本發(fā)明涉及有機(jī)化合物和包含包括有機(jī)化合物的有機(jī)層的電子裝置。
背景技術(shù)：
：有機(jī)發(fā)光二極管(oled)用于采用含有有機(jī)芳香族化合物的膜堆疊作為電子傳輸層(etl)和空穴傳輸層(htl)的顯示裝置中。為了與其它顯示器(如液晶顯示器(lcd))競(jìng)爭(zhēng)，尤其對(duì)于其中電池用作電源的移動(dòng)應(yīng)用，重要的是開發(fā)具有包括降低的驅(qū)動(dòng)電壓、提高的發(fā)光效率和/或提高的功率效率的特性以使oled顯示器的功率消耗降到最低的材料。已進(jìn)行了大量的研究來開發(fā)降低驅(qū)動(dòng)電壓并且提高發(fā)光效率的材料，主要針對(duì)于空穴注入材料(him)，如描述于《合成金屬(syntheticmetals)》,2009,159,69和《物理雜志d：應(yīng)用物理(j.phys.d:appl.phys.)》2007,40,5553中。對(duì)于空穴傳輸層，材料如n4,n4'-二苯基-n4,n4'-雙(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-[1,1'-聯(lián)二苯]-4,4'-二胺(npb)已傳統(tǒng)地用于提供發(fā)光特性。仍需要適合于制備oled的空穴傳輸層的新化合物，所述oled與包含傳統(tǒng)的例如npb類空穴傳輸層的oled相比具有改善的特性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供新穎的有機(jī)化合物和包含包括所述有機(jī)化合物的有機(jī)層的電子裝置。本發(fā)明的電子裝置示出了比包含npb作為空穴傳輸材料的裝置更低的驅(qū)動(dòng)電壓、更高的發(fā)光效率和更高的功率效率。在第一方面中，本發(fā)明提供具有由式(1)表示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物：其中r1、r3和r4各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳硫基、鹵素、氰基、羥基和羰基；r2選自由以下組成的群組：氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳硫基、鹵素、氰基、羥基，和羰基；并且r1與r2、r2與r3，或r3與r4可任選地形成一個(gè)或多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)；r5選自由以下組成的群組：氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3-c50環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基，和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基；r6和r7各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基、鹵素、氰基、羥基、羰基，和具有結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代的氨基，其中ar1和ar2各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基；其條件是r6和r7中的至少一個(gè)為經(jīng)取代的氨基；以及l(fā)1和l2各自獨(dú)立地選自以下結(jié)構(gòu)：其中a1選自經(jīng)取代或未經(jīng)取代的選自o、p、s、nr'、pr'或p(＝o)r'的雜原子；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基；a2到a5各自獨(dú)立地選自cr'2或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的選自n、p、pr'2或p(＝o)的雜原子；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基；a6到a11各自獨(dú)立地選自ch、n、p、pr'2、p(＝o)，或c；并且其條件是a6到a11僅當(dāng)它們鍵合到吲哚部分或x時(shí)各自獨(dú)立地表示c；以及x為化學(xué)鍵或選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3-c50亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60亞芳基，和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60亞雜芳基；并且x可與它鍵合到的環(huán)形成一個(gè)或多個(gè)環(huán)。在第二方面中，本發(fā)明為包含有機(jī)層的電子裝置，其中有機(jī)層包含第一方面的有機(jī)化合物。具體實(shí)施方式本發(fā)明的有機(jī)化合物可具有由式(1)表示的結(jié)構(gòu)：在式(1)中，l1和l2可相同或不同。l1和l2可各自獨(dú)立地具有由式(l')表示的結(jié)構(gòu)，其中a1可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的選自o、p、s、nr'、pr'或p(＝o)r'的雜原子；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基。a2到a5中的兩個(gè)或更少可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜原子。優(yōu)選的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜原子為n、p、pr'2，或p(＝o)；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基。l1和l2可各自獨(dú)立地選自以下結(jié)構(gòu)：其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基。在一些實(shí)施例中，l1和l2各自獨(dú)立地具有由式(l”)表示的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，a6到a11中的三個(gè)或更少各自獨(dú)立地選自n、p、pr'2，或p(＝o)；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基；并且其條件是a6到a11僅當(dāng)它們鍵合到吲哚部分或x時(shí)各自為c。l1和l2可各自為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基，例如經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60亞芳基、c6-c30亞芳基、c6-c20亞芳基，或c6-c12亞芳基。在一些實(shí)施例中，x為化學(xué)鍵。在本文中“化學(xué)鍵”意指鍵合到化學(xué)鍵的兩個(gè)基團(tuán)直接彼此連接。