子鏈兩末端具有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸(類)化合物，該(甲基)丙烯酸(類)化合物為選自聚酯二(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯二(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧二(甲基)丙烯酸酯中的至少一種化合物；(ii)在分子中至少具有2個(gè)(甲基)丙烯?；挠H水性(甲基)丙烯酸(類)化合物；(iii)光聚合引發(fā)劑。需要說明的是，如慣用那樣，(甲基)丙烯酸是丙烯酸和甲基丙烯酸的總稱。在此對(i)、(ii)、(iii)各成分進(jìn)行說明。對在本發(fā)明中優(yōu)選使用的(i)成分沒有特別限定，只要是從至少在分子鏈的兩末端具有(甲基)丙烯?；木埘?甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯中選出的至少一種物質(zhì)即可。聚酯(甲基)丙烯酸酯是具有使多元醇與多元酸反應(yīng)而得到的聚酯的主鏈結(jié)構(gòu)并在分子鏈的兩末端具有至少2個(gè)丙烯?；幕衔?。聚氨酯(甲基)丙烯酸酯是具有使多元醇與多異氰酸酯反應(yīng)而得到的聚氨酯的主鏈骨架并至少在分子鏈的兩末端具有丙烯?；幕蟟i物。環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯是如下合成的在分子鏈的兩末端具有(甲基)丙烯?；?甲基)丙烯酸(類)化合物使雙酚A型環(huán)氧樹脂或雙酚F型環(huán)氧樹脂、線型酚醛型環(huán)氧樹脂、甲酚線型酚醛型環(huán)氧樹脂等在分子內(nèi)至少具有2個(gè)縮水甘油基的環(huán)氧樹脂與(甲基)丙烯酸反應(yīng)，以使縮水甘油基發(fā)生(甲基)丙烯酰化。在本發(fā)明中，為了使固化性樹脂組合物的固化收縮率為7%以下，特別優(yōu)選(i)成分的數(shù)均分子量為6001800。對本發(fā)明中優(yōu)選使用的(ii)成分沒有特別限定，只要是在分子中至少具有2個(gè)(甲基)丙烯?；摹⒂H水性的(甲基)丙烯酸(類)化合物即可。對于此處的親水性是指在分子內(nèi)具有極性高的原子或原子團(tuán)并且對水或熱水顯示出一定的溶解性的結(jié)構(gòu)，作為實(shí)例，可以舉出在分子中具有如下結(jié)構(gòu)的二官能的(甲基)丙烯酸(類)化合物等，所述結(jié)構(gòu)為聚乙二醇或聚丙二醇等聚烷撐二醇結(jié)構(gòu)、酰胺結(jié)構(gòu)、磺酸結(jié)構(gòu)、醇結(jié)構(gòu)、帶有其他極性官能團(tuán)的結(jié)構(gòu)，其中，特別優(yōu)選具有聚乙二醇結(jié)構(gòu)的(甲基)丙烯酸(類)化合物(聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯)。需要說明的是，此處的聚乙二醇結(jié)構(gòu)是具有2個(gè)以上-(CH2CH20)-重復(fù)單元的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，為了使固化性樹脂組合物的固化體的儲能模量于25t:的值為1.0X106Pa3.0X109Pa，優(yōu)選使用數(shù)均分子量為1000以下的聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯。另外，在PET膜上形成固化性樹脂組合物層20的情況下，通過將聚乙二醇二(甲基)丙烯酸用于(ii)成分，在進(jìn)行剝離除去時(shí)可以使晶片上不殘留固化性樹脂組合物層20的殘?jiān)?，從而能夠容易地進(jìn)行剝離除去。作為(iii)成分，可以使用在(甲基)丙烯酸系樹脂用途中常用的聚合引發(fā)劑，但在本發(fā)明中，為了賦予固化性樹脂組合物以光固化性，優(yōu)選使用光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑的實(shí)例，可以舉出二苯甲酮、苯乙酮、米希勒酮、苯偶酰、二苯乙醇酮、二苯乙醇酮甲醚、二苯乙醇酮乙醚、四甲基秋蘭姆硫化物、噻噁垸三氯噻噸酮、芐基二甲基縮酮、苯甲酰甲酸甲酯等，但不限于這些。