本發(fā)明屬于高分子材料加工的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料及其制備方法。

背景技術(shù)：

聚合物發(fā)泡材料具有質(zhì)量輕、保溫隔熱、降噪、吸收沖擊能量等特性，已在日常生活和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中廣泛使用。隨著高科技發(fā)展，國防、軍工、航空航天等使用環(huán)境苛刻的領(lǐng)域，需要泡沫材料具有耐高溫、耐腐蝕、高機械強度等性能，因此開發(fā)高性能泡沫材料成為重要研究方向。

聚芳醚酮作為特種工程塑料具有優(yōu)異的力學(xué)、電學(xué)性能，耐輻射，耐化學(xué)腐蝕，耐熱等級高，阻燃性好，在航天航空、國防軍工、電子信息等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。聚芳醚酮泡沫的研究不僅拓寬了聚芳醚酮的應(yīng)用領(lǐng)域,而且在特種工程塑料輕量化、低碳節(jié)能等方面具有重要意義。含酞側(cè)基聚芳醚酮(PEK-C為代表)是聚芳醚酮家族重要一員，屬于可溶解的無定型態(tài)聚芳醚酮，可溶于多種有機溶劑中，如DMF、DMAc、THF、CHCl₃等，具有良好的加工性能。

超臨界二氧化碳(ScCO₂)發(fā)泡技術(shù)以CO₂做為發(fā)泡劑，具有綠色無毒、價格低廉、安全性好，并且操作簡單，泡孔結(jié)構(gòu)可控等優(yōu)勢，受到越來越多研究人員的青睞。超臨界二氧化碳(ScCO₂)發(fā)泡過程分為三個步驟：1.形成聚合物/CO₂均相體系；2.通過升溫或降壓使上述體系處于熱力學(xué)不穩(wěn)定狀態(tài)，誘導(dǎo)成核；3.泡孔生長與定型。根據(jù)誘導(dǎo)成核機理可分為快速升溫法和快速降壓法兩種。

Wang等人[Wang et al.Microcellular Processing and Relaxation ofPoly(ether ether ketone)Journal of Polymer Science:Part B:Polymer Physics,2007,45,2890-2898]通過淬火制備了無定型聚醚醚酮，然后以CO₂為發(fā)泡劑，利用快速升溫法，在發(fā)泡溫度90～160℃范圍內(nèi)制備了聚醚醚酮泡沫，但是當(dāng)發(fā)泡溫度高于100℃時，由于淬火而凍結(jié)的分子鏈重新結(jié)晶，降低了CO₂溶解度和擴散速率，從而限制了成核速率和泡孔生長，泡沫形貌不均勻且難以控制；姜振華等(CN201210500786.4)改善了聚醚醚酮的發(fā)泡工藝，采用快速降壓法制備結(jié)晶聚醚醚酮泡沫，為了減小結(jié)晶對發(fā)泡結(jié)果的影響，他們將聚醚醚酮加熱至熔融態(tài)進行發(fā)泡(330～345℃)，得到泡孔均勻的聚醚醚酮泡沫顆粒，發(fā)泡倍率為6～17倍。由于發(fā)泡過程中既需要聚合物處于熔融態(tài)提高CO₂溶解度，又要殘留一定晶體來保證足夠的熔體強度，因此發(fā)泡窗口比較窄，不容易控制；相比之下，無定型聚芳醚酮更容易得到泡孔均勻的泡沫材料。王冬(見其博士論文)等以無定型態(tài)的含氟側(cè)基聚醚醚酮為原料，通過快速升溫法制備了的納米孔泡沫；Zhu等[S Zhu et al.Novel nanocellular poly(aryl ether ketone)foam fabricatedby controlling the crosslinking degree.RscAdvances,2015,5(64).]以含萘可交聯(lián)聚醚醚酮為原料，采用快速升溫法，通過控制交聯(lián)度制備了納孔泡沫，孔徑最小86nm左右；王輝等[高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報，2013,34,1033-1035]以含金剛烷側(cè)基的聚芳醚酮為基體，做成120μm厚的薄膜，通過快速升溫法成功制備了微孔-超微孔聚芳醚酮泡沫材料，孔徑最小為200nm。這些工作側(cè)重于研究超臨界CO₂發(fā)泡技術(shù)制備微納孔聚芳醚酮泡沫且發(fā)泡倍率低，而高發(fā)泡倍率無定型聚芳醚酮泡沫的制備還沒有報道。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的聚芳醚酮泡沫材料發(fā)泡倍率低、泡孔尺寸不均勻的問題，而提供一種含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料及其制備方法。

