1.一種用于在真空室中將鍍層沉積在基底上的濺鍍裝置(100)，所述濺鍍裝置包括：
-至少一個端塊(120)，每個所述至少一個端塊均適于保持圓柱形靶(160)，所述靶(160)具有在第一方向上的縱向軸線，
-第一驅(qū)動器件(190)，所述第一驅(qū)動器件用于提供所述至少一個圓柱形靶(160)圍繞其縱向軸線的旋轉(zhuǎn)運動，
-第二驅(qū)動器件(145)，所述第二驅(qū)動器件用于在第二方向上對所述至少一個端塊(120)施加平移運動，從而在沿著所述第二方向的所述運動軌跡的至少相當大的部分期間保持所述靶的軸線平行，以及
其中，所述第一和第二驅(qū)動器件(190、145)適于在濺鍍期間在所述真空室中同時操作。
2.如權利要求1所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第一驅(qū)動器件(190)被配置為大體上不改變來自所述靶的空間粒子噴射分布，而所述第二驅(qū)動器件(145)被配置為保持所述空間粒子噴射分布的方向。
3.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置，其中，借助于所述第一驅(qū)動器件的運動不旨在影響沿著基底上的曲線濺鍍在所述基底上的鍍層的均勻性，所述基底上的曲線在靶和基底之間相對運動的情況下由所述靶的濺鍍位置在所述基底上的投影所限定。
4.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置，其中，借助于所述第二驅(qū)動器件的運動使得沿著基底上的曲線而沉積在基底上的鍍層的鍍層性質(zhì)的偏差小于預定的鍍層性質(zhì)偏差容限，所述基底上的曲線在靶和基底之間相對運動的情況下由所述靶的濺鍍位置在基底上的投影所限定。
5.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其用于在基底上沉積鍍層，所述基底具有在長度方向上的長度和在寬度方向上的寬度，其中，所述第一方向沿著所述寬度方向定位，所述第二方向沿著所述基底(170)的長度方向。
6.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第二驅(qū)動器件(145)適于在超過端塊(120)的長度的兩倍長度上沿所述第二方向?qū)λ鲋辽僖粋€端塊(120)施加運動。
7.如權利要求6所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第二驅(qū)動器件(145)適于在所述基底(170)的大體整個長度上沿所述第二方向?qū)λ鲋辽僖粋€端塊(120)施加運動。
8.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第二方向具有橫向于所述基底表面或橫向于所述基底的運動方向的分量。
9.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第二方向具有沿所述第一方向的分量。
10.如權利要求1至8中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第二方向定向成垂直于所述第一方向。
11.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第二驅(qū)動器件(145)適于在所述第二方向上對所述至少一個端塊(12)施加運動，以使所述靶的軸線在沿所述第二方向的整個運動上保持平行。
12.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第一驅(qū)動器件(190)能夠在真空條件下操作，或者其中，所述第一驅(qū)動器件設置在密封箱(195)內(nèi)部，所述密封箱可借助于第二驅(qū)動器件與所述至少一個端塊(120)一起運動。
13.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，所述濺鍍裝置包括多個端塊，至少第一端塊(120)適于保持至少一個第一圓柱形靶且第二端塊(220)適于保持至少一個第二圓柱形靶。
14.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，所述濺鍍裝置(100)包括用于驅(qū)動能夠位于圓柱形靶(160)中的縱向磁體配置的第三驅(qū)動器件，其中，所述第三驅(qū)動器件適于限定沿著與所述第一方向在基底上的垂直投影相對應的方向濺鍍在所述基底(170)上的鍍層的均勻性。
15.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，包括第四驅(qū)動器件，所述第四驅(qū)動器件用于沿著平行于第一方向的軸線來轉(zhuǎn)動縱向磁體配置，所述縱向磁體配置可位于圓柱形靶(160)中。
16.如權利要求15所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述第四驅(qū)動器件適于將濺鍍通量的受控角度保持在有待沉積鍍層的基底的表面上。
17.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，包括陰極組件(330)，所述陰極組件適于保持一個或多個端塊(120)，每個端塊適于以陣列配置安裝圓柱形靶(160)，且
其中一個或多個特定的圓柱形靶能夠朝著基底(170)定向并能夠被選擇為在濺鍍期間被供電。
18.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，所述濺鍍裝置包括控制器(410)，所述控制器適于控制：
-所述至少一個端塊(120)在所述第二方向上的速度，和/或
-施加到所述至少一個圓柱形靶(160)的功率，和/或
-所述至少一個圓柱形靶(160)的轉(zhuǎn)速，和/或
-磁棒在所述至少一個圓柱形靶(160)內(nèi)的位置，和/或
-沿著所述至少一個圓柱形靶的氣體分布。
19.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，由所述第二驅(qū)動器件(145)施加的所述至少一個端塊(120)在所述第二方向上的運動是線性運動。
20.如前述權利要求中任一項所述的濺鍍裝置(100)，其中，所述至少一個端塊(120)沿所述第二方向的速度是恒定的。
21.一種用于在真空室中濺鍍基底的方法，所述方法包括以下步驟：使圓柱形靶圍繞其定向在第一方向上的縱向軸線旋轉(zhuǎn)，同時沿第二方向移動所述圓柱形靶，從而在沿著所述第二方向的運動軌跡的至少相當大的部分期間使所述靶的軸線保持平行。
22.如權利要求21所述的方法，其中，在第一步驟中，一組至少一個第一圓柱形靶沿所述濺鍍室的第二方向運動，并且其中，在第二步驟中，一組至少一個第二圓柱形靶沿所述濺鍍室的第二方向運動。
23.一種用于控制至少一個圓柱形靶在濺鍍裝置的真空室中的運動的控制器，所述運動包括第一分量，所述第一分量是圍繞所述至少一個圓柱形靶定向在第一方向上的縱向軸線的旋轉(zhuǎn)運動，同時所述運動包括第二分量，所述第二分量是在第二方向上的平移運動，從而在沿著所述第二方向的運動軌跡的至少相當大的部分期間使所述靶的軸線保持平行。