作為市售品，可以舉出DAROCURE1173(2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮)、IRGACURE2959(l-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-l-丙烷-l-酮)、IRGACURE184(l-羥基環(huán)己基苯基甲酮)、IRGACURE651(2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮)、IRGACURE369(2-節(jié)基-2-二甲氨基-l-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-l)、1110八0;11￡379(2-二甲氨基-2-(4-甲基-芐基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-l-酮)、IRGACURE819(雙(2,4,6-三甲基苯甲?；?-苯基氧化膦，以上為汽巴精化社制品)等。其中，從固化性、保存性和剝離性的方面考慮，在本發(fā)明中特別優(yōu)選IRGACURE184。為了使上述構(gòu)成的固化性樹脂組合物的固化體的固化收縮率為7%以下、固化體于25'C的儲能模量(E')的值為1.0X106Pa3.0X109Pa，優(yōu)選固化時(shí)的活性能量射線照射條件為30kJ/m2，但不限于此，只要是能夠使固化體的固化收縮率和儲能模量處于規(guī)定范圍的條件，就不特別限定。另外，從涂布時(shí)的作業(yè)性的方面出發(fā)，固化性樹脂組合物未固化時(shí)的粘度為1000mPa's50000mPa's，優(yōu)選為3000mPa's10000mPa's，進(jìn)一步優(yōu)選為4500mPa's6500mPa's。固化性樹脂組合物未固化時(shí)的粘度小于1000mPa，s時(shí)，由于形狀保持性過小而不能形成具有一定厚度的涂膜，并且在膜片上的形成也變難。未固化時(shí)的粘度大于50000mPa's時(shí)，由于流動性過小而導(dǎo)致涂布工序本身變得難以進(jìn)行。在不損害本發(fā)明的特性的范圍內(nèi)，可以在本發(fā)明中使用的固化性樹脂組合物中適量混合如下物質(zhì)諸如顏料、染料等著色劑；低分子量單體等反應(yīng)性稀釋劑；諸如氣相二氧化硅(FumedSilica)、玻璃微球等透明填料；少量的諸如碳酸鈣、碳酸鎂、硫酸鈣、硅酸鈣、硫酸鋇、鈦酸鋇、無定形二氧化硅、白土、粘土、硅藻土、石墨、滑石、碳物質(zhì)、硅砂、氧化鐵紅、氧化鋁、氫氧化鋁等無機(jī)填充劑；諸如阻燃劑、增塑劑、抗氧化劑、消泡劑、偶聯(lián)劑、流平劑、流變控制劑等添加劑。通過添加這些物質(zhì)，能夠得到具有更理想的物性的固化性樹脂組合物。通過將上述構(gòu)成的固化性樹脂組合物用于本發(fā)明，磨削加工時(shí)能夠補(bǔ)償作為粘附部件的晶片10的起伏，并且通過溫水浸漬能夠容易地從晶片IO上剝?nèi)ス袒詷渲M合物的固化體。在本發(fā)明中使用固化性樹脂組合物還具有防止在固化時(shí)熱對晶片的影響的目的，使用的固化性樹脂組合物是通過照射紫外線、電子射線、Y射線等活性能量射線而固化的感光性樹脂組合物。另外，固化性樹脂組合物的固化是在使擠壓單元13脫離晶片10后再照射活性能量射線而進(jìn)行的。這是為了不使內(nèi)部應(yīng)力殘存在固化性樹脂組合物層20中。如果是在固化性樹脂組合物層20中殘存有內(nèi)部應(yīng)力的狀態(tài)，則在磨削加工后從晶片10上除去該固化性樹脂組合物層后，晶片10不再受上述內(nèi)部應(yīng)力的束縛，容易再次產(chǎn)生翹曲、起伏。接下來，對涂布在晶片10的第一面10a上的固化性樹脂組合物層20的表面進(jìn)行平坦化加工(步驟S130:平坦化工序)。作為加工的方法，例如，如圖2(c)所示，在固化性樹脂組合物固化前，利用平坦的板狀部件(例如具有高平坦度的陶瓷板13)等擠壓單元，均等地?cái)D壓固化性樹脂組合物層20。