本發(fā)明屬于雷達(dá)配件的生產(chǎn)工藝領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝。
背景技術(shù)：
：傳感器是一種檢測裝置，能感受到被測量的信息，并能將感受到的信息，按一定規(guī)律變換成為電信號或其他所需形式的信息輸出，以滿足信息的傳輸、處理、存儲、顯示、記錄和控制等要求。傳感器的特點(diǎn)包括：微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化。它是實(shí)現(xiàn)自動檢測和自動控制的首要環(huán)節(jié)。傳感器的存在和發(fā)展，讓物體有了觸覺、味覺和嗅覺等感官，讓物體慢慢變得活了起來。通常根據(jù)其基本感知功能分為熱敏元件、光敏元件、氣敏元件、力敏元件、磁敏元件、濕敏元件、聲敏元件、放射線敏感元件、色敏元件和味敏元件等十大類。傳感器芯片是雷達(dá)的配件之一。目前傳感器芯片存在著分辨率不高以及波導(dǎo)傳輸特性不好的問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的問題是提供一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝，包括如下步驟：（1）預(yù)處理把硅基片清洗后烘干后，接著利用勻膠機(jī)將液態(tài)聚合物均勻旋涂在硅基片上，形成聚合物薄膜；（2）刻蝕用Bp218-30正性光刻膠，在形成聚合物薄膜的硅基片背面光刻出對版標(biāo)記圖形；（3）固化在硅片正面旋涂沉積一層PMMA作為光波導(dǎo)下包層，接著將其放入烘箱中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)固化，所述旋轉(zhuǎn)的速度為1000-1200轉(zhuǎn)/分鐘，所述烘箱的溫度為120-140℃，所述固化的時間為2-4h；（4）氣相沉積然后在固化后的兩層聚合物薄膜表面，氣相沉積金屬鋁形成鋁掩模；（5）光刻接著在鋁掩模上旋涂一層正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化30-50min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光10-20s、顯影20-40s，光刻出光波導(dǎo)集成光路圖形；（6）再刻蝕顯影將制備有光波導(dǎo)集成光路鋁掩模圖形的樣品，在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，所述刻蝕的時間為7-9min，接著把ICP刻蝕過的樣片浸泡在AZ300MIF顯影液中，得到光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)；（7）再氣相沉積將再刻蝕顯影后的光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)表面，二次氣相沉積金屬鋁掩模；（8）光刻、刻蝕顯影在二次氣相沉積金屬鋁掩模上，旋涂正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化30-50min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光10-20s、顯影20-30s，光刻出懸臂梁-質(zhì)量塊圖形，接著在在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，形成PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)；（9）制成傳感器芯片-把PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)浸泡在顯影液中，去除鋁掩模和鋁掩模上殘留的光刻膠，制成傳感器芯片。優(yōu)選的，所述步驟（1）中硅片的清洗分為六步。優(yōu)選的，所述硅片的清洗步驟為：①將硅片置于H2SO4:H2O2=3:1的混合液中，在75-85℃下煮5-15min；②接著用去離子水清洗4-6min；③接著將硅片置于HF:H2O=1:10的混合液中，在20-24℃下漂洗10-20min；④接著用去離子水清洗4-6min；⑤接著將硅片置于Hcl:H2O2:H2O=1:1:6的混合液中，在75-85℃下煮5-15min；⑥然后用去離子水清洗4-6min。優(yōu)選的，所述步驟（1）中烘干的方法為硅片置于110-130℃的熱板上進(jìn)行除濕預(yù)烘20-30min。優(yōu)選的，所述步驟（5）中曝光使用的工具為雙面光刻機(jī)，所述雙面光刻機(jī)的功率為200-400w。優(yōu)選的，所述步驟（8）中顯影后通過40-60%的磷酸水溶液進(jìn)行腐蝕。有益效果：本發(fā)明提供了一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝，所述硅片的清洗分為六步，可以去除硅片表面的有機(jī)物、氧化物及各種微粒，所述清洗后進(jìn)行烘干，可以避免在波導(dǎo)制備過程中由于硅片原因?qū)е碌腜MMA吸濕、與硅基底粘附性差、膜厚不均勻、表面平整度不夠、光潔度差等影響波導(dǎo)傳輸特性的不良后果，所述曝光使用的工具為雙面光刻機(jī)，可以提高圖像的分辨率，所述顯影后通過40-60%的磷酸水溶液進(jìn)行腐蝕，可以去除顯影后暴露出來的鋁膜采用此種制造工藝加工出來的雷達(dá)用傳感器芯片具有分辨率高以及波導(dǎo)傳輸特性好的優(yōu)點(diǎn)，市場潛力巨大，前景廣闊。