本發(fā)明實施例涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種液晶顯示模組。

背景技術(shù)：

量子點色彩增強(qiáng)膜(Quantum Dot Enhancement Film，QDEF)是一種在一定波長的光激發(fā)下可以發(fā)射出其它波長的光的納米粒子膜層。QDEF具有高的發(fā)光效率和高色域等優(yōu)點，已經(jīng)被應(yīng)用于高色域背光模組中。例如，藍(lán)光發(fā)光二極管搭配吸收藍(lán)光并放射出白光的QDEF，該QDEF包括能夠放射不同顏色的光的量子點，背光模組發(fā)出的白光是由各種量子點放射的不同顏色的光混合而成的。

然而，由于切割QDEF導(dǎo)致QDEF邊緣處的部分量子點失效，不能正常吸收藍(lán)光而放射其它顏色的光線，進(jìn)而使得背光模組的邊緣處發(fā)出的光偏藍(lán)，導(dǎo)致液晶顯示模組顯示區(qū)的邊緣部分出現(xiàn)偏藍(lán)現(xiàn)象，并且距離液晶顯示模組中部越遠(yuǎn)，偏藍(lán)現(xiàn)象越明顯。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種液晶顯示模組，以改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示模組，包括：位于顯示區(qū)中部的第一區(qū)域，圍繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的內(nèi)邊緣與所述第一區(qū)域邊緣重合，所述顯示區(qū)邊緣與所述第二區(qū)域的外邊緣重合或位于所述第二區(qū)域的外邊緣內(nèi)；

所述液晶顯示模組包括陣列基板和背光模組，所述陣列基板包括基板和設(shè)置于所述基板一側(cè)的目標(biāo)膜層，所述目標(biāo)膜層與光的干涉強(qiáng)相關(guān)；

所述背光模組位于所述陣列基板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)膜層的一側(cè)，所述背光模組包括藍(lán)光背光源和設(shè)置于所述藍(lán)光背光源與所述陣列基板之間的量子點色彩增強(qiáng)膜；

所述目標(biāo)膜層包括位于所述第一區(qū)域內(nèi)的第一目標(biāo)膜層，以及位于所述第二區(qū)域內(nèi)的第二目標(biāo)膜層，所述第二目標(biāo)膜層的厚度不同于所述第一目標(biāo)膜層的厚度。

本發(fā)明實施例根據(jù)液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)情況，將液晶顯示模組至少劃分為位于顯示區(qū)中部的第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)區(qū)域與第二區(qū)域交疊；在陣列基板上設(shè)置與光的干涉強(qiáng)相關(guān)的目標(biāo)膜層，且使目標(biāo)膜層中位于第一區(qū)域內(nèi)的第一目標(biāo)膜層的厚度，不同于位于第二區(qū)域內(nèi)的第二目標(biāo)膜層的厚度，利用不同厚度的目標(biāo)膜層對光的干涉不同，來減弱第二區(qū)域內(nèi)的藍(lán)光分量，以改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實施例提供的一種液晶顯示模組的平面示意圖；

圖1b為沿圖1a中A-A的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1c為沿圖1a中A-A的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的液晶顯示模組的平面示意圖；

圖5為對圖4中的液晶顯示模組的顯示色度的仿真圖；

圖6為固定目標(biāo)膜層厚度時對液晶顯示模組的顯示色度的進(jìn)行測試時的示意圖；

圖7為固定目標(biāo)膜層厚度時對液晶顯示模組的顯示色度的測試圖；

圖8為調(diào)整間隔絕緣層中氮化硅層厚度時對液晶顯示模組的顯示色度的仿真圖；

圖9為調(diào)整間隔絕緣層中氮化硅層厚度時對液晶顯示模組的顯示色度的仿真圖；

圖10為調(diào)整柵極絕緣層中氧化硅層厚度時對液晶顯示模組的顯示色度的仿真圖；

圖11a-11d為本發(fā)明實施例提供的制作緩沖層各步驟對應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面圖；

圖12為本發(fā)明實施例提供的另一種液晶顯示模組的平面示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