此時(shí)，預(yù)先將涂布處理有固化性樹脂組合物的面配置在具有平坦且水平的保持面的臺12上。其后使擠壓單元13脫離，從涂布處理有固化性樹脂組合物的面(將固化性樹脂組合物涂布在透光性膜11上的情況下，從具有透光性膜11的面)照射活性能量射線，使固化性樹脂組合物層20固化(步驟S140:固化性樹脂組合物層固定化工序)。通過該工序，得到固化性樹脂組合物層20的與晶片10相反側(cè)的表面形成為均勻的平坦面的固化體。由于固化性樹脂組合物的固化體的固化收縮率為7%以下，因此通過此時(shí)的固化，晶片IO上不出現(xiàn)跟隨固化性樹脂組合物的收縮而成的新翹曲而形成平坦面，并且如圖2(d)所示，可以將固化性樹脂組合物的平坦面作為加工晶片10的第二面10b時(shí)的基準(zhǔn)面。其后，磨削晶片10的第二面10b(步驟S150:第一磨削工序)。在該工序中，以作為基準(zhǔn)面的固化性樹脂組合物的平坦面抵接在磨削裝置的卡盤工作臺等平坦的固定部件12上的方式將晶片10載置在固定部件12上，并通過真空吸附等使晶片IO牢固地保持在該卡盤工作臺上。其后，通過主軸等傳遞馬達(dá)的驅(qū)動力，使上述卡盤工作臺在水平方向上以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)。并且，通過主軸、金剛石砂輪傳遞馬達(dá)的驅(qū)動力，使磨削磨石高速旋轉(zhuǎn)，同時(shí)使磨削磨石從卡盤工作臺的上方下降。并且，使磨削磨石擠壓在晶片10的第二面10b上，將晶片10磨削至預(yù)定的厚度。由此，能夠在除去第二面10b的起伏的同時(shí)，將晶片IO僅磨削掉必要的厚度。如此，加工面10b形成為如圖2(e)所示的除去了起伏的均勻的平坦面。此時(shí)，由于晶片io通過真空吸附裝置的真空吸附等而固定在平坦的固定部件12上，因此即使對晶片IO施加了大的應(yīng)力，晶片10的相對位置也不發(fā)生變化。另外，晶片10上一體地牢固地形成有固化成特定厚度的固化性樹脂組合物層20，固化性樹脂組合物的固化體于25C的E'值為1.0X106Pa3.0X109Pa，由于該固化體具有該特性，因此即使對晶片10施加了大的應(yīng)力，固化性樹脂組合物層20也能吸收該應(yīng)力，因而晶片IO不出現(xiàn)彈性變形，所以能消除起伏。另外，由于固化性樹脂組合物的固化體具有固化收縮率為7%以下這樣的特性，因而還能夠顯著降低晶片10伴隨固化性樹脂組合物的固化而產(chǎn)生的翹曲。在接下來的工序中，將一體化有固化性樹脂組合物層20的晶片10翻轉(zhuǎn)(圖l(f))，此時(shí)可以將涂布在晶片10上的固化性樹脂組合物層20除去(步驟S160:固化性樹脂組合物層除去工序)。在步驟S160,在加工第一面10a之前，將涂布在第一面10a上的固化性樹脂組合物層20除去，但也可以不在該工序中除去固化性樹脂組合物層20，而是在之后的第二磨削工序中對晶片進(jìn)行磨削加工的同時(shí)，磨削除去固化性樹脂組合物層20。對除去固化性樹脂組合物層20的方法沒有特別限定，例如，可以采用將固化性樹脂組合物層20用溶劑溶解除去的方法；利用光等放射線使固化性樹脂組合物層20變形來剝離除去的方法；在涂布的固化性樹脂組合物層20容易剝離的方向上施加力來剝離除去固化性樹脂組合物層20的方法；或者，通過浸漬在6(TC90。C的熱水中使固化性樹脂組合物層20溶脹而將其剝離除去的方法；等等。固化性樹脂組合物層20形成在透光性膜11上的情況下，可以容易地將固化性樹脂組合物層20連同透光性膜11一起剝離除去。另外，有時(shí)固化性樹脂組合物層20會殘留在晶片10的第一面10a上，但在之后的第二磨削工序中殘?jiān)材軌虮怀?。進(jìn)一步，通過上述步驟翻轉(zhuǎn)了晶片后，對第一面10a進(jìn)行磨削(步驟S170:第二磨削工序)。如圖2(g)所示，在步驟S170，將晶片10載置在固定部件12上，使得在步驟S140中加工后的第二面10b與卡盤工作臺等平坦的固定部件12接觸。并且，使磨削磨石擠壓在晶片10的第一面1510a上，對第一面10a進(jìn)行磨削，由此能夠?qū)⒌谝幻?0a的起伏除去，并同時(shí)將晶片IO磨削至所需厚度。如此，形成如圖2(h)所示的、除去了第一面10a和第二面10b的起伏且被磨削至預(yù)定厚度的晶片。