專利名稱：：芳香族胺衍生物及使用了它們的有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及芳香族胺衍生物及使用了它們的有機電致發(fā)光(EL)元件，特別涉及通過將具有特定的取代基的芳香族胺衍生物用于空穴輸送材料中，而抑制分子的結(jié)晶化，提高制造有機EL元件之時的成品率，改善有機EL元件的壽命，并且涉及實現(xiàn)它的芳香族胺衍生物。
背景技術(shù)：
：有機EL元件是利用了如下的原理的自發(fā)光元件，g卩，通過施加電場而利用從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子的復合能量來使熒光性物質(zhì)發(fā)光。自EastmanKodak公司的C.W.Tang等做出利用疊層型元件的低電壓驅(qū)動有機EL元件的報告(C.W.Tang，S.A.Vanslyke，應用物理快報(AppliedPhysicsLetters),51巻、913頁、1987年等)以來，積極地開展了對于以有機材料作為構(gòu)成材料的有機EL元件的研究。Tang等在發(fā)光層中使用了三(8—羥基喹啉)鋁，在空穴輸送層中使用了三苯基二胺衍生物。作為疊層構(gòu)造的優(yōu)點來說，可以舉出提高空穴向發(fā)光層中的注入效率、阻擋從陰極注入的電子而提高利用復合生成的激子的生成效率、將在發(fā)光層內(nèi)生成的激子封閉等。作為像該例子這樣的有機EL元件的元件構(gòu)造，廣為人知的是空穴輸送(注入)層、電子輸送發(fā)光層的雙層型；或空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的三層型等。為了提高在這樣的疊層型構(gòu)造元件中注入的空穴與電子的復合效率，對元件構(gòu)造或形成方法下了很多工夫。通常來說，如果在高溫環(huán)境下驅(qū)動、保管有機EL元件，則會產(chǎn)生發(fā)光顏色的變化、發(fā)光效率的降低、驅(qū)動電壓的上升、發(fā)光壽命的短時間化等不良影響。為了防止該情況，需要提高空穴輸送材料的?；瘻囟?Tg)。為此就需要在空穴輸送材料的分子內(nèi)具有很多的芳香族基(例如專利文獻1的芳香族二胺衍生物、專利文獻2的芳香族稠合環(huán)二胺衍生物)，通常來說優(yōu)選使用具有812個苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。但是，如果在分子內(nèi)具有很多芳香族基，則在使用這些空穴輸送材料形成薄膜而制造有機EL元件之時就容易引起結(jié)晶化，將蒸鍍中所用的坩堝的出口堵塞，或產(chǎn)生由結(jié)晶化引起的薄膜的缺陷，產(chǎn)生導致有機EL元件的成品率降低等問題。另外，在分子內(nèi)具有很多芳香族基的化合物雖然一般來說玻化溫度(Tg)高，但是升華溫度高，被認為會引起蒸鍍時的分解或不均勻地形成蒸鍍等現(xiàn)象，因此會有壽命短的問題。另一方面，有公開了不對稱的芳香族胺衍生物的公知文獻。例如，專利文獻3中，雖然記載有具有不對稱的結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物，但是沒有具體的實施例，對于不對稱化合物的特征沒有任何記載。另外，專利文獻4中，雖然作為實施例記載有具有菲的不對稱的芳香族胺衍生物，但是被與對稱的化合物同樣地對待，并且對于不對稱化合物的特征沒有任何記載。另外，盡管不對稱化合物需要特殊的合成法，但是在這些專利中沒有明示有關(guān)不對稱化合物的制造方法的記載。另外，專利文獻5中，雖然有針對具有不對稱的結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物的制法的記載，但是對于不對稱化合物的特征沒有記載。專利文獻6中，雖然有玻化溫度高的熱穩(wěn)定的不對稱化合物的記載，但是僅例示了具有咔唑的化合物。另外，作為具有二苯并呋喃的化合物的報告，有專利文獻713，但是它們是在二胺化合物的中心骨架中具有二苯并呋喃的結(jié)構(gòu)。作為在末端具有二苯并呋喃的化合物的報告，有專利1415，然而它們是單胺化合物。專利文獻812僅作為具體例而例示，專利文獻7和14雖然在實際中實施，但是僅作為感光體使用。作為有機EL元件有專利文獻13，然而性能不夠充分。如上所述，雖然已有長壽命的有機EL元件的報告，但是不能說是充分的。為此，強烈地要求開發(fā)出具有更為優(yōu)良的性能的有機EL元件。專利文獻l:美國專利第4，720，432號說明書專利文獻2:美國專利第5，061，569號說明書專利文獻一3:日本特開平8—48656號公報專利文獻4:日本特開平11一135261號公報專利文獻5:日本特開2003—171366號公報專利文獻6:美國專利第6，242，U5號說明書專利文獻7:日本專利第2501198號專利文獻8:日本專利第2879370號專利文獻9:日本專利第3508984號專利文獻10:日本特開平5—34957號公報專利文獻ll:日本特開平7—287408號公報專利文獻12:日本專利第3114445號專利文獻13:日本特開2005—112765號公報專利文獻14:日本專利第3248627號專利文獻15:日本特開2001—288462號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決前述的問題而完成的，其目的在于，提供分子難以結(jié)晶化、可以提高制造有機EL元件之時的成品率、壽命長的有機EL元件及實現(xiàn)它的芳香族胺衍生物。本發(fā)明人等為了達成前述目的，反復進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果將以下述通式(1)表示的具有特定的取代基的新型的芳香族胺衍生物作為有機EL元件用材料使用，特別是作為空穴輸送材料使用，就可以解決前述的問題，從而完成了本發(fā)明。另外發(fā)現(xiàn)，作為具有特定的取代基的胺單元，優(yōu)選用以通式(2)或通式(3)表示的具有呋喃結(jié)構(gòu)的芳基取代了的氮基。該胺單元由于具有立體阻礙性，因而分子間的相互作用小，所以具有可以抑制結(jié)晶化、提高制造有機EL元件的成品率、延長所得的有機EL元件的壽命的效果，特別是判明，通過與藍色發(fā)光元件組合，可以獲得明顯的長壽命效果。艮口，本發(fā)明提供一種以下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>(i)式中，R,是氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為250的烷氧基羰基、被取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基取代了的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基；a為04的整數(shù)，b為13的整數(shù)；多個&之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；Ar，Ar4中的至少一個以下述通式(2)或(3)表示，(2)式中，R2及R3各自獨立地選自與所述通式(1)的Ri相同的基團；X為氧、硫、硒或碲；c為06的整數(shù)，d為03的整數(shù)，e為13的整數(shù)；多個&或R3之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；在e為2以上且d不為0時，多個R3也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；(3)式中，R4R6各自獨立，選自與前述通式(1)的R,相同的基中。X為氧或硫原子。f及h分別為04的整數(shù)，g為03的整數(shù)，i為l3的整數(shù)。多個R4或R5或R6之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。在i為2以上且h不為0時，多個&也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。通式(1)中，AriAr4中的不以通式(2)表示的基團各自獨立地是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基或取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基。本發(fā)明提供一種以下述通式(5)表示的芳香族胺衍生物。Ar7Ar9中的至少一個以前述通式(3)表示。通式(5)中，AnAr3中的并非通式(3)的基團各自獨立地是氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為l50的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為250的垸氧基羰基、由被取代或未被取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基取代了的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基。另外，本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光元件，是在陰極與陽極之間夾持有至少包含發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件，該有機薄膜層的至少一層中作為單獨的成分或混合物的成分地含有前述芳香族胺衍生物。本發(fā)明的芳香族胺衍生物及使用了它的有機EL元件的分子難以結(jié)晶化，可以提高制造有機EL元件之時的成品率，壽命長。具體實施例方式本發(fā)明的芳香族胺衍生物是以下述通式(1)表示的物質(zhì)。式中，R,是氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為250的烷氧基羰基、由被取代或未被取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基取代了的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基。通式(1)中，AnAr4中的至少一個以下述通式(2)或(3)表示。通式(2)中，R2及R3各自獨立地選自與前述通式(1)的R,相同的基團。X為氧、硫、硒或碲，優(yōu)選為氧或硫原子，更優(yōu)選為氧原子。通式(3)中，R4R6各自獨立地選自與前述通式(1)的R!相同的基團。X為氧或硫原子，優(yōu)選為氧原子。作為通式(1)(3)中的^R6的芳基，例如可以舉出苯基、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9—蒽基、l一菲基、2—菲基、3—菲基、4一菲基、9—菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、1一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯—4一基、對三聯(lián)苯一3—基、對三聯(lián)苯一2—基、間三聯(lián)苯一4一基、間三聯(lián)苯一3—基、間三聯(lián)苯一2—基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2—苯基丙基)苯基、3—甲基一2—萘基、4一甲基一1—萘基、4—甲基一l一蒽基、4，一甲基聯(lián)苯基、4"一叔丁基一對三聯(lián)苯一4一基、熒蒽基、芴基、l一吡咯基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2—吡啶基、3—吡啶基、4一吡啶基、l一吲哚基、2—吲哚基、3—吲哚基、4—吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、l一異吲哚基、2_異吲哚基、3—異吲哚基、4一異吲哚基、5—異吲哚基、6—異吲哚基、7—異吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、1_異苯并呋喃基、3—異苯并呋喃基、4一異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7—異苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一異喹啉基、3—異喹啉基、4一異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、9一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4—菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、10一菲啶基、l一吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4—吖啶基、9一吖啶基、1，7—菲咯啉一2—基、1，7_菲咯啉—3—基、1，7—菲咯啉一4—基、1，7—菲咯啉一5—基、1，7—菲咯啉—6—基、1，7—菲咯啉一8—基、1，7—菲咯啉—9一基、1，7—菲咯啉—10—基、1，8—菲咯啉一2—基、1，8—菲咯啉一3—基、1，8—菲咯啉一4—基、1，8—菲咯啉一5基、1，8—菲咯啉一6—基、1，8—菲咯啉一7—基、1，8—菲咯啉一9一基、1，8—菲咯啉一10_基、1，9一菲咯啉一2—基、1，9—菲咯啉一3—基、1，9一菲咯啉一4一基、1，9—菲咯啉一5—基、1，9—菲咯啉一6—基、1，9—菲咯啉一7—基、1，9一菲咯啉—8—基、1，9一菲咯啉一10—基、1，10一菲咯啉一2—基、1，10—菲咯啉一3—基、1，10—菲咯啉一4—基、1，10—菲咯啉一5—基、2，9—菲咯啉一1—基、2，9一菲咯啉—3—基、2，9一菲咯啉-—4-一基、2，9一菲咯啉-—5—基、2，9一菲咯啉一6--基、2，9一菲咯啉--7—-基、2，9一菲咯啉--8—基、2，9一菲咯啉一10-—基、2，8一菲咯啉-1—-基、2，8—菲咯啉--3_基、2，8—菲咯啉一4--基、2，8一菲咯啉--5--基、2，8—菲咯啉--6—基、2，8—菲咯啉一7-_基、2，8一菲咯啉--9—-基、2，8—菲咯啉--10—基、2，7—菲咯啉一L—基、2，7一菲咯啉--3—-基、2，7—菲咯啉--4—基、2，7—菲咯啉一5--基、2，7一菲咯啉--6--基、2，7—菲咯啉--8—基、2，7—菲咯啉一9-_基、2，7一菲咯啉--10.