1.一種液晶顯示模組，其特征在于，包括：位于顯示區(qū)中部的第一區(qū)域，圍繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的內(nèi)邊緣與所述第一區(qū)域邊緣重合，所述顯示區(qū)邊緣與所述第二區(qū)域的外邊緣重合或位于所述第二區(qū)域的外邊緣內(nèi)；
所述液晶顯示模組包括陣列基板和背光模組，所述陣列基板包括基板和設置于所述基板一側(cè)的目標膜層，所述目標膜層與光的干涉強相關；
所述背光模組位于所述陣列基板遠離所述目標膜層的一側(cè)，所述背光模組包括藍光背光源和設置于所述藍光背光源與所述陣列基板之間的量子點色彩增強膜；
所述目標膜層包括位于所述第一區(qū)域內(nèi)的第一目標膜層，以及位于所述第二區(qū)域內(nèi)的第二目標膜層，所述第二目標膜層的厚度不同于所述第一目標膜層的厚度。
2.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述量子點色彩增強膜包括周邊區(qū)域，所述周邊區(qū)域的顯示色度偏藍；
所述第二區(qū)域與位于所述顯示區(qū)內(nèi)的所述周邊區(qū)域，在所述陣列基板上的垂直投影重合。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述目標膜層包括緩沖層、柵極絕緣層和間隔絕緣層中的至少一種。
4.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述目標膜層包括緩沖層、柵極絕緣層和間隔絕緣層中的任一種，所述第二目標膜層的厚度為：
其中，m為正整數(shù)，λ為所述第二區(qū)域的綠光分量的波長，n1為所述第二目標膜層的折射率。
5.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述目標膜層包括緩沖層、柵極絕緣層和間隔絕緣層中的任一種，所述第二目標膜層的厚度為：
其中，m為正整數(shù)，λ為所述第二區(qū)域的藍光分量的波長，n1為所述第二目標膜層的折射率。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述目標膜層的厚度由所述目標膜層的厚度與顯示色度的預設對應關系確定，以降低所述液晶顯示模組顯示區(qū)內(nèi)所述第二區(qū)域相對于所述第一區(qū)域的顯示偏藍值。
7.根據(jù)權利要求6所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述目標膜層包括緩沖層、間隔絕緣層和柵極絕緣層，所述緩沖層和間隔絕緣層均包括氮化硅層和氧化硅層，所述柵極絕緣層包括氧化硅層。
8.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度和氧化硅層厚度均為3000埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃。
9.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2300埃或3800至3900埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000至3100埃。
10.根據(jù)權利要求8所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3800埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃。
11.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2100至2500?；?500至3800埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2900至3100?；?500至1800埃。
12.根據(jù)權利要求11所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2300埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃。
13.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2400埃或3800至4000埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為1600至1800埃或2900至3200埃。
14.根據(jù)權利要求13所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3800埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃。
15.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層和第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度和氧化硅層厚度均為3000埃；
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為300至600埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1000至1300埃。
16.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為500埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1300埃。
17.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層和第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2300埃或3700至3900埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1000至1300埃。
18.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3800埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1300埃。
19.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層和第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2800至3200埃；
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為300至600埃。
20.根據(jù)權利要求19所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2900埃；
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為500埃。
21.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；
所述第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2200至2400?；?500至3700埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1100至1300埃。
22.根據(jù)權利要求21所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2300埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為1300埃。
23.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第二目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為0埃，氧化硅層厚度為3000埃；
所述第一目標膜層中緩沖層的氮化硅層厚度為500埃，氧化硅層厚度為2500埃；
所述第一目標膜層和第二目標膜層中間隔絕緣層的氧化硅層厚度為3000埃；
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為1100至4000埃；
所述第一目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為3000埃；
所述第二目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為800埃；
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為200至600埃。
24.根據(jù)權利要求23所述的液晶顯示模組，其特征在于，
所述第二目標膜層中間隔絕緣層的氮化硅層厚度為2100埃；
所述第一目標膜層中柵極絕緣層的氧化硅層厚度為500埃。
25.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述第二區(qū)域包括多個互不交疊的第二子區(qū)域，每個所述第二子區(qū)域依次圍繞所述第一區(qū)域設置；
多個所述第二子區(qū)域中的所述目標膜層的厚度不同。
26.根據(jù)權利要求25所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述目標膜層通過多層半色調(diào)掩膜工藝制備。
27.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示模組，其特征在于，所述藍光背光源包括直下式背光源或側(cè)入式背光源；
所述藍光背光源包括側(cè)入式背光源時，靠近所述藍光背光源的所述第一區(qū)域的側(cè)邊到所述顯示區(qū)邊緣的距離小于或者等于4.6mm，所述第一區(qū)域其他三個側(cè)邊到所述顯示區(qū)邊緣的距離小于或者等于2.2mm。