舉例來說，當(dāng)x為化學(xué)鍵時(shí)，它意指r6或r7直接連接到由a1到a5形成的環(huán)，或由a6到a11形成的環(huán)。l1和l2的實(shí)例包括本發(fā)明的有機(jī)化合物可具有由式(2)表示的結(jié)構(gòu)：其中，x1和x2可相同或不同。x1和x2各自為化學(xué)鍵，或各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3-c50亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60亞芳基，和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60亞雜芳基；并且r1到r7如先前參照式(1)所定義。當(dāng)r6和r7中的僅一個(gè)為經(jīng)取代的氨基時(shí)，式(2)可由式(2a)或式(2b)表示，其中ar1和ar2各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基，并且優(yōu)選地經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基；在式(2b)中的r6和在式(2a)中的r7各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c50芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基、鹵素、氰基、羥基，和羰基；并且r1到r5以及x1和x2如先前參照式(2)所定義。在一個(gè)實(shí)施例中，在式(2b)中的r6和在式(2a)中的r7各自獨(dú)立地為f。更優(yōu)選地，在式(2b)中的r6為f，并且x1為化學(xué)鍵。更優(yōu)選地，在式(2a)中的r7為f并且x2為化學(xué)鍵。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，本發(fā)明的有機(jī)化合物具有由式(2c)或(2d)表示的結(jié)構(gòu)：其中ar1和ar2各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基，并且優(yōu)選地經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基；并且r1到r5以及x1和x2如先前參照式(2)所定義。本發(fā)明的有機(jī)化合物可具有由式(3)表示的結(jié)構(gòu)：其中a7和a7'各自為c；a6和a6'、a8到a11和a8'到a11'各自獨(dú)立地選自ch、n、p、pr'2和p(＝o)；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基；并且其條件是a6和a8到a11僅當(dāng)它們鍵合到吲哚部分或x1時(shí)各自獨(dú)立地為c，并且a6'和a8'到a11'僅當(dāng)它們鍵合到吲哚部分或x2時(shí)各自獨(dú)立地為c。優(yōu)選地，a6和a8到a11中的三個(gè)或更少以及a6'和a8'到a11'中的三個(gè)或更少為n；以及x1和x2各自為化學(xué)鍵，或各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3-c50亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60亞芳基，和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60亞雜芳基；并且x1和x2可各自獨(dú)立地與它們鍵合到的環(huán)形成一個(gè)或多個(gè)環(huán)；以及r5到r7如先前參照式(1)所定義。本發(fā)明的有機(jī)化合物可具有由式(3-i)表示的結(jié)構(gòu)：其中r1到r7如先前參照式(1)所定義，并且a6到a11、a6'到a11'以及x1和x2如先前參照式(3)所定義；其條件是r1到r4、r6和r7中的至少一個(gè)為f或含氟c1-c30烷基或c6-c60芳基，優(yōu)選地含氟c1-c20烷基或c1-10烷基，或含氟c6-c30芳基或c6-c20芳基。在一個(gè)實(shí)施例中，r1到r4中的至少一個(gè)為f，r1到r4中其余的各自為氫，并且r5為-ch3。在另一實(shí)施例中，r6和r7中的一個(gè)為f，r6和r7中的另一個(gè)為經(jīng)取代的氨基，并且r5為-ch3。出人意料地，具有式(3-i)結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物(具有f或含氟取代基)可提供包含具有進(jìn)一步改善的效率的此類有機(jī)化合物的層的裝置。在式(1)中的x；在式(2)、式(2a)、式(2b)、式(3)和式(3-i)中的x1和x2；在式(2c)中的x1；和在式(2d)中的x2各自獨(dú)立地為化學(xué)鍵，或各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50亞烷基、c1-c30亞烷基、c1-c20亞烷基，或c1-c10亞烷基；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3-c50亞環(huán)烷基、c3-c30亞環(huán)烷基、c4-c20亞環(huán)烷基，或c5-c10亞環(huán)烷基；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60亞芳基、c6-c30亞芳基、c6-c20亞芳基，或c6-c12亞芳基；和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60亞雜芳基、c1-c30亞雜芳基、c1-c20亞雜芳基，或c1-c10亞雜芳基。在一些實(shí)施例中，x、x1和x2各自為化學(xué)鍵。x、x1和x2的實(shí)例包括在式(1)、式(2)、式(2a)、式(2b)、式(2c)、式(2d)、式(3)和式(3-i)中，r5可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c30烷基、c1-c20烷基、c1-c10烷基、c1-c5烷基，或c1-c3烷基；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3-c50環(huán)烷基、c4-c30環(huán)烷基、c4-c20環(huán)烷基，或c4-c12環(huán)烷基；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基、c6-c30芳基、c6-c20芳基，或c6-c12芳基；或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基、c1-c30雜芳基、c2-c20雜芳基，或c4-c12雜芳基。優(yōu)選地，r5選自-ch3、-ch2ch3、更優(yōu)選地，r5為-ch3。分別在式(1)、式(2)、式(3)和式(3-i)中，r6和r7可相同或不同。r6和r7中的一個(gè)或兩個(gè)為經(jīng)經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基取代的氨基(在下文中“經(jīng)取代的氨基”)。