—基、1--吩嗪基、2--吩嗪基、1--吩噻嗪基、2--吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、1—吩聰嗪基、2—吩螺嗪基、3—吩隨嗪基、4一吩嚼嗪基、IO—吩P惡嗪基、2—瞎唑基、4一瞎、唑基、5一螺唑基、2—螺二唑基、5—螺二唑基、3—呋吖基、2—噻吩基、3—噻吩基、2—甲基吡咯一1一基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5—基、3—甲基吡咯一l一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2一苯基丙基)吡咯一1一基、2—甲基一l一吲哚基、4—甲基一l一吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一l一吲哚基、4一叔丁基一l一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。它們當中，優(yōu)選苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芘基、窟基、熒蒽基、荷基o作為通式(1)(3)中的R,R6的垸基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1—羥基乙基、2—羥基乙基、2—羥基異丁基、1，2—二羥基乙基、1，3—二羥基異丙基、2，3—二羥基叔丁基、1，2，3—三羥基丙基、氯甲基、1—氯乙基、2—氯乙基、2—氯異丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯異丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、1—溴乙基、2—溴乙基、2—溴異丁基、1，2—二溴乙基、1，3一二溴異丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、1—碘乙基、2—碘乙基、2—碘異丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘異丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基異丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基異丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基異丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基異丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、l一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基異丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基異丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4一甲基環(huán)己基、l一金剛垸基、2—金剛烷基、l一降冰片烷基、2一降冰片烷基等。通式(1)(3)中的R,R6的垸氧基是以一OY表示的基，作為Y的例子，可以舉出與前述垸基中所說明的相同的例子。作為通式(1)(3)中的R,R6的芳烷基，例如可以舉出芐基、1一苯基乙基、2—苯基乙基、l一苯基異丙基、2—苯基異丙基、苯基叔丁基、a—萘基甲基、i一a一萘基乙基、2一a一萘基乙基、i一a一萘基異丙基、2—ci一萘基異丙基、e—萘基甲基、l一e—萘基乙基、2—P一萘基乙基、l一e—萘基異丙基、2—P—萘基異丙基、l一吡咯基甲基、2—(l一吡咯基)乙基、對甲基芐基、間甲基芐基、鄰甲基芐基、對氯芐基、間氯節(jié)基、鄰氯芐基、對溴芐基、間溴芐基、鄰溴芐基、對碘芐基、間碘芐基、鄰碘芐基、對羥基芐基、間羥基芐基、鄰羥基芐基、對氨基節(jié)基、間氨基芐基、鄰氨基芐基、對硝基芐基、間硝基芐基、鄰硝基芐基、對氰基芐基、間氰基芐基、鄰氰基芐基、l一羥基一2—苯基異丙基、l一氯一2—苯基異丙基等。通式(1)(3)中的R,R6的芳氧基以一OY'表示，作為Y'的例子可以舉出與前述的芳基中所說明的相同的例子。通式(1)(3)中的R,R6的芳硫基以一SY'表示，作為Y'的例子可以舉出與前述芳基中所說明的相同的例子。通式(1)(3)中的RiR6的垸氧基羰基是以一COOY表示的基，作為Y的例子可以舉出與前述垸基中所說明的相同的例子。作為通式(1)(3)中的R,R6的被芳基取代了的氨基中的芳基的例子，可以舉出與前述芳基中所說明的相同的例子。作為通式(1)(3)中的R,R^的鹵原子，可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。通式(1)中，a為04的整數(shù)，b為13的整數(shù)，優(yōu)選為2。多個&之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。通式(2)中，c為06的整數(shù)，d為03的整數(shù)，e為13的整數(shù)，優(yōu)選為1。多個R2或R3之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。在e為2以上且d不為0時，多個R3也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。通式(3)中，f及h分別為04的整數(shù)，g為03的整數(shù)，i為l3的整數(shù)，優(yōu)選為l。多個R4或R5或R6之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。在i為2以上且h不為O時，多個R6也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。作為該也可以形成的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，例如可以舉出環(huán)戊垸、環(huán)己垸、金剛烷、降冰片烷等碳數(shù)為412的環(huán)烷烴；環(huán)戊烯、環(huán)己烯等碳數(shù)為412的環(huán)烯烴；環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯等碳數(shù)為612的環(huán)垸二烯；苯、萘、菲、蒽、芘、窟、苊等碳數(shù)為650的芳香族環(huán)等。本發(fā)明的通式(1)的芳香族胺衍生物的除去取代基以外的碳數(shù)的合計為42以上，優(yōu)選為54以上，更優(yōu)選為6080。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(1)中，An與A。以前述通式(2)或前述通式(3)表示。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(1)中，An與A。以前述通式(2)或前述通式(3)表示。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(1)中，僅Ar,以前述通式(2)或前述通式(3)表示。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(1)中，b為2。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(2)中，f為l。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(3)中，i為l。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(2)中，X為氧原子。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(1)中，Ar2以下述通式(4)表示。通式(4)中，R7選自與前述通式(1)的Ri相同的基團，作為具體例也可以舉出與通式(1)(3)的R!R6的例子相同的例子。j為04的整數(shù)，k為l3的整數(shù)。多個R7之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。在k為2以上且j不為0時，多個R7也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。此時的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)的具體例也可以舉出與R,R6的例子相同的例子。Ar6及A"各自獨立地是通式(3)、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為650的芳基或取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基。該芳基或芳香族雜環(huán)基的具體例可以舉出與ARe的芳基的例子相同的例子。本發(fā)明的芳香族胺衍生物最好在前述通式(1)中，Ar2及Ar4各自獨立，以前述通式(4)表示0本發(fā)明的芳香族胺衍生物以下述通式(5)表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(5)通式(5)中，Ar7Ar9中的至少一個以前述通式(3)表示，Ar!Ar3中的并非通式(3)的基團各自獨立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為250的烷氧基羰基、由被取代或未被取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基取代了的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基。它們的具體例也可以舉出與AR6的例子相同的例子。本發(fā)明的芳香族胺化合物優(yōu)選為有機電致發(fā)光元件用材料。本發(fā)明的芳香族胺化合物優(yōu)選為有機電致發(fā)光元件用空穴注入材料或空穴輸送材料。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為兼具有機電致發(fā)光元件用的空穴注入材料和空穴輸送材料的功能的材料。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件是在陰極與陽極之間夾持有至少包含發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件，最好該有機薄膜層的至少一層中作為單獨的成分或作為混合物的成分地含有本發(fā)明的前述芳香族胺衍生物。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件優(yōu)選在空穴輸送層中含有本發(fā)明的前述芳香族胺。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件優(yōu)選在空穴注入層中含有本發(fā)明的前述芳香族胺。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件優(yōu)選在發(fā)光層中含有苯乙烯胺及/或芳基胺。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件最好進行藍色系發(fā)光。以下給出本發(fā)明的以通式(1)表示的芳香族胺衍生物的具體例，然而并不限定于這些例示化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>下面，對本發(fā)明的有機EL元件進行說明。本發(fā)明的有機EL元件是在陽極與陰極之間夾持有至少包括發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件，該有機薄膜層的至少一層中作為單獨的成分或作為混合物的成分地含有前述芳香族胺衍生物。