請參考圖1a至圖1c，圖1a為本發(fā)明實施例提供的一種液晶顯示模組的平面示意圖，圖1b為沿圖1a中A-A的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖1c為沿圖1a中A-A的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1a所示，該液晶顯示模組100包括：位于顯示區(qū)X中部的第一區(qū)域Y，圍繞第一區(qū)域Y的第二區(qū)域Z，第二區(qū)域Z的內(nèi)邊緣與第一區(qū)域Y邊緣重合，顯示區(qū)X邊緣與第二區(qū)域Z的外邊緣重合或位于第二區(qū)域Z的外邊緣內(nèi)。

如圖1b所示，液晶顯示模組包括陣列基板2和背光模組1，其中，陣列基板2包括基板21和設(shè)置于基板21一側(cè)的目標(biāo)膜層22，目標(biāo)膜層22與光的干涉強(qiáng)相關(guān)；其中，目標(biāo)膜層22與光的干涉強(qiáng)相關(guān)是指目標(biāo)膜層22的厚度對光的干涉的影響很大，例如目標(biāo)膜層22的厚度發(fā)生幾百納米的變化，可以使透過目標(biāo)膜層22的光從相長干涉變成相消干涉。而氮化硅和氧化硅與光的干涉強(qiáng)相關(guān)，因此，可以利用陣列基板2上包含氮化硅和/或氧化硅的已有膜層作為目標(biāo)膜層，以不額外增加液晶顯示模組的厚度，例如，目標(biāo)膜層22可以包括緩沖層、柵極絕緣層和間隔絕緣層中的至少一種。

上述背光模組1位于陣列基板2遠(yuǎn)離目標(biāo)膜層22的一側(cè)，背光模組1包括藍(lán)光背光源11和設(shè)置于藍(lán)光背光源11與陣列基板2之間的量子點色彩增強(qiáng)膜12；該藍(lán)光背光源11采用藍(lán)光發(fā)光二極管作為光源，量子點色彩增強(qiáng)膜12包括能夠放射不同顏色的光的量子點，可在藍(lán)光的激發(fā)下發(fā)射出由各種量子點發(fā)射的不同顏色的光混合而成的白光。

本實施例中，目標(biāo)膜層22包括位于第一區(qū)域Y內(nèi)的第一目標(biāo)膜層221，以及位于第二區(qū)域Z內(nèi)的第二目標(biāo)膜層222，其中，第二目標(biāo)膜層222的厚度不同于第一目標(biāo)膜層221的厚度。需要說明的是，圖1b和圖1c僅示例性地示出了第二目標(biāo)膜層222的厚度不同于第一目標(biāo)膜層221的厚度，第一目標(biāo)膜層221和第二目標(biāo)膜層222的厚度的設(shè)定應(yīng)當(dāng)可以改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

示例性的，在用戶正視觀察液晶顯示模組時，對于不同厚度的目標(biāo)膜層，不同波長的光會產(chǎn)生相長干涉或者相消干涉，當(dāng)光的干涉情況改變時，液晶顯示模組的顯示色度也會產(chǎn)生差異。因此，可利用光的干涉，結(jié)合目標(biāo)膜層的厚度和光波長的關(guān)系，得到可以改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題的目標(biāo)膜層的厚度。

可選的，可以增加第二區(qū)域的綠光分量，以相對減少藍(lán)光分量；或者直接減少第二區(qū)域的藍(lán)光分量，由此，可以在現(xiàn)有液晶顯示模組的基礎(chǔ)上，只改變第二目標(biāo)膜層的厚度，使液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)量減少甚至降為零，該第二目標(biāo)膜層可包括緩沖層、柵極絕緣層和間隔絕緣層中的任一種。

具體的，在一束光進(jìn)入第二目標(biāo)膜層后，經(jīng)過第二目標(biāo)膜層的多次反射，可平行出射多束光，其中，相鄰兩束光的光程差可以表示為：

ΔL＝2×d×n₁； (1)

其中，d為第二目標(biāo)膜層的厚度，n₁為第二目標(biāo)膜層的折射率。

若通過增加綠光分量來減少液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)量，可以使通過第二目標(biāo)膜層的綠光分量相長干涉，此時，上述相鄰兩束光的光程差應(yīng)當(dāng)滿足以下關(guān)系式：

ΔL＝m×λ； (2)

