本發(fā)明揭示一種化合物、一種有機(jī)光電裝置、以及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)光電裝置(organic optoelectric device)是將電能轉(zhuǎn)換成光能以及將光能轉(zhuǎn)換成電能的裝置。

有機(jī)光電裝置根據(jù)其驅(qū)動(dòng)原理可分類如下。一類是光電裝置(optoelectric device)，其中通過光能產(chǎn)生激子，激子分離成電子與空穴，并轉(zhuǎn)移至不同的電極以產(chǎn)生電能，且另一類是發(fā)光裝置(light emitting device)，其中將電壓或電流提供至電極以自電能產(chǎn)生光能。

有機(jī)光電裝置的實(shí)例可為有機(jī)光電裝置(organic photoelectric device)、有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode)、有機(jī)太陽電池(organic solar cell)及有機(jī)光導(dǎo)鼓(organic photo conductor drum)。

在該些裝置中，因?yàn)閷?duì)平板顯示器(flat panel display)的需求增加，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)最近受到關(guān)注。此種有機(jī)發(fā)光二極管通過向有機(jī)發(fā)光材料施加電流而將電能轉(zhuǎn)換成光。有機(jī)發(fā)光二極管具有將有機(jī)層夾置于陽極與陰極之間的結(jié)構(gòu)。在本文中，有機(jī)層可包括發(fā)射層以及視需要包括輔助層，且所述輔助層可包括，舉例而言，選自空穴注入層(hole injection layer)、空穴傳輸層(hole transport layer)、電子阻擋層(electron blocking layer)、電子傳輸層(electron transport layer)、電子注入層(electron injection layer)及空穴阻擋層(hole blocking layer)中的至少一者，以提高有機(jī)發(fā)光二極管的效率及穩(wěn)定性。

有機(jī)發(fā)光二極管的性能可受有機(jī)層特性的影響，且其中可主要受有機(jī)層的有機(jī)材料的特性的影響。

特定而言，需要開發(fā)能夠增強(qiáng)空穴及電子遷移率且同時(shí)增加電化學(xué)穩(wěn)定性的有機(jī)材料，從而可將有機(jī)發(fā)光二極管應(yīng)用至大尺寸平板顯示器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

[技術(shù)問題]

本發(fā)明提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)具有高效率及長(zhǎng)壽命的有機(jī)光電裝置的化合物。

本發(fā)明提供一種包含所述化合物的有機(jī)光電裝置以及一種包含所述有機(jī)光電裝置的顯示裝置。

[技術(shù)解決方案]

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種由化學(xué)式1表示的化合物。

[化學(xué)式1]

L¹至L³獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞炔基、或其組合，且

R¹至R⁷獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺酰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合，

R²及R³中的至少一者由化學(xué)式2或化學(xué)式3表示：

[化學(xué)式2]

[化學(xué)式3]

在化學(xué)式2及化學(xué)式3中，

*為連接點(diǎn)，

X為O或S，且

R^a至R^g分別獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺?；坊?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的化合物可用于有機(jī)光電裝置。

在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，一種有機(jī)光電裝置包含相互面對(duì)的陽極與陰極以及至少一個(gè)有機(jī)層，所述至少一個(gè)有機(jī)層位于所述陽極與所述陰極之間，其中所述有機(jī)層包含發(fā)射層及至少一個(gè)輔助層，所述至少一個(gè)輔助層選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、及空穴阻擋層，且所述輔助層包含所述化合物。

在本發(fā)明的再一實(shí)施例中，提供一種包含所述有機(jī)光電裝置的顯示裝置。

[有益效果]

可實(shí)現(xiàn)具有高效率、長(zhǎng)壽命的有機(jī)光電裝置。

附圖說明

圖1及圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。

圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的化合物的光致發(fā)光(PL)波長(zhǎng)量測(cè)結(jié)果的曲線圖。

【符號(hào)說明】

100：有機(jī)發(fā)光二極管 200：有機(jī)發(fā)光二極管

105：有機(jī)層

110：陰極

120：陽極

130：發(fā)射層 230：發(fā)射層

140：空穴輔助層

具體實(shí)施方式

在下文中，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。然而，該些實(shí)施例是例示性的，本發(fā)明并不僅限于此，且本發(fā)明由權(quán)利要求書的范圍所界定。

在本說明書中，當(dāng)不另外提供定義時(shí)，術(shù)語“經(jīng)取代”是指經(jīng)選自氘、鹵素、羥基、胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C40硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C3至C30環(huán)烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、氟基、例如三氟甲基等C1至C10三氟烷基、或氰基的取代基取代，來代替取代基或化合物的至少一個(gè)氫。

在本說明書中，當(dāng)不另外提供具體的定義時(shí)，“雜”是指在一個(gè)官能基中包含1至3個(gè)選自N、O、S、P、及Si的雜原子且其余為碳。

在本說明書中，當(dāng)不另外提供定義時(shí)，“烷基”是指脂肪族烴基。烷基可以是沒有任何雙鍵或三鍵的“飽和烷基”。

烷基可以是C1至C20烷基。更具體而言，烷基可以是C1至C10烷基或C1至C5烷基。舉例而言，C1至C4烷基可在烷基鏈中具有1至4個(gè)碳原子，可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、及第三丁基。

烷基的具體實(shí)例可以是甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。

在本說明中，術(shù)語“芳基”是指包含具有p-軌道的環(huán)的所有元素的取代基，所述p-軌道形成共軛，且所述芳基可以是單環(huán)、多環(huán)或或稠環(huán)多環(huán)(即，共享相鄰的碳原子對(duì)的環(huán))官能基。

在本說明書中，術(shù)語“雜環(huán)基”是指包含至少一個(gè)選自N、O、S、P、及Si的雜原子且其余為碳的環(huán)狀化合物，例如芳基、環(huán)烷基、其稠環(huán)、或其組合。當(dāng)雜環(huán)基為稠環(huán)時(shí)，雜環(huán)基的整個(gè)環(huán)或每一環(huán)可包含一或多個(gè)雜原子。因此，雜環(huán)基是包含雜芳基在內(nèi)的統(tǒng)稱。

