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化合物、有機(jī)光電裝置及顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):11849435閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種由化學(xué)式1表示的化合物:

在化學(xué)式1中,

L1至L3獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞炔基、或其組合,

R1至R7獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺?;坊⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺?;?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合,

R2及R3中的至少一個(gè)由化學(xué)式2或化學(xué)式3表示:

在化學(xué)式2及化學(xué)式3中,

*為連接點(diǎn),

X為O或S,且

Ra至Rg分別獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺酰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?;?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺?;⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中所述化學(xué)式1為由化學(xué)式4至化學(xué)式12中的一個(gè)表示:

在化學(xué)式4至化學(xué)式12中,

X、X1及X2分別獨(dú)立地為O或S,

L1至L3獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞炔基、或其組合,且

R1、R2、R4至R7、Ra至Rg及Ra′至Rg′分別獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺?;坊⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?;?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺?;⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中R2及R3分別獨(dú)立地選自族群I中列出的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán),且

R2及R3中的至少一個(gè)選自族群I-1中的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán):

在族群I及族群I-1中,

X及W分別獨(dú)立地為O或S,

R及R′獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、或其組合,且

*為連接點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中R1為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、或其組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中R1為甲基、乙基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)戊基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)己基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基、或其組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中R1選自甲基、乙基、或族群II中列出的基團(tuán):

在族群II中,*為連接點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中L1至L3獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯并呋喃基、或其組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,具中L1至L3選自單鍵或族群III中經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán):

在族群III中,*為連接點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中所述由化學(xué)式1表示的化合物選自化學(xué)式A-5至A-32、化學(xué)式A-49至A-76、化學(xué)式A-137至A-164、及化學(xué)式B-1至B-24:

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其中所述由化學(xué)式1表示的化合物為選自化學(xué)式C-1至C-48、化學(xué)式D-1至D-8、化學(xué)式D-17至D-24以及化學(xué)式E-1至E-4、化學(xué)式E-9至E-16的一種化合物:

11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中的任一項(xiàng)所述的化合物,其用于有機(jī)光電裝置。

12.一種有機(jī)光電裝置,包含

相互面對(duì)的陽(yáng)極與陰極,及

至少一個(gè)有機(jī)層,位于所述陽(yáng)極與所述陰極之間,

所述有機(jī)層包含

發(fā)射層,及

至少一個(gè)輔助層,選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、及空穴阻擋層,

所述輔助層包含如權(quán)利要求1-10中的任一項(xiàng)所述的化合物。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)光電裝置,其中所述輔助層還包含輔助空穴傳輸層,所述輔助空穴傳輸層與所述發(fā)射層相鄰,且

所述輔助空穴傳輸層包含如權(quán)利要求1-10中的任一項(xiàng)所述的化合物。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)光電裝置,其中包含所述化合物作為熒光材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)光電裝置,其中所述熒光材料具有小于或等于550納米的最大發(fā)光波長(zhǎng)。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光電裝置,其中所述由化學(xué)式1表示的化合物具有大于或等于5.4電子伏特且小于或等于5.8電子伏特的HOMO能階。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光電裝置,其中所述由化學(xué)式1表示的化合物具有大于或等于2.4電子伏特且小于或等于2.7電子伏特的三重態(tài)激發(fā)能階(T1)。

18.一種顯示裝置,包含如權(quán)利要求12所述的有機(jī)光電裝置。

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