其中，m為正整數(shù)，λ為第二區(qū)域的綠光分量的波長。

由此，根據(jù)式(1)和式(2)可以得到第二目標(biāo)膜層的厚度為：

其中，m為正整數(shù)，λ為第二區(qū)域的綠光分量的波長，n₁為第二目標(biāo)膜層的折射率。

另外，若通過減少藍(lán)光分量來減少液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)量，可以使通過第二目標(biāo)膜層的藍(lán)光分量相消干涉，此時，上述相鄰兩束光的光程差應(yīng)當(dāng)滿足以下關(guān)系式：

ΔL＝(2m+1)×λ/2； (4)

其中，m為正整數(shù)，λ為第二區(qū)域的藍(lán)光分量的波長。

由此，根據(jù)式(1)和式(4)可以得到第二目標(biāo)膜層的厚度為：

其中，m為正整數(shù)，λ為第二區(qū)域的藍(lán)光分量的波長，n₁為第二目標(biāo)膜層的折射率。

上述方案中，選取綠光波段500至560nm代入式(3)，可得到使綠光分量相長干涉的目標(biāo)膜層的厚度范圍，因此，將第二目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置在該厚度范圍內(nèi)，可以使量子點色彩增強(qiáng)膜邊緣出射的綠光分量，經(jīng)過陣列基板的第二目標(biāo)膜層時發(fā)生相長干涉，而藍(lán)光波段可為420至480nm，上述厚度范圍無法滿足藍(lán)光分量發(fā)生相長干涉的條件，從而使得從第二目標(biāo)膜層出射的該部分綠光分量相對藍(lán)光分量增強(qiáng)得多，進(jìn)而減弱液晶顯示模組顯示區(qū)內(nèi)第二區(qū)域的顯示偏藍(lán)現(xiàn)象。

另外，選取藍(lán)光波段420至480nm代入式(5)，可得到使藍(lán)光分量相消干涉的目標(biāo)膜層的厚度范圍，因此，將第二目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置在該厚度范圍內(nèi)，可以使量子點色彩增強(qiáng)膜邊緣出射的藍(lán)光分量，經(jīng)過陣列基板的第二目標(biāo)膜層時發(fā)生相消干涉，由此，可以直接使得從第二目標(biāo)膜層出射的該部分藍(lán)光分量減弱，進(jìn)而減弱液晶顯示模組顯示區(qū)內(nèi)第二區(qū)域的顯示偏藍(lán)現(xiàn)象。

本實施例中，量子點色彩增強(qiáng)膜12包括周邊區(qū)域，周邊區(qū)域的顯示色度偏藍(lán)；上述圖1b示出了顯示區(qū)X邊緣與第二區(qū)域Z的外邊緣重合時的液晶顯示模組的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，此時，第二區(qū)域Z與位于顯示區(qū)X內(nèi)的周邊區(qū)域，在陣列基板2上的垂直投影重合。圖1c則示出了顯示區(qū)X邊緣位于第二區(qū)域Z的外邊緣內(nèi)時的液晶顯示模組的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是，雖然圖1b和圖1c的部分區(qū)域(非顯示區(qū))的基板21上未示有膜層，但本領(lǐng)域人員應(yīng)當(dāng)清楚，該部分區(qū)域的基板21上可以與顯示區(qū)同時生成有相同的膜層，當(dāng)然可包括上述目標(biāo)膜層，但對此處目標(biāo)膜層的厚度不作限制。

另外，本發(fā)明目標(biāo)膜層的厚度還可由目標(biāo)膜層的厚度與顯示色度的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系確定，可同時改變第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層的厚度，來改善液晶顯示模組顯示區(qū)內(nèi)第二區(qū)域相對于第一區(qū)域的顯示偏藍(lán)現(xiàn)象。

可選的，上述目標(biāo)膜層的厚度與顯示色度的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系，可以通過設(shè)置不同厚度的目標(biāo)膜層仿真液晶顯示模組顯示色度變化的仿真圖確定。

圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，該陣列基板可包括：基板21，形成于基板21上的薄膜晶體管25。