在本發(fā)明的有機(jī)化合物中的經(jīng)取代的氨基可由式(a)表示，其中ar1和ar2各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基。在一些實(shí)施例中，r6和r7中的僅一個(gè)為經(jīng)取代的氨基。在式(1)、式(2)、式(3)和式(3-i)中，優(yōu)選地r6和r7中的一個(gè)為經(jīng)取代的氨基，并且r6和r7中的另一個(gè)選自氫、鹵素，如f，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基。在式(1)、式(2)、式(2a)、式(2b)、式(2c)、式(2d)、式(3)和式(3-i)中的經(jīng)取代的氨基；和式(a)的經(jīng)取代的氨基可各自獨(dú)立地選自由式(4a)到式(4c)表示的以下結(jié)構(gòu)：其中ar3和ar4各自獨(dú)立地為未經(jīng)取代的c6-c60芳基，ar5到ar7各自獨(dú)立地為未經(jīng)取代的c6-c40芳基，并且ar8到ar11各自獨(dú)立地為未經(jīng)取代的c6-c30芳基；并且x3到x5各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60亞芳基和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60亞雜芳基。優(yōu)選地，r6和r7中的至少一個(gè)具有式(4a)結(jié)構(gòu)。x3到x5可各自獨(dú)立地選自經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60亞芳基、c6-c30亞芳基、c6-c20亞芳基，或c6-c12亞芳基，和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60亞雜芳基、c1-c30亞雜芳基、c2-c20亞雜芳基，或c4-c12亞雜芳基。優(yōu)選地，ar3到ar11可各自為未經(jīng)取代的c6-c30芳基、c6-c20芳基、c6-c15芳基，或c6-c12芳基。在本發(fā)明的有機(jī)化合物中的合適的經(jīng)取代的氨基的實(shí)例包括以下結(jié)構(gòu)(5-1)到(5-6)：分別在式(1)、式(2)、式(a)、式(2a)、式(2b)、式(2c)、式(2d)、式(3)和式(3-i)中，ar1和ar2各自獨(dú)立地選自經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基、c6-c30芳基、c6-c20芳基，或c6-c15芳基；或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基、c1-c30雜芳基、c2-c20雜芳基，或c4-c12雜芳基。優(yōu)選地，ar1和ar2各自為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基、c6-c30芳基、c6-c20芳基，或c6-c15芳基。更優(yōu)選地，ar1和ar2各自獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c12-c30芳基。分別在式(1)和式(2)、式(2a)、式(2b)、式(2c)、式(2d)和式(3-i)中，r1到r4可各自獨(dú)立地選自由以下組成的群組：氫；氘；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c50烷基、c1-c30烷基、c1-c20烷基，或c1-c10烷基；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基、c1-c30雜芳基、c2-c20雜芳基，或c4-c12雜芳基；含有c1-c50烷基、c1-c30烷基、c1-c20烷基，或c1-c10烷基的烷氧基或烷氧羰基；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c50芳氧基、c6-c30芳氧基、c6-c20芳氧基，或c6-c10芳氧基；經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c50芳硫基、c6-c30芳硫基、c6-c20芳硫基，或c6-c10芳硫基；鹵素，如f、cl、br或i；氰基；羥基；和羰基。r1和r2、r2和r3，或r3和r4可分別形成4元到8元稠環(huán)。r1、r3和r4還可各自獨(dú)立地選自氫、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基、c6-c30芳基、c6-c20芳基，或c6-c12芳基。優(yōu)選地，r1、r3和r4各自獨(dú)立地選自氫、f、甲基、苯基、萘基或聯(lián)苯基。在一些實(shí)施例中，r1到r4中的至少兩個(gè)為氫，并且優(yōu)選地r2和r4為氫。更優(yōu)選地，r1到r4全部為氫。在一些其它實(shí)施例中，r1到r4中的至少一個(gè)為f。更優(yōu)選地，r1到r4中的至少一個(gè)為f，并且r1到r4中的其余的各自為氫。本發(fā)明的有機(jī)化合物可選自以下化合物(1)到(36)：本發(fā)明的有機(jī)化合物的分子量可為500g/mol或更多、600g/mol或更多，或甚至700g/mol或更多，并且同時(shí)1,000g/mol或更少、900g/mol或更少，或甚至800g/mol或更少。如根據(jù)下文實(shí)例部分中所述的測(cè)試方法所測(cè)量，本發(fā)明的有機(jī)化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg)可為110℃或更高、130℃或更高，或150℃或更高，并且同時(shí)250℃或更低、220℃或更低，或甚至200℃或更低。如根據(jù)下文實(shí)例部分中所述的測(cè)試方法所測(cè)量，本發(fā)明的有機(jī)化合物在5％重量損失下的分解溫度(td)可為300℃或更高、350℃或更高，或400℃或更高，并且同時(shí)650℃或更低、600℃或更低，或甚至550℃或更低。本發(fā)明的有機(jī)化合物可如在例如下文流程1中所示制備。芳基肼鹽酸鹽可通過費(fèi)舍爾吲哚合成反應(yīng)(fischerindolesynthesisreaction)與結(jié)構(gòu)1的酮衍生物反應(yīng)以得到結(jié)構(gòu)2的吲哚衍生物。用于費(fèi)舍爾吲哚合成反應(yīng)的條件和原材料可為如描述于《有機(jī)化學(xué)雜志(j.org.chem.)》,2012,77,8049中的那些。用于費(fèi)舍爾吲哚合成的合適的催化劑實(shí)例包括布朗斯特酸(acids)如hcl、h2so4、聚磷酸和對(duì)甲苯磺酸；和路易斯酸(lewisacids)如三氟化硼、氯化鋅、氯化鐵和氯化鋁；或其混合物。隨后吲哚衍生物可與具有r5x1結(jié)構(gòu)的含有鹵素的化合物反應(yīng)，其中l(wèi)1、l2和r1到r5如先前參照式(1)所定義，并且x1為鹵素如f、cl、br或i，并且優(yōu)選地br或i。