具體實(shí)施方式實(shí)施例1：一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝，包括如下步驟：（1）預(yù)處理把硅基片清洗后烘干后，接著利用勻膠機(jī)將液態(tài)聚合物均勻旋涂在硅基片上，形成聚合物薄膜，所述硅片的清洗分為六步，①將硅片置于H2SO4:H2O2=3:1的混合液中，在75℃下煮5min；②接著用去離子水清洗4min；③接著將硅片置于HF:H2O=1:10的混合液中，在20℃下漂洗10min；④接著用去離子水清洗4min；⑤接著將硅片置于Hcl:H2O2:H2O=1:1:6的混合液中，在75℃下煮5min；⑥然后用去離子水清洗4min，所述烘干的方法為硅片置于110℃的熱板上進(jìn)行除濕預(yù)烘20min；（2）刻蝕用Bp218-30正性光刻膠，在形成聚合物薄膜的硅基片背面光刻出對版標(biāo)記圖形；（3）固化在硅片正面旋涂沉積一層PMMA作為光波導(dǎo)下包層，接著將其放入烘箱中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)固化，所述旋轉(zhuǎn)的速度為1000轉(zhuǎn)/分鐘，所述烘箱的溫度為120℃，所述固化的時間為2h；（4）氣相沉積然后在固化后的兩層聚合物薄膜表面，氣相沉積金屬鋁形成鋁掩模；（5）光刻接著在鋁掩模上旋涂一層正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化30min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光10s、顯影20s，光刻出光波導(dǎo)集成光路圖形，所述曝光使用的工具為雙面光刻機(jī)，所述雙面光刻機(jī)的功率為200w；（6）再刻蝕顯影將制備有光波導(dǎo)集成光路鋁掩模圖形的樣品，在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，所述刻蝕的時間為7min，接著把ICP刻蝕過的樣片浸泡在AZ300MIF顯影液中，得到光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)；（7）再氣相沉積將再刻蝕顯影后的光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)表面，二次氣相沉積金屬鋁掩模；（8）光刻、刻蝕顯影在二次氣相沉積金屬鋁掩模上，旋涂正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化30min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光10s、顯影20s，光刻出懸臂梁-質(zhì)量塊圖形，接著在在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，形成PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)，所述顯影后通過40%的磷酸水溶液進(jìn)行腐蝕；（9）制成傳感器芯片-把PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)浸泡在顯影液中，去除鋁掩模和鋁掩模上殘留的光刻膠，制成傳感器芯片。實(shí)施例2：一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝，包括如下步驟：（1）預(yù)處理把硅基片清洗后烘干后，接著利用勻膠機(jī)將液態(tài)聚合物均勻旋涂在硅基片上，形成聚合物薄膜，所述硅片的清洗分為六步，①將硅片置于H2SO4:H2O2=3:1的混合液中，在80℃下煮10min；②接著用去離子水清洗5min；③接著將硅片置于HF:H2O=1:10的混合液中，在22℃下漂洗15min；④接著用去離子水清洗5min；⑤接著將硅片置于Hcl:H2O2:H2O=1:1:6的混合液中，在80℃下煮10min；⑥然后用去離子水清洗5min，所述烘干的方法為硅片置于120℃的熱板上進(jìn)行除濕預(yù)烘25min；（2）刻蝕用Bp218-30正性光刻膠，在形成聚合物薄膜的硅基片背面光刻出對版標(biāo)記圖形；（3）固化在硅片正面旋涂沉積一層PMMA作為光波導(dǎo)下包層，接著將其放入烘箱中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)固化，所述旋轉(zhuǎn)的速度為1100轉(zhuǎn)/分鐘，所述烘箱的溫度為130℃，所述固化的時間為3h；（4）氣相沉積然后在固化后的兩層聚合物薄膜表面，氣相沉積金屬鋁形成鋁掩模；（5）光刻接著在鋁掩模上旋涂一層正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化40min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光15s、顯影30s，光刻出光波導(dǎo)集成光路圖形，所述曝光使用的工具為雙面光刻機(jī)，所述雙面光刻機(jī)的功率為300w；（6）再刻蝕顯影將制備有光波導(dǎo)集成光路鋁掩模圖形的樣品，在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，所述刻蝕的時間為8min，接著把ICP刻蝕過的樣片浸泡在AZ300MIF顯影液中，得到光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)；（7）再氣相沉積將再刻蝕顯影后的光