本申請(qǐng)屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體講,涉及一種量子點(diǎn)膜片、其制備方法及其背光模組和液晶顯示器。
背景技術(shù):
量子點(diǎn)(Quantum Dot,簡(jiǎn)稱QD)技術(shù),是把電子束縛在一定范圍內(nèi)的半導(dǎo)體納米材料結(jié)構(gòu)技術(shù),其由尺寸大小在1~100nm的超小化合物結(jié)晶體構(gòu)成。在量子點(diǎn)技術(shù)中,可利用不同尺寸大小的結(jié)晶體控制光的波長(zhǎng),進(jìn)而精確控制光的顏色。因此,量子點(diǎn)材料被應(yīng)用于背光模塊中,采用高頻譜光源(例如藍(lán)光LED)取代傳統(tǒng)白光LED光源,量子點(diǎn)材料在高頻光源的照射下,可被激發(fā)產(chǎn)生不同波長(zhǎng)的光,通過(guò)調(diào)整量子點(diǎn)材料的尺寸大小,即可調(diào)節(jié)合成光的顏色,實(shí)現(xiàn)高色域(諸如100%NTSC)的液晶顯示器的背光要求。
隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展,消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品的色域要求越來(lái)越高,高色域設(shè)計(jì)也成為了電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的重要方向。目前最有潛力的解決方案是采用量子點(diǎn)背光,主要分為量子點(diǎn)膜或量子點(diǎn)管技術(shù)。前者存在邊緣失效現(xiàn)象,后者使用壽命較短。在高色域產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,目前主流的方式是采用量子點(diǎn)膜片來(lái)實(shí)現(xiàn)高色域轉(zhuǎn)換,此種膜片具有較高效率的色域轉(zhuǎn)換功能。然而,此種膜片在裁切時(shí)會(huì)導(dǎo)致裁切裸露的量子點(diǎn)被侵蝕而失效,使藍(lán)光露出,造成約1mm的邊緣失效。如果在量子點(diǎn)膜四周進(jìn)行封膠涂布,雖然涂布的密封膠可以阻止對(duì)量子點(diǎn)的侵蝕,但由于具有一定寬度,也影響顯示。因此,為了達(dá)到高色域而使用量子點(diǎn)膜時(shí),背光模組需要加寬邊框來(lái)遮蔽邊緣藍(lán)光或者四周密封膠,無(wú)法滿足窄邊框的設(shè)計(jì)要求。
鑒于此,特提出本申請(qǐng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本申請(qǐng)的首要發(fā)明目的在于提出一種量子點(diǎn)膜片。
本申請(qǐng)的第二發(fā)明目的在于提出包括該量子點(diǎn)膜片的背光模組。
本申請(qǐng)的第三發(fā)明目的在于提出包括該量子點(diǎn)膜片的液晶顯示器。
本申請(qǐng)的第四發(fā)明目的在于提出該量子點(diǎn)膜片的制備方法。
為了完成本申請(qǐng)的目的,采用的技術(shù)方案為:
本申請(qǐng)涉及一種量子點(diǎn)膜片,包括第一阻隔膜、第二阻隔膜以及位于第一阻隔膜和第二阻隔膜之間的量子點(diǎn)層,所述量子點(diǎn)層包括主體涂布區(qū)和位于所述主體涂布區(qū)至少一個(gè)邊緣的邊緣涂布區(qū),所述邊緣涂布區(qū)中設(shè)置有緩釋量子點(diǎn)材料。
可選的,所述緩釋量子點(diǎn)材料包括多孔材料和填充于所述多孔材料中的量子點(diǎn)。
可選的,所述多孔材料的孔徑小于100nm。
可選的,所述多孔材料的中值粒徑小于或等于200nm。
可選的,所述量子點(diǎn)的粒徑為大于或等于1nm,且小于或等于20nm。
可選的,所述多孔材料與所述量子點(diǎn)的質(zhì)量比為1:3~5。
可選的,所述多孔材料與所述量子點(diǎn)的質(zhì)量比為1:4。
可選的,所述多孔材料選自埃洛石,所述埃洛石的長(zhǎng)度小于或等于200nm,所述埃洛石的直徑小于或等于50nm。
本申請(qǐng)還涉及一種背光模組,包括本申請(qǐng)的量子點(diǎn)膜片。