更具體而言，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基和/或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基可以是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞菲基(phenanthrylene)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的稠四苯基(naphthacenyl)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的對(duì)-三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的間-三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的屈基(chrysenyl)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)三苯基(triphenylenyl)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的茚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯硫基(thiophenyl)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡咯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吲哚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的異喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹唑啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹惡啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并惡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吖啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡噻嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡惡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并苯硫基、其組合、或上述基團(tuán)的組合稠環(huán)，但并不僅限于此。

在本說明書中，單鍵可指無碳除碳之外的雜原子的直接連接，且具體而言當(dāng)L是單鍵時(shí)，直接連接至L的取代基直接連接至核心。亦即，在本說明書中，單鍵不包括含碳的亞甲基等。

在本說明書中，空穴特性是指當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)能夠提供電子且在陽極中所形成的空穴由于根據(jù)最高占據(jù)分子軌道(highest occupied molecular orbital，HOMO)能階的傳導(dǎo)特性而容易注入發(fā)射層中并在發(fā)射層中傳輸?shù)奶匦浴?/p>

另外，電子特性是指當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)能夠接受電子且在陰極中所形成的電子由于根據(jù)最低未占據(jù)分子軌道(lowest unoccupied molecular orbital，LUMO)能階的傳導(dǎo)特性而容易注入發(fā)射層中并在發(fā)射層中傳輸?shù)奶匦浴?/p>

下文中對(duì)根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的化合物進(jìn)行說明。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種由化學(xué)式1表示的化合物。

[化學(xué)式1]

在化學(xué)式1中，

L¹至L³獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞炔基、或其組合，

R¹至R⁷獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺酰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合，且

R²及R³中的至少一者由化學(xué)式2或化學(xué)式3表示：

[化學(xué)式2]

[化學(xué)式3]

在化學(xué)式2及化學(xué)式3中，

*為連接點(diǎn)，

X為O或S，

R^a至R^g分別獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺?；坊⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的化合物中R²及R³至少其中的一者是由化學(xué)式2或化學(xué)式3表示，且因此可增強(qiáng)分子的空穴傳輸性質(zhì)，且因此當(dāng)應(yīng)用至用于有機(jī)光電裝置的空穴傳輸層及空穴傳輸發(fā)光主體時(shí)顯示出極佳的效率。

特定而言，與R²及R³為芳基的化合物相比，所述化合物可改善空穴傳輸性質(zhì)并提高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(glass transition temperature)，且因此當(dāng)用作有機(jī)光電裝置的薄膜時(shí)改善熱穩(wěn)定性并顯示出長(zhǎng)的壽命及高效率特性，且與R²及R³其中至少的一者是芴基的化合物相比具有抗熱分解的耐熱穩(wěn)定性，且因此當(dāng)被以熱蒸鍍法(thermal evaporation method)形成薄膜時(shí)可確保改善的可加工性及裝置穩(wěn)定性。

因此，可調(diào)整使用所述化合物制造的有機(jī)光電裝置的高效率、長(zhǎng)壽命、及低電壓驅(qū)動(dòng)特性。

所述化學(xué)式1具體而言可由化學(xué)式4至化學(xué)式12中的一者表示。

[化學(xué)式12]

在化學(xué)式4至化學(xué)式12中，

X、X¹及X²分別獨(dú)立地為O或S，

R¹、R²、R⁴至R⁷、R^a至R^g及R^a'至R^g'分別獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧基羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺酰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰脲基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、或其組合，且

L¹至L³與化學(xué)式1中所定義者相同。

舉例而言，R²及R³可分別獨(dú)立地選自經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基，且可選自經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基(naphthalene group)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)三苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的異喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并異喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基等。

舉例而言，R²及R³可分別獨(dú)立地選自族群I中所列出的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán)，且R²及R³中的至少一者可選自族群I-1中的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán)。

[族群I]

[族群Ⅰ-1]

在族群I及族群I-1中，

X及W分別獨(dú)立地為O或S，R及R'獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、或其組合，且*為連接點(diǎn)。

R¹可以是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、或其組合。

具體而言，R¹可以是甲基、乙基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)戊基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)己基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基、或其組合，且可以，舉例而言，選自甲基、乙基、或族群II中所列出的基團(tuán)。

[族群2]

在族群II中，*為連接點(diǎn)。

在本發(fā)明的實(shí)例中，化學(xué)式1及化學(xué)式4至化學(xué)式12的R⁴至R⁷、R^a至R^g及R^a'至R^g'可分別獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C10烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C12環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C12雜環(huán)基、或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C12芳基。

另外，化學(xué)式1及化學(xué)式4至化學(xué)式12的R⁴至R⁷、R^a至R^g及R^a'至R^g'可分別獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C10烷基、或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C12芳基。

在本發(fā)明的實(shí)例中，化學(xué)式1及化學(xué)式4至化學(xué)式12的L¹至L³可獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基。

L¹至L³可獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯并呋喃基、或其組合，且可以，舉例而言，選自單鍵、或族群III中經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán)。

[族群Ⅲ]

在族群III中，*為連接點(diǎn)。

所述由化學(xué)式1表示的化合物可以是，舉例而言，以下所列化合物，但并不僅限于此。

所述化合物可用于有機(jī)光電裝置。

下文對(duì)包含所述化合物的有機(jī)光電裝置進(jìn)行說明。

在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，有機(jī)光電裝置包含相互面對(duì)的陽極與陰極、以及位于所述陽極與所述陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含發(fā)射層以及至少一個(gè)輔助層，所述至少一個(gè)輔助層選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、及空穴阻擋層，且所述輔助層包含所述化合物。

具體而言，所述輔助層可以是空穴傳輸層。

所述有機(jī)光電裝置可以是將電能轉(zhuǎn)換成光能并且反之亦然的任何裝置，其并無具體限制，并且可以是，舉例而言，有機(jī)光電裝置、有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽電池、及有機(jī)光導(dǎo)鼓。