本發(fā)明的有機EL元件優(yōu)選前述有機薄膜層具有空穴輸送層，該空穴輸送層作為單獨的成分或作為混合物的成分含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物。另外，最好前述空穴輸送層含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物作為主成分。本發(fā)明的芳香族胺衍生物，特別優(yōu)選用于進行藍色系發(fā)光的有機EL元件。另外，本發(fā)明的有機EL元件最好發(fā)光層含有芳基胺化合物及/或苯乙烯基胺化合物。作為芳基胺化合物，可以舉出以下述通式(I)表示的化合物等，而作為苯乙烯基胺化合物，可以舉出以下述通式(II)表示的化合物等。通式(I)中，Ars是選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芪基、二苯乙烯基芳基中的基團，Ar9及Aru)分別是氫原子或碳數(shù)為620的芳香族基團，Ar9Ano也可以被取代。p'是14的整數(shù)。更優(yōu)選的是，Ar9及/或Ar10被苯乙烯基取代。這里，作為碳數(shù)為620的芳香族基，可以舉出苯基、萘基、蒽基、菲基、三聯(lián)苯基等。A寸N(II)通式(II)中，ArnAm分別是也可以被取代的環(huán)碳數(shù)為540的芳基。q'是l4的整數(shù)。這里，作為環(huán)碳數(shù)為540的芳基，例如可以舉出苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、暈苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、隨二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊并熒蒽基、芪基等。而且，環(huán)原子數(shù)為540的芳基也可以再被取代基取代，作為優(yōu)選的取代基，可以舉出碳數(shù)為16的烷基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳數(shù)為16的烷氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、環(huán)原子數(shù)為540的芳基、被環(huán)原子數(shù)為540的芳基取代的氨基、具有環(huán)原子數(shù)為540的芳基的酯基、具有碳數(shù)為16的垸基的酯基、氰基、硝基、鹵原子(氯、溴、碘等)。下面，對本發(fā)明的有機EL元件的元件構(gòu)成進行說明。(1)有機EL元件的構(gòu)成作為本發(fā)明的有機EL元件的代表性的元件構(gòu)成，可以舉出(1)陽極/發(fā)光層/陰極(2)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極(3)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極(4)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(5)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/陰極(6)陽極/有機半導體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極(7)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/附著改善層/陰極(8)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(9)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(10)陽極/無機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(11)陽極/有機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(12)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(13)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極等結(jié)構(gòu)。它們當中通常優(yōu)選使用(8)的構(gòu)成，然而并不限定于它們。雖然將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用于有機EL元件的哪個有機薄膜層中都可以，然而可以用于發(fā)光區(qū)域或空穴輸送區(qū)域中，最好通過用于空穴輸送區(qū)域，特別優(yōu)選用于空穴輸送層中，這樣能使分子難以結(jié)晶化，可以提高制造有機EL元件之時的成品率。作為在有機薄膜層中含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物的量，優(yōu)選為30100摩爾％。(2)透光性基板本發(fā)明的有機EL元件執(zhí)制作于透光性的基板上制。這里所說的透光性基板是支承有機EL元件的基板，優(yōu)選波長400700nm的可見區(qū)域內(nèi)光線的透過率為50%以上的平滑的基板。具體來說，可以舉出玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板，特別可以舉出用鈉鈣玻璃、含鋇和鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、鋇硼硅酸玻璃、石英等。另外，作為聚合物板，可以舉出聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚砜等。(3)陽極本發(fā)明的陽極是具有向空穴輸送層或發(fā)光層中注入空穴的功能的構(gòu)件，具有4.5eV以上的功函數(shù)是有效的。作為本發(fā)明中所用的陽極材料的具體例，可以使用氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、銦一鋅氧化物(IZO)、金、銀、鉑、銅等。陽極可以通過將這些電極物質(zhì)利用蒸鍍法或濺射法等方法形成薄膜的方式制作。在像這樣從陽極中取出來自發(fā)光層的發(fā)光時，陽極對發(fā)光的透過率優(yōu)選大于10%。另外，陽極的片電阻優(yōu)選為數(shù)百Q(mào)/口以下。陽極的膜厚雖然根據(jù)材料而不同，然而通常在10nm1um，優(yōu)選在10200nm的范圍中選擇。(4)發(fā)光層有機EL元件的發(fā)光層是兼具以下(1)(3)的功能的層。(1)注入功能在施加電場時可以從陽極或空穴注入層注入空穴，從陰極或電子注入層注入電子的功能；(2)輸送功能用電場的力來移動所注入的電荷(電子和空穴)的功能；(3)發(fā)光功能提供電子與空穴的復合場所，使其維持發(fā)光的功能。但是，在空穴的注入容易度與電子的注入容易度方面也可以有差別，另外，在以空穴和電子的遷移率表示的輸送能力方面也可以有大小，優(yōu)選利用其中之一表示電荷的移動。作為形成該發(fā)光層的方法，例如可以使用蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選分子堆積膜。這里所說的分子堆積膜是由氣相狀態(tài)的材料化合物淀積形成的薄膜、由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物固化形成的膜，通常來說該分子堆積膜與利用LB法形成的薄膜(分子累積膜)可以利用凝聚結(jié)構(gòu)、高級次結(jié)構(gòu)的差異或由此引起的功能的差異來區(qū)分。另外，如日本特開昭57—517S1號公報中所公開的那樣，在將樹脂等粘結(jié)劑與材料化合物溶于溶劑中而制成溶液后，通過利用旋轉(zhuǎn)涂覆法等將其薄膜化的方式，也可以形成發(fā)光層。本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明的目的的范圍中，根據(jù)需要，也可以在發(fā)光層中含有由本發(fā)明的芳香族胺衍生物構(gòu)成的發(fā)光材料以外的其他的公知的發(fā)光材料，另外，在含有由本發(fā)明的芳香族胺衍生物構(gòu)成的發(fā)光材料的發(fā)光層上也可以層疊含有其他公知的發(fā)光材料的發(fā)光層。作為可以與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起用于發(fā)光層中的發(fā)光材料或摻雜材料，例如可以舉出蒽、萘、菲、芘、并四苯、暈苯、蒽、熒光素、二萘嵌苯、酞并二萘嵌苯、萘并二萘嵌苯(naphthaloperylene)、周因酮(perinone)、酞并周因酮、萘并周因酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、嗯二唑、醛連氮、雙苯并嗯唑啉、聯(lián)苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、喹啉金屬配位化合物、氨基喹啉金屬配位化合物、苯并喹啉金屬配位化合物、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、部花青、咪唑螯合化8—羥基喹啉化合物(oxinoid)、喹吖啶酮、紅熒烯及熒光色素等，然而并不限定于它們。作為可以與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起用于發(fā)光層中的主體(host)材料，優(yōu)選以下述(i)(ix)表示的化合物。以下述通式(i)表示的不對稱蒽。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>式中，Ar是取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為1050的稠合芳香族基團。Ar'是取代或未取代的核碳原子數(shù)650的芳香族基團。X是取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香族基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧基羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。a、b及c分別是04的整數(shù)。n是l3的整數(shù)。另外，在n為2以上的情況下，[]內(nèi)既可以相同，也可以不同。以下述通式(ii)表示的不對稱單蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>式中，Ar1及Ar2各自獨立是取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香族環(huán)基，m及n分別是14的整數(shù)。其中，在111=11=1并且Ar'和&2與苯環(huán)的結(jié)合位置為左右對稱型的情況下，A—與A—不相同，在m或n為24的整數(shù)的情況下，m與n是不同的整數(shù)。RlRlG各自獨立是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香族環(huán)基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸氧基羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。以下述通式(iii)表示的不對稱芘衍生物。式中，Ar及Ar'分別是取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香族基團。L及L，分別是取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基或取代或未取代的亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯(英文dibenzosilolylene)基。m為02的整數(shù)，n為l4的整數(shù)，s為02的整數(shù)，t為04的整數(shù)。另外，L或Ar結(jié)合于芘的15位中任何位置，而L'和Ar'結(jié)合在芘的610位中的任何位置上。其中，在n+t為偶數(shù)時，Ar、Ar，、L、L'滿足下述(1)或(2)。(1)Ar^Ar'及/或L共L'(這里^表示是不同結(jié)構(gòu)的基。)(2)在Ai^Ar'并且L-L'時(2—1)m^s及/或n^t，或者(2—2)在n^s并且n^t時(2-2-1)L和L，、或芘，分別在Ar和Ar，上的不同結(jié)合位置上結(jié)合，或者(2-2-2)當L和L，、或芘在Ar和Ar，上的相同結(jié)合位置上結(jié)合的情況下，L及L'或者Ar及Ar'的芘中的取代位置并不處于1位和6位，或者2位和7位。