本申請(qǐng)還涉及一種液晶顯示器,包括本申請(qǐng)的背光模組。
本申請(qǐng)還涉及一種量子點(diǎn)膜片的制備方法,所述制備方法至少包括以下步驟:
形成下阻隔層,所述下阻隔層包括主體涂布區(qū)和位于所述主體涂布區(qū)至少一個(gè)邊緣的邊緣涂布區(qū);
在所述下阻隔層的邊緣涂布區(qū)涂布含有緩釋量子點(diǎn)材料的膠層,在所述下阻隔層的主體涂布區(qū)涂布含有量子點(diǎn)的膠層,形成量子點(diǎn)層;
在所述量子點(diǎn)層的表面貼附上阻隔層;
對(duì)所述含有緩釋量子點(diǎn)材料的膠層和所述含有量子點(diǎn)的膠層進(jìn)行固化。
可選的,所述在所述下阻隔層的邊緣涂布區(qū)涂布含有緩釋量子點(diǎn)材料的膠層,在所述下阻隔層的主體涂布區(qū)涂布含有量子點(diǎn)的膠層,形成量子點(diǎn)層的過(guò)程包括:先涂布所述邊緣涂布區(qū)內(nèi)的膠層,再涂布所述主體涂布區(qū)內(nèi)的膠層。
可選的,還包括在所述對(duì)所述含有緩釋量子點(diǎn)材料的膠層和所述含有量子點(diǎn)的膠層進(jìn)行固化后,在所述邊緣涂布區(qū)內(nèi)對(duì)所述量子點(diǎn)膜片進(jìn)行裁切。
本申請(qǐng)的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果:
本申請(qǐng)通過(guò)在量子點(diǎn)膜片的邊緣涂布區(qū)涂布緩釋量子點(diǎn)材料,緩釋量子點(diǎn)材料可隨著時(shí)間的延長(zhǎng)釋放量子點(diǎn),從而改善了邊緣失效現(xiàn)象,使本申請(qǐng)的量子點(diǎn)膜片適用于窄邊框的量子點(diǎn)背光模組及其液晶顯示器。
附圖說(shuō)明
圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種量子點(diǎn)膜片的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1中量子點(diǎn)膜片的截面示意圖;
圖3為緩釋量子點(diǎn)材料的制備和釋放示意圖;
圖4為緩釋量子點(diǎn)在水中的釋放曲線;
圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例量子點(diǎn)膜片的發(fā)光效率曲線;
其中,
10-量子點(diǎn)膜片;
101-第一阻隔膜;
102-第二阻隔膜;
103-量子點(diǎn)層;
103a-主體涂布區(qū);103b-邊緣涂布區(qū);
20-量子點(diǎn);
30-緩釋量子點(diǎn)材料;
301-多孔材料;
40-背光模組;
401-背板;
402-反射片;403-導(dǎo)光板;
404-下增光膜;
405-上增光膜;
406-遮光膠;
407-藍(lán)光LED光源;
50-液晶顯示面板。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例,進(jìn)一步闡述本申請(qǐng)。應(yīng)理解,這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本申請(qǐng)而不用于限制本申請(qǐng)的范圍。
本申請(qǐng)實(shí)施例第一方面涉及一種量子點(diǎn)膜片,如圖1所示,為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種量子點(diǎn)膜片的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖,該量子點(diǎn)膜片10包括第一阻隔膜101、第二阻隔膜102以及位于第一阻隔膜101和第二阻隔膜102之間的量子點(diǎn)層103,量子點(diǎn)層103包括主體涂布區(qū)103a和位于主體涂布區(qū)103a至少一個(gè)邊緣的邊緣涂布區(qū)103b,邊緣涂布區(qū)103b中設(shè)置有緩釋量子點(diǎn)材料80。可選的,主體涂布區(qū)103a的四個(gè)邊的邊緣均設(shè)置有邊緣涂布區(qū)103b。如圖2所示,為圖1中量子點(diǎn)膜片的截面示意圖,在圖2中,在主體涂布區(qū)103a中設(shè)置有量子點(diǎn)20,即普通量子點(diǎn),如采用普通量子點(diǎn)和膠黏劑進(jìn)行涂布;在邊緣涂布區(qū)103b中設(shè)置有緩釋量子點(diǎn)材料30,如采用緩釋量子點(diǎn)材料30和膠黏劑進(jìn)行涂布。
