專利名稱：：一種溫度補償型電容器材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電子陶瓷介質(zhì)材料，尤其涉及一種溫度補償型的電子陶瓷電容器材料。
背景技術(shù)：
：溫度補償型陶瓷電容，又稱高頻陶瓷電容。該類電容器的電容量隨溫度改變呈線性變化，適用于調(diào)諧回路和需要補償溫度效應(yīng)的電路中，是用量大、重要性高的一類瓷料，性能要求較高，國內(nèi)已有廠家生產(chǎn)該瓷料，但介電常數(shù)系列單一，不能用于某些特定場合。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)高壓陶瓷電容器介質(zhì)存在的介電常數(shù)小、直流耐壓強度低、損耗大的問題，提供一種以鈦酸鍶(SrTiO3)為基料，通過添加部分稀土氧化物，優(yōu)選組分，進一步促使瓷體細(xì)晶化，提高介電常數(shù)和直流耐壓強度，降低損耗。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的，一種溫度補償型電容器材料，其組分以重量分表示為鈦酸鍶(SrTiO3)8090分、鈦酸鈣(CaTiO3)412分、氧化鉍(Bi2O3)28分、氧化鈦(TiO2)15分、鈦酸鎂(Mg2TiO4)O.21分、氧化鈥(Ho2O3)0.10.6分。上述溫度補償型電容器材料組分的優(yōu)選方案為鈦酸鍶(SrTiO3)8288分、鈦酸鈣(CaTiO3)610分、氧化鉍(Bi2O3)36分、氧化鈦(TiO2)24分、鈦酸鎂(Mg2TiO4)0.40.8分、氧化鈥(Ho2O3)0.20.4分。上述溫度補償型電容器材料組分的最佳方案為鈦酸鍶(SrTiO3)85分、鈦酸鈣(CaTiO3)8分、氧化鉍(Bi203)5分、氧化鈦(Ti02)3分、鈦酸鎂(M&Ti04)0.6分、氧化鈥(Ho2O3)0.3分。該發(fā)明為SrTiO3基瓷料，通過CaTiOjPTiO2=Bi2O3雙重置換作用，將SrTiO3的居里溫度從-250°C移至室溫附近，從而大大提高了使用溫度范圍內(nèi)的介電常數(shù)；添加Mg2TiO4，降低燒結(jié)溫度，達到瓷體細(xì)晶化，從而提高了耐壓、降低了損耗。本發(fā)明的主要特點是用稀土氧化物Ho2O3取代了常用的氧化鈰(CeO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)等組分，在進一步促使瓷體細(xì)晶化、提高耐壓、降低損耗方面有明顯的效果。本發(fā)明采用常規(guī)的高壓陶瓷電容器介質(zhì)制備工藝，首先進行SrTi03、CaTi03、Mg2TiO3等基料的配料，經(jīng)過球磨、壓濾、干燥、煅燒、粉碎、除鐵等工藝，得到SrTi03、CaTi03、Mg2TiO3等基料待用；然后再進行成品料配料，再經(jīng)過球磨、攪拌磨、混料、噴霧造粒、除鐵、混料即得成品料。具體實施例方式為進一步驗證本發(fā)明配方組分的性能指標(biāo)，進行了不同配方組分下的性能指標(biāo)試驗。表1各試樣的成分配比<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>表2各配方試樣的介電性能<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點1、配方簡單，電容溫度變化率小，性能穩(wěn)定，安全性高。2、制備工藝簡單，不用特殊的設(shè)備和工藝，采用常規(guī)的工藝方法即可制備出本發(fā)明的溫度補償型電容器材料。3、制備成本低，采用電容級純即可生產(chǎn)該產(chǎn)品。權(quán)利要求一種溫度補償型電容器材料，其特征在于其組分以重量分表示為鈦酸鍶(SrTiO3)80～90分、鈦酸鈣(CaTiO3)4～12分、氧化鉍(Bi2O3)2～8分、氧化鈦(TiO2)1～5分、鈦酸鎂(Mg2TiO4)0.2～1分、氧化鈥(Ho2O3)0.1～0.6分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度補償型電容器材料，其特征在于該組分的優(yōu)選方案為鈦酸鍶(SrTi03)8288分、鈦酸鈣(CaTi03)610分、氧化鉍(Bi203)36分、氧化鈦(Ti02)24分、鈦酸鎂(Mg2Ti04)0.40.8分、氧化鈥(Ho203)0.20.4分。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度補償型電容器材料，其特征在于該組分的最佳方案為鈦酸鍶(SrTi03)85分、鈦酸鈣(CaTi03)8分、氧化鉍(Bi203)5分、氧化鈦(Ti02)3分、鈦酸鎂(Mg2Ti04)0.6分、氧化鈥(Ho203)0.3分。全文摘要本發(fā)明公開了一種以鈦酸鍶(SrTiO3)為基料，通過添加部分稀土氧化物制成的溫度補償型電容器材料，較好的解決了現(xiàn)有技術(shù)高壓陶瓷電容器介質(zhì)存在的介電常數(shù)小、直流耐壓強度低、損耗大的問題，提高了陶瓷電容器的介電常數(shù)和直流耐壓強度，降低了損耗。文檔編號H01G4/12GK101830699SQ20101013523公開日2010年9月15日申請日期2010年3月30日優(yōu)先權(quán)日2010年3月30日發(fā)明者戴文金,趙華,陳亮申請人:趙華