本發(fā)明首先提供一種含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料的制備方法，該方法包括：

步驟一：將含酞側(cè)基聚芳醚酮在硫壓機上進行模壓，得到交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板；

步驟二：在高壓釜內(nèi)，將步驟一得到的交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板置于超臨界CO₂中，在200-350℃的飽和溫度、8-30MPa的飽和壓力下進行溶脹和滲透，飽和時間為0.5-3h，快速泄壓，然后將泡沫從高壓釜中取出，冷卻至室溫，得到含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料；

所述的含酞側(cè)基聚芳醚酮是無定型態(tài)。

優(yōu)選的是，所述的含酞側(cè)基聚芳醚酮的結(jié)構(gòu)式如式(Ⅰ)所示：

所述Ar、R單獨的選自下列式a～d結(jié)構(gòu)中的一種，且Ar可與R相同：

所述Z選自下列式(1)～(13)結(jié)構(gòu)中的一種：

其中p+q＝1，0.7≤p≤1，0≤q≤0.3。

優(yōu)選的是，所述的具有式(Ⅰ)結(jié)構(gòu)的含酞側(cè)基聚芳醚酮的制備方法，包括：

將酚酞、X-Ar-X、X-R-X、H-Z-H加入到反應(yīng)釜中，然后再加入碳酸鉀、環(huán)丁砜和甲苯，將上述混合物加熱到140℃共沸除水，恒溫2h，除去甲苯，繼續(xù)加熱到220℃反應(yīng)2.5h，降溫，加入DMAc稀釋，在乙醇/水中沉淀，沉淀物經(jīng)過濾、粉碎，并用去離子水反復(fù)煮洗5次除去無機鹽和殘留溶劑，烘干，即得到具有式(Ⅰ)結(jié)構(gòu)的含酞側(cè)基聚芳醚酮，其中X指代鹵素。

優(yōu)選的是，所述步驟一的模壓壓力為0～15MPa，模壓溫度為280℃～400℃，模壓時間為10min～180min。

優(yōu)選的是，所述的交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板厚度為2mm～10mm。

優(yōu)選的是，所述的超臨界CO₂是指溫度高于31.26℃，壓力大于72.9atm的CO₂流體。

優(yōu)選的是，所述的快速泄壓的降壓速率>10MPa/s。

本發(fā)明還提供上述含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料的制備方法得到的含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料。

優(yōu)選的是，所述的聚芳醚酮泡沫材料的泡孔密度為10⁵-10¹¹個/cm³,發(fā)泡倍率為3-30倍，孔徑尺寸為2-100μm。

本發(fā)明的有益效果

本發(fā)明首先提供一種含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料的制備方法，該方法是先將含酞側(cè)基聚芳醚酮進行模壓，通過調(diào)節(jié)模壓溫度與模壓時間控制基體樹脂交聯(lián)度，從而在分子量的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了發(fā)泡基體樹脂性能的二次調(diào)控，更有利于得到適合制備低密度、高發(fā)泡倍率的聚合物板材；然后將交聯(lián)后的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板置于超臨界CO₂中，進行溶脹和滲透，快速泄壓，得到含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料；本發(fā)明所述的含酞側(cè)基聚芳醚酮是無定型態(tài)，相比于結(jié)晶型聚芳醚酮，本發(fā)明的無定型態(tài)聚芳醚酮CO₂溶解度高、發(fā)泡過程中沒有晶區(qū)抑制泡孔生長的情況，因此制備得到的泡沫材料泡孔均勻、發(fā)泡窗口寬、發(fā)泡倍率大。

本發(fā)明還提供上述含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料的制備方法得到的含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料，和現(xiàn)有技術(shù)相對比，本發(fā)明通過控制工藝參數(shù)來調(diào)節(jié)泡孔結(jié)構(gòu),有效的制備了泡孔尺寸均勻可控、低密度、高發(fā)泡倍率的聚芳醚酮泡沫材料。實驗結(jié)果表明：本發(fā)明的聚芳醚酮泡沫材料的泡孔密度為10⁵-10¹¹個/cm³,發(fā)泡倍率為3-30倍，孔徑尺寸為2-100μm。

附圖說明

圖1為實施例1制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖2為實施例2制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖3為實施例3制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖4為實施例4制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖5為實施例5制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖6為實施例6制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖7為實施例7制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖8為實施例8制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖9為實施例9制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖；