此處，通過步驟S160除去固化性樹脂組合物層20后，通過步驟S170對第一面10a進(jìn)行了磨削，但也可以省略步驟S160。在這種情況下，通過步驟S150對第二面10b進(jìn)行了磨削后，以經(jīng)磨削的第二面10b與固定部件12接觸的方式載置晶片10。接著，使磨削磨石擠壓在固化性樹脂組合物層20上以磨削除去固化性樹脂組合物。如果進(jìn)一步磨削，則磨削磨石到達(dá)第一面10a，再進(jìn)一步對晶片10進(jìn)行磨削，由此將第一面10a的起伏除去，將晶片IO磨削至預(yù)定厚度。如此，通過一次磨削可以進(jìn)行固化性樹脂組合物的除去和第一面10a的磨削，形成除去了第一面10a和第二面10b的起伏且被磨削至預(yù)定厚度的晶片。其后，優(yōu)選的是，利用酸或堿對晶片進(jìn)行蝕刻或者對晶片進(jìn)行CMP(ChemicalMechanicalPolishing:化學(xué)機(jī)械研磨法)等研磨，由此除去加工變質(zhì)層(步驟S180)。以上對本實(shí)施方式的晶片的制造方法進(jìn)行了說明。本發(fā)明所具有的特征是，對在步驟S120中被涂布處理的固化性樹脂組合物的固化物特性進(jìn)行如下限定。(M)固化體的固化收縮率為7%以下、(b2)固化體的儲能模量(E，)于25。C的值為1.0X106Pa3.0X109Pa。并且，作為具有這樣的特性的固化性樹脂組合物，可以特別優(yōu)選使用具有如下構(gòu)成的固化性樹脂組合物(i)選自聚酯二(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯二(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧二(甲基)丙烯酸酯中的、至少在分子鏈兩末端具有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸(類)化合物、(ii)分子中至少具有2個(gè)(甲基)丙烯酰基的親水性(甲基)丙烯酸(類)化合物、(iii)光聚合引發(fā)劑。本發(fā)明還包括能夠?qū)崿F(xiàn)上述工序的晶片的制造裝置。例如，如圖3所示的構(gòu)成的裝置，即，包括如下部分的裝置能夠傳送晶片的具有透光性的帶狀的膜100、將固化性樹脂組合物供給和涂布在膜100的表面上的樹脂涂布單元101、將晶片110供給并載置在涂布有固化性樹脂組合物的膜100上的單元(未圖示)、用于將載置在膜100上的晶片110在臺120上均等地?cái)D壓以進(jìn)行平坦化的擠壓單元121、對晶片110照射活性能量射線以使固化性樹脂組合物在晶片110的表面上固化的固化單元130、在固化性樹脂組合物固化后以包圍晶片110的方式將晶片110連同膜100—起切下來的切割單元140，以及其他未圖示的部分，包括用于對連同膜100—起切下來的晶片110的未經(jīng)平坦化的面進(jìn)行磨削的第一磨削單元、將單面磨削的晶片110正反翻轉(zhuǎn)后對未經(jīng)平坦化的另一面進(jìn)行磨削的第二磨削單元等，但能夠?qū)崿F(xiàn)上述工序的晶片的制造裝置并不限于此，只要符合本發(fā)明的構(gòu)成的裝置即可。對上述的制造裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。形成巻狀的膜100從一端的馬達(dá)送出，并用另一端的馬達(dá)巻繞。在樹脂涂布單元101中，利用狹縫涂布機(jī)等將液態(tài)的上述固化性樹脂組合物涂布在膜100上，然后，由晶片供給單元(未圖示)將晶片110供給到涂布后的固化性樹脂組合物上，用輥夾住晶片110和膜100，然后送至擠壓單元121。在擠壓單元121的臺120的內(nèi)部配置有固化單元130，從膜側(cè)用紫外燈131照射以使固化性樹脂組合物固化。另外，在紫外燈131的上部配置有可開閉的屏蔽單元132，當(dāng)關(guān)閉該屏蔽單元132時(shí)從紫外燈131發(fā)出的光全部被屏蔽。并且，屏蔽單元132的上部配置了用于屏蔽除紫外光以外的光的濾光器133。此外，由于紫外燈131的照射而使臺120的內(nèi)部的氣溫上升，有可能導(dǎo)致臺120熱膨脹，因此利用排氣單元135將內(nèi)部的氛圍氣排出到外部。