以下述通式(iv)表示的不對稱蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>式中，A1及A2各自獨立是取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為1020的稠合芳香族環(huán)基。Ar'及A一各自獨立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香族環(huán)基團。RiR"各自獨立為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香族環(huán)基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷基、取代或未取代的環(huán)垸基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸氧基羰基、取代或未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。Ar1、Ar2、R9及R1Q也可以分別為多個，也可以在相鄰的基團之間形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。其中，通式(1)中，在中心的蒽的9位及10位上并不結(jié)合相對于該蒽上所示的X—Y軸成為對稱型的基團。以下述通式(v)表示的蒽衍生物。(v)式中，WRW各自獨立地表示烷基、環(huán)烷基、也可以被取代的芳基、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、鏈烯基、芳基氨基或也可以被取代的雜環(huán)基，a及b分別表示l5的整數(shù)，在它們?yōu)?以上的情況下，W之間或ie之間分別既可以相同也可以不同，另外也可以W之間或R"之間結(jié)合而形成環(huán)，還可以W與R4、RS與R6、W與R8、Rg與R"相互結(jié)合而形成環(huán)。L'表示單鍵、一O—、一S—、一N(R)—(R是烷基或也可以被取代的芳基)、亞烷基或亞芳基。以下述通式(vi)表示的蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>式中，R"R^各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、垸基氨基、芳基氨基或也可以取代的雜環(huán)基，c、d、e及f分別表示15的整數(shù)，在它們?yōu)?以上的情況下，R"之間、1112之間、R"之間或Rn之間分別既可以相同也可以不同，另外也可以R"之間、R12之間、R"之間或R"之間結(jié)合而形成環(huán)，還可以R"與R14、R"與R2o相互結(jié)合而形成環(huán)。L2表示單鍵、—0—、一S—、—N(R)—(R是垸基或也可以被取代的芳基)、亞垸基或亞芳基。以下述通式(Vii)表示的螺芴衍生物。/CK^x(vii)式中，ASAS各自獨立地是取代或未取代的聯(lián)苯基或取代或未取代的萘基。以下述通式(viii)表示的含稠合環(huán)的化合物。式中，VA"與前述相同，R"R"各自獨立地表示氫原子、碳數(shù)為16的烷基、碳數(shù)為36的環(huán)垸基、碳數(shù)為16的烷氧基、碳數(shù)為518的芳氧基、碳數(shù)為718的芳烷基氧基、碳數(shù)為516的芳基氨基、硝基、氰基、碳數(shù)為16的酯基或鹵原子，ASA"中的至少一個是具有3個環(huán)以上的稠合芳香族環(huán)的基團。以下述通式(ix)表示的芴化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>(ix)式中，R,及R2表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或鹵原子。與不同的芴基結(jié)合的R,之間、R2之間既可以相同也可以不同，與相同的芴基結(jié)合的R,及R2既可以相同也可以不同。R3及R4表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基，與不同的芴基結(jié)合的R3之間、R4之間既可以相同也可以不同，與相同的芴基結(jié)合的R3及R4既可以相同也可以不同。Ar,及Ar2表示苯環(huán)的總數(shù)為3個以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或苯環(huán)與雜環(huán)的總數(shù)為3個以上的以取代或未被取代的碳與芴基結(jié)合的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar,及Ar2既可以相同，也可以不同。n表示l至10的整數(shù)。以上的主體材料中，優(yōu)選蒽衍生物，更優(yōu)選單蒽衍生物，特別優(yōu)選不對稱蒽。另外，作為摻雜劑的發(fā)光材料，也可以使用磷光發(fā)光性的化合物。作為磷光發(fā)光性的化合物，優(yōu)選在主體材料中含有咔唑環(huán)的化合物。作為摻雜劑是可以由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要是由三重態(tài)激子發(fā)光，就沒有特別限定，然而優(yōu)選含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os及Re中的至少一種金屬的金屬配位化合物，優(yōu)選卟啉金屬配位化合物或原金屬(才，卜7^夕化金屬配位化合物。由含有咔唑環(huán)的化合物構(gòu)成的適于磷光發(fā)光的主體是具有如下功能的化合物，即，引起能量從激發(fā)狀態(tài)向磷光發(fā)光性化合物的移動，使磷光發(fā)光性化合物發(fā)光。作為主體化合物只要是可以使激子能量向磷光發(fā)光性化合物進行能量移動的化合物，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇。也可以除了咔唑環(huán)以外具有任意的雜環(huán)等。作為此種主體化合物的具體例，可以舉出咔唑衍生物、三唑衍生物、P惡唑衍生物、隨二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基鏈垸衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、亞苯基二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代的査耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二次甲基系化合物、卟啉化合物、蒽醌二甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二苯基苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基甲垸衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘二萘嵌苯衍生物等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羥基喹啉衍生物的金屬絡合物或金屬酞菁、以苯并隨唑和苯并噻唑作為配位基的金屬絡合物為代表的各種金屬絡合物的多硅烷系化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚苯撐衍生物、聚苯撐乙烯撐衍生物、聚芴衍生物等高分子化合物等。主體化合物可以單獨使用或者兩種以上并用。作為具體例，可以舉出如下所示的化合物。磷光發(fā)光性的摻雜劑是可以從三重態(tài)激子發(fā)光的化合物。只要是從三重態(tài)激子發(fā)光，就沒有特別限定，然而優(yōu)選含有選自Ir、RU、Pd、Pt、Os及Re中的至少一種金屬的金屬配位化合物，優(yōu)選葉啉金屬配位化合物或原金屬化金屬配位化合物。作為B卜啉金屬配位化合物，優(yōu)選卟啉鉑配位化合物。磷光發(fā)光性化合物既可以單獨使用，也可以并用兩種以上。作為形成原金屬化金屬配位化合物的配位基有各種配位基，然而作為優(yōu)選的配位基，可以舉出2—苯基吡啶衍生物、7，8—苯并喹啉衍生物、2一(2—噻嗯基)吡啶衍生物、2—(l一萘基)吡啶衍生物、2—苯基喹啉衍生物等。這些衍生物根據(jù)需要也可以具有取代基。特別是導入了氟化物、三氟甲基的化合物，優(yōu)選作為藍色系摻雜劑使用。另外，作為輔助配位基也可以具有乙酰丙酮化物、苦味酸等上述配位基以外的配位基。作為磷光發(fā)光性的摻雜劑在發(fā)光層中的含量，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如為0.170質(zhì)量％，優(yōu)選為130質(zhì)量。X。如果磷光發(fā)光性化合物的含量小于O.l質(zhì)量％，則發(fā)光微弱，無法充分地發(fā)揮其含有效果，在超過70質(zhì)量％的情況下，則被稱作濃度消光的現(xiàn)象就會變得明顯，元件性能降低。另外，發(fā)光層根據(jù)需要也可以含有空穴輸送材料、電子輸送材料、聚合物粘合劑等。另外，發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為550nm,更優(yōu)選為750nm，最優(yōu)選為1050nm。如果小于5nm，則難以形成發(fā)光層，色度的調(diào)整有可能變得困難，如果超過50nm，則驅(qū)動電壓有可能上升。(5)空穴注入輸送層(空穴輸送區(qū)域)空穴注入，輸送層是輔助空穴向發(fā)光層中的注入并輸送至發(fā)光區(qū)域的層，空穴遷移率大，離子化能量通常小到5.5eV以下。作為此種空穴注入鏞送層，優(yōu)選在更低電場強度下將空穴向發(fā)光層輸送的材料，另外，空穴的遷移率例如在施加104106V/cm的電場時，優(yōu)選至少為10_4cm2/V秒。在將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用于空穴輸送區(qū)域中的情況下，既可以將本發(fā)明的芳香族胺衍生物單獨地形成空穴注入、輸送層，也可以與其他的材料混合使用。作為與本發(fā)明的芳香族胺衍生物混合而形成空穴注入輸送層的材料，只要是具有前述的優(yōu)選的性質(zhì)的材料，就沒有特別限制，可以從以往在光傳導材料中作為空穴的電荷輸送材料而慣用的材料、在有機EL元件的空穴注入輸送層中所用的公知的材料中選擇使用任意的材料。作為具體例，例如可以舉出三唑衍生物(參照美國專利3，112，197號說明書等)、嗯二唑衍生物(參照美國專利3，189，447號說明書等)、咪唑衍生物(參照日本特公昭37—16096號公報等)、多芳基鏈烷衍生物(參照美國專利3，615，402號說明書、第3，820，989號說明書、第3，542，544號說明書、日本特公昭45—555號公報、51—10983號公報、日本特開昭51—93224號公報、55—17105號公報、56—4148號公報、55—108667號公報、55—156953號公報、56—36656號公報等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(參照美國專利第3，180，729號說明書、第4，278，746號說明書、日本特開昭55—88064號公報、55—88065號公報、49一105537號公報、55—51086號公報、56—80051號公報、56—88141號公報、57—45545號公報、54—112637號公報、55—74546號公報等)、亞苯基二胺衍生物(參照美國專利第3，615，404號說明書、日本特公昭51_10105號公報、46—3712號公報、47—25336號公報、日本特開昭54—53435號公報、54—110536號公報、54—119925號公報等)、芳基胺衍生物(參照美國專利第3，567，450號說明書、第3，180，703號說明書、第3，240，597號說明書、第3，658，520號說明書、第4，232，103號說明書、第4，175，961號說明書、第4，012，376號說明書、日本特公昭49—35702號公報、39—27577號公報、日本特開昭55—144250號公報、56—119132號公報、56—22437號公報、西德專利第l，110，518號說明書等)、氨基取代查耳酮衍生物(參照美國專利第3，526，501號說明書等)、嚼唑衍生物(美國專利第3，257,203號說明書等中所公開的化合物)、苯乙烯基蒽衍生物(參照日本特開昭56—46234號公報等)、芴酮衍生物(參照日本特開昭54—110837號公報等)、腙衍生物(參照美國專利第3，717，462號說明書、日本特開昭54—59143號公報、55—52063號公報、55—52064號公報、55—46760號公報、55—85495號公報、57—11350號公報、57—148749號公報、日本特開平2—311591號公報等)、芪衍生物(參照日本特開昭61—210363號公報、第61—228451號公報、61—14642號公報、61—72255號公報、62—47646號公報、62—36674號公報、62—10652號公報、62—30255號公報、60—93455號公報、60—94462號公報、60—174749號公報、60—175052號公報等)、硅氮垸衍生物(美國專利第4，950，950號說明書)、聚硅烷系(日本特開平2—204996號公報)、苯胺系共聚物(日本特開平2—282263號公報)、日本特開平1—211399號公報中所公開的導電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。