本發(fā)明涉及一種復(fù)合空穴注入層、發(fā)光器件及其制備和應(yīng)用，特別是涉及一種nio復(fù)合空穴注入層、量子點發(fā)光器件及其制備和應(yīng)用，應(yīng)用于新型顯示器件制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

量子點發(fā)光二極管(qled)具有發(fā)射半峰寬窄、色彩可調(diào)、發(fā)光量子效率高和發(fā)光壽命長等優(yōu)勢，已成為下一代新型led顯示的熱門領(lǐng)域，有廣闊的發(fā)展前景。

目前典型的qled器件結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，即量子點發(fā)光層夾在空穴傳輸層和電子傳輸層之間。傳輸層既可以由有機小分子或聚合物組成，也可以由無機金屬氧化物組成?？昭ê碗娮拥淖⑷胧欠衿胶鈺苯佑绊懙桨l(fā)光器件的發(fā)光效率。目前在qled器件中電子的注入能力比空穴的注入能力要強，因此對空穴材料的研究就變得極為重要。有機的pedot:pss在qled器件構(gòu)筑中被廣泛用作為空穴注入層。pedot:pss具有優(yōu)秀的空穴注入性能，但是它的強酸性會腐蝕ito電極，從而影響發(fā)光器件的穩(wěn)定性。此外，pedot:pss對電子的阻擋能力相對較弱，因此也影響了器件的發(fā)光性能。

氧化鎳(nio)是一種寬帶系無機半導體金屬氧化物，具有良好的空穴傳輸性質(zhì)、透光性良好且電子阻擋能力強，已被考慮作為替代pedot:pss的理想空穴材料之一。但是ito與nio之間的能級勢壘較高，不利于空穴的注入。nio摻雜li,mg,cu等金屬元素m一方面可以降低nio價帶，使ito與空穴傳輸層之間的能級更為匹配，另一方面也能改善空穴傳輸能力。但是摻雜金屬元素m在nio中，也將導致nio和量子點之間的能級勢壘增高，阻礙空穴注入。單層nio空穴注入層不能解決載流子注入平衡問題，使器件的性能及其穩(wěn)定性的提高受到限制，整體器件的壽命較短。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于克服已有技術(shù)存在的不足，提供一種nio復(fù)合薄膜、量子點發(fā)光器件及其制備和應(yīng)用，采用m:nio/nio復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，既可以解決空穴注入問題，改善器件中的載流子注入平衡，進而提高器件的性能及其穩(wěn)定性，解決了現(xiàn)有量子點發(fā)光器件壽命短的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種m金屬摻雜nio的復(fù)合材料薄膜，由m金屬摻雜nio的m:nio薄膜層和nio薄膜層復(fù)合而成具有nio成分梯度的m:nio/nio結(jié)構(gòu)形式的復(fù)合材料薄膜，其中m金屬為li、mg和cu中的任意一種金屬或合金，m金屬摻雜nio薄膜層中m摻雜摩爾比例為1～5mol％。

上述m:nio/nio復(fù)合材料薄膜厚度優(yōu)選為30～40nm。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，當m金屬為cu時，cu:nio/nio結(jié)的復(fù)合材料薄膜的厚度為35～40nm；當m金屬為li時，li:nio/nio復(fù)合材料薄膜的厚度為30～40nm；當m金屬為mg時，mg:nio/nio復(fù)合薄膜的厚度為30～40nm。

一種本發(fā)明m金屬摻雜nio的復(fù)合材料薄膜的制備方法，包括如下步驟：

a.m金屬鹽采用乙酸銅、氯化鋰和乙酸鎂中的任意一種鹽或任意幾種的混合鹽，將0.03～0.97mmol的乙酸鎳四水合物和0.03～0.97mmol的m金屬鹽混合并溶解于至少10ml無水乙醇中，邊攪拌邊滴加至少60.4μl乙醇胺作為穩(wěn)定劑，在不高于70℃溫度下攪拌至少4h，之后在室溫下攪拌至少8h，得到m金屬:nio混合漿液，備用；

b.將1mmol乙酸鎳四水合物溶解于至少10ml無水乙醇中，邊攪拌邊滴加至少60.4μl乙醇胺作為穩(wěn)定劑，在不高于70℃溫度下攪拌至少4h，之后在室溫下攪拌至少8h，得到nio漿液，備用；