如圖2所示，該薄膜晶體管25可以為非晶硅(amorphous silicon，A-Si)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括柵極251、柵極絕緣層252、有源層253、源極254和漏極255。薄膜晶體管25可以為底柵結(jié)構(gòu)，也可以為頂柵結(jié)構(gòu)。示例性的，在圖2中，薄膜晶體管25為底柵結(jié)構(gòu)，柵極251形成在基板21上，柵極絕緣層252形成在柵極251上，并覆蓋柵極251，有源層253形成在柵極絕緣層252遠(yuǎn)離基板21的一側(cè)，并位于柵極251上方，柵極絕緣層252使柵極251與有源層253絕緣。源極254和漏極255形成在有源層253上。源極254和漏極255彼此隔開，并且可以通過充當(dāng)溝道的有源層253彼此電連接。該陣列基板還包括形成于柵極絕緣層252遠(yuǎn)離基板21的一側(cè)，并與漏極255電連接的像素電極27，以及形成在整個陣列基板上的平坦化層26。

可選的，圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，該陣列基板可包括：基板21，形成于基板21上的緩沖層23，形成于緩沖層23遠(yuǎn)離基板21一側(cè)的薄膜晶體管25。

如圖3所示，該薄膜晶體管可以為低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括形成于所述緩沖層23遠(yuǎn)離基板21一側(cè)的有源層253，覆蓋有源層253及緩沖層23的柵極絕緣層252，形成于柵極絕緣層252遠(yuǎn)離所述基板21一側(cè)的柵極251，覆蓋柵極251及柵極絕緣層252的間隔絕緣層256，以及形成于間隔絕緣層256遠(yuǎn)離基板21一側(cè)的源極254和漏極255，且源極254和漏極255分別通過過孔電連接至有源層253。該陣列基板還包括覆蓋源極254、漏極255及間隔絕緣層256的第一鈍化層24，形成于第一鈍化層24遠(yuǎn)離基板21一側(cè)的公共電極28，覆蓋公共電極28及第一鈍化層24的第二鈍化層29，以及形成于第二鈍化層29遠(yuǎn)離基板21一側(cè)的像素電極27，且像素電極27通過過孔電連接至漏極255。

本實施例可以先對任一現(xiàn)有的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣相對于顯示區(qū)中部的偏藍(lán)值進(jìn)行測試或者仿真。示例性的，藍(lán)光背光源包括直下式背光源或側(cè)入式背光源；可選的，如圖4所示，藍(lán)光背光源包括側(cè)入式背光源，即藍(lán)光發(fā)光二極管111設(shè)置于背光模組的下側(cè)。需要說明的是，上述的“下側(cè)”僅為附圖4中的下側(cè)，在其他的實施例中，側(cè)入式背光源是指背光模組的側(cè)邊，并不局限于下側(cè)。從圖5對圖4中的液晶顯示模組100的顯示色度的仿真圖可以看出，液晶顯示模組100的顯示區(qū)X邊緣相對于中部偏藍(lán)，最大偏藍(lán)值約為(-0.012，-0.025)。具體的，顯示區(qū)X左、右和上三側(cè)邊的顯示色度漸變到距對應(yīng)側(cè)邊2.2mm處，色坐標(biāo)或者色度值(Wx，Wy)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)；下側(cè)邊顯示色度的Wx值漸變到距下側(cè)邊3.6mm處達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，Wy值漸變距下側(cè)邊4.6mm處達(dá)到穩(wěn)定。因此，藍(lán)光背光源包括側(cè)入式背光源時，靠近藍(lán)光背光源的第一區(qū)域的側(cè)邊(下側(cè)邊)到顯示區(qū)邊緣的距離小于或者等于4.6mm，第一區(qū)域其他三個側(cè)邊到顯示區(qū)邊緣的距離小于或者等于2.2mm?？蛇x的，靠近藍(lán)光背光源的第一區(qū)域的側(cè)邊(下側(cè)邊)到顯示區(qū)邊緣的距離等于4.6mm，第一區(qū)域其他三個側(cè)邊到顯示區(qū)邊緣的距離等于2.2mm。

示例性的，基于上述對液晶顯示模組的顯示色度的仿真，可進(jìn)一步對不同厚度的第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層下的液晶顯示模組的顯示色度進(jìn)行仿真，根據(jù)仿真結(jié)果得到合適的第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層的厚度，以此抵消或降低上述偏藍(lán)值(-0.012，-0.025)。