在已有技術(shù)中,量子點(diǎn)膜片的邊緣裁切的過(guò)程中,邊緣量子點(diǎn)裸露在外,裸露的量子點(diǎn)會(huì)被水氧侵蝕而失效。本申請(qǐng)實(shí)施例中的緩釋量子點(diǎn)材料30,首先,可保護(hù)量子點(diǎn)20不會(huì)馬上被侵蝕失效;其次,在量子點(diǎn)膜片10的使用過(guò)程中,緩釋量子點(diǎn)材料30中的量子點(diǎn)20會(huì)被緩慢釋放,補(bǔ)充失效的量子點(diǎn)20,達(dá)到改善邊緣失效的技術(shù)效果;最后,設(shè)置于緩釋量子點(diǎn)材料30內(nèi)未被釋放的量子點(diǎn)20也可發(fā)揮其發(fā)光作用。通過(guò)本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案,改善了藍(lán)光漏出的失效區(qū),不需要加寬邊框來(lái)遮蔽邊緣藍(lán)光或者四周密封膠,從而縮小背光模組40的邊框,可將邊框從1mm降至0.4mm及以下,實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)。
本申請(qǐng)實(shí)施例中的緩釋量子點(diǎn)材料30是指通過(guò)量子點(diǎn)20與骨架材料混合并被骨架材料包覆,并可緩慢被骨架材料釋放出來(lái)的一種材料。
在本申請(qǐng)實(shí)施例中,作為緩釋量子點(diǎn)材料30的一種具體實(shí)施方式,緩釋量子點(diǎn)材料30包括多孔材料301和填充于多孔材料301中的量子點(diǎn)20。如圖3所示,為緩釋量子點(diǎn)材料的制備和釋放示意圖。制備緩釋量子點(diǎn)材料30時(shí),通過(guò)物理作用將量子點(diǎn)20填充于多孔材料301內(nèi),形成緩釋量子點(diǎn)材料30;緩釋量子點(diǎn)材料30會(huì)在使用過(guò)程中在將部分量子點(diǎn)20釋放到周邊環(huán)境中。
本申請(qǐng)的多孔材料301不僅可容納量子點(diǎn)20、且在水分作用下能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)20釋放。在邊緣裁切的過(guò)程中,裁切位置的量子點(diǎn)20裸露,受到水氧侵蝕而失效,同時(shí),緩釋量子點(diǎn)材料30在遇到水后,通過(guò)環(huán)境水解作用緩慢將量子點(diǎn)20從多孔材料301中釋放出來(lái),補(bǔ)充失效的量子點(diǎn)20,達(dá)到量子點(diǎn)20的平衡狀態(tài),從而達(dá)到改善邊緣失效的技術(shù)效果。同時(shí),多孔材料301對(duì)量子點(diǎn)20可起到保護(hù)作用,減緩其受到外界環(huán)境影響的速率,保持量子點(diǎn)20的熒光效應(yīng)不受到外界環(huán)境的破壞。
在本申請(qǐng)實(shí)施例中,多孔材料301的孔徑小于100nm,可選的,多孔材料301的孔徑為5~100nm。如多孔材料301的孔徑過(guò)大,量子點(diǎn)20會(huì)在多孔材料301中發(fā)生團(tuán)聚,從而影響量子點(diǎn)膜片10的發(fā)光效率。
在本申請(qǐng)實(shí)施例中,多孔材料301的中值粒徑(D50,指一個(gè)樣品的累計(jì)粒度分布百分?jǐn)?shù)達(dá)到50%時(shí)所對(duì)應(yīng)的粒徑。其物理意義是粒徑大于它的顆粒占50%,小于它的顆粒也占50%。)小于或等于200nm。如果多孔材料301的粒徑過(guò)大,多孔材料301會(huì)發(fā)生團(tuán)聚,會(huì)影響量子點(diǎn)膜片10的發(fā)光效率,如果多孔材料301的粒徑過(guò)小,則所能容納的量子點(diǎn)20有限,對(duì)失效量子點(diǎn)的補(bǔ)償作用有限。
在本申請(qǐng)實(shí)施例中,量子點(diǎn)20的粒徑可選為大于或等于1nm,且小于或等于20nm。