c.用移液槍吸取120μl的在所述步驟a中制備的m:nio漿液在襯底上，以不低于4000rpm的速度進行旋涂至少50s，在襯底上制備m:nio涂覆液膜，并在空氣中于不低于400℃溫度下對m:nio涂覆液膜干燥固化，然后進行退火至少20min，得到m:nio固化膜，待m:nio固化膜冷卻至室溫后，再進行o3-plasma處理至少3min；

d.在所述步驟c中制備的m:nio固化膜經(jīng)過o3-plasma處理后，再用移液槍吸取120μl在所述步驟b中制備nio漿液，以不低于5000rpm的速度進行旋涂至少50s，在m:nio固化膜上繼續(xù)涂覆nio液膜，并在空氣中不低于275℃溫度下對nio液膜干燥固化，然后進行退火至少30min，即完成m:nio/nio復(fù)合薄膜的制備。

一種本發(fā)明m金屬摻雜nio的復(fù)合材料薄膜的應(yīng)用，將m:nio/nio復(fù)合材料薄膜設(shè)置于電極層和空穴傳輸層之間，用作復(fù)合空穴注入層，使m:nio/nio復(fù)合材料薄膜中的m:nio薄膜層與電極層直接結(jié)合，使m:nio/nio復(fù)合材料薄膜中的nio薄膜層與空穴傳輸層直接結(jié)合。

一種采用本發(fā)明m金屬摻雜nio的復(fù)合材料薄膜的量子點發(fā)光器件，從下而上依次設(shè)置陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述陽極厚度為100～150nm；所述空穴注入層為m:nio/nio結(jié)構(gòu)形式的p型半導體復(fù)合材料薄膜，所述空穴注入層厚度為30～40nm；所述空穴傳輸層的厚度為20～25nm；所述量子點發(fā)光層的厚度為25～30nm；所述電子傳輸層厚度為35～40nm；所述陰極厚度為100～150nm。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述陽極為ito導電玻璃；所述空穴傳輸層材料為pvk；所述量子點發(fā)光層為具有核殼結(jié)構(gòu)的cdse/zns量子點材料層，所述量子點的發(fā)光效率為70～90％，發(fā)射波長為525～535nm，半峰寬為22～25nm；所述電子傳輸層材料為氧化鋅納米顆粒制成；所述陰極為al電極或ag電極。

一種本發(fā)明量子點發(fā)光器件的制備方法，量子點發(fā)光器件自下而上分別是：第一層即陽極，采用透明導電玻璃構(gòu)成；第二層即空穴注入層，為p型半導體m:nio/nio復(fù)合材料薄膜，通過溶液旋涂法形成；第三層即空穴傳輸層，通過溶液旋涂法形成；第四層即量子點發(fā)光層，通過溶液旋涂法與空穴傳輸層結(jié)合；第五層即電子傳輸層，通過溶液旋涂法形成；第六層即陰極，通過真空蒸鍍將金屬沉積在電子傳輸層表面，制成量子點發(fā)光器件。

作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，量子點發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

ⅰ.陽極襯底預(yù)處理：采用厚度為100～150nm透明導電玻璃作為陽極襯底，將透明導電玻璃進行清洗處理，分別用清潔劑、去離子水、丙酮和異丙醇對透明導電玻璃連續(xù)超聲清洗處理各15min，待透明導電玻璃烘干后，再進行o3-plasma處理至少15min，通過上述預(yù)處理得到干燥清潔的透明導電玻璃，作為陽極襯底備用；

ⅱ.空穴注入層的制備：采用溶液旋涂法，在所述步驟ⅰ中經(jīng)過預(yù)處理的透明導電玻璃上一次制備由m:nio層和nio層組成的厚度為30～40nm的m:nio/nio復(fù)合材料薄膜，作為空穴注入層；

ⅲ.空穴傳輸層的制備：將在所述步驟ⅱ中制備的器件轉(zhuǎn)移至氮氣手套箱中，以至少4000轉(zhuǎn)/分鐘旋涂濃度為8mg/ml的pvk，旋涂時間至少為50s；旋涂完成后，然后在不低于150℃下退火處理至少30min，形成厚度為20～25nm的pvk層，作為空穴傳輸層；