在本文中，參照附圖對(duì)作為有機(jī)光電裝置的一個(gè)實(shí)例的有機(jī)發(fā)光二極管進(jìn)行說明。

圖1及圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的各有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。

參照?qǐng)D1，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)光電裝置100包含相互面對(duì)的陽極120與陰極110、以及夾置于陽極120與陰極110之間的有機(jī)層105。

陽極120可由具有大的功函數(shù)(work function)的導(dǎo)體制成以有助于空穴注入，且可以是，舉例而言，金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?conductive polymer)。陽極120可以是，舉例而言，金屬，例如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、金等或其合金；金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)等；金屬與氧化物的組合，例如ZnO與Al或SnO₂與Sb；導(dǎo)電聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亞乙基-1,2-二氧)噻吩](poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene)，PEDT)、聚吡咯、及聚苯胺，但并不僅限于此。

陰極110可由具有小的功函數(shù)的導(dǎo)體制成以有助于電子注入，且可以是，舉例而言，金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陰極110可以是，舉例而言，金屬或其合金，例如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇等；多層(multi-layer)結(jié)構(gòu)材料，例如LiF/Al、LiO₂/Al、LiF/Ca、LiF/Al、及BaF₂/Ca，但并不僅限于此。

有機(jī)層105包含發(fā)射層130。

發(fā)射層130可包含，舉例而言，單獨(dú)的有機(jī)化合物，或至少兩種有機(jī)化合物的混合物。在為至少兩種有機(jī)化合物的混合物的情形中，可以是例如主體與摻雜劑。所述主體可以是，舉例而言，磷光主體或熒光主體。

所述摻雜劑可包含無機(jī)化合物、有機(jī)化合物、或無機(jī)/有機(jī)化合物，且可選自已知的摻雜劑。

參照?qǐng)D2，有機(jī)發(fā)光二極管200除發(fā)射層230外還包含空穴輔助層140。空穴輔助層140可改善陽極120與發(fā)射層230之間的空穴注入和/或空穴遷移率，且可阻擋電子。空穴輔助層140可包含，舉例而言，空穴傳輸層、空穴注入層和/或電子阻擋層中的至少一者。所述化合物可包含于空穴輔助層140中。

盡管未在圖1或圖2中顯示，然而有機(jī)層105更可包含電子注入層、電子傳輸層、輔助電子傳輸層、空穴傳輸層、輔助空穴傳輸層、空穴注入層或其組合。所述化合物可包含于輔助空穴傳輸層中。

發(fā)射層230與輔助空穴傳輸層的位置可相互鄰近。

本發(fā)明的化合物可包含于有機(jī)層中。有機(jī)發(fā)光二極管100及有機(jī)發(fā)光二極管200可如下制造：在基板上形成陽極或陰極；根據(jù)例如蒸鍍、濺鍍(sputtering)、等離子鍍覆(plasma plating)及離子鍍覆(ion plating)等干式涂布方法或者例如旋涂(spin coating)、浸漬(dipping)、及流涂(flow coating)等濕式涂布方法形成有機(jī)層；以及在其上形成陰極或陽極。

所述化合物可作為熒光材料包含在內(nèi)。

所述熒光材料可具有小于或等于550納米、且特別是420納米至550納米的最大發(fā)光波長(zhǎng)。

所述由化學(xué)式1表示的化合物可具有大于或等于5.4電子伏特(eV)及小于或等于5.8電子伏特的HOMO能階。

所述由化學(xué)式1表示的化合物可具有大于或等于2.4電子伏特且小于或等于2.7電子伏特的三重態(tài)激發(fā)能階(T1)。

所述有機(jī)發(fā)光二極管可應(yīng)用至有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。

下文參照實(shí)例對(duì)實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)地闡述。然而，該些實(shí)例不應(yīng)在任何意義上理解為限制本發(fā)明的范圍。

在下文中，除非明確提及，否則實(shí)例及合成實(shí)例中所使用的起始材料及反應(yīng)材料是購自西格瑪奧德里奇有限公司(Sigma-Aldrich Co.Ltd.)或梯希愛公司(TCI Inc.)。

(化合物的制備)

通過以下步驟合成化合物作為根據(jù)本發(fā)明的化合物的具體實(shí)例。

合成實(shí)例1：中間體M-1的合成

將20克(94.3毫摩爾)4-二苯并呋喃硼酸及26.7克(94.3毫摩爾)1-溴-4-碘苯放入圓底燒瓶中，向其中加入313毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀(tetrakistriphenyl phosphine palladium)，并將所獲得的混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將所獲得的提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法(silica gel column chromatography)用正己烷/二氯甲烷(9:1的體積比)進(jìn)行純化，獲得27克(產(chǎn)率為89％)白色固體中間體M-1作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：322.00克/摩爾，量測(cè)值：M+＝322.09克/摩爾，M+2＝324.04克/摩爾)

合成實(shí)例2：中間體M-2的合成

將21.5克(94.3毫摩爾)4-二苯并噻吩硼酸及26.7克(94.3毫摩爾)1-溴-4-碘苯放入圓底燒瓶中，向其中加入313毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將所獲得的混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(9:1的體積比)進(jìn)行純化，獲得29克(產(chǎn)率為91％)白色固體中間體M-2作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：337.98克/摩爾，量測(cè)值：M+＝338.04克/摩爾，M+2＝340.11克/摩爾)

合成實(shí)例3：中間體M-3的合成

將14.7克(94.3毫摩爾)4-氯苯基硼酸及23.3克(94.3毫摩爾)2-溴二苯并呋喃放入圓底燒瓶中，向其中加入313毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將所獲得的混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(9:1的體積比)進(jìn)行純化，獲得23.9克(產(chǎn)率為91％)白色固體中間體M-3作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：278.05克/摩爾，量測(cè)值：M+＝278.12克/摩爾，M+2＝280.13克/摩爾)