作為空穴注入"輸送層的材料可以使用上述的物質(zhì)，然而優(yōu)選使用卟啉化合物(日本特開昭63—2956965號公報等中公開的化合物)、芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物(參照美國專利4，127，412號說明書、日本特開昭53—27033號公報、54—58445號公報、54—149634號公報、54—64299號公報、55—79450號公報、55—144250號公報、56—119132號公報、61—295558號公報、61—98353號公報、63—295695號公報等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。另外，可以舉出美國專利第5，061，569號中所記載的在分子內(nèi)具有2個稠合芳香族環(huán)的例如4，4'一雙(N—(1—萘基)一N—苯基氨基)聯(lián)苯(以下簡記為NPD)、日本特開平4一308688號公報中記載的三苯基胺單元被連接成3個星爆炸型的4，4，，4"一三(N—(3—甲基苯基)一N一苯基氨基)三苯基胺(以下簡記為MTDATA)等。此外，除了作為發(fā)光層的材料所示的上述芳香族次甲基系化合物以外，也可以將p型Si、p型SiC等無機化合物作為空穴注入'輸送層的材料使用。此外還可以使用日本專利3571977號中所公開的以下式表示的含氮雜環(huán)衍生物。R126N式中，R121R126分別表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的雜環(huán)基的任意一種。其中，11121]^126既可以相同，也可以不同。另外，也可以是^21與Rm、R122與R123、R^3與R124、R。4與R125、11125與^26及^26與11127形成稠合環(huán)。另外，也可以使用美國公開2004/0113547中所記載的下式的化合物。NR■123231RY,NR:N52136式中，R131R136是取代基，優(yōu)選氨基、硝基、磺?；?、羰基、三氟甲基、鹵原子等吸電子基。像以這些材料代表的那樣，受體性材料也可以作為空穴注入材料使用。它們的具體例如上所述。另外，除了作為發(fā)光層的材料給出的前述的芳香族次甲基系化合物以外，也可以將p型Si、p型SiC等無機化合物作為空穴注入層的材料使用?？昭ㄗ⑷耄斔蛯涌梢酝ㄟ^將本發(fā)明的芳香族胺衍生物例如利用真空蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法、LB法等公知的方法薄膜化而形成。作為空穴注入*輸送層的膜厚沒有特別限制，然而通常為5nm5iim。如果該空穴注入，輸送層在空穴輸送區(qū)域含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物，則既可以用由上述的材料的一種或兩種以上形成的一層來構(gòu)成，也可以是前述空穴注入輸送層還層疊了由別種化合物形成的空穴注入輸送層的層。另外，也可以作為輔助向發(fā)光層中的空穴注入或電子注入的層設置有機半導體層，優(yōu)選具有10—1QS/cm以上的電導率。作為此種有機半導體層的材料，可以使用含噻吩的低聚物或日本特開平8—193191號公報中所公開的含芳基胺的低聚物等的導電性低聚物、含芳基胺的樹枝狀低聚物(fyK、IJ7)等導電性樹枝狀物低聚物等。(6)電子注入輸送層此外，電子注入，輸送層是輔助電子向發(fā)光層中的注入并輸送至發(fā)光區(qū)域的層，電子遷移率大，另外，附著改善層是在該電子注入層中由與陰極的附著特別良好的材料所形成的層。另外，已知由于有機EL元件所發(fā)出的光被電極(該情況下為陰極)反射，因此人們知道直接從陽極取出的發(fā)光與經(jīng)由電極的反射而取出的發(fā)光發(fā)生干涉。為了有效地利用該干涉效應，電子輸送層可以在數(shù)nm數(shù)^m的膜厚中適當?shù)剡x擇，然而當膜厚特別大時，則為了避免電壓上升，在施加lC^10/cm的電場時電子遷移率最好至少處于10—5cm2/Vs以上。作為電子注入層中所用的材料，優(yōu)選8—羥基喹啉或其衍生物的金屬配位化合物或瞎、二唑衍生物。作為上述8—羥基喹啉或其衍生物的金屬配位化合物的具體例，可以舉出含有8—羥基喹啉(一般來說為8-喹啉酚(8一quinolinol)或8-喹啉酮(8—hydroxyquinolin))的螯合物的金屬螯合化8—羥基喹啉(oxinoid)化合物，例如可以將三(8—羥基喹啉)鋁作為電子注入材料使用。另一方面，作為螺二唑衍生物，可以舉出以下面的通式表示的電子傳導性化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、Ar9分別表示取代或未取代的芳基，分別既可以相同，也可以不同。另夕卜，Ar4、Ar7、A^表示取代或未取代的亞芳基，分別既可以相同，也可以不同。這里，作為芳基可以舉出苯基、聯(lián)苯基、蒽基、二萘嵌苯基、芘基等。另外，作為亞芳基可以舉出亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞二萘嵌苯基、亞芘基等。另外，作為取代基可以舉出碳數(shù)為110的烷基、碳數(shù)為110的烷氧基或氰基等。該電子傳導性化合物優(yōu)選薄膜形成性的化合物。作為上述電子傳遞性化合物的具體例，可以舉出下述的化合物。另外，作為電子注入層及電子輸送層中所用的材料，可以使用以下述通式(A)(F)表示的材料。以同時(A)、(B)表示的含氮雜環(huán)衍生物A1、通式(A)及(B)中，A'V各自獨立，是氮原子或碳原子。A—是取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的雜芳基，A—是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳數(shù)為120的垸基、取代或未取代的碳數(shù)為120的烷氧基或者它們的2價的基團。其中，A—及A一的任意一方是取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為1060的稠合環(huán)基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的單雜稠合環(huán)基。L1、！^及L各自獨立，是單鍵、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的雜亞芳基、取代或未取代的亞芴基。R是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳數(shù)為120的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為120的烷氧基，n是05的整數(shù)，在n為2以上的情況下，多個R既可以相同，也可以不同，另外也可以是在相鄰的多個R基之間結(jié)合形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳香族環(huán)。以HAr—L一A一一Ar2(C)表示的含氮雜環(huán)衍生物式中，HAr是也可以具有取代基的碳數(shù)為340的含氮雜環(huán)，L是單鍵、也可以具有取代基的碳數(shù)為660的亞芳基、也可以具有取代基的碳數(shù)為360的雜亞芳基或也可以具有取代基的亞芴基，A—是也可以具有取代基的碳數(shù)為660的2價的芳香族烴基，A一是也可以具有取代基的39碳數(shù)為660的芳基或也可以具有取代基的碳數(shù)為360的雜芳基。以通式(D)表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物式中，X及Y各自獨立，是碳數(shù)為16的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、鏈烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)或者X與Y結(jié)合而形成飽和或不飽和的環(huán)的構(gòu)造，R,R4各自獨立，是氫、鹵原子、取代或未取代的碳數(shù)為l到6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺酰基、磺?；Π被交酋；⒓坠柰榛?、氨基甲?；⒎蓟?、雜環(huán)基、鏈烯基、炔基、硝基、甲?；?、亞硝基、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫代氰酸酯基、異硫代氰酸酯基或氰基或在相鄰的情況下取代或未取代的環(huán)稠合的結(jié)構(gòu)。以通式(E)表示的硼烷衍生物。式中，R,Rs及Z2各自獨立表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族烴基、雜環(huán)基、取代氨基、取代氧硼基、垸氧基或芳氧基，X、Y及Z,各自獨立地表示飽和或不飽和烴基、芳香族烴基、雜環(huán)基、取代氨基、垸氧基或芳氧基，Z,與Z2的取代基也可以相互結(jié)合而形成稠合環(huán)，n表示13的整數(shù)，在n為2以上的情況下，Z,也可以不同。但是，不包括n為1，X、Y及R2為甲基，Rs為氫原子或取代氧硼基的情況；及n為3且Zj為甲基的情況。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>(F)式中，(^及(^各自獨立表示以下述通式(G)表示的配位基，L表示鹵原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、一OR1(R'是氫原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基。)或以一0—Ga—Q3(Q4)(QS及Q"與(^及(^相同)表示的配位基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>(G)式中，環(huán)Ai及V是也可以具有取代基的相互裯合的六元芳環(huán)結(jié)構(gòu)。該金屬配位化合物作為n型半導體的性質(zhì)強，電子注入能力大。另外，由于形成配位化合物時的生成能量低，因此所形成的金屬配位化合物與配位基的結(jié)合性變得牢固，作為發(fā)光材料的熒光量子效率變大。如果要舉出形成通式(G)配位基的環(huán)A'及V的取代基的具體的例子，則可以舉出氯、溴、碘、氟的鹵原子；甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂?；?、三氯甲基等取代或未取代的烷基；苯基、萘基、3—甲基苯基、3—甲氧基苯基、3—氟代苯基、3—三氯甲基苯基、3—三氟甲基苯基、3—硝基苯基等取代或未取代的芳基；甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3—四氟丙氧基、1，1，1，3，3，3—六氟一2—丙氧基、6—(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的烷氧基；苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3—氟代苯氧基、五氟苯基、3—三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基；甲硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或未取代的烷硫基；苯硫基、對硝基苯硫基、對叔丁基苯硫基、3—氟代苯硫基、五氟苯硫基、3—三氟甲基苯硫基等取代或未取代的芳硫基；氰基；硝基；氨基、甲基氨基、二乙基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等單取代或二取代氨基；雙(乙酰氧基甲基)氨基、雙(乙酰氧基乙基)氨基、雙(乙酰氧基丙基)氨基、雙(乙酰氧基丁基)氨基等酰氨基；羥基；甲硅烷氧基；?；患谆被柞；?、二甲基氨基甲?；?、乙基氨基甲酰基、二乙基氨基甲?；⒈被柞；⒍』被柞；⒈交被柞；劝被柞；?；羧基；磺酸基；亞胺基；環(huán)戊垸基、環(huán)己基等環(huán)烷基；苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、柩嗪基、三唑基、吲哚滿基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二瞎烷基、哌啶基、嗎啉基、哌嗪基、三嗪基、咔唑基、呋喃基、噻吩基、隨唑基、聰二唑基、苯并嚼唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、呋喃基等雜環(huán)基等。另外，也可以是以上的取代基之間結(jié)合而形成六元芳環(huán)或雜環(huán)。