ⅳ.量子點發(fā)光層的制備：采用溶液旋涂法，在所述步驟ⅲ中完成退火處理后制備的pvk層上繼續(xù)旋涂量子點溶液，其中量子點為cdse/cds核殼結(jié)構(gòu)，分散于正辛烷中形成量子點溶液，在量子點溶液中的量子點的濃度為不低于10mg/ml，溶液旋涂法采用的轉(zhuǎn)速至少為2000r/min，控制指旋涂時間至少60s，在旋涂完成后，在不低于90℃下，進行退火處理至少20min，得到厚度為25～30nm量子點材料層，作為量子點發(fā)光層；

ⅴ.電子傳輸層的制備：在所述步驟ⅳ中形成的量子點發(fā)光層上再旋涂一層氧化鋅乙醇溶液，氧化鋅乙醇溶液的氧化鋅濃度至少為30mg/ml，轉(zhuǎn)速至少為2000r/min，旋涂時間至少為60s，在旋涂氧化鋅材料液膜完成后，在不低于90℃下，進行退火處理至少20min，得到厚度為35～40nm的氧化鋅材料薄膜，作為電子傳輸層；

ⅵ.陰極：將在所述步驟ⅴ中旋涂完成的器件轉(zhuǎn)移至真空蒸鍍室，在氧化鋅材料薄膜上機組制備厚度為100～150nm的蒸鍍ag電極，作為陰極，完成量子點發(fā)光器件的制備。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見的突出實質(zhì)性特點和顯著優(yōu)點：

1.本發(fā)明通過制備m:nio/nio復(fù)合薄膜，不僅改善了空穴注入能力，令空穴和電子的注入更為平衡，而且降低了空穴注入勢壘障礙，從而加速了空穴和電子的遷移速度，提高了量子點發(fā)光器件的電流效率，本發(fā)明不僅解決空穴注入問題，改善器件中的載流子注入平衡，還進而提高器件的性能及其穩(wěn)定性；

2.本發(fā)明除陰極使用真空蒸鍍外，包括無機空穴復(fù)合層在內(nèi)的全部功能層全部使用溶液旋涂法進行薄膜的制備，材料易獲取，方法簡單，成本較低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例四量子點發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)原理圖。

圖2為本發(fā)明實施例四量子點發(fā)光器件的電流密度-電流效率效率圖。

具體實施方式

本發(fā)明的優(yōu)選實施例詳述如下：

實施例一：

在本實施例中，一種cu:nio/nio復(fù)合薄膜的制備方法，包括如下步驟：

a.將0.97mmol乙酸鎳四水合物和0.03mmol乙酸銅一水合物混合并溶解于10ml無水乙醇中，邊攪拌邊滴加60.4μl乙醇胺作為穩(wěn)定劑，在70℃溫度下攪拌4h，之后在室溫下攪拌8h，得到cu:nio溶液，備用；

b.將1mmol乙酸鎳四水合物溶解于10ml無水乙醇中，邊攪拌邊滴加60.4μl乙醇胺作為穩(wěn)定劑，在70℃溫度下攪拌4h，之后在室溫下攪拌8h，得到nio溶液，備用；

c.用移液槍吸取120μl的在所述步驟a中制備的cu:nio溶液在ito襯底上，以4000rpm的速度進行旋涂50s，在ito襯底上制備cu:nio涂覆液膜，并在空氣中于400℃溫度下對cu:nio涂覆液膜干燥固化，然后進行退火處理20min，得到cu:nio固化膜，待cu:nio固化膜冷卻至室溫后，再進行o3-plasma處理3min；

d.在所述步驟c中制備的cu:nio固化膜經(jīng)過o3-plasma處理后，再用移液槍吸取120μl在所述步驟b中制備nio溶液，以6000rpm的速度進行旋涂50s，在cu:nio固化膜上繼續(xù)涂覆nio液膜，并在空氣中275℃溫度下對nio液膜干燥固化，然后進行退火處理30min，即完成cu:nio/nio復(fù)合薄膜的制備。

