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磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造方法_4

文檔序號(hào):9397910閱讀:來源:國知局
SRAM) 220、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM) 230以及將處理單元210、SRAM 220和MRAM 230相互連接的總線系統(tǒng)240。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM) 220也能夠被省略或者能夠被像常規(guī)ROM存儲(chǔ)器那樣的ROM存儲(chǔ)器取代。
[0049]圖7的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)200表示圖6的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的另外的實(shí)施例。特別地,MRAM230的特征在于具有如在與MRAM結(jié)構(gòu)相關(guān)的先前的實(shí)施例中所描述的那樣的靈活的RAM/ROM劃分。靈活的RAM/R0M劃分以將MRAM 230的第一存儲(chǔ)區(qū)段231與MRAM 230的第二存儲(chǔ)區(qū)段232隔開的分割線為象征。第一存儲(chǔ)區(qū)段231被配置為讀/寫存儲(chǔ)器,并且第二存儲(chǔ)區(qū)段232被配置為只讀存儲(chǔ)器。畫在其中的跨第一存儲(chǔ)區(qū)段231與第二存儲(chǔ)區(qū)段232之間的分割線的雙箭頭象征使該分割線移位的可能性,使得第一存儲(chǔ)區(qū)段231和第二存儲(chǔ)區(qū)段232的存儲(chǔ)容量相對于彼此可變,即以使得兩個(gè)存儲(chǔ)容量之和保持恒定的方式可變。MRAM230可包括先前結(jié)合與MRAM結(jié)構(gòu)相關(guān)的實(shí)施例所描述的任何另外的特征。特別地,MRAM230可包括用于將第一存儲(chǔ)區(qū)段231的部分轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器部分的轉(zhuǎn)換電路。
[0050]在用于重新配置磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的方法中,MRAM被配置為讀/寫存儲(chǔ)器,并且該方法包括將MRAM的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。
[0051]按照該方法的一個(gè)實(shí)施例,客戶特定數(shù)據(jù)或代碼被存儲(chǔ)在這樣的只讀存儲(chǔ)器部分中。按照另一個(gè)實(shí)施例,數(shù)學(xué)算法被存儲(chǔ)在這樣的只讀存儲(chǔ)區(qū)段中。
[0052]按照該方法的一個(gè)實(shí)施例,轉(zhuǎn)換以可逆或不可逆方式進(jìn)行。
[0053]按照該方法的一個(gè)實(shí)施例,轉(zhuǎn)換通過轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行。
[0054]該方法的另外的實(shí)施例能夠采用結(jié)合MRAM結(jié)構(gòu)的上述實(shí)施例所描述的特征來形成。
[0055]雖然已相對于一種或多種實(shí)現(xiàn)示意和描述了本發(fā)明,但可對所示意的示例進(jìn)行變化和/或修改而不背離所附權(quán)利要求的精神和范圍。特別地,關(guān)于由上文所描述的部件或結(jié)構(gòu)(組件、設(shè)備、電路、系統(tǒng)等)所執(zhí)行的各種功能,除非另有指示,否則用于描述這樣的部件的術(shù)語(包括對“裝置”的引用)旨在對應(yīng)于執(zhí)行所描述的部件的指定功能(例如功能上等效)的任何部件或結(jié)構(gòu),即使這些部件或結(jié)構(gòu)與執(zhí)行本發(fā)明的此處所示意的示例性實(shí)現(xiàn)中的功能的所公開的結(jié)構(gòu)不是結(jié)構(gòu)上等效。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種設(shè)備,包括: 處理單元; 電耦合到處理單元的第一存儲(chǔ)器設(shè)備;以及 電耦合到所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備和所述處理單元的第二存儲(chǔ)器設(shè)備, 其中,所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備被配置為讀/寫存儲(chǔ)器,并且所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的第一區(qū)段能夠不可逆地轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器, 其中,所述第二存儲(chǔ)器設(shè)備被配置用于讀寫操作,并且 其中,所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備和所述第二存儲(chǔ)器設(shè)備被集成在單個(gè)半導(dǎo)體芯片上。2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備被配置用于磁性讀/寫操作,并且其中,所述第二存儲(chǔ)器設(shè)備被配置用于讀寫操作。3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備是MRAM,并且其中,所述第二存儲(chǔ)器設(shè)備是SRAM。4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的第二部分被配置用于讀寫操作。5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,所述第一部分的大小和所述第二部分的大小在任意給定時(shí)間變化。6.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,所述第一部分的大小與所述第二部分的大小的和是所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的大小。7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述第一部分包括一組數(shù)據(jù)或代碼。8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述第一部分包括用于算法的一組可編程指令。