所得結(jié)構(gòu)3化合物可與經(jīng)經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6-c60芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1-c60雜芳基取代的胺化合物進(jìn)行buchwald-hartwig偶合反應(yīng)。[流程1]本發(fā)明的有機(jī)化合物可用作電荷傳輸層和電子裝置(如oled裝置)中的其它有機(jī)層。舉例來說，本發(fā)明的有機(jī)化合物可用作電荷阻擋層和電荷產(chǎn)生層。本發(fā)明還提供一種包含至少一個(gè)層的膜，所述至少一個(gè)層包含上文所述的本發(fā)明的有機(jī)化合物。本發(fā)明還提供一種包含有機(jī)層的電子裝置，所述有機(jī)層包含本發(fā)明的有機(jī)化合物。在本文中術(shù)語“電子裝置”是指取決于電子原理并且使用電子流動(dòng)的操控進(jìn)行其操作的裝置。電子裝置可包括有機(jī)光伏、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和發(fā)光裝置，如oled裝置。在本文中術(shù)語“發(fā)光裝置”是指當(dāng)將電流施加穿過兩個(gè)電極時(shí)發(fā)光的裝置。本發(fā)明的有機(jī)裝置可包含第一電極；第二電極；和在第一電極與第二電極之間插入的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含一種或多種本發(fā)明的有機(jī)化合物。有機(jī)層可為可傳輸攜帶部分(空穴或電子任一者)的電荷的電荷轉(zhuǎn)移層。有機(jī)層可包含空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層或空穴注入層。優(yōu)選地，有機(jī)層為空穴傳輸層或空穴注入層。除了本發(fā)明的有機(jī)化合物之外，有機(jī)層可包含一種或多種摻雜劑?！皳诫s劑”是指當(dāng)作為添加劑添加到有機(jī)層中時(shí)增加有機(jī)電子裝置的有機(jī)層的導(dǎo)電性的電子受體或供體。有機(jī)電子裝置在其導(dǎo)電性方面同樣可受摻雜影響。包含本發(fā)明的有機(jī)化合物的有機(jī)層可通過蒸發(fā)真空沉積或溶液法(如旋涂和噴墨印刷)來制備。在本發(fā)明中，“芳基”是指通過從其中去除一個(gè)氫原子衍生自芳族烴的有機(jī)基團(tuán)。芳基可為單環(huán)和/或稠環(huán)系統(tǒng)，其中每個(gè)環(huán)適當(dāng)?shù)睾?個(gè)到6個(gè)，優(yōu)選地5個(gè)或6個(gè)原子。還包括其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基通過(一個(gè)或多個(gè))單鍵組合的結(jié)構(gòu)。芳基的實(shí)例包括苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、菲基、聯(lián)亞三苯基、芘基、苝基、屈基、稠四苯基、熒蒽基等。萘基可為1-萘基或2-萘基。蒽基可為1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基。茀基可為1-茀基、2-茀基、3-茀基、4-茀基和9-茀基中的任一個(gè)。在本發(fā)明中，“經(jīng)取代的芳基”是指其中至少一個(gè)氫原子經(jīng)雜原子或含有至少一個(gè)雜原子的化學(xué)基團(tuán)取代的芳基。雜原子可包括(例如)o、n、p和s。在本文中含有至少一個(gè)雜原子的化學(xué)基團(tuán)可包括(例如)or'、nr'2、pr'2、p(＝o)r'2、sir'3；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基。在本發(fā)明中，“雜芳基”是指其中至少一個(gè)碳原子或ch基團(tuán)或ch2基團(tuán)經(jīng)雜原子(例如，b、n、o、s、p(＝o)、si和p)或含有至少一個(gè)雜原子的化學(xué)基團(tuán)取代的芳基。雜芳基可為5元或6元單環(huán)雜芳基或與一個(gè)或多個(gè)苯環(huán)稠合的多環(huán)雜芳基并且可為部分飽和的。還包括具有通過單鍵鍵結(jié)的一個(gè)或多個(gè)雜芳基的結(jié)構(gòu)。雜芳基可包括二價(jià)芳基，其中雜原子經(jīng)氧化或季銨化以形成n-氧化物、季銨鹽等等。具體實(shí)例包括(例如)單環(huán)雜芳基，如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異惡唑基、惡唑基、惡二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基；多環(huán)雜芳基，如苯并呋喃基、芴并[4,3-b]苯并呋喃基、苯并噻吩基、芴并[4,3-b]苯并噻吩基、異苯并呋喃基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并異惡唑基、苯并惡唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喏啉基、咔唑基、啡啶基和苯并間二氧雜環(huán)戊烯基；以及對(duì)應(yīng)的n-氧化物(例如吡啶基n-氧化物、喹啉基n-氧化物)和其季鹽。在本發(fā)明中，“經(jīng)取代的雜芳基”是指其中至少一個(gè)氫原子經(jīng)雜原子或含有至少一個(gè)雜原子的化學(xué)基團(tuán)取代的雜芳基。雜原子可包括(例如)o、n、p和s。含有至少一個(gè)雜原子的化學(xué)基團(tuán)可包括(例如)or'、nr'2、pr'2、p(＝o)r'2或sir'3，其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基。在本發(fā)明中，“烴基”是指僅含有氫和碳原子的化學(xué)基團(tuán)。在本發(fā)明中，“烷基”和含有“烷基”部分的其它取代基包括直鏈和分支鏈種類兩者。烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基或己基。在本發(fā)明中，“經(jīng)取代的烷基”是指其中至少一個(gè)氫原子經(jīng)雜原子或含有至少一個(gè)雜原子的化學(xué)基團(tuán)取代的烷基。雜原子可包括(例如)o、n、p和s。在本文中含有至少一個(gè)雜原子的化學(xué)基團(tuán)可包括(例如)or'、nr'2、pr'2、p(＝o)r'2或sir'3；其中每個(gè)r'為氫或c1-c30烴基。在本發(fā)明中，“環(huán)烷基”包括單環(huán)烴和多環(huán)烴，如經(jīng)取代或未經(jīng)取代的金剛烷基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c7-c30雙環(huán)烷基。在本發(fā)明中，本文所述的其它經(jīng)取代的基團(tuán)具有一個(gè)或多個(gè)取代基。