本實施例制備了cu:nio/nio復(fù)合薄膜，cu摻雜比例為3mol％。本實施例制備的cu:nio/nio復(fù)合薄膜的兩側(cè)形成不同的nio質(zhì)量分數(shù)材料，當cu:nio/nio復(fù)合薄膜的cu:nio層一側(cè)與電極材料層結(jié)合時，由于cu:nio層是nio摻雜金屬元素cu，一方面降低了單一nio的價帶，還使電極與空穴傳輸層之間的能級更為匹配，從而改善空穴傳輸能力。但是摻雜金屬元素cu在nio中，也將導致nio和量子點材料層之間的能級勢壘增高，阻礙空穴注入，所以在cu:nio層和量子點材料層之間設(shè)置nio層和空穴傳輸層，采用本實施例cu:nio/nio復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)既可以解決空穴注入問題，改善器件中的載流子注入平衡，進而提高量子點發(fā)光二極管(qled)的性能及其穩(wěn)定性。

實施例二：

本實施例與實施例一基本相同，特別之處在于：

在本實施例中，一種li:nio/nio復(fù)合薄膜的制備方法，包括如下步驟：

a.將0.97mmol乙酸鎳四水合物和0.03mmol氯化鋰混合并溶解于10ml無水乙醇中，邊攪拌邊滴加60.4μl乙醇胺作為穩(wěn)定劑，在70℃溫度下攪拌4h，之后在室溫下攪拌8h，得到li:nio溶液，備用；

b.本步驟與實施例一相同；

c.用移液槍吸取120μl的在所述步驟a中制備的li:nio溶液在ito襯底上，以4000rpm的速度進行旋涂50s，在ito襯底上制備li:nio涂覆液膜，并在空氣中于400℃溫度下對li:nio涂覆液膜干燥固化，然后進行退火處理20min，得到li:nio固化膜，待li:nio固化膜冷卻至室溫后，再進行o3-plasma處理3min；

d.在所述步驟c中制備的li:nio固化膜經(jīng)過o3-plasma處理后，再用移液槍吸取120μl在所述步驟b中制備nio溶液，以5000rpm的速度進行旋涂50s，在li:nio固化膜上繼續(xù)涂覆nio液膜，并在空氣中275℃溫度下對nio液膜干燥固化，然后進行退火處理30min，即完成li:nio/nio復(fù)合薄膜的制備。

本實施例制備了li:nio/nio復(fù)合薄膜，li摻雜比例為3mol％。本實施例制備的li:nio/nio復(fù)合薄膜的兩側(cè)形成不同的nio質(zhì)量分數(shù)材料，當li:nio/nio復(fù)合薄膜的li:nio層一側(cè)與電極材料層結(jié)合時，由于li:nio層是nio摻雜金屬元素li，一方面降低了單一nio的價帶，還使電極與空穴傳輸層之間的能級更為匹配，從而改善空穴傳輸能力。但是摻雜金屬元素li在nio中，也將導致nio和量子點材料層之間的能級勢壘增高，阻礙空穴注入，所以在li:nio層和量子點材料層之間設(shè)置nio層和空穴傳輸層，采用本實施例li:nio/nio復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)既可以解決空穴注入問題，改善器件中的載流子注入平衡，進而提高量子點發(fā)光二極管(qled)的性能及其穩(wěn)定性。

實施例三：

本實施例與前述實施例基本相同，特別之處在于：

在本實施例中，一種mg:nio/nio復(fù)合薄膜的制備方法，包括如下步驟：

a.將0.97mmol乙酸鎳四水合物和0.03mmol乙酸鎂四水合物混合并溶解于10ml無水乙醇中，邊攪拌邊滴加60.4μl乙醇胺作為穩(wěn)定劑，在70℃溫度下攪拌4h，之后在室溫下攪拌8h，得到mg:nio溶液，備用；

b.本步驟與實施例一相同；

c.用移液槍吸取120μl的在所述步驟a中制備的mg:nio溶液在ito襯底上，以4000rpm的速度進行旋涂60s，在ito襯底上制備mg:nio涂覆液膜，并在空氣中于400℃溫度下對mg:nio涂覆液膜干燥固化，然后進行退火處理20min，得到mg:nio固化膜，待mg:nio固化膜冷卻至室溫后，再進行o3-plasma處理3min；

d.在所述步驟c中制備的mg:nio固化膜經(jīng)過o3-plasma處理后，再用移液槍吸取120μl在所述步驟b中制備nio溶液，以6000rpm的速度進行旋涂60s，在mg:nio固化膜上繼續(xù)涂覆nio液膜，并在空氣中275℃溫度下對nio液膜干燥固化，然后進行退火處理30min，即完成mg:nio/nio復(fù)合薄膜的制備。