本發(fā)明的有機EL元件的優(yōu)選實施方式中，有在輸送電子領(lǐng)域或者陰極與有機層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。這里所述的還原性摻雜劑，被定義為能將電子輸送性化合物還原的物質(zhì)。因此，若具有一定的還原性，則可以使用各種物質(zhì)，例如優(yōu)選使用從堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬氧化物、堿金屬鹵化物、堿土金屬氧化物、堿土金屬卣化物、稀土金屬氧化物或稀土金屬鹵化物、堿金屬的有機絡合物、堿土金屬的有機絡合物和稀土金屬的有機金屬絡合物中選出的至少一種物質(zhì)。另外，更具體來說，作為優(yōu)選的還原性摻雜劑，可以舉出選自Na(功函數(shù):2.36eV)、K(功函數(shù):2.28eV)、Rb(功函數(shù):2.16eV)及Cs(功函數(shù)1.95eV)中的至少一種堿金屬；選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.02.5eV)及Ba(功函數(shù)2.52eV)中的至少一種堿土類金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)在2.9eV以下的。它們當中更為優(yōu)選的還原性摻雜劑是選自K、Rb及Cs中的至少一種堿金屬，更優(yōu)選Rb或Cs，最為優(yōu)選的是Cs。這些堿金屬的還原能力特別高，利用向電子注入?yún)^(qū)域的比較少量的添加，就可以實現(xiàn)有機EL元件的發(fā)光亮度的提高或長壽命化。另外，作為功函數(shù)在2.9eV以下的還原性摻雜劑，優(yōu)選兩種以上這些堿金屬的組合，特別優(yōu)選含有Cs的組合，例如優(yōu)選Cs與Na、Cs與K、Cs與Rb、或Cs與Na和K的組合。通過組合地含有Cs，就可以有效地發(fā)揮還原能力，利用向電子區(qū)域中的添加，可以實現(xiàn)有機EL元件的發(fā)光亮度的提高或長壽命化。本發(fā)明中，在陰極與有機層之間也可以還設置由絕緣體或半導體構(gòu)成的電子注入層。此時，可以有效地防止電流的泄漏，提高電子注入性。作為此種絕緣體，優(yōu)選使用選自堿金屬硫?qū)倩?、堿土類金屬硫?qū)倩?、堿金屬鹵化物及堿土類金屬的鹵化物中的至少一種金屬化合物。如果電子注入層由這些堿金屬硫?qū)倩锏葮?gòu)成，則可以進一步提高電子注入性，在這一點上是理想的。具體來說，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)倩?，例如可以舉出Li20、K20、Na2S、Na2Se&Na20，作為優(yōu)選的堿土類金屬硫?qū)倩铮缈梢耘e出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的卣化物，例如可以舉出LiF、NaF、KF、CsF、LiCl、KC1及NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土類金屬的鹵化物，例如可以舉出CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物、氟化物以外的鹵化物。,另外，作為構(gòu)成電子輸送層的半導體，可以舉出含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等的單獨一種或兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子輸送層的無機化合物優(yōu)選微晶或非晶型的絕緣性薄膜。如果電子輸送層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，則可以形成更為均勻的薄膜，因此可以減少暗點等像素缺陷。而且，作為此種無機化合物，可以舉出上述的堿金屬硫?qū)倩?、堿土類金屬硫?qū)倩铩A金屬的鹵化物及堿土類金屬的鹵化物等。作為陰極，為了向電子注入，輸送層或發(fā)光層中注入電子，可以使用將功函數(shù)小的(4eV以下的)金屬、合金、導電性化合物及它們的混合物作為電極物質(zhì)的材料。作為此種電極物質(zhì)的具體例，可以舉出鈉、鈉一鉀合金、鎂、鋰、鎂，銀合金、鋁/氧化鋁、鋁*鋰合金、銦、稀土類金屬等。該陰極可以通過將這些電極物質(zhì)利用蒸鍍或濺射等方法形成薄膜而制作。這里，在從陰極中取出來自發(fā)光層的發(fā)光的情況下，陰極對發(fā)光的透過率優(yōu)選大于10%。另外，作為陰極的片電阻優(yōu)選為數(shù)百Q(mào)/口以下，另外，膜厚通常為10nm1ym，優(yōu)選為50200nrn。(8)絕緣層有機EL元件由于是對超薄膜施加電場，因此容易產(chǎn)生由漏電或短路造成的像素缺陷。為了防止它，也可以在一對電極間插入絕緣性的薄膜層。作為絕緣層中所用的材料，例如可以舉出氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化纟丐、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等，也可以使用它們的混合物或疊層物。(9)有機EL元件的制造方法通過利用以上所例示的材料及形成方法來形成陽極、發(fā)光層、根據(jù)需要形成的空穴注入輸送層以及根據(jù)需要形成的電子注入輸送層，繼而形成陰極，就可以制作有機EL元件。另外，可以從陰極到陽極或以與前述相反的順序來制作有機EL元件。下面，對在透光性基板上依次設置了陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極的構(gòu)成的有機EL元件的制作例進行說明。首先，在適當?shù)耐腹庑曰迳?，利用蒸鍍或濺射等方法以達到lum以下，優(yōu)選達到10200nm的范圍的膜厚的方式，形成由陽極材料構(gòu)成的薄膜，制成陽極。然后，在該陽極上設置空穴注入層。空穴注入層的形成可以如前所述利用真空蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法、LB法等方法來進行，然而從容易獲得均勻的膜，并且難以產(chǎn)生針孔等方面考慮，優(yōu)選利用真空蒸鍍法來形成。在利用真空蒸鍍法形成空穴注入層的情況下，其蒸鍍條件雖然根據(jù)所用的化合物(空穴注入層的材料)、所需的空穴注入層的晶體結(jié)構(gòu)或復合結(jié)構(gòu)等而不同，然而一般來說優(yōu)選在蒸鍍源溫度50450°C、真空度10—7l(T3Torr、蒸鍍速度0.0150nm/秒、基板溫度一50300。C、膜厚5nm5um的范圍中適當?shù)剡x擇。然后，在該空穴注入層上設置發(fā)光層，該發(fā)光層的形成也可以通過使用所需的有機發(fā)光材料利用真空蒸鍍法、濺射、旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法等方法，將有機發(fā)光材料薄膜化來形成，然而從容易獲得均勻的膜，并且難以產(chǎn)生針孔等方面考慮，優(yōu)選利用真空蒸鍍法來形成。在利用真空蒸鍍法形成發(fā)光層的情況下，其蒸鍍條件雖然根據(jù)所用的化合物而不同，然而一般來說可以從與空穴注入層的形成相同的條件范圍中選擇。然后，在該發(fā)光層上設置電子注入層。與空穴注入層、發(fā)光層相同，由于需要獲得均勻的膜，因此優(yōu)選利用真空蒸鍍法來形成。蒸鍍條件可以從與空穴注入層、發(fā)光層相同的條件范圍中選擇。雖然隨著在發(fā)光區(qū)域或空穴輸送區(qū)域的某個層中含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物而不同，然而在使用真空蒸鍍法的情況下，可以進行與其他材料的共蒸鍍。另外，在使用旋轉(zhuǎn)涂覆法的情況下，可以通過與其他的材料混合的方式含有。最后層疊陰極就可以獲得有機EL元件。由于陰極由金屬構(gòu)成，因此可以使用蒸鍍法、濺射。但是，為了避免在制成基底的有機物層時的損傷，優(yōu)選真空蒸鍍法。該有機EL元件的制作最好用一次的真空抽吸連續(xù)地從陽極制作到陰極。本發(fā)明的有機EL元件的各層的形成方法沒有特別限定?？梢允褂靡酝恼婵照翦兎?、旋轉(zhuǎn)涂覆法等形成方法。含有本發(fā)明的有機EL元件中所用的以前述通式(1)表示的化合物的有機薄膜層可以利用真空蒸鍍法、分子線蒸鍍法(MBE法)或溶解于溶劑中的溶液的浸漬法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法、棒涂法、輥涂法等涂布法的公知的方法來形成。本發(fā)明的有機EL元件的各有機層的膜厚沒有特別限制，然而一般來說，如果膜厚過小，則容易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反如果過大，則需要很高的施加電壓，效率變差，因此通常優(yōu)選數(shù)nm到l!xm的范圍。其中，對有機EL元件施加直流電壓的情況下，若以陽極為+，以陰極為-,則一旦施加540V電壓就能觀測到發(fā)光。而且，在相反極性下施加電壓，電流不會流過而完全不發(fā)光。此外施加交流電的情況下，僅當陽極為+極性而且陰極為-極性時，才可以觀測到均一發(fā)光。施加交流的波形可以任意。實施例45下面，基于合成例及實施例對本發(fā)明進行進一步詳細說明。合成例1-14中合成的中間體114的結(jié)構(gòu)如下所示。合成例l(中間體l的合成)在氬氣氣流下，向1000mL的三口燒瓶中加入4一溴聯(lián)苯47g、碘23g、高碘酸二水合物9.4g、水42mL、乙酸360mL、硫酸llmL，在65"C下攪拌30分鐘后，在9(TC下反應6小時。將反應物注入冰水，過濾。通過在用水清洗后，用甲醇清洗，得到了67g白色粉末。利用FD—MS的分析，由于對照C12H15BrI=359，得到m/z=358和360的主峰，因此鑒定為中間體l-o合成例2(中間體2的合成)、、，、s逸叵務寸拔叵ci"C逸阮，I4"z逸叵4"I錄尿一務IQ199To,oi在氬氣氣流下，向300mL的三口燒瓶中加入對三聯(lián)苯10g、碘12g、高碘酸二水合物4.9g、水20mL、乙酸170mL、硫酸22mL，在65。C下攪拌30分鐘后，在9(TC下反應6小時。將反應物注入冰水，過濾。通過在用水清洗后，用甲醇清洗，得到了18g白色粉末。利用FD—MS的分析，由于對照(:18111212=482，得到m/z二482的主峰，因此鑒定為中間體2。合成例3(中間體3的合成)在氬氣氣流下，向1000mL的三口燒瓶中加入對4一二苯并呋喃硼酸42.4g、4—碘溴苯56.0g、四(三苯基膦)鈀(Pd(PPh3)4)6.9g、2M的碳酸鈉(Na2C03)溶液320mL、甲苯320mL后，在8(TC下反應8小時。將反應物用甲苯/水萃取，用無水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，通過將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，得到了28.5g的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體3。合成例4(中間體4的合成)除了在合成例3中，取代4一碘溴苯而使用了71g中間體1以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到了42.4g白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體3。合成例5(中間體5的合成)在氬氣氣流下，向500mL的三口燒瓶中加入利用文獻記載(J.Org.Chem;62;5;1997;1348—1355)的合成法得到的2—溴二苯并呋喃24.9g、脫水醚80mL及脫水甲苯80mL。在一3(TC下投入正丁基鋰/己烷溶液120mmo1，在O'C下反應lh。冷卻為一70°C，投入70rnL的硼酸三異丙酯(B(OiPr)3)，慢慢地升溫到室溫，攪拌lh。在將添加了10%鹽酸80mL的溶液用乙酸乙酯/水萃取后，用無水硫酸鈉干燥。通過將溶液濃縮，用己烷清洗，得到了硼酸化合物10.4g。除了在合成例3中，取代4一二苯并呋喃硼酸而使用了42.4g上述操作中得到的2—二苯并呋喃硼烷以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到了24.6g的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體5。合成例6(中間體6的合成)在氬氣氣流下，加入5.5g苯胺、16.2g中間體3、6.8g叔丁氧基鈉(廣島和光公司制)、0.46g三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(Aldrich公司制)及300mL脫水甲苯，在8(TC下反應了8小時。冷卻后，加入500mL水，對混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，用甲苯重結(jié)晶，將其過濾后，干燥，結(jié)果得到10.1g淡黃色粉末。利用FD一MS的分析，鑒定為中間體6。合成例7(中間體7的合成)在氬氣氣流下，加入10g中間體6、8.8g的1—溴一4一碘苯(Aldrich公司制)、3g叔丁氧基鈉(廣島和光公司制)、0.5g雙(三苯基膦)氯化鈀(II)(東京化成公司制)及500mL二甲苯，在13(TC下反應24小時。