取代基可包括(例如)氘、鹵素、具有或不具有(一個(gè)或多個(gè))鹵素取代基的c1-c30烷基、c6-c30芳基、具有或不具有(一個(gè)或多個(gè))c6-c30芳基取代基的c6-c30雜芳基、含有一個(gè)或多個(gè)選自例如b、n、o、s、p(＝o)、si和p的雜原子的5到7元雜環(huán)烷基、與一個(gè)或多個(gè)芳環(huán)稠合的5元到7元雜環(huán)烷基、c3-c30環(huán)烷基、與一個(gè)或多個(gè)芳環(huán)稠合的c5-c30環(huán)烷基、三(c1-c30)烷基硅烷基、二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基硅烷基、三(c6-c30)芳基硅烷基、金剛烷基、c7-c30雙環(huán)烷基、c2-c30烯基、c2-c30炔基、氰基、咔唑基；br8r9、pr10r11、p(＝o)r12r13，其中r8到r13獨(dú)立地表示c1-c30烷基、c6-c30芳基或c1-c30雜芳基；c1-c30烷基氧基、c1-c30烷基硫基、c6-c30芳氧基、c6-c30芳基硫基、c1-c30烷氧基羰基、c1-c30烷基羰基、c6-c30芳基羰基、c6-c30芳氧基羰基、c1-c30烷氧基羰氧基、c1-c30烷基羰氧基、c6-c30芳基羰氧基、c6-c30芳氧基羰氧基、羧基、硝基以及羥基；或連接在一起以形成環(huán)的取代基。舉例來說，取代基可與一個(gè)或多個(gè)原子在包含所述取代基的主鏈分子上形成環(huán)結(jié)構(gòu)。實(shí)例以下實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施例。除非另有指示，否則所有份數(shù)和百分比均按重量計(jì)。所有溶劑和試劑從商業(yè)供應(yīng)商獲得，并且以最高可用純度使用，和/或當(dāng)需要時(shí)，在使用之前再結(jié)晶。無水溶劑獲自內(nèi)部純化/分配系統(tǒng)(己烷、甲苯和四氫呋喃)或購(gòu)自西格瑪-奧德里奇(sigma-aldrich)。所有涉及“水敏感性化合物”的實(shí)驗(yàn)均在“烘箱干燥的”玻璃器皿中在氮?dú)?n2)氣氛下或在手套箱中進(jìn)行。在預(yù)涂鋁板(vwr60f254)上通過分析薄層色譜(tlc)監(jiān)測(cè)反應(yīng)，通過uv光和/或高錳酸鉀染色觀測(cè)反應(yīng)。在iscocombiflash系統(tǒng)上借助graceresolv筒柱進(jìn)行急驟色譜。在實(shí)例中使用以下標(biāo)準(zhǔn)分析設(shè)備和方法。建模所有計(jì)算使用如高斯(gaussian)09,修訂版a.02,frisch,m.j.等人，高斯公司(gaussian,inc.),康涅狄格州沃林福德市(wallingfordct)，2009中所描述的高斯09程序。用混合式密度函數(shù)理論(dft)方法b3lyp和6-31g*(5d)基組進(jìn)行計(jì)算，所述b3lyp如以下各者中所描述：becke,a.d.《化學(xué)物理雜志(j.chem.phys.)》1993,98,5648；lee,c.等人,《物理快報(bào)b(phys.revb)》1988,37,785；以及miehlich,b.等人《化學(xué)物理快報(bào)(chem.phys.lett.)》1989,157,200；所述6-31g*(5d)基組如以下各者中所描述：ditchfield,r.等人,《化學(xué)物理雜志》1971,54,724；hehre,w.j.等人,《化學(xué)物理雜志》1972,56,2257；以及gordon,m.s.《化學(xué)物理快報(bào)》1980，76，163。單重態(tài)計(jì)算使用閉殼層近似值(closedshellapproximation)，并且三重態(tài)計(jì)算使用開殼層近似值(openshellapproximation)。所有值以電子伏特(ev)引用。從單重基態(tài)的經(jīng)優(yōu)化幾何結(jié)構(gòu)的軌道能量測(cè)定最高占用分子軌道(homo)和最低未占用分子軌道(lumo)值。將三重態(tài)能量測(cè)定為經(jīng)優(yōu)化三重態(tài)與經(jīng)優(yōu)化單重態(tài)的總能量之間的差。應(yīng)用如lin,b.c等人,《物理化學(xué)雜志(j.phys.chem.)》a2003,107,5241-5251中所述的程序來計(jì)算每個(gè)分子的重組能量，將其作為電子和空穴遷移率的指示。nmr在瓦里安(varian)vnmrs-500或vnmrs-400光譜儀上在30℃下獲得1h-nmr光譜(500mhz或400mhz)。化學(xué)位移參照在cdcl3中的四甲基硅烷(tms)(6:000)。差示掃描熱量測(cè)定(dsc)對(duì)于所有循環(huán)，在tainstrumentsq2000儀器上在n2氣氛下以10℃/min的掃描速率進(jìn)行dsc測(cè)量。從室溫到300℃、冷卻到-60℃和再加熱到300℃來掃描樣品(約7-10mg)。在第二次加熱掃描時(shí)測(cè)量tg。使用ta通用分析軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。使用“拐點(diǎn)處開始(onset-at-inflection)”方法計(jì)算tg值。熱解重量分析(tga)在tainstrumentstga-q500上在n2氣氛下進(jìn)行tga測(cè)量。在鉑標(biāo)準(zhǔn)板中稱量樣品(約7mg到10mg)并且裝入儀器中。將樣品首先加熱到60℃并且平衡30分鐘以去除樣品中的溶劑殘余物。隨后將樣品冷卻到30℃。以10℃/min速率將溫度從30℃斜升到600℃，并且記錄重量變化以測(cè)定樣品的分解溫度(td)。通過tga掃描獲得溫度-重量％(t-wt％)曲線。將5％重量損失時(shí)的溫度測(cè)定為td。液相色譜-質(zhì)譜(lc/ms)將樣品以大約0.6mg/ml溶解于四氫呋喃(thf)中。將5μl樣品溶液注射于安捷倫(agilent)1220hplc/g6224atof質(zhì)譜儀上。使用以下分析條件：柱：4.6mm×150mm，3.5μmzorbaxeclipseplusc18；柱溫度：40℃；流動(dòng)相：thf/去離子(di)水＝65/35體積比(等度方法)；流動(dòng)速率：1.0ml/min；和ms條件：毛細(xì)管電壓：3500kv(pos)；模式：pos；掃描：100-2000amu；速率：1秒/掃描；和去溶劑化溫度：300℃。高效液相色譜(hplc)將樣品以大約0.6mg/ml溶解于thf中。最后通過0.45μm針筒過濾器過濾樣品溶液，并且將5μl濾液注射到hplc系統(tǒng)。使用以下分析條件：注射體積：5μl；儀器：安捷倫1200hplc；柱：4.6×150mm，3.5μmzorbaxeclipseplusc18；柱溫度：40℃；檢測(cè)器：dad＝250、280、350nm；移動(dòng)相：thf/di水＝65/35體積比(等度方法)；和流動(dòng)速率：1ml/min。合成化合物1將亞硫酰二氯(30mmol)和兩滴n,n-二甲基甲酰胺(dmf)(0.1ml)添加到(4-溴苯基)乙酸(20mmol)于二氯甲烷(30ml)中的溶液中，并且在n2氣氛下在室溫(20℃到25℃)下將所得溶液攪拌5小時(shí)。此后，在真空下蒸發(fā)過量的亞硫酰二氯，并且在n2氣氛下在0℃下將殘留物與苯(60mmol)攪拌。分三份緩慢添加氯化鋁(iii)(22mmol)，并且然后在室溫下攪拌4小時(shí)。隨后將反應(yīng)混合物傾倒于燒瓶中的碎冰上、用二氯甲烷(40ml×3)萃取，并且用鹽水洗滌。