本實施例制備了mg:nio/nio復(fù)合薄膜，mg摻雜比例為3mol％。本實施例制備的mg:nio/nio復(fù)合薄膜的兩側(cè)形成不同的nio質(zhì)量分數(shù)材料，當mg:nio/nio復(fù)合薄膜的mg:nio層一側(cè)與電極材料層結(jié)合時，由于mg:nio層是nio摻雜金屬元素mg，一方面降低了單一nio的價帶，還使電極與空穴傳輸層之間的能級更為匹配，從而改善空穴傳輸能力。但是摻雜金屬元素mg在nio中，也將導致nio和量子點材料層之間的能級勢壘增高，阻礙空穴注入，所以在mg:nio層和量子點材料層之間設(shè)置nio層和空穴傳輸層，采用本實施例mg:nio/nio復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)既可以解決空穴注入問題，改善器件中的載流子注入平衡，進而提高量子點發(fā)光二極管(qled)的性能及其穩(wěn)定性。

實施例四：

本實施例與前述實施例基本相同，特別之處在于：

在本實施例中，參見圖1，量子點發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

ⅰ.陽極襯底預(yù)處理：采用厚度為100nm的ito透明導電玻璃作為陽極襯底，將ito透明導電玻璃進行清洗處理，分別用清潔劑、去離子水、丙酮和異丙醇對ito透明導電玻璃連續(xù)超聲清洗處理各15min，待ito透明導電玻璃烘干后，再進行o3-plasma處理15min，進行深度清潔并提高ito的功函數(shù)，通過上述預(yù)處理得到干燥清潔的ito透明導電玻璃，作為陽極1襯底備用；

ⅱ.空穴注入層的制備：采用與實施例一相同的制備方法，采用溶液旋涂法，在所述步驟ⅰ中經(jīng)過預(yù)處理的ito透明導電玻璃上一次制備由cu:nio層和nio層組成的厚度為30nm的cu:nio/nio復(fù)合材料薄膜，作為空穴注入層2；

ⅲ.空穴傳輸層的制備：將在所述步驟ⅱ中制備的器件轉(zhuǎn)移至氮氣手套箱中，以4000轉(zhuǎn)/分鐘旋涂濃度為8mg/ml的pvk，旋涂時間為50s；旋涂完成后，然后在150℃下退火處理30min，形成厚度為20nm的pvk層，作為空穴傳輸層3；

ⅳ.量子點發(fā)光層的制備：采用溶液旋涂法，在所述步驟ⅲ中完成退火處理后制備的pvk層上繼續(xù)旋涂量子點溶液，其中量子點為cdse/cds核殼結(jié)構(gòu)，分散于正辛烷中形成量子點溶液，在量子點溶液中的量子點的濃度為10mg/ml，溶液旋涂法采用的轉(zhuǎn)速為2000r/min，控制指旋涂時間60s，在旋涂完成后，在90℃下，進行退火處理20min，得到厚度為25nm量子點材料層，作為量子點發(fā)光層4；

ⅴ.電子傳輸層的制備：在所述步驟ⅳ中形成的量子點發(fā)光層上再旋涂一層氧化鋅乙醇溶液，氧化鋅乙醇溶液的氧化鋅濃度為30mg/ml，轉(zhuǎn)速為2000r/min，旋涂時間為60s，在旋涂氧化鋅材料液膜完成后，在90℃下，進行退火處理20min，得到厚度為35nm的氧化鋅材料薄膜，作為電子傳輸層5；

ⅵ.陰極：將在所述步驟ⅴ中旋涂完成的器件轉(zhuǎn)移至真空蒸鍍室，在氧化鋅材料薄膜上機組制備厚度為100nm的蒸鍍ag電極，作為陰極6，完成量子點發(fā)光器件的制備。

本實施例量子點發(fā)光器件，參見圖1，從下而上依次設(shè)置陽極1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、量子點發(fā)光層4、電子傳輸層5和陰極6，空穴注入層2為cu:nio/nio結(jié)構(gòu)形式的p型半導體復(fù)合材料薄膜。本實施例量子點發(fā)光器件通過制備cu:nio/nio復(fù)合薄膜，不僅改善了空穴注入能力，令空穴和電子的注入更為平衡，而且降低了空穴注入勢壘障礙，從而加速了空穴和電子的遷移速度，提高了量子點發(fā)光器件的電流效率，參見圖2，具有cu:nio/nio復(fù)合薄膜的量子點器件電流效率達到11cd/a，且電流效率滾降緩慢，器件穩(wěn)定性良好。