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)表面，二次氣相沉積金屬鋁掩模；（8）光刻、刻蝕顯影在二次氣相沉積金屬鋁掩模上，旋涂正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化40min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光15s、顯影25s，光刻出懸臂梁-質(zhì)量塊圖形，接著在在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，形成PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)，所述顯影后通過40-60%的磷酸水溶液進(jìn)行腐蝕；（9）制成傳感器芯片-把PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)浸泡在顯影液中，去除鋁掩模和鋁掩模上殘留的光刻膠，制成傳感器芯片。實(shí)施例3一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝，包括如下步驟：（1）預(yù)處理把硅基片清洗后烘干后，接著利用勻膠機(jī)將液態(tài)聚合物均勻旋涂在硅基片上，形成聚合物薄膜，所述硅片的清洗分為六步，①將硅片置于H2SO4:H2O2=3:1的混合液中，在85℃下煮15min；②接著用去離子水清洗6min；③接著將硅片置于HF:H2O=1:10的混合液中，在24℃下漂洗20min；④接著用去離子水清洗6min；⑤接著將硅片置于Hcl:H2O2:H2O=1:1:6的混合液中，在85℃下煮15min；⑥然后用去離子水清洗6min，所述烘干的方法為硅片置于130℃的熱板上進(jìn)行除濕預(yù)烘30min；（2）刻蝕用Bp218-30正性光刻膠，在形成聚合物薄膜的硅基片背面光刻出對版標(biāo)記圖形；（3）固化在硅片正面旋涂沉積一層PMMA作為光波導(dǎo)下包層，接著將其放入烘箱中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)固化，所述旋轉(zhuǎn)的速度為1200轉(zhuǎn)/分鐘，所述烘箱的溫度為140℃，所述固化的時間為4h；（4）氣相沉積然后在固化后的兩層聚合物薄膜表面，氣相沉積金屬鋁形成鋁掩模；（5）光刻接著在鋁掩模上旋涂一層正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化50min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光20s、顯影40s，光刻出光波導(dǎo)集成光路圖形，所述曝光使用的工具為雙面光刻機(jī)，所述雙面光刻機(jī)的功率為400w；（6）再刻蝕顯影將制備有光波導(dǎo)集成光路鋁掩模圖形的樣品，在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，所述刻蝕的時間為9min，接著把ICP刻蝕過的樣片浸泡在AZ300MIF顯影液中，得到光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)；（7）再氣相沉積將再刻蝕顯影后的光波導(dǎo)集成光路芯層結(jié)構(gòu)表面，二次氣相沉積金屬鋁掩模；（8）光刻、刻蝕顯影在二次氣相沉積金屬鋁掩模上，旋涂正性光刻膠，然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化50min，然后采用雙面對準(zhǔn)技術(shù)對版、曝光20s、顯影30s，光刻出懸臂梁-質(zhì)量塊圖形，接著在在O2等離子體中進(jìn)行ICP刻蝕，形成PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)，所述顯影后通過60%的磷酸水溶液進(jìn)行腐蝕；（9）制成傳感器芯片-把PMMA懸臂梁-質(zhì)量塊立體結(jié)構(gòu)浸泡在顯影液中，去除鋁掩模和鋁掩模上殘留的光刻膠，制成傳感器芯片。經(jīng)過以上方法后，分別取出樣品，測量結(jié)果如下：檢測項(xiàng)目實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3現(xiàn)有指標(biāo)分辨率高高高較高波導(dǎo)傳輸特性好好好較好外形偏差（mm）0.030.010.020.05根據(jù)上述表格數(shù)據(jù)可以得出，當(dāng)實(shí)施例2參數(shù)時制造后的傳感器芯片比現(xiàn)有技術(shù)制造后的雷達(dá)傳感器芯片分辨率高，且波導(dǎo)傳輸特性好、外形偏差有所降低，此時更有利于雷達(dá)傳感器芯片的制造。本發(fā)明提供了一種雷達(dá)用傳感器芯片的制造工藝，所述硅片的清洗分為六步，可以去除硅片表面的有機(jī)物、氧化物及各種微粒，所述清洗后進(jìn)行烘干，可以避免在波導(dǎo)制備過程中由于硅片原因?qū)е碌腜MMA吸濕、與硅基底粘附性差、膜厚不均勻、表面平整度不夠、光潔度差等影響波導(dǎo)傳輸特性的不良后果，所述曝光使用的工具為雙面光刻機(jī)，可以提高圖像的分辨率，所述顯影后通過40-60%的磷酸水溶液進(jìn)行腐蝕，可以去除顯影后暴露出來的鋁膜采用此種制造工藝加工出來的雷達(dá)用傳感器芯片具有分辨率高以及波導(dǎo)傳輸特性好的優(yōu)點(diǎn)，市場潛力巨大，前景廣闊。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3