減壓干燥所得有機(jī)相并且用己烷洗滌以得到產(chǎn)率為90％的化合物1。合成化合物2在配備有回流冷凝器的100ml三頸燒瓶中，將苯肼鹽酸鹽(8.90mmol)添加到從上述獲得的化合物1(8.90mmol)于冰醋酸(14.3ml)中的溶液中。在120℃下攪拌12小時(shí)獲得的溶液并且采用薄層色譜(tlc)監(jiān)測(cè)反應(yīng)。在反應(yīng)完成之后，將所得反應(yīng)混合物冷卻到室溫，并且添加di水(14.3ml)。過濾獲得的淡黃色粉末并且用水和石油醚洗滌以得到具有88％產(chǎn)率的化合物2。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):δ8.28(s,1h),7.63-7.65(d,j＝8.0hz,1h),7.48-7.50(m,j＝8.0hz,2h),7.41-7.45(m,3h),7.30-7.37(m,5h),7.24-7.28(m,j＝14.8hz,1h),7.15-7.19(m,1h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c20h14brn質(zhì)量：347.03，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：348。合成化合物3在配備有回流冷凝器的100ml三頸燒瓶中，添加上述獲得的化合物2(3.48g，10mmol，348g/mol)、碘苯(6.12g，30mmol，204g/mol)、k3po4(6.36g，30mmol，212g/mol)、n,n'-二甲基乙二胺(88mg，1.0mmol，88g/mol)和cui(190mg，1.0mmol，190.5g/mol)，并且隨后添加甲苯(40ml)。在n2氣氛下將混合物回流攪拌12小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，用乙酸乙酯(etoac)(60ml)萃取反應(yīng)混合物并且用鹽水(2×150ml)洗滌。通過nahco3的飽和溶液(150ml)洗滌所得有機(jī)相并且用無水na2so4干燥，并且通過減壓蒸餾去除在有機(jī)相中的溶劑以得到粗產(chǎn)物，其通過硅膠色譜柱和再結(jié)晶進(jìn)一步純化以得到具有85％產(chǎn)率的化合物3的灰色粉末。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):δ7.75-7.76(d,j＝6.0hz,1h),7.62-7.64(d,j＝8.0hz,1h),7.43-7.45(d,j＝8.4hz,1h),7.31-7.39(m,5h),7.19-7.24(m,5h),7.15-7.17(m,2h),7.06-7.13(m,3h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c26h18brn質(zhì)量：423.06，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：424.0689。合成化合物4將上述獲得的化合物2(1.0mmol，348g/mol，348mg)添加到thf(20ml)中的三頸燒瓶中，并且然后冷卻到0℃。將nah(1.5mmol，24g/mol，36mg)添加到在0℃下的溶液中。在30分鐘之后，添加碘甲烷(mei)(1.5mmol，142g/mol，213mg)并且采用tlc監(jiān)測(cè)反應(yīng)。在反應(yīng)完成之后，添加di水以淬滅反應(yīng)物。反應(yīng)混合物用etoac萃取并且用鹽水洗滌。所得有機(jī)相用無水na2so4干燥，并且在有機(jī)相中的溶劑通過減壓蒸餾去除以得到粗產(chǎn)物。粗產(chǎn)物經(jīng)由在無水乙醇(etoh)中再結(jié)晶純化以得到具有95％產(chǎn)率的化合物4的淡黃色粉末。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):δ7.73-7.75(d,j＝8.0hz,1h),7.37-7.43(m,6h),7.30-7.34(m,3h),7.18-7.22(m,1h),7.15-7.17(m,2h),3.67(s,3h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c21h16brn質(zhì)量：361.05，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：362.0562。實(shí)例(ex)1合成htl-1將上述獲得的化合物3(424mg，1.0mmol，424g/mol)、n-([1,1'-聯(lián)苯基]-4-基)-9,9-二甲基-9h-茀-2-胺(542mg，1.5mmol，361.5g/mol)、naobu-t(145mg，1.5mmol，96g/mol)、x-phos(24mg，5％mmol，476.7g/mol)和pd(oac)2(11mg，5％mmol，224.5g/mol)添加到甲苯(30ml)中的100ml3頸燒瓶中，并且將溶液在n2氣氛下在110℃下攪拌4小時(shí)。反應(yīng)混合物用鹽水(2×150ml)和nahco3的飽和溶液洗滌，并且然后用etoac(60ml)萃取。所得有機(jī)相用無水na2so4干燥，并且在有機(jī)相中的溶劑通過減壓蒸餾去除以得到粗產(chǎn)物。粗產(chǎn)物在硅膠柱色譜和再結(jié)晶中進(jìn)一步純化以得到具有如通過hplc測(cè)定的99.7％的純度和91％產(chǎn)率的htl-1的白色粉末。1hnmr(400mhz,cd2cl2,ppm):δ7.81-7.83(m,1h),7.60-7.67(m,4h),7.52-7.54(d,j＝8.4hz,2h),7.38-7.45(m,5h),7.26-7.35(m,9h),7.17-7.24(m,10h),7.11-7.13(d,j＝6.8hz,3h),1.43(s,6h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c53h40n2質(zhì)量：704.32，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：705.3279。如通過上文所述的建模方法所測(cè)定，所獲得的htl-1的homo能級(jí)為-4.64ev，lumo能級(jí)為-0.89ev，三重態(tài)能量為2.60ev，并且空穴遷移率水平為0.25。上述獲得的htl-1的結(jié)構(gòu)如下所示，實(shí)例2合成htl-2在100ml三頸燒瓶中，添加上述獲得的化合物4(362mg，1.0mmol，362g/mol)、n-([1,1'-聯(lián)苯基]-4-基)-9,9-二甲基-9h-茀-2-胺(542mg，1.5mmol，361.5g/mol)、naobu-t(145mg，1.5mmol，96g/mol)、x-phos(24mg，5％mmol，476.7g/mol))和pd(oac)2(11mg，5％mmol，224.5g/mol)并且隨后添加甲苯(30ml)。將所得溶液在n2氣氛下在110℃下攪拌12小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，反應(yīng)混合物用鹽水洗滌并且用etoac萃取。