實施例五：

本實施例與實施例四基本相同，特別之處在于：

在本實施例中，量子點發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

ⅰ.陽極襯底預(yù)處理：采用厚度為150nm的ito透明導電玻璃作為陽極襯底，將ito透明導電玻璃進行清洗處理，分別用清潔劑、去離子水、丙酮和異丙醇對ito透明導電玻璃連續(xù)超聲清洗處理各15min，待ito透明導電玻璃烘干后，再進行o3-plasma處理15min，進行深度清潔并提高ito的功函數(shù)，通過上述預(yù)處理得到干燥清潔的ito透明導電玻璃，作為陽極1襯底備用；

ⅱ.空穴注入層的制備：采用與實施例一相同的制備方法，采用溶液旋涂法，在所述步驟ⅰ中經(jīng)過預(yù)處理的ito透明導電玻璃上一次制備由cu:nio層和nio層組成的厚度為40nm的cu:nio/nio復(fù)合材料薄膜，作為空穴注入層2；

ⅲ.空穴傳輸層的制備：將在所述步驟ⅱ中制備的器件轉(zhuǎn)移至氮氣手套箱中，以4000轉(zhuǎn)/分鐘旋涂濃度為8mg/ml的pvk，旋涂時間為50s；旋涂完成后，然后在150℃下退火處理30min，形成厚度為25nm的pvk層，作為空穴傳輸層3；

ⅳ.量子點發(fā)光層的制備：采用溶液旋涂法，在所述步驟ⅲ中完成退火處理后制備的pvk層上繼續(xù)旋涂量子點溶液，其中量子點為cdse/cds核殼結(jié)構(gòu)，分散于正辛烷中形成量子點溶液，在量子點溶液中的量子點的濃度為10mg/ml，溶液旋涂法采用的轉(zhuǎn)速為2000r/min，控制指旋涂時間60s，在旋涂完成后，在90℃下，進行退火處理20min，得到厚度為30nm量子點材料層，作為量子點發(fā)光層4；

ⅴ.電子傳輸層的制備：在所述步驟ⅳ中形成的量子點發(fā)光層上再旋涂一層氧化鋅乙醇溶液，氧化鋅乙醇溶液的氧化鋅濃度為30mg/ml，轉(zhuǎn)速為2000r/min，旋涂時間為60s，在旋涂氧化鋅材料液膜完成后，在90℃下，進行退火處理20min，得到厚度為40nm的氧化鋅材料薄膜，作為電子傳輸層5；

ⅵ.陰極：將在所述步驟ⅴ中旋涂完成的器件轉(zhuǎn)移至真空蒸鍍室，在氧化鋅材料薄膜上機組制備厚度為150nm的蒸鍍ag電極，作為陰極6，完成量子點發(fā)光器件的制備。

本實施例量子點發(fā)光器件，參見圖1，從下而上依次設(shè)置陽極1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、量子點發(fā)光層4、電子傳輸層5和陰極6，空穴注入層2為cu:nio/nio結(jié)構(gòu)形式的p型半導體復(fù)合材料薄膜。本實施例量子點發(fā)光器件通過制備cu:nio/nio復(fù)合薄膜，不僅改善了空穴注入能力，令空穴和電子的注入更為平衡，而且降低了空穴注入勢壘障礙，從而加速了空穴和電子的遷移速度，提高了量子點發(fā)光器件的電流效率。

上面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行了說明，但本發(fā)明不限于上述實施例，還可以根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明創(chuàng)造的目的做出多種變化，凡依據(jù)本發(fā)明技術(shù)方案的精神實質(zhì)和原理下做的改變、修飾、替代、組合或簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，只要符合本發(fā)明的發(fā)明目的，只要不背離本發(fā)明m:nio/nio復(fù)合薄膜、量子點發(fā)光器件及其制備和應(yīng)用的技術(shù)原理和發(fā)明構(gòu)思，都屬于本發(fā)明的保護范圍。