冷卻后，加入1000mL水，對混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，用甲苯重結(jié)晶，將其過濾后，干燥，結(jié)果得到3々淡黃色粉末。利用FD一MS的分析，鑒定為中間體7。合成例8(中間體8的合成)除了在合成例3中，取代4一碘溴苯而使用了71g的4一溴苯胺以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到了26.4g的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體8。合成例9(中間體9的合成)除了在合成例7中，取代中間體3而使用了5.2g的二苯基胺，取代l一溴一4一碘苯而使用了ll.Og的中間體l以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到了2.68的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體9。合成例10(中間體10的合成)除了在合成例6中，取代苯胺而使用了13.0g中間體8，取代中間體4而使用了11.6g的4一溴聯(lián)苯以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到了13.1g的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體10。合成例11(中間體11的合成)在氬氣氣流下，加入547g的l一乙酰胺萘(東京化成公司制)、400g的4，4，一二碘聯(lián)苯(和光純藥公司制)、544g的碳酸鉀(和光純藥公司制)、12.5g的銅粉(和光純藥公司制)及2L的十氫化萘，在190'C下反應了4天。48反應后冷卻，添加2L甲苯，濾出不溶成分。將濾出物溶于4.5L的氯仿中，除去不溶成分后，進行活性炭處理，濃縮。向其中添加3L的丙酮，濾出382g析出晶體。將其懸濁于5L的乙二醇(和光純藥公司制)、50mL的水中，添加了145g的85%氫氧化鉀水溶液后，在120'C下反應2小時。反應后，向10L水中注入反應液，濾出析出晶體，用水、甲醇清洗。將所得的晶體加熱溶解于3L的四氫呋喃中，進行活性炭處理后濃縮，加入丙酮而析出晶體。將其濾出，得到了264g的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體ll。合成例12(中間體12的合成)向200mL的三口燒瓶中，加入20.0g的4一溴聯(lián)苯(東京化成公司制)、8.64g的叔丁氧基鈉(和光純藥公司制)、84mg的乙酸鈀(和光純藥公司制)。再加入攪拌子，在燒瓶的兩側(cè)安裝橡膠帽，在中央的口安裝回流用蛇管，在其上安裝三通旋塞和封入了氬氣的氣球，使用真空泵將體系內(nèi)用氣球內(nèi)的氬氣進行3次置換。然后，用注射器穿過橡膠隔片加入120mL的脫水甲苯(廣島和光公司制)、4.08mL的芐胺(東京化成公司制)、338yL的三叔丁基膦(AIdrich公司制、2.22mol/L甲苯溶液)，在室溫下攪拌5分鐘。然后，將燒瓶安放于油浴中，在攪拌溶液的同時慢慢地升溫到120°C。7小時后，從油浴中取出燒瓶而結(jié)束反應，在氬氣氣氛下，放置12小時。將反應溶液移到分液漏斗中，加入600mL的二氯甲垸，將沉淀物溶解，用120mL的飽和食鹽水清洗后，將有機層用無水碳酸鉀干燥。將濾出碳酸鉀而得的有機層的溶劑蒸餾除去，向所得的殘渣中加入400mL的甲苯、80mL的乙醇，安裝干燥管而加熱為8(TC，將殘渣完全地溶解。其后，通過放置12小時，冷卻到室溫，而將其重結(jié)晶。濾出析出的晶體，在6(TC下真空干燥，得到了13.5g的N，N—二一(4一聯(lián)苯基)一芐胺。向300mL的單口燒瓶中，加入1.35g的N，N—二一(4一聯(lián)苯基)一芐胺、135mg的鈀一活性炭(廣島和光公司制、鈀含量為10重量％)，加入100mL的氯仿、20mL的乙醇而溶解。然后，在向燒瓶中加入攪拌子后，在燒瓶上安裝三通旋塞，其上安裝有填充了2L氫氣的氣球，使用真空泵將燒瓶體系內(nèi)用氫氣置換10次。重新填充減少了的氫氣，使氫氣的容積再達到2L后，在室溫下劇烈地攪拌溶液。攪拌30小時后，加入100mL的二氯甲烷，濾出催化劑。然后，將所得的溶液移至分液漏斗中，用50mL的碳酸鈉飽和水溶液清洗后，分離有機層，用無水碳酸鉀干燥。過濾后，將溶劑蒸餾除去，向所得的殘渣中加入50mL的甲苯，將其重結(jié)晶。通過濾出所析出的晶體，在5(TC下真空干燥，得到了0.99g的二一4一聯(lián)苯基胺。在氬氣氣流下，加入10g的二一4—聯(lián)苯基胺、9.7g的4，4'一二溴聯(lián)苯(東京化成公司制)、3g的叔丁氧基鈉3g(廣島和光公司制)、0.5g的雙(三苯基膦)氯化鈀(II)(東京化成公司制)及500mL的二甲苯，在13(TC下反應24小時。冷卻后，加入1000mL的水，將混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，用甲苯重結(jié)晶，將其濾出后，干燥，結(jié)果得到9.1g的下述4，一溴一N，N—二聯(lián)苯基一4一氨基一1，l，一聯(lián)苯(中間體12)。合成例13(中間體13的合成)除了在合成例10中，取代4一溴聯(lián)苯而使用了8.0g的1—溴萘以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到9.6g的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體13。合成例14(中間體14的合成)除了在合成例10中，取代4一溴聯(lián)苯而使用了16.1g的中間體3以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到10.5g的白色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為中間體14。下述合成實施例115中合成的作為本發(fā)明的芳香族胺衍生物的化合物H115及比較例1中使用的比較化合物1的結(jié)構(gòu)如下所示。50<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>合成實施例1(化合物H1的合成)在氬氣氣流下，加入3.4gN，N'—二苯基聯(lián)苯胺、6.8g的中間體3、2.6g的叔丁氧基鈉(廣島和光公司制)、92mg的三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(Aldrich公司制)、42mg的三叔丁基膦及100mL的脫水甲苯，在80匸下反應8小時。冷卻后，加入500mL的水，將混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，用甲苯重結(jié)晶，將其濾出后，干燥，結(jié)果得到了4.1g的淡黃色粉末。利用FD—MS(場解析質(zhì)譜)的分析，鑒定為化合物H1。合成實施例2(化合物H2的合成)在氬氣氣流下，加入4.1g的4，4'一二碘聯(lián)苯、7.0g的中間體8、2.6g的叔丁氧基鈉(廣島和光公司制)、92mg的三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(Aldrich公司制)、42mg的三叔丁基膦及100mL的脫水甲苯，在8(TC下反應8小時。冷卻后，加入500mL的水，將混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，用甲苯重結(jié)晶，將其濾出后，干燥，結(jié)果得到了4.9g的淡黃色粉末。利用FD—MS(場解析質(zhì)譜)的分析，鑒定為化合物H2。合成實施例3(化合物H3的合成)除了在合成實施例1中，取代N，N，一二苯基聯(lián)苯胺而使用了4.4g的中間體ll以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到5.28的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H3。合成實施例4(化合物H4的合成)除了在合成實施例1中，取代中間體3而使用了8.4g的中間體4以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到4.6g淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H4。合成實施例5(化合物H5的合成)除了在合成實施例1中，取代中間體3而使用了6.8g的中間體5以外，同樣地迸行了反應，結(jié)果得到3.9g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H5。合成實施例6(化合物H6的合成)在氬氣氣流下，加入8.2g的中間體10、11.0g的中間體12、2.6g的叔丁氧基鈉(廣島和光公司制)、92mg的三(二亞芐基丙酮)二鈀(O)(Aldrich公司制)、42mg的三叔丁基膦及100mL的脫水甲苯，在8(TC下反應8小時。冷卻后，加入500mL的水，將混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，用甲苯重結(jié)晶，將其濾出后，干燥，結(jié)果得到了13.1g的淡黃色粉末。利用FD—MS(場解析質(zhì)譜)的分析，鑒定為化合物H6。合成實施例7(化合物H7的合成)除了在合成實施例6中，取代中間體10而使用了6.5g的中間體6以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到8.2g的淡黃色粉末。利用FD—M^的分析，鑒定為化合物H7。合成實施例8(化合物H8的合成)除了在合成實施例6中，取代中間體10而使用了7.7g的中間體13以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到10.2g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H8。合成實施例9(化合物H9的合成)除了在合成實施例6中，取代中間體10而使用了10.3g的中間體14以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到15.1g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H9。合成實施例10(化合物H10的合成)除了在合成實施例2中，取代4，4'一二碘聯(lián)苯而使用了4.8g的二溴三聯(lián)苯，取代中間體10而使用了7.0g的中間體6以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到4.8g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物mo。合成實施例ll(化合物H11的合成)除了在合成實施例2中，取代4，4'—二碘聯(lián)苯而使用了3.3g的1.4一二碘苯以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到4.1g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物Hll。合成實施例12(化合物H12的合成)除了在合成實施例1中，取代N，N'—二苯基聯(lián)苯胺而使用了2.6g的中間體IO，取代中間體3而使用了8.4g的中間體9以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到5.9g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H12。合成實施例13(化合物H13的合成)除了在合成實施例l中，取代中間體3而使用了10.3g的中間體7以54外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到6.5g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H13。合成實施例14(化合物H14的合成)在氬氣氣流下，向300mL的三口燒瓶中加入6.3g的4一二苯并呋喃硼酸、4.8g的4，4，，4"—三溴三苯基胺、104mg的四(三苯基膦)鈀(Pd(PPh3)4)、48mL的2M的碳酸鈉(Na2C03)溶液、48mL的甲苯后，在8(TC下反應8小時。將反應物用甲苯/水萃取，用無水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，通過將所得的粗產(chǎn)物進行柱提純，得到了3.9g的白黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H14。合成實施例15(化合物H15的合成)除了在合成實施例10中，取代4一二苯并呋喃硼酸而使用了6.8g的4一二苯并噻吩硼酸，取代4，4，，4"—三溴三苯基胺而使用了5.1g的N，N，一二苯基聯(lián)苯胺以外，同樣地進行了反應，結(jié)果得到7.2g的淡黃色粉末。