切割單元140具備直徑比晶片110的直徑大的環(huán)狀的刃部，在臺上以包圍晶片110的方式將晶片110連同膜100—起切下來。接下來，晶片110朝箭頭方向前進(jìn)，被收在箱(力ir:y卜)等中。并且，僅巻繞切下晶片周邊后的膜150。其后，晶片110被傳送至磨削裝置，表面被磨削成平坦面。另外，本發(fā)明還包括供上述說明的晶片的制造方法使用的固化性樹脂組合物，但本發(fā)明的固化性樹脂組合物滿足上述的(bl)和(b2)。實(shí)施例下面，通過實(shí)施例和比較例對本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明，本發(fā)明的晶片的制造方法并不限于這些實(shí)例。采用以下的裝置、條件，基于本發(fā)明實(shí)施晶片的制造。'基材晶片0200mm硅切片晶片(siliconasslicedwafer)(線狀鋸加工)。-固化收縮率使用JIS-K-6901中規(guī)定的體積收縮率，以積分光量30kJ/m2X2次的照射條件使固化性樹脂組合物固化，測定固化前后的體積變化，由此求出固化收縮率。-儲能模量使用粘彈性分光儀(DMS，SII納米技術(shù)(工77,7,于乂亍夕乂口^一)社制造)，以積分光量30kJ/m2X2次的照射條件使固化性樹脂組合物固化，測定固化體的儲能模量。-膜形成性評價(jià)使用狹縫涂布機(jī)將固化性樹脂組合物以預(yù)定的厚度涂布處理在厚度75pm的PET膜上，對此時(shí)是否能夠形成與該固化性樹脂組合物層一體化的膜進(jìn)行評價(jià)。將能夠形成具有一定的膜厚的固化性樹脂組合物層的情況記為合格，將因流動性過高或作業(yè)性存在問題等而不能形成具有一定的膜厚的固化性樹脂組合物層的情況記為不合格。另外，實(shí)施例6中不使用膜，而直接將固化性樹脂組合物涂布在晶片上。-翹曲評價(jià)通過光學(xué)干涉式平坦度測定裝置(ADE社制造)測定翹曲(WARP)、最佳擬合(bestfit)。將翹曲達(dá)到大致8pm以下的情況記為，將翹曲達(dá)到10pm以下的情況記為O，將翹曲大于10pm的情況記為X。-起伏評價(jià)用山下電裝制造的YIS-3000進(jìn)行魔鏡觀察，由此通過目視評價(jià)起伏的殘存性。將如圖4所示那樣的起伏完全消失的情況記為，將如圖5所示那樣的起伏基本消失的情況記為O，將圖6所示那樣的確認(rèn)到起伏仍有殘留的情況記為X。-膜剝離在將形成于膜上的固化性樹脂組合物層剝離后，將能夠完全剝離該固化性樹脂組合物層而無殘?jiān)那闆r定為合格，以〇表示，將有殘?jiān)鼩埩舻那闆r定為不合格，以X表示。在實(shí)施例和比較例中使用的固化性樹脂組合物如下?！龉袒詷渲M合物A:由60重量份聚氨酯二丙烯酸酯(Mn1600)、40重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn550)、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑(IRGACURE184)、3重量份粘度調(diào)整劑(干式二氧化硅粉)構(gòu)成-固化性樹脂組合物8:由50重量份聚氨酯二丙烯酸酯(Mn1600)、50重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn550)、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑構(gòu)成-固化性樹脂組合物C:由65重量份環(huán)氧二丙烯酸酯(Mn1500)、35重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn1150)、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑、3重量份粘度調(diào)整劑構(gòu)成固化性樹脂組合物D:由60重量份聚酯二丙烯酸酯(Mn1200)、40重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn550)、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑構(gòu)成-固化性樹脂組合物E:由30重量份聚氨酯二丙烯酸酯(Mn1600)、20重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn550)、50重量份丙烯酸單體、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑構(gòu)成-固化性樹脂組合物F:由65重量份聚氨酯二丙烯酸酯(Mn1600)、35重量份甲基丙烯酸-2-羥基-3-(丙烯酰氧基)丙酯、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑、5重量份粘度調(diào)整劑構(gòu)成固化性樹脂組合物G:由50重量份聚氨酯二丙烯酸酯(Mn2000)、50重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn550)、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑、4重量份粘度調(diào)整劑構(gòu)成■固化性樹脂組合物H:由50重量份聚酯單丙烯酸酯(Mn950)、50重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn800)、20重量份脂環(huán)式單丙烯酸單體、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑、ll重量份粘度調(diào)整劑構(gòu)成*固化性樹脂組合物I:由50重量份環(huán)氧二丙烯酸酯(Mn1500)、50重量份聚乙二醇單丙烯酸酯(Mn360)、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑、7重量份粘度調(diào)整劑構(gòu)成，固化性樹脂組合物J:由65重量份環(huán)氧二丙烯酸酯(Mn1500)、35重量份羥基烷基單丙烯酸單體、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑、7重量份粘度調(diào)整劑構(gòu)成.固化性樹脂組合物K:由100重量份聚乙二醇二丙烯酸酯(Mn800)、5重量份裂解型自由基聚合引發(fā)劑、10重量份粘度調(diào)整劑構(gòu)成19<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>在比較例1中，在沒有使用固化性樹脂組合物的情況下對晶片表面進(jìn)行了磨削，但作為平坦度測定的結(jié)果，殘存較大的翹曲，并且如圖7的魔鏡觀察照片所示，表面殘存有起伏。與此相對，對于通過使用本發(fā)明的構(gòu)成中所包括的固化性樹脂組合物而制造出的晶片而言，翹曲和表面上的起伏均不存在。另外可知，在使用了固化性樹脂組合物的情況下，如果是不滿足根據(jù)本發(fā)明的上述(bl)和(b2)的固化性樹脂組合物，晶片的翹曲和表面上的起伏也還殘存。即，可知，固化收縮率大于7%的固化性樹脂組合物或者儲能模量大于3.0Xl(^Pa的固化性樹脂組合物、小于1.0Xl(^Pa的固化性樹脂組合物都會使晶片表面上殘存翹曲或起伏。即使固化收縮率為7%以下，如果儲能模量不處于3.0Xl(f1.0Xl(^的范圍，則翹曲、起伏也均會殘存，另一方面，即使儲能模量為3.0乂109以下，如果固化收縮率大于7%，則起伏消失但翹曲還殘存?？梢哉J(rèn)為這是晶片隨著固化性樹脂組合物的固化收縮而收縮所導(dǎo)致的翹曲。另外，發(fā)現(xiàn)即使固化收縮率、儲能模量均處于規(guī)定的范圍內(nèi)，如果膜厚大于200pm，則也不能除去翹曲、起伏。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，由于能夠在晶片的磨削中對晶片進(jìn)行高精度的平坦化加工，因而可以提供高品質(zhì)的晶片。權(quán)利要求1.