在本申請(qǐng)實(shí)施例中,多孔材料301與量子點(diǎn)20的質(zhì)量比為1:3~5。通過(guò)調(diào)整多孔材料301與量子點(diǎn)20的比例,從而可達(dá)到最佳的改善效果。進(jìn)一步可選的,多孔材料301與量子點(diǎn)20的質(zhì)量比為1:4。通過(guò)多孔材料301與量子點(diǎn)20的比例控制,可以控制緩釋量子點(diǎn)材料30的釋放量。
在本申請(qǐng)實(shí)施例中,當(dāng)多孔材料301可選自埃洛石,埃洛石為晶體屬單斜晶系的含水層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽礦物,在電子顯微鏡下可見晶體呈直的或彎曲的管狀形態(tài)。本申請(qǐng)實(shí)施例作為多孔材料301的埃洛石的長(zhǎng)度為小于等于300nm;可選的,埃洛石的長(zhǎng)度小于或等于200nm;進(jìn)一步可選的,埃洛石的長(zhǎng)度為50~200nm,更優(yōu)選100~200nm;埃洛石的直徑小于或等于50nm,優(yōu)選為2~50nm,更優(yōu)選為20~50nm。
以埃洛石為例,如圖4所示,為緩釋量子點(diǎn)在水中的釋放曲線,具體是由埃洛石制備的緩釋量子點(diǎn)材料30在水中的釋放曲線。結(jié)合圖3,根據(jù)圖4可知,緩釋量子點(diǎn)材料30在水發(fā)生水解反應(yīng)釋放量子點(diǎn)20,當(dāng)釋放量達(dá)到60%左右時(shí),停止釋放;同時(shí)保持40%左右的量子點(diǎn)20不釋放,從而對(duì)量子點(diǎn)20起到保護(hù)作用。此外,隨著時(shí)間的延長(zhǎng),緩釋量子點(diǎn)材料30位于多孔材料301外的量子點(diǎn)20逐漸失效,緩釋量子點(diǎn)材料30位于多孔材料301中的量子點(diǎn)20則會(huì)被緩慢釋放,以補(bǔ)充失效的量子點(diǎn)20。除埃洛石外,多孔材料301還可選自SiO2、ZrO2、CrO3、CeO2、NiO等孔徑在本申請(qǐng)要求內(nèi)的多孔材料301。
本申請(qǐng)還涉及一種背光模組,如圖5所示,為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖,該背光模組40包括本申請(qǐng)的量子點(diǎn)膜片10,具體的,背光模組40可以包括背板401、反射片402、藍(lán)光LED光源407、導(dǎo)光板403、量子點(diǎn)膜片10、下增光膜404、上增光膜405和遮光膠406。本申請(qǐng)背光模組40采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的量子點(diǎn)膜片10,其邊框?qū)挾瓤梢越抵?.4mm及以下,實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)。
本申請(qǐng)還涉及一種液晶顯示器,如圖6所示,為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖,該液晶顯示器包括本申請(qǐng)的背光模組40,還包括位于背光模組上方的液晶顯示面板50,該液晶顯示器可應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、電腦顯示器、電視等。
結(jié)合圖1-圖3,本申請(qǐng)還涉及一種量子點(diǎn)膜片10的制備方法,至少包括以下步驟:
形成下阻隔層:下阻隔層包括主體涂布區(qū)103a和位于主體涂布區(qū)103a至少一個(gè)邊緣的邊緣涂布區(qū)103b,可選的,主體涂布區(qū)103a的四個(gè)邊的邊緣均設(shè)置有邊緣涂布區(qū)103b;
在下阻隔層的邊緣涂布區(qū)103b涂布含有緩釋量子點(diǎn)材料30的膠層,在下阻隔層的主體涂布區(qū)103a涂布含有量子點(diǎn)20的膠層,形成量子點(diǎn)層103;可選的,先涂布邊緣涂布區(qū)103b內(nèi)的膠層,再涂布主體涂布區(qū)103a內(nèi)的膠層;其中,緩釋量子點(diǎn)30為采用多孔材料301與量子點(diǎn)20通過(guò)物理方法(如真空吸附)制備而成;
在量子點(diǎn)層103的表面貼附上阻隔層;