具體的，目標(biāo)膜層可以包括圖2中所示的柵極絕緣層252，該柵極絕緣層252可包括氧化硅層，僅通過設(shè)置第一區(qū)域和第二區(qū)域氧化硅層的厚度，來改善液晶顯示模組顯示區(qū)內(nèi)第二區(qū)域相對于第一區(qū)域的顯示偏藍(lán)現(xiàn)象。可選的，目標(biāo)膜層可包括上述實施例中圖3中的緩沖層23、間隔絕緣層24和柵極絕緣層252，其中，緩沖層23和間隔絕緣層24均包括氮化硅層和氧化硅層，柵極絕緣層252包括氧化硅層。本實施例中，第二目標(biāo)膜層的厚度不同于第一目標(biāo)膜層的厚度可以理解為，緩沖層、間隔絕緣層和柵極絕緣層的至少一膜層中，第二目標(biāo)膜層的氮化硅層和/或氧化硅層的厚度不同于第一目標(biāo)膜層對應(yīng)的氮化硅層和/或氧化硅層的厚度。

如圖6所示，使用白光光源200代替本發(fā)明的背光模組對液晶顯示模組的顯示色度進(jìn)行測試。示例性的，在設(shè)置好陣列基板上目標(biāo)膜層(包括第一目標(biāo)膜層221和第二目標(biāo)膜層222)的厚度后，使用光強(qiáng)均勻的白光200照射陣列基板的入光面，即基板21遠(yuǎn)離目標(biāo)膜層的一側(cè)，使得進(jìn)入第一目標(biāo)膜層221和第二目標(biāo)膜層222各分量的光的光強(qiáng)對應(yīng)相同，此時，對液晶顯示模組第一區(qū)域和第二區(qū)域的顯示色度分別進(jìn)行測量，以此得到可以使液晶顯示模組第二區(qū)域相對于第一區(qū)域偏黃的第一目標(biāo)膜層221和第二目標(biāo)膜層222的厚度。具體的，為了快速測試出可以改善第二區(qū)域相對于第一區(qū)域顯示偏藍(lán)現(xiàn)象的第一目標(biāo)膜層221和第二目標(biāo)膜層222的厚度，可以根據(jù)式(3)或式(5)下的目標(biāo)膜層的厚度范圍，確定第二目標(biāo)膜層222的厚度，根據(jù)偏黃值的變化趨勢及上述測得的偏藍(lán)值調(diào)整第一目標(biāo)膜層的厚度，直至本方案測得的偏黃值可以部分或完全抵消上述偏藍(lán)值，即將上述包括藍(lán)光背光源和量子點色彩增強(qiáng)膜的背光模組代替測試用的白光光源，設(shè)置于本方案測試后的液晶顯示模組中，可以改善甚至解決第二區(qū)域相對于第一區(qū)域顯示偏藍(lán)的問題。

示例性的，參考圖7，在第一目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度和氧化硅層厚度均為3000埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃時，對液晶顯示模組的顯示色度進(jìn)行了5次測試，從圖7中可以看出，第二區(qū)域的顯示色度的平均色度值為(0.307，0.324)，第一區(qū)域的顯示色度的平均色度值為(0.298，0.314)，此時，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃約(0.009,0.01)，而上述偏藍(lán)值為(-0.012，-0.025)，本實施例得到的偏黃值可以中和部分偏藍(lán)值，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

參考圖8，模擬白光光源對液晶顯示模組進(jìn)行仿真。其中，第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；對于間隔絕緣層的氮化硅層，從2000至4000埃每隔100埃仿真液晶顯示模組的顯示色度變化。從圖8可以看出，在第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2300?；?800至3900埃，第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000至3100埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.293-0.297，Wy的范圍為0.309-0.312，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.302-0.303，Wy的范圍為0.315-0.317，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題?？蛇x的，第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3800埃；第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃，此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.295,0.310)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.302,0.317)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃(0.007，0.007)，在本方案中可以最大程度地改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

