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八晶體管靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案與形成方法與流程

文檔序號:12609576閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種八晶體管靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案,包含:

第一擴散區(qū)、第二擴散區(qū)以及第三擴散區(qū),位于一基底上,其中該第三擴散區(qū)與該第一擴散區(qū)之間存在有一極限間距區(qū),且該極限間距區(qū)直接接觸該第一擴散區(qū)與該第三擴散區(qū);以及

第一增設(shè)擴散區(qū)、第二增設(shè)擴散區(qū)與第三增設(shè)擴散區(qū),分別沿著該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū)的外圍排列,并分別直接接觸該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū),其中該增設(shè)擴散區(qū)不位于該極限間距區(qū)的范圍內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的布局圖案,其中該八晶體管靜態(tài)隨機存取存儲器包含多個靜態(tài)隨機存取存儲器單元,每一個靜態(tài)隨機存取存儲器單元包含:

第一上拉晶體管以及第二上拉晶體管;

第一下拉晶體管以及第二下拉晶體管;

第一上存取晶體管以及第二上存取晶體管;以及

第一下存取晶體管以及第二下存取晶體管。

3.如權(quán)利要求2所述的布局圖案,其中該第一擴散區(qū)對應(yīng)至該第一下存取晶體管,該第二擴散區(qū)對應(yīng)至該第二下存取晶體管,而該第三擴散區(qū)則對應(yīng)該第二下拉晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的布局圖案,其中該極限間距區(qū)的長度小于或等于54納米。

5.如權(quán)利要求1所述的布局圖案,其中該第一增設(shè)擴散區(qū)、該第二增設(shè)擴散區(qū)與該第三增設(shè)擴散區(qū)的寬度介于5~10納米。

6.如權(quán)利要求1所述的布局圖案,還包含至少兩柵極結(jié)構(gòu),其中該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū)位于該兩柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。

7.如權(quán)利要求1所述的布局圖案,其中該布局圖案由一光掩模形成,該光掩模上的圖案包含:

第一圖案、第二圖案、第三圖案,分別對應(yīng)到該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)以及該第三擴散區(qū);以及

多個增設(shè)圖案,分別對應(yīng)該第一增設(shè)擴散區(qū)、該第二增設(shè)擴散區(qū)與該第三增設(shè)擴散區(qū)。

8.如權(quán)利要求7所述的布局圖案,其中該第一增設(shè)圖案與該第一圖案之間具有至少一L型夾角,該第三增設(shè)圖案與該第三圖案之間具有至少一L型夾角。

9.如權(quán)利要求1所述的布局圖案,其中該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū)之間有一錯位。

10.一種八晶體管靜態(tài)隨機存取存儲器(8T-SRAM)的布局圖案的形成方法,包含:

形成一第一擴散區(qū)、一第二擴散區(qū)以及一第三擴散區(qū)于一基底上,其中該第三擴散區(qū)與該第一擴散區(qū)之間存在有一極限間距區(qū),且該極限間距區(qū)直接接觸該第一擴散區(qū)與該第三擴散區(qū);以及

形成一第一增設(shè)擴散區(qū)、一第二增設(shè)擴散區(qū)與一第三增設(shè)擴散區(qū),分別沿著該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū)的外圍排列,并分別直接接觸該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū),其中該增設(shè)擴散區(qū)不位于該極限間距區(qū)的范圍內(nèi)。

11.如權(quán)利要求10所述的形成方法,其中該八晶體管靜態(tài)隨機存取存儲器包含多個靜態(tài)隨機存取存儲器單元,每一個靜態(tài)隨機存取存儲器單元包含:

第一上拉晶體管以及第二上拉晶體管;

第一下拉晶體管以及第二下拉晶體管;

第一上存取晶體管以及一第二上存取晶體管;以及

第一下存取晶體管以及第二下存取晶體管。

12.如權(quán)利要求11所述的形成方法,其中該第一擴散區(qū)對應(yīng)至該第一下存取晶體管,該第二擴散區(qū)對應(yīng)至該第二下存取晶體管,而該第三擴散區(qū)則對應(yīng)該第二下拉晶體管。

13.如權(quán)利要求10所述的形成方法,其中該極限間距區(qū)的長度小于或等于54納米。

14.如權(quán)利要求10所述的形成方法,其中該第一增設(shè)擴散區(qū)、該第二增設(shè)擴散區(qū)與該第三增設(shè)擴散區(qū)的寬度介于5~10納米。

15.如權(quán)利要求10所述的形成方法,還包含形成至少兩柵極結(jié)構(gòu),其中該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū)位于該兩柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。

16.如權(quán)利要求10所述的形成方法,其中該布局圖案由一光掩模形成, 該光掩模上的圖案包含:

第一圖案、第二圖案、第三圖案,分別對應(yīng)到該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)以及該第三擴散區(qū);以及

多個增設(shè)圖案,分別對應(yīng)該第一增設(shè)擴散區(qū)、該第二增設(shè)擴散區(qū)與該第三增設(shè)擴散區(qū)。

17.如權(quán)利要求16所述的形成方法,其中該第一增設(shè)圖案與該第一圖案之間具有至少一L型夾角,該第三增設(shè)圖案與該第三圖案之間具有至少一L型夾角。

18.如權(quán)利要求10所述的形成方法,其中該第二擴散區(qū)與該第三擴散區(qū)之間有一錯位。

19.如權(quán)利要求10所述的形成方法,其中該第一擴散區(qū)、該第二擴散區(qū)、該第三擴散區(qū)與該增設(shè)擴散區(qū)同時形成。

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