對(duì)含有緩釋量子點(diǎn)材料30的膠層和含有量子點(diǎn)20的膠層進(jìn)行固化。
其中,當(dāng)下阻隔層為第一阻隔膜101時(shí),上阻隔層為第二阻隔膜102;當(dāng)下阻隔層為第二阻隔膜102時(shí),上阻隔層為第一阻隔膜101。
可選的,該量子點(diǎn)膜片10的制備方法還包括:在固化后,在邊緣涂布區(qū)103b內(nèi)進(jìn)行裁切,得到本申請(qǐng)的量子點(diǎn)膜片10。
下面通過(guò)具體實(shí)施例的量子膜在高溫、高濕的測(cè)試條件下實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),對(duì)其效果進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明。
制備例:
按照本申請(qǐng)實(shí)施例的方法制備量子點(diǎn)膜片,具體制備工藝為:
1、形成下阻隔層:下阻隔層包括主體涂布區(qū)和位于主體涂布區(qū)四個(gè)邊緣的邊緣涂布區(qū);
2、先在下阻隔層的邊緣涂布區(qū)涂布含有緩釋量子點(diǎn)材料的膠層,再在下阻隔層的主體涂布區(qū)涂布含有量子點(diǎn)的膠層,形成量子點(diǎn)層;其中緩釋量子點(diǎn)為采用埃洛石與量子點(diǎn)通過(guò)真空吸附制備而成;其中各組中緩釋量子點(diǎn)材料的組成如表1所示;
3、在量子點(diǎn)層的表面貼附上阻隔層;
4、對(duì)含有緩釋量子點(diǎn)材料的膠層和所述含有量子點(diǎn)的膠層進(jìn)行固化;
5、在固化后,在邊緣涂布區(qū)內(nèi)對(duì)量子點(diǎn)膜片進(jìn)行裁切,即得。
測(cè)試方法:
將上述量子點(diǎn)膜片每組制備50個(gè)產(chǎn)品,檢測(cè)初始發(fā)光亮度之后,置于溫度為65℃、濕度為95%的條件下,放置約800小時(shí),取出后統(tǒng)計(jì)每組產(chǎn)品的發(fā)光效率。
其中,發(fā)光效率=發(fā)光亮度/初始發(fā)光亮度×100%。
發(fā)光效率的測(cè)試結(jié)果如表1所示,如圖7所示,為本申請(qǐng)實(shí)施例量子點(diǎn)膜片的發(fā)光效率曲線,具體是采用表1中編號(hào)為1-3的緩釋量子點(diǎn)材料制備的量子點(diǎn)膜片的發(fā)光效率曲線。結(jié)合表1和圖7可知,采用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的量子點(diǎn)膜片,如采用表1中編號(hào)為1-3的緩釋量子點(diǎn)材料制備的量子點(diǎn)膜片時(shí),置于溫度為65℃、濕度為95%的條件下,放置約800小時(shí)后,其發(fā)光效率仍能保持在90%左右,而如果直接采用普通量子點(diǎn)制備的量子點(diǎn)膜片,在相同條件下放置約800小時(shí)后,其發(fā)光效率會(huì)下降到45%左右。
此外,表1中編號(hào)為1-3的緩釋量子點(diǎn)材料,其中埃洛石的長(zhǎng)度為100~200nm,直徑為20~50nm,多孔材料與量子點(diǎn)的質(zhì)量比1:4,在這些參數(shù)條件下,量子點(diǎn)膜片的發(fā)光效率達(dá)到了較佳的狀態(tài)。
由表1和圖7可知,本申請(qǐng)實(shí)施例提供的量子點(diǎn)膜片相較于現(xiàn)有技術(shù),隨著時(shí)間的延長(zhǎng),可持續(xù)補(bǔ)充失效的量子點(diǎn),維持發(fā)光效率,當(dāng)其用于背光模組時(shí),可防止藍(lán)光漏出,實(shí)現(xiàn)窄邊框。
表1:
本申請(qǐng)雖然以較佳實(shí)施例公開如上,但并不是用來(lái)限定權(quán)利要求,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請(qǐng)構(gòu)思的前提下,都可以做出若干可能的變動(dòng)和修改,因此本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本申請(qǐng)權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。