技術(shù)特征：
1.一種貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)，其包括一種選擇性催化還原(SCR)催化劑系統(tǒng)，其包括布置在所述系統(tǒng)中的第一SCR催化劑組合物和第二SCR催化劑組合物，與所述第二SCR催化劑組合物相比，所述第一SCR催化劑組合物促進(jìn)更高的N2形成和更低的N2O形成，并且所述第二SCR催化劑組合物具有與所述第一SCR催化劑組合物不同的組成，與所述第一SCR催化劑組合物相比，所述第二SCR催化劑組合物促進(jìn)更低的N2形成和更高的N2O形成，其中所述第一催化劑組合物橫向位于所述第二催化劑組合物的上游，并包括貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)，以及與所述貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)流體連通的排氣管道，其中所述催化劑系統(tǒng)在所述發(fā)動(dòng)機(jī)的下游，其中在SCR催化劑系統(tǒng)中，-第一SCR催化劑組合物包含混合氧化物，所述混合氧化物選自Fe/氧化鈦、Fe/氧化鋁、Mg/氧化鈦、Cu/氧化鈦、Ce/Zr、氧化釩/氧化鈦以及它們的混合物，和-第二SCR催化劑組合物包含金屬交換的8環(huán)小孔分子篩。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)，其中在SCR催化劑系統(tǒng)中，所述第一SCR催化劑組合物和所述第二SCR催化劑組合物設(shè)置在共同的基材上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)，其中在SCR催化劑系統(tǒng)中，所述第一SCR催化劑組合物和所述第二SCR催化劑組合物設(shè)置在不同的基材上。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)，其中在SCR催化劑系統(tǒng)中，所述混合氧化物是氧化釩/氧化鈦。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)，其中在SCR催化劑系統(tǒng)中，所述氧化釩/氧化鈦用鎢穩(wěn)定。6.一種選擇性催化還原(SCR)催化劑系統(tǒng)，其包括設(shè)置在基材上包含氧化釩/氧化鈦的第一SCR催化劑組合物和設(shè)置在基材上包含金屬交換的8環(huán)小孔分子篩的第二SCR催化劑組合物，其中所述第一催化劑組合物橫向位于所述第二催化劑組合物的上游。7.根據(jù)權(quán)利要求1的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)或權(quán)利要求6的SCR催化劑系統(tǒng)，其中所述分子篩具有選自由以下組成的組的結(jié)構(gòu)類(lèi)型：AEI、AFT、AFX、CHA、EAB、ERI、KFI、LEV、SAS、SAT、DDR和SAV。8.根據(jù)權(quán)利要求1的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)或權(quán)利要求6的SCR催化劑系統(tǒng)，其中所述分子篩為鋁硅酸鹽沸石并且具有CHA結(jié)構(gòu)類(lèi)型。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)或SCR催化劑系統(tǒng)，其中所述沸石選自SSZ-13和SSZ-62。10.根據(jù)權(quán)利要求1的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)或權(quán)利要求6所述的SCR催化劑系統(tǒng)，其中所述金屬選自由以下組成的組：Cu、Fe、Co、Ce和Ni。11.根據(jù)權(quán)利要求1的貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)排氣處理系統(tǒng)或權(quán)利要求6所述的SCR催化劑系統(tǒng)，其中所述金屬選自Cu并且在2重量％至8重量％的范圍內(nèi)交換。12.一種從貧燃發(fā)動(dòng)機(jī)的排氣中除去氮氧化物的方法，所述方法包括使排氣流與根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所定義的催化劑系統(tǒng)接觸。13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的催化劑系統(tǒng)，其中與所述金屬交換的8環(huán)小孔分子篩相比，氧化釩/氧化鈦促進(jìn)更高的N2形成和更低的N2O形成，并且其中與所述氧化釩/氧化鈦相比，所述金屬交換的8環(huán)小孔分子篩促進(jìn)更低的N2形成和更高的N2O形成，并且所述8環(huán)小孔分子篩具有比所述氧化釩/氧化鈦更高的氨儲(chǔ)存容量。