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對隨機(jī)存取存儲器RAM進(jìn)行仿真驗證的方法和仿真驗證系統(tǒng)與流程

文檔序號:12036219閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例提供對隨機(jī)存取存儲器RAM進(jìn)行仿真驗證的方法和仿真驗證系統(tǒng),用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在對RAM的仿真驗證的效率較低的技術(shù)問題。其中,所述仿真驗證系統(tǒng)包括驗證模塊、至少兩個接口模塊和至少兩種不同類型的被驗證RAM模塊,方法包括所述驗證模塊獲得對應(yīng)第一序列號的第一激勵信號;所述驗證模塊基于所述第一激勵信號從所述至少兩個接口模塊中確定出與所述第一序列號對應(yīng)的第一接口模塊;所述驗證模塊通過所述第一接口模塊與所述被驗證RAM模塊建立連接,并向所述第一序列號對應(yīng)的第一類型被驗證RAM模塊中的至少一個第一類型RAM程序模塊發(fā)送所述第一激勵信號,以對所述至少一個第一類型RAM程序模塊進(jìn)行驗證。

技術(shù)研發(fā)人員:史瑞瑞
受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京東土軍悅科技有限公司;北京物芯科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.06.12
技術(shù)公布日:2017.10.24
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