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一種一維ZnO材料表面沉積金納米顆粒的方法_2

文檔序號(hào):8272864閱讀:來源:國(guó)知局
米棒粉末,分散在40 mL去離子水中,得到2.5 mM的白色懸濁液,預(yù)先超聲30 min,超聲功率50W ;
1.2向步驟(I)的懸濁液中加入2.5 mL的HAuCl4水溶液(1.0 mM),室溫條件下,繼續(xù)超聲(50w) 5 min ;
1.3 反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心分離、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合納米棒材料,其中Au納米顆粒粒徑為4 nm左右,且在ZnO納米棒上分布均勻、較為密實(shí),具體形貌特征見圖1。
[0025]實(shí)施例2
2.1稱取2.01 mg ZnO納米帶粉末,分散在40 mL去離子水中,得到1.0 mM的白色懸濁液,預(yù)先超聲60min,超聲功率100W ;
2.2向步驟(I)的懸濁中加入2.5 mL的HAuCljK溶液(1.25 mM),加熱至80 °C,繼續(xù)超聲(10w) 20 min ;
2.3反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心分離、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合納米帶材料,其中Au納米顆粒粒徑為4 nm左右,且在ZnO納米帶上分布均勾、較為稀疏。
[0026]實(shí)施例3
3.1稱取3.24 mgZnO納米帶粉末,分散在40 mL去離子水中,得到1.0 mM的白色懸濁液,預(yù)先超聲40min,超聲功率400W ;
3.2向步驟(I)中的懸濁液中加入2.5 mL的HAuCl4水溶液(1.5禮),加熱至80°C,繼續(xù)超聲(400w) 20 min ;
3.3反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心分離、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合納米帶材料,其中Au納米顆粒粒徑為10 nm左右,且在ZnO納米帶上分布均勾。
[0027]實(shí)施例4
4.1稱取16.2 mg ZnO納米線粉末,分散在40 mL去離子水中,得到5.0 mM的白色懸濁液,預(yù)先超聲30 min,超聲功率500W ;
4.2向步驟(I)中的懸濁液中加入2.5 mL的HAuCVK溶液(1.0禮),加熱至30°C,繼續(xù)超聲(500w) 15 min ;
4.3反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心分離、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合納米線材料,其中Au納米顆粒粒徑為4 nm左右,在ZnO納米線上分布均勾且稀疏。
[0028]實(shí)施例5 5.1稱取8.1 mg ZnO納米纖維粉末,分散在40 mL去離子水中,得到2.5 mM的白色懸濁液,預(yù)先超聲30 min,超聲功率80W;
5.2向步驟(I)中的懸濁液中加入2.5 mL的HAuCl4水溶液(0.5 mM),室溫下繼續(xù)超聲(80w)反應(yīng) 30 min ;
5.3反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合納米纖維材料,其中Au納米顆粒的粒徑為5 nm左右,在ZnO納米纖維上分布均勾。
[0029]實(shí)施例6
6.1稱取8.1 mg ZnO納米晶須粉末,分散在40 mL去離子水中,得到2.5 mL的白色懸濁液,預(yù)先超聲30 min,超聲功率400W;
6.2向步驟(I)中的懸濁液中加入2.5 mL的HAuCl4水溶液(5.0禮),加熱至40 °〇繼續(xù)超聲(400w)反應(yīng)10 min ;
6.3反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合納米晶須材料,其中Au納米顆粒的粒徑最大為15 nm,在ZnO納米晶須上分布均勻且稀疏。
[0030]對(duì)比例I
稱取8.1 mg ZnO納米棒粉末,分散在40 mL去離子水中攪拌,得到2.5 mM的白色懸池液;
向上述步驟的懸濁液中加入4 mL的HAuCl4水溶液(1.0 mM),室溫條件下,繼續(xù)攪拌5min ;之后加入硼氫化鈉還原劑并攪拌lOmin。
[0031]反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心分離、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合納米棒材料,其中Au納米顆粒粒徑最大為20 nm,且在ZnO納米棒上分布不均勾、具體形貌特征見圖2。
[0032]對(duì)比例2
稱取8.1 mg ZnO微米球粉末,分散在40 mL去離子水中,得到2.5 mM的白色懸濁液,預(yù)先超聲30 min,超聲功率50W ;
向上述步驟的懸濁液中加入2.5 mL的HAuCl4水溶液(1.0 mM),室溫條件下,繼續(xù)超聲(50w) 5 min ;
反應(yīng)結(jié)束后,經(jīng)離心分離、洗滌后經(jīng)電鏡觀察發(fā)現(xiàn)并沒有Au納米顆粒沉積,說明一維材料是超聲獲得電子空穴分離的關(guān)鍵。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種一維ZnO材料表面沉積金納米顆粒的方法,其特征是:將一維ZnO材料與HAuCl4分散到水中,在無還原劑存在下進(jìn)行超聲處理,將Au3+還原為金納米顆粒并沉積到一維ZnO材料表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是:金納米顆粒在一維ZnO材料表面分布均勻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征是:金納米顆粒粒徑為3~ 15 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征是:所述一維ZnO材料為ZnO納米棒、ZnO納米線、ZnO納米帶、ZnO納米纖維、ZnO納米陣列或ZnO納米晶須。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征是包括以下步驟: (1)將一維ZnO材料分散在水中,超聲處理30-60min; (2)向步驟(I)的超聲處理后的混合物中加入HAuCl4水溶液,再進(jìn)行超聲處理使Au3+還原為Au ; (3)超聲處理后將反應(yīng)液離心分離、洗滌,得Au/ZnO復(fù)合一維納米材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征是:步驟(I)中,一維ZnO材料在水中的濃度為L(zhǎng) O ?5.0 mmol /L
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征是:ZnO與HAuCl4的摩爾比為40:0.25?5。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征是:步驟(I)和(2)中,超聲功率為50?500W。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征是:HAuCl4水溶液的濃度為0.1?5.0 mmol/L。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征是:步驟(2)中,超聲處理時(shí)的溫度為15?800C ;超聲處理的時(shí)間為5?30 min。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種一維ZnO材料表面沉積金納米顆粒的方法,步驟包括:將一維ZnO材料與HAuCl4分散到水中,在無還原劑存在下進(jìn)行超聲處理,將Au3+還原為金納米顆粒并沉積到一維ZnO材料表面。本發(fā)明采用超聲法還原氯金酸,在多種ZnO一維納米材料負(fù)載納米Au顆粒,克服了技術(shù)偏見,工藝流程簡(jiǎn)單,原料少,所得Au/ZnO復(fù)合一維納米材料中Au納米顆粒結(jié)晶性好,粒徑小,分散均勻,尺寸均一,更加有利于電子-空穴對(duì)的分離,大大提高了光催化效率,優(yōu)于大部分的液相法所制備的產(chǎn)品,在傳感器、電池、催化劑、生物、新能源等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
【IPC分類】B01J23-66, B82Y30-00, B82Y40-00
【公開號(hào)】CN104588014
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510073100
【發(fā)明人】楊萍, 張莎
【申請(qǐng)人】濟(jì)南大學(xué)
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2015年2月11日
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