參考圖9，第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；對于間隔絕緣層的氮化硅層，從1100至4000埃每隔100埃仿真液晶顯示模組的顯示色度變化。從圖9可以看出，在第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2100至2500?；?500至3800埃，第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2900至3100或1500至1800埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.293-0.297，Wy的范圍為0.321-0.324，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.299-0.301，Wy的范圍為0.330-0.333，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題?？蛇x的，第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2300埃；第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃，此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.294,0.321)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.301,0.332)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃(0.007，0.011)，在本方案中可以最大程度地改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

另外，參考圖8和圖9，可以將第一目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖8對應(yīng)的各膜層的厚度，將第二目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖9對應(yīng)的各膜層的厚度，即第一目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃。對比圖8和圖9可以看出，在第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2400?；?800至4000埃；第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為1600至1800?；?900至3200埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.292-0.297，Wy的范圍為0.309-0.314，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.298-0.301，Wy的范圍為0.328-0.333，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題?？蛇x的，第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3800埃；第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃，此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.295,0.310)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.301,0.332)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃(0.006，0.022)，在本方案中可以最大程度地改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

參考圖10，模擬白光光源對液晶顯示模組進(jìn)行仿真。其中，第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度和氧化硅層厚度均為3000埃。對于柵極絕緣層的氧化硅層，從100至1300埃每隔100埃仿真液晶顯示模組的顯示色度變化。從圖10中可以看出，在第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為300至600埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1000至1300埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.285-0.287，Wy的范圍為0.298-0.304，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.300-0.302，Wy的范圍為0.324-0.328，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題?？蛇x的，第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為500埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1300埃。此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.285,0.398)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.302,0.328)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃約(0.017,0.030)，可以完全覆蓋上述最大偏藍(lán)值(-0.012，-0.025)，在本方案中可以解決液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

另外，參考圖8和圖10，可以將第一目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖8對應(yīng)的各膜層的厚度，將第二目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖10對應(yīng)的各膜層的厚度，即第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃。對比圖8和圖10可以看出，在第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2300?；?700至3900埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1000至1300埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.293-0.297，Wy的范圍為0.309-0.311，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.300-0.302，Wy的范圍為0.324-0.328，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題?？蛇x的，第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3800埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1300埃，此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.295,0.310)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.302,0.328)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃(0.007，0.018)，在本方案中可以最大程度地改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

參考圖8和圖10，還可以將第一目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖10對應(yīng)的各膜層的厚度，將第二目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖8對應(yīng)的各膜層的厚度，即第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃。對比圖8和圖10可以看出，在第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2800至3200埃；第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為300至600埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.285-0.286，Wy的范圍為0.298-0.304，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.296-0.304，Wy的范圍為0.314-0.318，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。可選的，第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2900埃；第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為500埃，此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.285,0.298)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.298,0.318)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃(0.013，0.021)，在本方案中可以最大程度地改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

另外，還可以結(jié)合圖9和圖10設(shè)置第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層的厚度。參考圖9和圖10，可以將第一目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖9對應(yīng)的各膜層的厚度，將第二目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖10對應(yīng)的各膜層的厚度，即第一目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃。對比圖9和圖10可以看出，在第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2400?；?500至3700埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1100至1300埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.293-0.295和0.296-0.297，Wy的范圍為0.321-0.322，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.302-0.302，Wy的范圍為0.326-0.333，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題?？蛇x的，第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2300埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1300埃，此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.294,0.321)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.302,0.328)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃(0.008，0.007)，在本方案中可以最大程度地改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

參考圖9和圖10，還可以將第一目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖10對應(yīng)的各膜層的厚度，將第二目標(biāo)膜層中各膜層是厚度設(shè)置成圖9對應(yīng)的各膜層的厚度，即第二目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第一目標(biāo)膜層和第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；第一目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；第二目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃。對比圖9和圖10可以看出，在第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為1100至4000埃；第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為200至600埃時，第一區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.285-0.288，Wy的范圍為0.298-0.310，第二區(qū)域顯示色度的色度值中Wx的范圍為0.293-0.301，Wy的范圍為0.321-0.333，由此可以使第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃，因此，將各目標(biāo)膜層的厚度設(shè)置為本實施例上述值，可以改善現(xiàn)有的藍(lán)光光源的液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題?？蛇x的，第二目標(biāo)膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2100埃；第一目標(biāo)膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為500埃，此時，第一區(qū)域顯示色度的色度值為(0.285,0.298)，第二區(qū)域顯示色度的色度值為(0.297,0.323)，第二區(qū)域的顯示色度比第一區(qū)域的顯示色度偏黃(0.012，0.025)，可以剛好抵消上述最大偏藍(lán)值(-0.012，-0.025)，在本方案中可以解決液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