合成實(shí)例4：中間體M-4的合成

將14.7克(94.3毫摩爾)4-氯苯基硼酸及24.8克(94.3毫摩爾)2-溴二苯并噻吩放入圓底燒瓶中，向其中加入313毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌所獲得的混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將所獲得的混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(9:1的體積比)進(jìn)行純化，獲得25.6克(產(chǎn)率為92％)白色固體中間體M-4作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：294.03克/摩爾，量測(cè)值：M+＝294.16克/摩爾，M+2＝296.13克/摩爾)

合成實(shí)例5：中間體M-5的合成

將20克(94.3毫摩爾)4-二苯并呋喃硼酸及16.2克(94.3毫摩爾)4-溴苯胺放入圓底燒瓶中，向其中加入300毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將所獲得的混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(9:1的體積比)進(jìn)行純化，獲得17.4克(產(chǎn)率為71％)白色固體中間體M-5作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：259.1克/摩爾，量測(cè)值：M+＝259.21克/摩爾)

合成實(shí)例6：中間體M-6的合成

將9.6克(37.08毫摩爾)中間體M-5、(30.9毫摩爾)4-溴聯(lián)苯及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)2及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得11.1克白色固體中間體M-6作為目標(biāo)化合物。

合成實(shí)例7：中間體M-7的合成

將10克(30.9毫摩爾)中間體M-1、9.6克(37.08毫摩爾)中間體M-5及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得11.2克(產(chǎn)率為72％)白色固體中間體M-7作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：501.17克/摩爾，量測(cè)值：M+＝501.31克/摩爾)

合成實(shí)例8：中間體M-8的合成

將56.2克(238.1毫摩爾)1,4-二溴苯放入于減壓下加熱并干燥的圓底燒瓶中，向其中加入500毫升無水二乙醚以將其溶解，并將溶液于氮?dú)鈿夥障吕鋮s至-78℃并攪拌。然后，向其中緩慢加入100毫升(250毫摩爾)的2.5M正丁基鋰正己烷溶液，并于-78℃下于氮?dú)鈿夥障聦⒒旌先芤簲嚢?小時(shí)。隨后，向其中緩慢加入通過將41克(226毫摩爾)9-芴酮溶解于100毫升無水四氫呋喃中而獲得的溶液，并且將所獲得的混合物于室溫下于氮?dú)鈿夥障聰嚢?小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻至0℃，向其中加入250毫升1.0M氯化銨水溶液，用二乙醚提取混合物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。將殘余物通過硅膠柱層析法用10％乙酸乙酯/正己烷溶液分離，獲得70克(產(chǎn)率為92％)中間體M-8作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：336.01克/摩爾，量測(cè)值：M+＝336.17克/摩爾)

合成實(shí)例9：中間體M-9的合成

將67.4克(200毫摩爾)中間體M-8放入圓底燒瓶中，并向其中加入534毫升苯以將其溶解。然后，向其中緩慢加入30克(200毫摩爾)三氟甲烷磺酸，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?4小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，向其中緩慢加入240毫升1.0M碳酸氫鈉水溶液，用乙酸乙酯及蒸餾水提取混合物，將由此獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(9:1的體積比)進(jìn)行純化，獲得27.8克(產(chǎn)率為35％)中間體M-9作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：396.05.13克/摩爾，量測(cè)值：M+＝396.14克/摩爾)

合成實(shí)例10：中間體M-10的合成

將56.2克(238.1毫摩爾)1,3-二溴苯放入于減壓下干燥的圓底燒瓶中，向其中加入500毫升無水二乙醚，并將混合物于氮?dú)鈿夥障吕鋮s至-78℃并攪拌。然后，向其中緩慢加入100毫升(250毫摩爾)的2.5M正丁基鋰正己烷溶液，并于氮?dú)鈿夥障聦⒒旌衔锢鋮s至-78℃下并攪拌2小時(shí)。隨后，向其中緩慢加入溶解于100毫升無水四氫呋喃中的41克(226毫摩爾)9-芴酮，并且將混合物于室溫下于氮?dú)鈿夥障聰嚢?小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻至0℃，向其中加入250毫升1.0M氯化銨水溶液，用二乙醚提取混合物，將由此獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。將殘余物通過硅膠柱層析法用10％乙酸乙酯/正己烷溶液分離，獲得65克(產(chǎn)率為85％)中間體M-10作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：336.01克/摩爾，量測(cè)值：M+＝336.21克/摩爾)

合成實(shí)例11：中間體M-11的合成

將60克(178毫摩爾)中間體M-10放入圓底燒瓶中，并向其中加入476毫升苯以將其溶解。然后，向其中緩慢加入26.7克(200毫摩爾)三氟甲烷磺酸，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?4小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，向其中緩慢加入214毫升1.0M碳酸氫鈉水溶液，用乙酸乙酯及蒸餾水提取混合物，將由此獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(9:1的體積比)進(jìn)行純化，獲得30.4克(產(chǎn)率為43％)中間體M-11作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：396.05.13克/摩爾，量測(cè)值：M+＝396.19克/摩爾)

合成實(shí)例12：中間體M-12的合成

將21.5克(94.3毫摩爾)4-二苯并噻吩硼酸及16.2克(94.3毫摩爾)4-溴苯胺放入圓底燒瓶中，向其中加入300毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得19.2克(產(chǎn)率為74％)白色固體中間體M-12作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：275.08克/摩爾，量測(cè)值：M+＝275.14克/摩爾)

合成實(shí)例13：中間體M-13的合成

將21.5克(94.3毫摩爾)2-二苯并噻吩硼酸及16.2克(94.3毫摩爾)4-溴苯胺放入圓底燒瓶中，向其中加入300毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將所產(chǎn)生的混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得17.9克(產(chǎn)率為69％)白色固體中間體M-13作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：275.08克/摩爾，量測(cè)值：M+＝275.21克/摩爾)

合成實(shí)例14：中間體M-14的合成

將20克(94.3毫摩爾)2-二苯并呋喃硼酸及16.2克(94.3毫摩爾)4-溴苯胺放入圓底燒瓶中，向其中加入300毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得17.4克(產(chǎn)率為71％)白色固體中間體M-14作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：259.1克/摩爾，量測(cè)值：M+＝259.12克/摩爾)