圖10為實施例10制備得到的樣品斷面的掃描電鏡圖。

具體實施方式

本發(fā)明首先提供一種含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料的制備方法，該方法包括：

步驟一：將含酞側(cè)基聚芳醚酮在硫壓機上進行模壓，得到交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板；

步驟二：在高壓釜內(nèi)，將步驟一得到的交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板置于超臨界CO₂中，在200-350℃的飽和溫度、8-30MPa的飽和壓力下進行溶脹和滲透，飽和時間為0.5-3h，快速泄壓，然后將泡沫從高壓釜中取出，冷卻至室溫，得到含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料；

所述的含酞側(cè)基聚芳醚酮是無定型態(tài)。

按照本發(fā)明，先將含酞側(cè)基聚芳醚酮在硫壓機上進行模壓，得到交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板；本發(fā)明的含酞側(cè)基聚芳醚酮通過模壓過程發(fā)生交聯(lián)，交聯(lián)度可以通過改變模壓溫度與時間調(diào)控；所述模壓壓力優(yōu)選為0～15MPa，模壓溫度優(yōu)選為280℃～400℃，模壓時間優(yōu)選為10min～180min，通過調(diào)節(jié)模壓溫度與模壓時間控制基體樹脂交聯(lián)度，從而在分子量的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了發(fā)泡基體樹脂性能的二次調(diào)控，更有利于得到適合制備低密度、高發(fā)泡倍率的聚合物板材；

按照本發(fā)明，所述的含酞側(cè)基聚芳醚酮是無定型態(tài)，優(yōu)選的是，

所述的含酞側(cè)基聚芳醚酮的結(jié)構(gòu)式如式(Ⅰ)所示：

所述Ar、R單獨的選自下列式a～d結(jié)構(gòu)中的一種，且Ar可與R相同：

所述Z選自下列式(1)～(13)結(jié)構(gòu)中的一種：

其中p+q＝1，0.7≤p≤1，0≤q≤0.3，所述的含酞側(cè)基聚芳醚酮分子量為3w<Mw<40w。

按照本發(fā)明，所述的具有式(Ⅰ)結(jié)構(gòu)的含酞側(cè)基聚芳醚酮的制備方法，包括：

將酚酞、X-Ar-X、X-R-X、H-Z-H加入到反應(yīng)釜中，然后再加入碳酸鉀、環(huán)丁砜和甲苯，將上述混合物加熱到140℃共沸除水，恒溫2h，除去甲苯，繼續(xù)加熱到220℃反應(yīng)2.5h，降溫，加入DMAc稀釋，在乙醇/水中沉淀，沉淀物經(jīng)過濾、粉碎，并用去離子水反復(fù)煮洗5次除去無機鹽和殘留溶劑，烘干，即得到具有式(Ⅰ)結(jié)構(gòu)的含酞側(cè)基聚芳醚酮。其中雙酚單體(酚酞與H-Z-H之和)與雙鹵單體(X-R-X與X-Ar-X之和)物質(zhì)的量比為(1.005～1.05):1，H-Z-H與酚酞物質(zhì)的量比為(0～3):7，X-Ar-X與X-R-X可為任意配比，碳酸鉀與雙酚單體物質(zhì)的量比為1.15:1，環(huán)丁砜與反應(yīng)原料總和的質(zhì)量比為1.5～4:1。

按照本發(fā)明，具有式(Ⅰ)結(jié)構(gòu)的含酞側(cè)基聚芳醚酮具有大的cardo環(huán)結(jié)構(gòu)，破壞了分子鏈的規(guī)整性，使聚合物表現(xiàn)出無定型態(tài)，與結(jié)晶型聚芳醚酮相比，具有更高的CO₂溶解度，有利于得到更高的發(fā)泡倍率，并且在發(fā)泡過程中泡孔在均相條件下生長，更有利于得到泡孔結(jié)構(gòu)均一的泡沫材料。另外，發(fā)泡過程中，聚合物需要具有一定的流動性又要保持一定的熔體強度，因此合適的發(fā)泡區(qū)間位于聚合物從玻璃態(tài)到粘流態(tài)的轉(zhuǎn)變區(qū)間，即高彈態(tài)，由于無定型態(tài)聚芳醚酮不存在類似結(jié)晶型聚芳醚酮那樣的粘彈性隨溫度突變現(xiàn)象，所以具有更寬的發(fā)泡溫度窗口，在操作上也更容易實現(xiàn)。在一定溫度下，式(Ⅰ)結(jié)構(gòu)的含酞側(cè)基聚芳醚酮端羥基可引發(fā)分子鏈交聯(lián)，對聚合物熔體強度進行調(diào)控，從而得到更理想的發(fā)泡結(jié)果。