本發(fā)明實施例可采用光刻工藝制作緩沖層或間隔絕緣層中的氮化硅層和氧化硅層，使第二目標(biāo)膜層中的氮化硅層和/或氧化硅層的厚度不同于第一目標(biāo)膜層中的氮化硅層和/或氧化硅層的厚度。示例性的，在制作本實施例上述緩沖層時，參考圖11a，在基板21上形成厚度為500埃的氮化硅層，在氮化硅層上涂正性光阻，利用掩膜板曝光第二區(qū)域的正性光阻，以除去第二區(qū)域的正性光阻，對第二區(qū)域上的氮化硅層進(jìn)行刻蝕，形成圖11b所示的結(jié)構(gòu)；參考圖11c，在第二區(qū)域的基板21上及第一區(qū)域的氮化硅層上形成厚度為3000埃的氧化硅層；在氧化硅層上涂負(fù)性光阻，利用上述同一掩膜板曝光第二區(qū)域的負(fù)性光阻，以除去第一區(qū)域的負(fù)性光阻，對第一區(qū)域上的氧化硅層進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉厚度為500埃的氧化硅，形成圖11d所示的結(jié)構(gòu)，即制作成第一目標(biāo)膜層中氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；第二目標(biāo)膜層中氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃的緩沖層。

另外，本發(fā)明實施例的第二區(qū)域可包括多個互不交疊的第二子區(qū)域，每個第二子區(qū)域依次圍繞第一區(qū)域設(shè)置；多個第二子區(qū)域中的目標(biāo)膜層的厚度不同。從圖5中可以看出，從液晶顯示模組中部到邊緣，偏藍(lán)值逐漸增大，因此，第二子區(qū)域的寬度和對應(yīng)的目標(biāo)膜層的厚度可根據(jù)漸變的偏藍(lán)值設(shè)置，且第二子區(qū)域劃分得越多，最終液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)問題改善得效果越好。

示例性的，如圖12所示，第二區(qū)域Z可包括依次圍繞第一區(qū)域Y設(shè)置的第一第二子區(qū)域Z1、第二第二子區(qū)域Z2和第三第二子區(qū)域Z3?？蛇x的，以圖10仿真結(jié)構(gòu)為例，設(shè)置柵極絕緣層中氧化硅層的厚度。因為現(xiàn)有液晶顯示模組從中部到邊緣的偏藍(lán)值逐漸增大，所以在依次設(shè)置第一第二子區(qū)域Z1、第二第二子區(qū)域Z2和第三第二子區(qū)域Z3內(nèi)氧化硅層的厚度時，應(yīng)使仿真出的顯示色度的偏黃值逐漸增大，可選的，參考圖10，在第一區(qū)域Y內(nèi)氧化硅層的厚度為500埃時，第一第二子區(qū)域Z1內(nèi)氧化硅層的厚度為1100埃，第二第二子區(qū)域Z2內(nèi)氧化硅層的厚度為1200埃，第三第二子區(qū)域Z3內(nèi)氧化硅層的厚度為1300埃。

與上述實施例中制作氮化硅層和氧化硅層的工藝類似，本實施例的目標(biāo)膜層可通過多層半色調(diào)掩膜工藝制備。

本發(fā)明實施例根據(jù)液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)情況，將液晶顯示模組至少劃分為位于顯示區(qū)中部的第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)區(qū)域與第二區(qū)域交疊；在陣列基板上設(shè)置與光的干涉強(qiáng)相關(guān)的目標(biāo)膜層，且使目標(biāo)膜層中位于第一區(qū)域內(nèi)的第一目標(biāo)膜層的厚度，不同于位于第二區(qū)域內(nèi)的第二目標(biāo)膜層的厚度，利用不同厚度的目標(biāo)膜層對光的干涉不同，來減弱第二區(qū)域內(nèi)的藍(lán)光分量，以改善液晶顯示模組顯示區(qū)邊緣偏藍(lán)的問題。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。