所得有機(jī)相用無水na2so4干燥，并且在有機(jī)相中的溶劑通過減壓蒸餾去除以得到粗產(chǎn)物。粗產(chǎn)物經(jīng)由硅膠柱色譜和隨后再結(jié)晶進(jìn)一步純化以得到具有如通過hplc測(cè)定的99.8％的純度和92％產(chǎn)率的htl-2的白色粉末。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):δ7.81-7.83(m,1h),7.60-7.67(m,4h),7.52-7.54(d,j＝8.4hz,2h),7.38-7.45(m,5h),7.26-7.35(m,7h),7.17-7.24(m,8h),7.11-7.13(d,j＝6.8hz,3h),3.69(s,3h),1.43(s,6h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c48h38n2質(zhì)量：642.30，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：643.3101。htl-2的結(jié)構(gòu)如下所示。如通過上文所述的建模方法所測(cè)定，上述獲得的htl-2的homo能級(jí)為-4.62ev，lumo能級(jí)為-0.87ev，三重態(tài)能量為2.60ev，并且空穴遷移率水平為0.24。通過dsc和tga分析htl-1和htl-2的熱特性并且結(jié)果在表1中示出。如在表1中所示，htl-1的tg為124.1℃并且td為401.4℃；并且htl-2的tg為111.0℃并且td為363.7℃。表1樣品名稱td[℃]tg[℃]tm[℃]htl-1401.4124.1n/a*htl-2363.7111.0n/a**如通過dsc所測(cè)量，并未觀察到明顯熔點(diǎn)(tm)。實(shí)例3到實(shí)例4和比較實(shí)例aoled裝置制造在沉積之前通過升華來純化所有有機(jī)材料。oled被制造到充當(dāng)陽極的涂布ito(氧化銦錫)玻璃基板上，并用鋁陰極封頂。在真空腔室中在<10-7托的基礎(chǔ)壓力下，通過化學(xué)氣相沉積來熱沉積所有有機(jī)層。有機(jī)層的沉積速率保持在0.1nm/s～0.05nm/s下。以0.5nm/s沉積鋁陰極。oled裝置的活性面積為“3mm×3mm”，如由對(duì)陰極沉積的蔽蔭掩模所限定。將基于在表2中列出的材料含有hil(空穴注入層)、htl、eml(發(fā)射材料層)、etl和eil(電子注入層)的每個(gè)池放置在真空腔室內(nèi)部，直到其達(dá)到10-6托。為蒸發(fā)每種材料，將受控的電流施加到含有材料的池，以升高池的溫度。施加足夠的溫度以使得材料的蒸發(fā)速率在整個(gè)蒸發(fā)過程中保持恒定。對(duì)于空穴注入層，以恒定1a/s速率蒸發(fā)n4,n4'-二苯基-n4,n4'-雙(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-[1,1'-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺，直到層的厚度達(dá)到600埃。同時(shí)，以恒定1a/s速率蒸發(fā)空穴注入層的化合物，直到厚度達(dá)到200埃。n4,n4'-二(萘-1-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(npb)用作參考材料以與本發(fā)明化合物比較。對(duì)于發(fā)光材料層，共蒸發(fā)9,10-二(萘-2-基)蒽(adn，主體)和(e)-9,9-二甲基-7-(4-(萘-2-基(苯基)氨基)苯乙烯基)-n,n-二苯基-9h-茀-2-胺(摻雜劑)，直到厚度達(dá)到350埃。主體材料的沉積速率為1.0a/s，并且摻雜劑材料的沉積速率為0.02a/s，引起主體材料的2重量％摻雜。對(duì)于電子傳輸層，以恒定1a/s速率蒸發(fā)三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)，直到厚度達(dá)到200埃。最后，以0.5a/s速率蒸發(fā)“20埃”的薄電子注入層(liq)。用源極測(cè)量單元(keithly238)和發(fā)光儀(minoltacs-100a)進(jìn)行對(duì)oled裝置的電流-電壓-亮度(j-v-l)表征。通過校準(zhǔn)的ccd攝譜儀收集oled裝置的電致發(fā)光光譜。結(jié)果在下表3中示出。表2如在表3中所示，與包含比較htl的裝置(比較實(shí)例a)相比，含有含有htl-1作為htl的膜層的本發(fā)明oled裝置示出較低的驅(qū)動(dòng)電壓和顯著更高的發(fā)光效率(31％更高)。如在表3中所示，與包含比較htl的裝置(比較實(shí)例a)相比，含有含有htl-2作為htl的膜層的本發(fā)明oled裝置示出可比的驅(qū)動(dòng)電壓和顯著更高的發(fā)光效率(28％更高)。表3*cie是指國(guó)際照明委員會(huì)(internationalcommissiononillumination)。實(shí)例5合成htl-102合成htl-102的示意圖如下所示：在室溫下將2-(4-溴苯基)-1-苯基乙-1-酮(5.5g，20mmol)添加到4-氟苯肼鹽酸鹽(3.24g，20mmol)于acoh(20ml)中的溶液中。將反應(yīng)混合物在n2氣氛下在100℃下攪拌12小時(shí)。tlc用于監(jiān)測(cè)反應(yīng)。在反應(yīng)完成之后，將100mldi水添加到反應(yīng)混合物以沉淀產(chǎn)物。將所獲得的沉淀物過濾并且用100mlnahco3的飽和水溶液和水洗滌3次，隨后直接用于下一步驟中。將nah(960mg，40mmol)添加到在20mldmf中的此反應(yīng)混合物中。在室溫下攪拌30分鐘之后，將mei(4.26g，30mmol)添加到溶液中，并且將反應(yīng)混合物在室溫下進(jìn)一步攪拌12小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，添加100mldi水并且濾除沉淀物。沉淀物通過柱色譜進(jìn)一步純化以得到化合物a的純產(chǎn)物。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):7.36-7.42(m,6h),7.28-7.33(m,3h),7.10-7.12(m,2h),7.02-7.07(m,1h),3.66(s,3h)。lc-ms-esi(m/z)：c21h15brfn的計(jì)算值：379.04，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：380.0477。將pd(oac)2(89.6mg，0.4mmol)、pcy3hbf4(296mg，0.8mmol)和naobu-t(1.08g，11.2mmol)添加到上述獲得的化合物a(3.04g，8mmol)和二芳基胺(3.18g，8.8mmol)于phch3(50ml)中的溶液中。將反應(yīng)混合物在n2氣氛下在100℃下攪拌12小時(shí)。tlc用于監(jiān)測(cè)反應(yīng)。在反應(yīng)完成之后，添加100mldi水并且濾除沉淀物。沉淀物通過柱色譜進(jìn)一步純化以得到htl-102的純產(chǎn)物。