按照本發(fā)明，在高壓釜內(nèi)，將上述得到的交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板置于超臨界CO₂中，在200-350℃的飽和溫度、8-30MPa的飽和壓力下進行溶脹和滲透，飽和時間為0.5-3h，快速泄壓，然后將泡沫從高壓釜中取出，冷卻至室溫，得到含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料。

按照本發(fā)明，所述的超臨界CO₂是指溫度高于31.26℃，壓力大于72.9atm的CO₂流體；所述的快速泄壓的降壓速率>10MPa/s；所述的交聯(lián)的含酞側(cè)基聚芳醚酮樣板厚度優(yōu)選為2mm～10mm。所述的飽和時間由飽和溫度、飽和壓力以及樣品厚度共同決定，飽和溫度越高、壓力越大、樣品越薄則飽和時間越短，反之飽和時間越長。

本發(fā)明還提供上述含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料的制備方法得到的含酞側(cè)基聚芳醚酮泡沫材料。所述的聚芳醚酮泡沫材料的泡孔密度為10⁵-10¹¹個/cm³,發(fā)泡倍率為3-30倍，孔徑尺寸為2-100μm。采用掃描電子顯微鏡(SEM)對聚芳醚酮泡沫樣品的斷面進行分析，所用儀器為荷蘭FEL公司XL30ESEM-FEG型掃描電子顯微鏡，采用真空蒸鍍方法鍍金。通過Image pro plus圖像分析軟件對電鏡照片進行分析得到泡沫材料的平均孔徑和泡孔密度。電鏡照片的放大倍數(shù)記為M，照片面積記為A(cm²)，照片中的泡孔個數(shù)為n。Kumar[Kumar et.al.A process for making microcellular thermoplastic parts,Polymer Engineering and Science,30(20),1323(1990).]定義泡孔密度N_f(個/cm³)為：

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步詳細的描述，實施例中涉及的原料均為商購。

實施例1

向三口燒瓶中加入酚酞(70.7mmol)、二氟二苯甲酮(70mmol)、K₂CO₃(80.5mmol)、TMS(65.5ml)、甲苯(35ml)，氮氣保護條件下，將上述混合物加熱到140℃共沸除水，恒溫2h，除去甲苯，繼續(xù)加熱到220℃反應(yīng)2.5h，降溫，加入250ml DMAc稀釋，在乙醇/水中沉淀，沉淀物經(jīng)過濾、粉碎，并用去離子水反復(fù)煮洗5次除去無機鹽和殘留溶劑，烘干，即得到目標(biāo)結(jié)構(gòu)的聚芳醚酮(PEK-C)。

將干燥好的PEK-C樣品(Mw＝13.5×10⁴，PDI＝2.8)在硫壓機中進行模壓，溫度360℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃以下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將制備的PEK-C樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂吹洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為10MPa，升高釜溫到265℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEK-C泡沫樣品。

PEK-C的分子結(jié)構(gòu)：

Ar：

p＝1，q＝0

將實施例1得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖1所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為28μm，泡孔密度7.8×10⁷，發(fā)泡倍率為6.8倍。

實施例2

將干燥好的PEK-C樣品(Mw＝13.5×10⁴，PDI＝2.8)在硫壓機中進行模壓，溫度360℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃一下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PEK-C樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂吹洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為10MPa，升高釜溫到290℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEK-C泡沫樣品。

將實施例2得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖2所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為44μm，泡孔密度1.8×10⁷，發(fā)泡倍率為14.9倍。

實施例3

將干燥好的PEK-C樣品(Mw＝13.5×10⁴，PDI＝2.8)在硫壓機中進行模壓，溫度360℃，壓力5MPa，60min后停止加熱，待溫度降至100℃一下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PEK-C樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂吹洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為10MPa，升高釜溫到290℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEK-C泡沫樣品。

將實施例3得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖3所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為92μm，泡孔密度4.0×10⁶，發(fā)泡倍率為18.3倍。

實施例4

將干燥好的PEK-C樣品(Mw＝13.5×10⁴，PDI＝2.8)在硫壓機中進行模壓，溫度360℃，壓力5MPa，120min后停止加熱，待溫度降至100℃一下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PEK-C樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂吹洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為10MPa，升高釜溫到290℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEK-C泡沫樣品。

將實施例4得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖4所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為82μm，泡孔密度1.1×10⁷，發(fā)泡倍率為13.4倍。