合成實(shí)例15：中間體M-15的合成

將27.1克(94.3毫摩爾)4-(9H-咔唑9-基)苯基硼酸及16.2克(94.3毫摩爾)4-溴苯胺放入圓底燒瓶中，向其中加入300毫升甲苯以將其溶解，向其中加入117毫升溶解有19.5克(141.5毫摩爾)碳酸鉀的水溶液，并攪拌混合物。然后，向其中加入1.09克(0.94毫摩爾)四三苯基膦鈀，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?2小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙酸乙酯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得23.3克(產(chǎn)率為74％)白色固體中間體M-15作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：334.15克/摩爾，量測(cè)值：M+＝334.23克/摩爾)

合成實(shí)例16：中間體M-16的合成

將10.2克(37.08毫摩爾)中間體M-15、7.2克(30.9毫摩爾)4-溴聯(lián)苯及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障掠?0℃下攪拌8小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將由提取獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得10克(產(chǎn)率：76％)白色固體中間體M-16作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：427.14克/摩爾，量測(cè)值：M+＝427.25克/摩爾)

合成實(shí)例17：中間體M-17的合成

將9.6克(37.08毫摩爾)中間體M-5、7.2克(30.9毫摩爾)3-溴聯(lián)苯及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。在本文中，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將所產(chǎn)生的混合物于氮?dú)鈿夥障掠?0℃下攪拌8小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得9.7克(產(chǎn)率：76％)白色固體中間體M-17作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：411.16克/摩爾，量測(cè)值：M+＝411.24克/摩爾)

合成實(shí)例18：中間體M-18的合成

將10.2克(37.08毫摩爾)中間體M-13、7.2克(30.9毫摩爾)4-溴聯(lián)苯及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障掠?0℃下攪拌8小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得9.8克(產(chǎn)率：74％)白色固體中間體M-18作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：427.14克/摩爾，量測(cè)值：M+＝427.21克/摩爾)

合成實(shí)例19：中間體M-19的合成

將9.6克(37.08毫摩爾)中間體M-14、6.4克(30.9毫摩爾)1-溴萘及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障掠?0℃下攪拌8小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將由此獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并且于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得9.2克(產(chǎn)率：77％)白色固體中間體M-19作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：385.15克/摩爾，量測(cè)值：M+＝385.28克/摩爾)

合成實(shí)例20：中間體M-20的合成

將12.4克(37.08毫摩爾)中間體M-15、7.2克(30.9毫摩爾)4-溴聯(lián)苯及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障掠?0℃下攪拌8小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將由提取獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，且然后于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得10.5克(產(chǎn)率：70％)白色固體中間體M-20作為目標(biāo)化合物。

LC-Mass(理論值：486.21克/摩爾，量測(cè)值：M+＝486.21克/摩爾)

合成實(shí)例21：中間體M-21的合成

將12.3克(30.9毫摩爾)中間體M-11、9.6克(37.08毫摩爾)中間體M-5、及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障掠?0℃下攪拌8小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得12.5克(產(chǎn)率：70％)白色固體中間體M-21。

LC-Mass(理論值：575.22克/摩爾，量測(cè)值：M+＝575.24克/摩爾)

合成實(shí)例22：中間體M-22的合成

將12.3克(30.9毫摩爾)中間體M-9、10.2克(37.08毫摩爾)中間體M-12及5.35克(55.6毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.178克(0.31毫摩爾)Pd(dba)₂及0.125克(0.62毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障掠?0℃下攪拌8小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(7:3的體積比)進(jìn)行純化，獲得13.2克(產(chǎn)率：72％)白色固體中間體M-22。

LC-Mass(理論值：591.2克/摩爾，量測(cè)值：M+＝591.31克/摩爾)

實(shí)例1：化合物A-5的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-9、8.23克(20毫摩爾)中間體M-6及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得13.5克(產(chǎn)率為93％)目標(biāo)化合物A-5。

LC-Mass(理論值：727.29克/摩爾，量測(cè)值：M+＝727.34克/摩爾)

實(shí)例2：化合物A-137的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-11、8.23克(20毫摩爾)中間體M-6及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得13.2克(產(chǎn)率：91％)目標(biāo)化合物A-137。

LC-Mass(理論值：727.29克/摩爾，量測(cè)值：M+＝727.31克/摩爾)

實(shí)例3：化合物B-1的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-9、10克(20毫摩爾)中間體M-7及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得15.1克(產(chǎn)率為92％)目標(biāo)化合物B-1。

LC-Mass(理論值：817.30克/摩爾，量測(cè)值：M+＝817.36克/摩爾)

實(shí)例4：化合物B-13的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-11、10克(20毫摩爾)中間體M-7及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得14.7克(產(chǎn)率為90％)目標(biāo)化合物B-13。

LC-Mass(理論值：817.30克/摩爾，量測(cè)值：M+＝817.38克/摩爾)

實(shí)例ad-1：化合物A-6的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-9、8.6克(20毫摩爾)中間體M-16及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此得到的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得13.8克(產(chǎn)率為93％)目標(biāo)化合物A-6。

LC-Mass(理論值：743.26克/摩爾，量測(cè)值：M+＝743.12克/摩爾)

實(shí)例ad-2：化合物A-138的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-11、8.6克(20毫摩爾)中間體M-16及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將由此獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得14克(產(chǎn)率為94％)目標(biāo)化合物A-138。

LC-Mass(理論值：743.26克/摩爾，量測(cè)值：M+＝743.29克/摩爾)

實(shí)例ad-3：化合物A-147的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-11、8.22克(20毫摩爾)中間體M-17及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得13.2克(產(chǎn)率為91％)目標(biāo)化合物A-147。

LC-Mass(理論值：727.29克/摩爾，量測(cè)值：M+＝727.34克/摩爾)

實(shí)例ad-4：化合物A-50的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-9、8.6克(20毫摩爾)中間體M-18及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得13.7克(產(chǎn)率為92％)目標(biāo)化合物A-50。

LC-Mass(理論值：743.26克/摩爾，量測(cè)值：M+＝743.18克/摩爾)