重復(fù)應(yīng)用柱和再結(jié)晶以將純度進(jìn)一步改善到>99.5％。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):7.02-7.64(m,28h),3.68(br,3h),1.42(s,6h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c48h37fn2質(zhì)量：660.29，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：661.2986。如通過上文所述的建模方法所測(cè)定，上述獲得的htl-102的homo能級(jí)為-4.66ev，lumo能級(jí)為-0.95ev，三重態(tài)能量為2.61ev，并且空穴遷移率水平為0.22。實(shí)例6合成htl-93合成htl-93的示意圖如下所示：在室溫下將2-(4-溴苯基)-1-(4-氟苯基)乙-1-酮(5.86g，20mmol)添加到苯肼鹽酸鹽(2.88g，20mmol)于acoh(20ml)中的溶液中。將反應(yīng)混合物在n2氣氛下在100℃下攪拌12小時(shí)。tlc用于監(jiān)測(cè)反應(yīng)。在反應(yīng)完成之后，將100mldi水添加到反應(yīng)混合物以沉淀產(chǎn)物。將所獲得的沉淀物過濾并且用100mlnahco3的飽和水溶液和水洗滌3次，隨后直接用于下一步驟中。將nah(960mg，40mmol)添加到在20mldmf中的此反應(yīng)混合物中。在室溫下攪拌30分鐘之后，將mei(4.26g，30mmol)添加到溶液中，并且將反應(yīng)混合物在室溫下進(jìn)一步攪拌12小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，添加100mldi水并且濾除沉淀物。沉淀物通過柱色譜進(jìn)一步純化以得到化合物b的純產(chǎn)物。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):7.73(d,1h,j＝8hz),7.39-7.43(m,3h),7.28-7.34(m,3h),7.19-7.23(m,1h),7.19-7.23(m,4h),3.68(s,3h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c21h15brfn質(zhì)量：379.04，實(shí)驗(yàn)值(m+h)+：380.0437。將pd(oac)2(89.6mg，0.4mmol)、pcy3hbf4(296mg，0.8mmol)和naobu-t(1.08g，11.2mmol)添加到上述獲得的化合物b(3.04g，8mmol)和二芳基胺(3.18g，8.8mmol)于phch3(50ml)中的溶液中。將反應(yīng)混合物在n2氣氛下在100℃下攪拌12小時(shí)。tlc用于監(jiān)測(cè)反應(yīng)。在反應(yīng)完成之后，添加100mldi水并且濾除沉淀物。沉淀物通過柱色譜進(jìn)一步純化以得到htl-93的純產(chǎn)物。重復(fù)應(yīng)用柱和再結(jié)晶以將純度進(jìn)一步改善到>99.5％。1hnmr(400mhz,cdcl3,ppm):7.83(br,1h),7.63(d,1h,j＝5.2hz),7.58(d,3h,j＝4.8hz),7.49(d,2h,j＝5.6hz),7.38-7.43(m,4h),7.29-7.35(m,5h),7.18-7.22(m,8h),7.09-7.12(m,4h),3.67(br,3h),1.42(s,6h)。lc-ms-esi(m/z)：所計(jì)算的c48h37fn2質(zhì)量：660.29，實(shí)驗(yàn)值(m)+：660.2933。如通過上文所述的建模方法所測(cè)定，上述獲得的htl-93的homo能級(jí)為-4.65ev，lumo能級(jí)為-0.89ev，三重態(tài)能量為2.61ev，并且空穴遷移率水平為0.23。通過dsc和tga分析htl-102和htl-93的熱特性并且結(jié)果在表4中示出。如在表4中所示，htl-102的tg為118℃并且td為374.6℃；并且htl-93的tg為115.3℃并且td為382.0℃。表4樣品名稱td[℃]tg[℃]tm[℃]htl-102374.6118n/a*htl-93382.0115.3n/a**如通過dsc所測(cè)量，并未觀察到明顯熔點(diǎn)(tm)。實(shí)例7到實(shí)例8和比較實(shí)例boled裝置制造在沉積之前通過升華來純化所有有機(jī)材料。oled被制造到充當(dāng)陽極的涂布ito玻璃基板上，并用鋁陰極封頂。在真空腔室中在<10-7托的基礎(chǔ)壓力下，通過化學(xué)氣相沉積來熱沉積所有有機(jī)層。有機(jī)層的沉積速率保持在0.1nm/s～0.05nm/s下。以0.5nm/s沉積鋁陰極。oled裝置的活性面積為“3mm×3mm”，如由對(duì)陰極沉積的蔽蔭掩模所限定。將基于在表5中列出的材料含有hil、htl、eml、etl和eil的每個(gè)池放置在真空腔室內(nèi)，直到其達(dá)到10-6托。為蒸發(fā)每種材料，將受控的電流施加到含有材料的池，以升高池的溫度。施加足夠的溫度以使得材料的蒸發(fā)速率在整個(gè)蒸發(fā)過程中保持恒定。對(duì)于空穴注入層，以恒定1a/s速率蒸發(fā)n4,n4'-二苯基-n4,n4'-雙(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-[1,1'-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺，直到層的厚度達(dá)到600埃。同時(shí)，以恒定1a/s速率蒸發(fā)空穴注入層的化合物，直到厚度達(dá)到250埃。npb用作參考材料以與本發(fā)明化合物比較。對(duì)于發(fā)光材料層，共蒸發(fā)9,10-二(萘-2-基)蒽(adn，主體)和(e)-9,9-二甲基-7-(4-(萘-2-基(苯基)氨基)苯乙烯基)-n,n-二苯基-9h-茀-2-胺(摻雜劑)，直到厚度達(dá)到200埃。主體材料的沉積速率為1.0a/s，并且摻雜劑材料的沉積速率為0.02a/s，引起主體材料的2重量％摻雜。對(duì)于電子傳輸層，將2,4-雙(9,9-二甲基-9h-茀-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪與喹啉鋰(liq)共蒸發(fā)，直到厚度達(dá)到300埃。用于電子傳輸層的化合物和liq的蒸發(fā)速率為0.5a/s。最后，以0.5a/s速率蒸發(fā)“20?！钡谋‰娮幼⑷雽?liq)。用源極測(cè)量單元(keithly238)和發(fā)光儀(minoltacs-100a)進(jìn)行對(duì)oled裝置的電流-電壓-亮度(j-v-l)表征。通過校準(zhǔn)的ccd攝譜儀收集oled裝置的電致發(fā)光光譜。結(jié)果在下表5中示出。表5如在表6中所示，與包含比較htl的裝置(比較實(shí)例b)相比，含有分別含有htl-102或htl-93作為htl的膜層的本發(fā)明oled裝置(實(shí)例7和實(shí)例8)示出較低的驅(qū)動(dòng)電壓、更高的發(fā)光效率和顯著更高的功率效率。表6當(dāng)前第1頁(yè)12