一種晶片的制造方法，其特征在于，該方法包括以下工序(A)～工序(F)(A)準(zhǔn)備薄板狀晶片的前工序，該薄板狀晶片是由晶錠切片而得到的；(B)固化性樹脂組合物層形成工序，在該工序中，以10μm～200μm的膜厚將具有下述的(b1)和(b2)特性的固化性樹脂組合物涂布在所述晶片的第一面上，(b1)固化收縮率為7％以下，(b2)固化體的儲能模量E’于25℃的值為1.0×106Pa～3.0×109Pa；(C)平坦化工序，在該工序中，利用擠壓單元對涂布有所述固化性樹脂組合物的晶片的第二面進(jìn)行擠壓，由此將涂布在第一面上的固化性樹脂組合物層平坦化；(D)固化性樹脂組合物層固定化工序，在該工序中，在解除利用所述擠壓單元產(chǎn)生的擠壓后，對涂布在所述晶片上的固化性樹脂組合物層照射活性能量射線，使所述固化性樹脂組合物層在晶片表面固化；(E)第一磨削工序，在該工序中，將由所述固化性樹脂組合物層固定的晶片的第二面磨削加工成平坦面；(F)第二磨削工序，在該工序中，以通過所述表面加工工序平坦化后的晶片的第二面為基準(zhǔn)面，對第一面進(jìn)行磨削加工。2.如權(quán)利要求l所述的晶片的制造方法，其中，所述(B)工序中的固化性樹脂組合物是含有下述物質(zhì)(i)、(ii)和(iii)的固化性樹脂組合物，(i)至少在分子鏈兩末端具有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸化合物，該(甲基)丙烯酸化合物為選自聚酯二(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯二(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧二(甲基)丙烯酸酯中的至少一種化合物；(ii)在分子中至少具有2個(gè)(甲基)丙烯酰基的親水性(甲基)丙烯酸化合物；(iii)光聚合引發(fā)劑。3.如權(quán)利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，在作為所述(B)工序的固化性樹脂組合物層形成工序中，在預(yù)先將該固化性樹脂組合物涂布處理于具有透光性的膜上，在該固化性樹脂組合物上載置所述晶片。4.如權(quán)利要求13任意一項(xiàng)所述的晶片的制造方法，其中，所述(B)工序中的固化性樹脂組合物未固化時(shí)的粘度為1000mPa's50000mPa's。5.—種晶片制造裝置，其供權(quán)利要求14任意一項(xiàng)所述的晶片的制造方法使用，該晶片制造裝置的特征在于，該晶片制造裝置至少具備具有大致水平的保持面的臺，在該臺上以將第一面涂布有固化性樹脂組合物的晶片的第二面露出的方式保持該晶片；與所述臺對置的擠壓單元，該擠壓單元從所述第二面?zhèn)认蛩雠_方向?qū)Ρ３衷谠撆_上的所述晶片進(jìn)行擠壓；活性能量射線照射單元，該單元對涂布在所述晶片上的所述固化性樹脂組合物照射活性能量射線；第一磨削單元，該單元將由所述固化性樹脂組合物層固定的所述晶片的所述第二面磨削加工成平坦面；和第二磨削單元，該單元以利用所述第一磨削單元平坦化后的所述晶片的所述第二面為基準(zhǔn)面，對所述第一面進(jìn)行磨削加工。6.—種固化性樹脂組合物，該組合物供權(quán)利要求14任意一項(xiàng)所述的晶片的制造方法使用，該組合物的特征在于，該組合物具有下述的(bl)和(b2)特性，(bl)固化收縮率為7%以下，(b2)固化體的儲能模量E，于25。C的值為1.0xl06Pa3.0xl09Pa。全文摘要本發(fā)明提供晶片的制造方法和制造裝置以及固化性樹脂組合物。在涂布后的固化性材料層固化時(shí)晶片不出現(xiàn)翹曲，在晶片表面的磨削加工工序中磨削除去晶片的翹曲、起伏。所述制造方法具有(A)準(zhǔn)備晶片的前工序；(B)以10～200μm的膜厚將特定固化性樹脂組合物涂布于晶片第一面的固化性樹脂組合物層形成工序；(C)用擠壓單元擠壓涂布有固化性樹脂組合物的晶片第二面以將涂布于第一面的固化性樹脂組合物層平坦化的平坦化工序；(D)對涂布于晶片的固化性樹脂組合物層照射活性能量射線以使其固化的固化性樹脂組合物層固定化工序；(E)將由固化性樹脂組合物層固定的晶片的第二面磨削加工成平坦面的第一磨削工序；(F)以晶片第二面為基準(zhǔn)面來磨削加工第一面的第二磨削工序。文檔編號H01L21/304GK101577219SQ20091013920公開日2009年11月11日申請日期2009年4月24日優(yōu)先權(quán)日2008年5月9日發(fā)明者下谷誠,和知孝德,宮崎一彌,小野寺寬申請人:株式會社迪思科;株式會社三鍵