實(shí)例ad-5：化合物A-47的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-9、7.7克(20毫摩爾)中間體M-19及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得13.3克(產(chǎn)率為95％)目標(biāo)化合物A-47。

LC-Mass(理論值：701.27克/摩爾，量測(cè)值：M+＝701.15克/摩爾)

實(shí)例ad-6：化合物C-37的合成

將7.95克(20毫摩爾)中間體M-11、9.7克(20毫摩爾)中間體M-20及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將由此獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得14.6克(產(chǎn)率：91％)目標(biāo)化合物C-37。

LC-Mass(理論值：802.23克/摩爾，量測(cè)值：M+＝803克/摩爾)

實(shí)例ad-7：化合物A-173的合成

將11.5克(20毫摩爾)中間體M-21、5.3克(20毫摩爾)中間體2-氯-4,6-二苯基嘧啶、及9.8克(30毫摩爾)碳酸銫放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將由此獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將由此獲得的產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得14.5克(產(chǎn)率為90％)目標(biāo)化合物A-173。

LC-Mass(理論值：805.31克/摩爾，量測(cè)值：M+＝805.23克/摩爾)

實(shí)例ad-8：化合物A-40的合成

將11.8克(20毫摩爾)中間體M-22、5.7克(20毫摩爾)8-(4-溴苯基)喹啉、及2.9克(30毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中，向其中加入155毫升甲苯以將其溶解。然后，向其中依序加入0.115克(0.2毫摩爾)Pd(dba)₂及0.101克(0.5毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮?dú)鈿夥障禄亓鞑嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將提取后獲得的有機(jī)層用硫酸鎂干燥并過濾，并于減壓下濃縮過濾后的溶液。然后，將產(chǎn)物通過硅膠柱層析法用正己烷/二氯甲烷(8:2的體積比)進(jìn)行純化，獲得14.5克(產(chǎn)率為91％)目標(biāo)化合物A-40。

LC-Mass(理論值：794.28克/摩爾，量測(cè)值：M+＝794.35克/摩爾)

(對(duì)所制備化合物進(jìn)行的分析以及特性量測(cè))

1.熒光特性的分析

實(shí)例1至實(shí)例4的熒光特性通過將每一化合物溶解于四氫呋喃(THF)中并用HITACHI F-4500量測(cè)其光致發(fā)光(photoluminescence，PL)波長(zhǎng)來量測(cè)。實(shí)例2的化合物A-137的光致發(fā)光波長(zhǎng)量測(cè)結(jié)果提供于圖3中。

2.電化學(xué)特性的分析

通過使用超級(jí)電腦GAIA(IBM power 6)用高斯09法(Gaussian 09method)計(jì)算每一材料的能階，且結(jié)果提供于下表1中。

[表1]

如表1中所示，與對(duì)照實(shí)例的化合物相比，實(shí)例1至實(shí)例4的合成化合物顯示出大于或等于0.1電子伏特的HOMO能階，且因此當(dāng)用于形成有機(jī)光電裝置的空穴傳輸層時(shí)可對(duì)裝置效率具有影響。

(有機(jī)發(fā)光二極管的制造)

實(shí)例5：藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管的制造

將涂覆有1500埃厚的氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)的玻璃基板用蒸餾水進(jìn)行超聲波洗滌。隨后，將玻璃基板用異丙醇、丙酮、甲醇等溶劑進(jìn)行超聲波洗滌，移至等離子清洗器(plasma cleaner)中，使用氧等離子清洗10分鐘，然后移至真空沉積器(vacuum depositor)中。如此獲得的ITO透明電極被用作陽極，且將4,4'-雙[N-[4-{N,N-雙(3-甲基苯基)胺基}-苯基]-N-苯基胺基]聯(lián)苯[4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}-phenyl]-N-phenylamino]biphenyl，DNTPD]真空沉積于ITO基板上，以形成600埃厚的空穴注入層。然后，將HT-1真空沉積于其上而形成250埃厚的輔助空穴傳輸層。真空沉積實(shí)例1中制備的化合物，以于空穴傳輸層上形成50埃厚的輔助空穴傳輸層。于所述輔助空穴傳輸層上，通過真空沉積9,10-二-(2-萘基)蒽(9,10-di-(2-naphthyl)anthracene，ADN)作為主體而形成250埃厚的發(fā)射層，所述主體摻雜有3重量％的2,5,8,11-四(第三丁基)苝(2,5,8,11-tetra(tert-butyl)perylene，TBPe)作為摻雜劑。

隨后，將Alq3真空沉積于所述發(fā)射層上，以形成250埃厚的電子傳輸層。將LiF 10埃及Al 1000埃依序真空沉積于所述電子傳輸層上以形成陰極，借此制成有機(jī)發(fā)光二極管。

所述有機(jī)發(fā)光二極管具有五層式有機(jī)薄膜結(jié)構(gòu)，且具體而言，具有

Al 1000埃/LiF 10埃/Alq3 250埃/EML[ADN:TBPe＝97:3]250埃/輔助空穴傳輸層/HT-1 250埃/DNTPD 600埃/ITO 1500埃的結(jié)構(gòu)。

實(shí)例6

除使用實(shí)例2而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例7

除使用實(shí)例3而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例8

除使用實(shí)例4而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-9

除使用實(shí)例ad-3而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-10

除使用實(shí)例ad-6而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例1

除使用HT-1而非實(shí)例1的化合物A-5外，根據(jù)與實(shí)例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例2

除使用HT-2而非實(shí)例1的化合物A-5外，根據(jù)與實(shí)例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

用于制造有機(jī)發(fā)光二極管的DNTPD、HT-1、HT-2、Alq3、ADN、及TBPe的結(jié)構(gòu)如下。

(藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管的性能量測(cè))

量測(cè)根據(jù)實(shí)例5至實(shí)例8、實(shí)例ad-9及實(shí)例ad-10以及對(duì)照實(shí)例1至對(duì)照實(shí)例2的每一有機(jī)發(fā)光二極管的電流密度及亮度隨電壓的變化、發(fā)光效率及壽命。