9.一種半導(dǎo)體設(shè)備,包括: 被配置用于部分讀寫操作的第一存儲(chǔ)器設(shè)備;以及 被配置用于讀寫操作的第二存儲(chǔ)器設(shè)備,其中,所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備被配置用于不可逆地轉(zhuǎn)換成部分只讀操作。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體設(shè)備,進(jìn)一步包括: 處理單元,用于將所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備配置用于部分只讀操作。11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體設(shè)備,其中,所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備包括用于只讀操作的部分。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備,其中,所述部分包括一組數(shù)據(jù)或代碼。13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備,其中,所述部分包括用于算法的一組可編程指令。14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備,其中,所述部分包括第一部分和第二部分,并且其中,所述第一部分包括第一組數(shù)據(jù)或代碼,并且其中,所述第二部分包括第二組數(shù)據(jù)或代碼。15.一種用于配置存儲(chǔ)器設(shè)備的方法,所述方法包括: 將第一存儲(chǔ)器設(shè)備配置用于讀寫操作和只讀操作,使得從讀寫操作到只讀操作的轉(zhuǎn)換是不可逆的;以及 將第二存儲(chǔ)器設(shè)備配置用于讀寫操作。16.如權(quán)利要求15所述的方法,其中,配置所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備包括: 將所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的第一部分配置用于只讀操作;以及 將所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的第二部分配置用于讀寫操作。17.如權(quán)利要求16所述的方法,其中,配置所述第一部分包括: 將所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的第一部分從讀寫操作配置為只讀操作。18.如權(quán)利要求16所述的方法,其中,配置所述第一部分包括: 將所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的第一部分從讀寫操作配置為只讀操作;以及 將所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備的第二部分配置用于只讀操作。19.如權(quán)利要求16所述的方法,其中,配置所述第一部分包括: 在所述第一部分中存儲(chǔ)一組數(shù)據(jù)或代碼。20.如權(quán)利要求15所述的方法,其中,配置所述第一存儲(chǔ)器設(shè)備包括: 將第一部分配置用于只讀操作,并且將第二部分配置用于讀寫操作,其中,所述第一部分和所述第二部分的大小在給定時(shí)間變化。21.—種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),包括: 處理單元;和 磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,其包括被配置為讀/寫存儲(chǔ)器的第一區(qū)段和被配置為能夠從讀/寫存儲(chǔ)器不可逆地轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的第二區(qū)段,其中,所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的所述第二區(qū)段被配置成存儲(chǔ)客戶特定數(shù)據(jù)或代碼。22.如權(quán)利要求21所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng), 其中,僅將與所述數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的特定客戶有關(guān)的所述客戶特定數(shù)據(jù)或代碼存儲(chǔ)在所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的已轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的所述第二區(qū)段上。23.如權(quán)利要求21所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng), 其中,所述客戶特定數(shù)據(jù)或代碼在預(yù)先確定的時(shí)間周期內(nèi)被保持在所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的已轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的所述第二區(qū)段上;并且 其中,所述客戶特定數(shù)據(jù)或代碼在所述預(yù)先確定的時(shí)間周期之后被更新。
【專利摘要】本發(fā)明的名稱是磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器被配置為讀/寫存儲(chǔ)器,并且所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。
【IPC分類】G11C11/16
【公開號(hào)】CN105118527
【申請?zhí)枴緾N201510505026
【發(fā)明人】U.希爾德布蘭德, J.豪斯納, M.奧伯梅爾, D.伯格曼
【申請人】英特爾移動(dòng)通信有限責(zé)任公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2012年8月14日
【公告號(hào)】CN102956259A, CN102956259B, DE102012107503A1, US8570799, US8848437, US20130044541, US20130346681
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