實施例5

向三口燒瓶中加入酚酞(70.7mmol)、二氯苯腈(49mmol)二氟二苯甲酮(21mmol)、K₂CO₃(80.5mmol)、TMS(65.5ml)、甲苯(35ml)，氮氣保護條件下，將上述混合物加熱到140℃共沸除水，恒溫2h，除去甲苯，繼續(xù)加熱到220℃反應(yīng)2.5h，降溫，加入250ml DMAc稀釋，在乙醇/水中沉淀，沉淀物經(jīng)過濾、粉碎，并用去離子水反復(fù)煮洗5次除去無機鹽和殘留溶劑，烘干，即得到目標(biāo)結(jié)構(gòu)的聚芳醚酮(PEK-CN)。

將干燥好的PEK-CN樣品(Mw＝10.7×10⁴，PDI＝2.3)在硫壓機中進行模壓，溫度360℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃一下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PEK-CN樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂沖洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為13MPa，升高釜溫到300℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEK-CN泡沫樣品。

PEK-CN分子結(jié)構(gòu)式：

Ar：R：Z：

p＝0.7，q＝0.3

將實施例5得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖5所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為35μm，泡孔密度6.6×10⁷，發(fā)泡倍率為18.6倍。

實施例6

將干燥好的PEN樣品(Mw＝5.7×10⁴，PDI＝1.6)在硫壓機中進行模壓，溫度360℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃一下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PEN樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂沖洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為13MPa，升高釜溫到300℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEN泡沫樣品。

PEN分子結(jié)構(gòu)式：

Ar：

p＝1，q＝0

將實施例6得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖6所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為74μm，泡孔密度2.9×10⁷，發(fā)泡倍率為30倍。

實施例7

將干燥好的PEK-CB樣品(Mw＝17.6×10⁴，PDI＝1.7)在硫壓機中進行模壓，溫度290℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃一下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PEK-CB樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂沖洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為10MPa，升高釜溫到250℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEK-CB泡沫樣品。

PEK-CB分子結(jié)構(gòu)式：

Ar、R：X：

p＝0.8，q＝0.2

將實施例7得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖7所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為27μm，泡孔密度7.4×10⁸，發(fā)泡倍率為5.1倍。

實施例8

將干燥好的PEK-CAF樣品(Mw＝22.4×10⁴，PDI＝1.7)在硫壓機中進行模壓，溫度300℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃以下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PEK-CAF樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂沖洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為10MPa，升高釜溫到260℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PEK-CAF泡沫樣品。

PEK-CAF分子結(jié)構(gòu)式：

Ar、R：X：

p＝0.7，q＝0.3

將實施例8得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖8所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為31μm，泡孔密度4.4×10⁸，發(fā)泡倍率為8倍。

實施例9

將干燥好的PES-C樣品(Mw＝16.4×10⁴，PDI＝2.2)在硫壓機中進行模壓，溫度350℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃以下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PES-C樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂沖洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為12MPa，升高釜溫到300℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PES-C泡沫樣品。

PES-C分子結(jié)構(gòu)式：

Ar：

p＝1，q＝0

將實施例9得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖9所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為79μm，泡孔密度1.4×10⁷，發(fā)泡倍率為23倍。

實施例10

將干燥好的PESK-CBI樣品(Mw＝13.4×10⁴，PDI＝2.1)在硫壓機中進行模壓，溫度370℃，壓力5MPa，30min后停止加熱，待溫度降至100℃以下后，泄壓并取出樣板，厚度4mm。

將干燥好的PESK-CBI樣板放置于高壓釜中，密封釜體，用高壓CO₂沖洗釜腔2-3次，目的是排除腔內(nèi)的空氣，然后通過增壓系統(tǒng)向高壓釜內(nèi)注入CO₂氣體，控制恒定壓力為14MPa，升高釜溫到280℃，保溫保壓2.5h，然后通過減壓閥將壓力迅速降至常壓，降壓速率>10MPa，并打開釜體取出樣品冷卻至室溫，從而得到PESK-CBI泡沫樣品。

PESK-CBI分子結(jié)構(gòu)式：

Ar：R:Z:

p＝0.7，q＝0.3

將實施例10得到的樣品用液氮淬斷，對斷面進行掃描電鏡分析，如圖10所示，所得泡沫樣品為閉孔結(jié)構(gòu)，泡孔平均尺寸約為3.2μm，泡孔密度5.7×10¹⁰，發(fā)泡倍率為3.3倍。