具體量測(cè)方法如下，且結(jié)果提供于表2中。

(1)隨電壓變化的電流密度變化的量測(cè)

使用電流電壓計(jì)(Keithley 2400)對(duì)所獲得的有機(jī)發(fā)光二極管進(jìn)行量測(cè)，以得到在將電壓從0伏(V)增大到10伏的過程中在單元裝置(unit device)中流動(dòng)的電流值，將所測(cè)得的電流值除以面積而得出結(jié)果。

(2)隨電壓變化的亮度變化的量測(cè)

在將有機(jī)發(fā)光二極管的電壓從0伏增大到10伏的過程中，使用亮度計(jì)(Minolta Cs-1000A)量測(cè)亮度。

(3)發(fā)光效率的量測(cè)

使用項(xiàng)(1)和項(xiàng)(2)的亮度、電流密度和電壓(V)來計(jì)算在相同電流密度(10mA/m²)下的電流效率(cd/A)。

(4)壽命

實(shí)例5至實(shí)例8及對(duì)照實(shí)例1及對(duì)照實(shí)例2的有機(jī)發(fā)光二極管的壽命被量測(cè)為發(fā)光后其亮度降低至初始亮度的1/2時(shí)的時(shí)間，以1,000尼特(nit)作為初始亮度(cd/m²)并且用Polanonix壽命量測(cè)系統(tǒng)量測(cè)其亮度隨時(shí)間的降低。

[表2]

電流密度：10mA/cm²

如表2中所示，與對(duì)照實(shí)例1及對(duì)照實(shí)例2相比，實(shí)例5至實(shí)例8以及實(shí)例ad-9及實(shí)例ad-10顯示出大大改善的發(fā)光效率以及相同或進(jìn)一步改善的壽命。特定而言，與不使用輔助HTL的對(duì)照實(shí)例1相比，實(shí)例5至實(shí)例8以及實(shí)例ad-9及實(shí)例ad-10顯示出至少大于或等于13％的效率改善，且與使用HT-2作為輔助HTL的對(duì)照實(shí)例2相比，顯示出至少大于或等于20％的半壽命(half-life life-span)增加量。

實(shí)例ad-11：綠色有機(jī)發(fā)光二極管的制造

將涂覆有1500埃厚的氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)的玻璃基板用蒸餾水進(jìn)行超聲波洗滌。隨后，將玻璃基板用異丙醇、丙酮、甲醇等溶劑進(jìn)行超聲波洗滌，移至等離子清洗器中，使用氧等離子清洗10分鐘，然后移至真空沉積器。如此獲得的ITO透明電極被用作陽極，且將HT-1真空沉積于ITO基板上，以形成700埃厚的空穴注入及傳輸層。然后，將實(shí)例1的化合物真空沉積于其上而形成100埃厚的輔助空穴傳輸層。于所述輔助空穴傳輸層上，通過真空沉積(4,4'-N,N'-二咔唑)聯(lián)苯[(4,4'-N,N'-dicarbazole)biphenyl，CBP]作為主體而形成300埃厚的發(fā)射層，所述主體摻雜有5重量％的三(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)[tris(2-phenylpyridine)iridium(Ⅲ)，Ir(ppy)3]。

隨后，將聯(lián)苯氧基-雙(8-羥基喹啉)鋁[biphenoxy-bis(8-hydroxyquinoline)aluminum，Balq]真空沉積于所述發(fā)射層上，以形成50埃厚的空穴阻擋層。于所述空穴阻擋層上，真空沉積三(8-羥基喹啉)鋁[tris(8-hydroxyquinoline)aluminum，Alq3]，以形成250埃厚的電子傳輸層，并且于所述電子傳輸層上，真空沉積LiF 10埃及Al 1000埃而形成陰極，借此制成有機(jī)發(fā)光二極管。

所述有機(jī)發(fā)光二極管具有五層式有機(jī)薄膜結(jié)構(gòu)，且具體而言，具有Al 1000埃/LiF 10埃/Alq3 250埃/Balq 50埃/EML[CBP:Ir(ppy)3＝95:5]300埃/輔助HTL 100埃/HT-1 700埃/ITO 1500埃的結(jié)構(gòu)。

實(shí)例ad-12

除使用實(shí)例2而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-13

除使用實(shí)例3而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-14

除使用實(shí)例ad-1而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-15

除使用實(shí)例ad-2而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-16

除使用實(shí)例ad-3而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-17

除使用實(shí)例ad-4而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例3

除使用N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺[N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine，NPB]而非HT-1以及使用N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺[NPB]而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例4

除使用N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺[NPB]而非HT-1以及使用三(4,4',4”-(9-咔唑基))-三苯胺[tris(4,4',4”-(9-carbazolyl))-triphenylamine，TCTA]而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例5

除使用HT-1而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-11相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

用于制造有機(jī)發(fā)光二極管的HT-1及Alq3的結(jié)構(gòu)與上述相同，且NPB、TCTA、CBP、Balq、Ir(ppy)₃的結(jié)構(gòu)如下。

(綠色有機(jī)發(fā)光二極管的性能量測(cè))

量測(cè)根據(jù)實(shí)例ad-11至實(shí)例ad-17以及對(duì)照實(shí)例3至對(duì)照實(shí)例5的每一有機(jī)發(fā)光二極管的電流密度及亮度隨電壓的變化、發(fā)光效率及壽命。

用于量測(cè)電流密度及亮度隨電壓的變化的具體量測(cè)方法以及用于量測(cè)發(fā)光效率的具體量測(cè)方法與用于藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管的方法相同，壽命的量測(cè)方法如下，且結(jié)果提供于表3中。

壽命

實(shí)例ad-11至實(shí)例ad-17以及對(duì)照實(shí)例3至對(duì)照實(shí)例5的有機(jī)發(fā)光二極管的壽命量測(cè)為發(fā)光后其亮度降低至初始亮度的1/2時(shí)的時(shí)間，以3,000尼特作為初始亮度(cd/m²)并且用Polanonix壽命量測(cè)系統(tǒng)量測(cè)其亮度隨時(shí)間的降低。