利用FD—MS的分析，鑒定為化合物H15。實施例1(有機EL元件的制造)在將25mmX75mmXl.lmm厚的帶ITO透明電極的玻璃基板(GEOMATEC公司制)在異丙醇中進行了5分鐘超聲波清洗后，進行30分鐘UV臭氧清洗。將清洗后的帶透明電極線的玻璃基板安裝于真空蒸鍍裝置的基板夾具上，首先在形成有透明電極線的一側(cè)的面上將前述透明電極覆蓋地形成膜厚60nm的下述化合物H232的膜。該H232膜作為空穴注入層發(fā)揮作用。在該H232膜上作為空穴輸送材料形成膜厚20nm的上述化合物Hl層。該膜作為空穴輸送層發(fā)揮作用。繼而蒸鍍形成了膜厚40nm的下述化合物EM1的膜。同時，作為發(fā)光分子，蒸鍍了下述的具有苯乙烯基的胺化合物Dl，使得EM1與D1的重量比達到40:2。該膜作為發(fā)光層發(fā)揮作用。在該膜上形成膜厚10nm的下述Alq膜。它作為電子注入層而發(fā)揮作用。其后二元蒸鍍作為還原性摻雜劑的Li(Li源SAESGETTER公司制)和Alq，作為電子注入層(陰極)形成Alq:Li膜(膜厚10nm)。在該Alq:Li膜上蒸鍍金屬Al，形成金屬陰極，從而制成有機EL元件。另外，對所得的有機EL元件測定了發(fā)光效率，觀察了發(fā)光顏色。發(fā)光效率是使用Minolta制CS1000測定亮度，算出10mA/cm2的發(fā)光效率。另外，測定了初期亮度5000cd/cm2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下的發(fā)光的減半壽命，將結(jié)果表示于表l中。實施例29(有機EL元件的制造)除了在實施例1中，作為空穴輸送材料取代化合物H1而使用了表1中所示的化合物以外，相同地制作了有機EL元件。對所得的有機EL元件，測定了發(fā)光效率，觀察了發(fā)光顏色，另外，測定了初期亮度5000cd/cm2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下的發(fā)光的減半壽命，將結(jié)果表示于表l中。比較例1除了在實施例1中，作為空穴輸送材料取代化合物H1而使用了比較化合物l(比較例l)以外，相同地制作了有機EL元件。比較例化合物l在蒸鍍時結(jié)晶化，無法制成真正的元件。另外，對所得的有機EL元件，測定了發(fā)光效率，觀察了發(fā)光顏色，另外，測定了初期亮度5000cd/cm2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下的發(fā)光的減半壽命，將結(jié)果表示于表l中。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>表1<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table>實施例10(有機EL元件的制造)除了在實施例1中，取代具有苯乙烯基的胺化合物D1而使用了下述的化合物D2以外，相同地制作了有機EL元件。Me為甲基。對所得的有機EL元件，測定了發(fā)光效率，其結(jié)果為4.9cd/A,發(fā)光顏色為藍色。另外，測定了初期亮度5000cd/cm2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下的發(fā)光的減半壽命，其結(jié)果為430小時。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula>比較例2除了在實施例10中，作為空穴輸送材料取代化合物H1而使用了上述比較化合物l以外，相同地制作了有機EL元件。對所得的有機EL元件，測定了發(fā)光效率，其結(jié)果為4.9cd/A，發(fā)光顏色為藍色。另外，測定了初期亮度5000cd/cm2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下的發(fā)光的減半壽命，其結(jié)果為260小時。實施例ll(有機EL元件的制造)除了在實施例1中，取代化合物H232而使用了Hl，取代Hl而使用了比較化合物l以外，相同地制作了有機EL元件。對所得的有機EL元件，測定了發(fā)光效率，其結(jié)果為5.1cd/A，發(fā)光顏色為藍色。另外，測定了初期亮度5000cd/cm2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下的發(fā)光的減半壽命，其結(jié)果為360小時。工業(yè)上的利用可能性如上詳細說明所示，本發(fā)明的芳香族胺衍生物的分子難以結(jié)晶化，通過在有機薄膜層中含有它，就可以提高制造有機EL元件之時的成品率，實現(xiàn)壽命長的有機EL元件。權(quán)利要求1.一種以下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物，式中，R1是氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為1～50的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1～50的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為2～50的烷氧基羰基、由被取代或未被取代的環(huán)原子數(shù)為5～50的芳基取代了的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基；a為0～4的整數(shù)，b為1～3的整數(shù)；多個R1之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；Ar1～Ar4中的至少一個以下述通式(2)表示，式中，R2及R3各自獨立地選自與所述通式(1)的R1相同的基團；X為氧、硫、硒或碲；c為0～6的整數(shù)，d為0～3的整數(shù)，e為1～3的整數(shù)；多個R2或R3之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；在e為2以上且d不為0時，多個R3也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；通式(1)中，Ar1～Ar4中的不以通式(2)表示的基團各自獨立地為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～50的芳基，或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為5～50的芳香族雜環(huán)基。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中，Ar,Ar4中的至少一個以下述通式(3)表示，式中，R4R6各自獨立地選自與所述通式(1)的^相同的基團；X為氧或硫原子；f及h分別為04的整數(shù)，g為03的整數(shù)，i為l3的整數(shù)；多個R4或R5或R6之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；在i為2以上且h不為0時，多個也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(l)中，Ar,與Ar2由所述通式(2)或所述通式(3)表示。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(l)中，Ar,與Ar3由所述通式(2)或所述通式(3)表示。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(l)中，僅An由所述通式(2)或所述通式(3)表示。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中，b為2。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(2)中，e為1。8.根據(jù)權(quán)利要求16中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(3)中，i為1。9.根據(jù)權(quán)利要求18中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(2)中，X為氧原子。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(l)中，Af2由下述通式(4)表示，式中，R7選自與所述通式(1)的R,相同的基團；j為04的整數(shù)，k為13的整數(shù)；多個R7之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；在k為2以上且j不為0時，多個R7也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；Ai"6及Ar7各自獨立地為通式(3)、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基或取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基。11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(l)中，A&及Ar4各自獨立地由所述通式(4)表示。12.—種以下述通式(5)表示的芳香族胺衍生物，N——Ar9(5)Ar7Ar9中的至少一個由下述通式(3)表示，式中，R4R6各自獨立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為250的烷氧基羰基、由被取代或未被取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基取代了的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基；X為氧或硫原子；f及h分別為04的整數(shù)，g為03的整數(shù)，i為l3的整數(shù)；多個R4或R5或R6之間也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；在i為2以上且h不為0時，多個&也可以相互結(jié)合而形成飽和或不飽和的也可以被取代的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；通式(5)中，AnAr3中并非通式(3)的基團各自獨立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸氧基、取代或未取代的碳數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為250的烷氧基羰基、由被取代或未被取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳基取代了的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或羧基。13.根據(jù)權(quán)利要求112中任一項所述的芳香族胺化合物，其為有機電致發(fā)光元件用材料。14.根據(jù)權(quán)利要求112中任一項所述的芳香族胺化合物，其為有機電致發(fā)光元件用空穴注入材料或空穴輸送材料。15.—種有機電致發(fā)光元件，它是在陰極與陽極之間夾持有至少包含發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，所述有機薄膜層的至少一層中作為單獨的成分或作為混合物的成分地含有權(quán)利要求112中任一項所述的芳香族胺衍生物。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機薄膜層具有空穴注入層或空穴輸送層，在所述空穴注入層或空穴輸送層中含有權(quán)利要求112中任一項所述的芳香族胺。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述發(fā)光層中含有苯乙烯胺及/或芳胺。18.根據(jù)權(quán)利要求1517中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，進行藍色系發(fā)光。全文摘要本發(fā)明涉及具有特定結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物及在陰極與陽極之間夾持有至少包含發(fā)光層的由一層或多層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件，其中，該有機薄膜層的至少一層中特別是正孔輸送層作為單獨的成分或混合物的成分地含有所述芳香族胺衍生物，由此提供一種分子結(jié)晶化難、制造有機電致發(fā)光元件時的成品率提高、壽命長的有機電致發(fā)光元件。文檔編號C07D333/76GK101432272SQ20078001487公開日2009年5月13日申請日期2007年3月28日優(yōu)先權(quán)日2006年4月26日發(fā)明者井上哲也,藪乃內(nèi)伸浩申請人:出光興產(chǎn)株式會社