[表3]

如表3中所示，與對(duì)照實(shí)例3至對(duì)照實(shí)例5相比，實(shí)例ad-11至實(shí)例ad-17在發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓及壽命方面顯示出改善的特性。特定而言，與不使用輔助HTL的對(duì)照實(shí)例3相比，實(shí)例ad-11至實(shí)例ad-17顯示出至少大于或等于70％的效率增加量，且與對(duì)照實(shí)例5相比顯示出至少大于或等于20％的效率增加量。與使用TCTA作為輔助HTL的對(duì)照實(shí)例4相比，實(shí)例ad-11至實(shí)例ad-17顯示出高的效率以及至少大于或等于30％的半壽命增加量。

實(shí)例ad-18：紅色有機(jī)發(fā)光二極管的制造

將涂覆有1500埃厚的氧化銦錫(ITO)的玻璃基板用蒸餾水進(jìn)行超聲波洗滌。隨后，將玻璃基板用異丙醇、丙酮、甲醇等溶劑進(jìn)行超聲波洗滌，移至等離子清洗器中，使用氧等離子清洗10分鐘，然后移至真空沉積器。如此獲得的ITO透明電極被用作陽極，且將4,4'-雙[N-[4-{N,N-雙(3-甲基苯基)胺基}-苯基]-N-苯基胺基]聯(lián)苯[DNTPD]真空沉積于ITO基板上，以形成600埃厚的空穴注入層。然后，將HT-1真空沉積于其上而形成200埃厚的空穴傳輸層。然后，將實(shí)例1的化合物真空沉積于所述空穴傳輸層上，以形成100埃厚的輔助空穴傳輸層。于所述輔助空穴傳輸層上，通過真空沉積(4,4'-N,N'-二咔唑)聯(lián)苯[CBP]作為主體而形成300埃厚的發(fā)射層，所述主體摻雜有5重量％的雙(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮)銥(Ⅲ)[bis(2-phenylquinoline)(acetylacetonate)iridium(Ⅲ)，Ir(pq)2acac]。

隨后，將聯(lián)苯氧基-雙(8-羥基喹啉)鋁[Balq]真空沉積于所述發(fā)射層上，以形成50埃厚的空穴阻擋層。于所述空穴阻擋層上，真空沉積三(8-羥基喹啉)鋁[Alq3]，以形成250埃厚的電子傳輸層，并且于所述電子傳輸層上，真空沉積LiF 10埃及Al 1000埃而形成陰極，借此制成有機(jī)發(fā)光二極管。

所述有機(jī)發(fā)光二極管具有六層式有機(jī)薄膜結(jié)構(gòu)，且具體而言，具有

Al 1000埃/LiF 10埃/Alq3 250埃/Balq 50埃/EML[CBP:Ir(pq)2acac＝95:5]300埃/輔助HTL 100埃/HT-1 700埃/DNTPD 600埃/ITO 1500埃的結(jié)構(gòu)。

實(shí)例ad-19

除使用實(shí)例2而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-20

除使用實(shí)例4而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-21

除使用實(shí)例ad-1而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-22

除使用實(shí)例ad-3而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

實(shí)例ad-23

除使用實(shí)例ad-5而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例6

除使用N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺[NPB]而非HT-1以及使用N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺[NPB]而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例7

除使用N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺[NPB]而非HT-1以及使用三(4,4',4”-(9-咔唑基))-三苯胺[TCTA]而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

對(duì)照實(shí)例8

除使用HT-1而非實(shí)例1外，根據(jù)與實(shí)例ad-18相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管。

用于制造所述有機(jī)發(fā)光二極管的DNTPD、NPB、HT-1、TCTA、CBP、Balq及Alq3的結(jié)構(gòu)與上述相同，且Ir(pq)₂acac的結(jié)構(gòu)如下。

(紅色有機(jī)發(fā)光二極管的性能量測(cè))

量測(cè)根據(jù)實(shí)例ad-18至實(shí)例ad-23以及對(duì)照實(shí)例6至對(duì)照實(shí)例8的各有機(jī)發(fā)光二極管的電流密度及亮度隨電壓的變化、發(fā)光效率及壽命。

用于量測(cè)電流密度及亮度隨電壓的變化的具體量測(cè)方法以及用于量測(cè)發(fā)光效率的具體量測(cè)方法與用于藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管的方法相同，壽命的量測(cè)方法如下，且結(jié)果提供于表4中。

壽命

實(shí)例ad-18至實(shí)例ad-23以及對(duì)照實(shí)例6至對(duì)照實(shí)例8的有機(jī)發(fā)光二極管的T80壽命量測(cè)為發(fā)光后其亮度降低至初始亮度的80％時(shí)的時(shí)間，以1,000尼特作為初始亮度(cd/m²)并且用Polanonix壽命量測(cè)系統(tǒng)量測(cè)其亮度隨時(shí)間的降低。

[表4]

如表4中所示，與對(duì)照實(shí)例6至對(duì)照實(shí)例8相比，實(shí)例ad-18至實(shí)例ad-23在發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓及壽命方面顯示出改善的特性。特定而言，與不使用輔助HTL的對(duì)照實(shí)例6相比，實(shí)例ad-18至實(shí)例ad-23顯示出至少大于或等于19％的效率增加量，且與對(duì)照實(shí)例8相比顯示出至少大于或等于8％的效率增加量。與使用TCTA作為輔助HTL的對(duì)照實(shí)例4相比，實(shí)例ad-18至實(shí)例ad-23顯示出更高的效率以及至少大于或等于28％的T80壽命增加量。

雖然已結(jié)合目前被認(rèn)為實(shí)用的示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但應(yīng)理解，本發(fā)明并不僅限于所揭示的實(shí)施例，而是相反地意欲涵蓋隨附權(quán)利要求書的精神及范圍內(nèi)所包含的各種潤(rùn)飾及等效配置。因此，上述實(shí)施例應(yīng)理解為是示例性的而非以任何方式限制本發(fā)明。