玻璃基板的蝕刻方法及蝕刻浸泡裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種玻璃基板的蝕刻方法及蝕刻浸泡裝置，該玻璃基板的蝕刻方法包括如下步驟：步驟1.提供待蝕刻的玻璃基板(1)、刻蝕槽(3)、蝕刻藥液及供給管路(7)；步驟2.在刻蝕槽(3)內(nèi)設(shè)置一浸泡槽(9)；步驟3.所述供給管路(7)向浸泡槽(9)內(nèi)注入蝕刻藥液直至注入預(yù)定量的蝕刻藥液；步驟4.將待蝕刻的玻璃基板(1)送入刻蝕槽(3)內(nèi)；步驟5.升高浸泡槽(9)直至其內(nèi)蝕刻藥液完全浸沒(méi)玻璃基板(1)；步驟6.達(dá)到預(yù)定浸泡時(shí)間后，降低浸泡槽(9)露出玻璃基板(1)。該玻璃基板的蝕刻方法簡(jiǎn)單、易操作，能夠縮短蝕刻制程時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。
【專利說(shuō)明】玻璃基板的蝕刻方法及蝕刻浸泡裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示器的制程領(lǐng)域，尤其涉及一種玻璃基板的蝕刻方法及蝕刻浸 泡裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示器（Liquid Crystal Display, LCD)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)福射等眾多優(yōu) 點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，如：移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理（PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記 本電腦屏幕等。
[0003] 薄膜晶體管液晶顯不器一般包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背 光模組（Backlight module)。其中，液晶面板的結(jié)構(gòu)是由一薄膜晶體管陣列基板（Thin Film Transistor Array Substrate, TFT Array Substrate) >一彩色濾光片基板（Color Filter, CF)、以及一配置于兩基板間的液晶層（Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其工作原理是通過(guò) 在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射 出來(lái)產(chǎn)生畫面。
[0004] 上述TFT-IXD的制程過(guò)程一般包括：前段陣列（Array)制程，主要是制造 TFT基板 及CF基板；中段成盒（Cell)制程，主要是將TFT基板與CF基板貼合，在二者之間添加液晶， 形成液晶面板；及后段模組組裝制程，主要是將液晶面板與背光模組、PCB等其它零部件進(jìn) 行組裝。
[0005] 前段陣列制程又包括：玻璃基板的清洗與干燥、鍍膜、涂光刻膠、曝光、顯影、蝕刻、 去除光刻膠等制程。蝕刻制程分為干法蝕刻與濕法蝕刻。濕法蝕刻是使用液體化學(xué)試劑， 即蝕刻藥液以化學(xué)腐蝕的方式去除無(wú)光刻膠覆蓋的薄膜，以在玻璃基板上形成所需的電路 圖案。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)TFT-LCD的玻璃基板進(jìn)行濕法蝕刻有噴淋和浸泡兩種方式。浸泡 是將玻璃基板完全浸入蝕刻藥液進(jìn)行蝕刻。請(qǐng)參閱圖1、圖2,傳統(tǒng)的對(duì)TFT-LCD的玻璃基 板進(jìn)行浸泡的方法，主要包括：步驟Γ、傳動(dòng)裝置100將待蝕刻的玻璃基板200輸送入刻蝕 槽300內(nèi)，數(shù)個(gè)擋板400上升構(gòu)成一容置空間；步驟2'、供給管路500向該由數(shù)個(gè)擋板400 上升構(gòu)成的容置空間內(nèi)注入蝕刻藥液，直至待蝕刻的玻璃基板200完全浸入蝕刻藥液，進(jìn) 行浸泡蝕刻。上述方法需要先將玻璃基板200輸送至刻蝕槽300內(nèi)，再注滿蝕刻藥液，才能 進(jìn)行浸泡蝕刻，造成蝕刻制程的時(shí)間較長(zhǎng)，不利于提高生產(chǎn)效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種玻璃基板的蝕刻方法，能夠縮短蝕刻制程時(shí)間，提高 生產(chǎn)效率。
[0008] 本發(fā)明的目的還在于提供一種蝕刻浸泡裝置，能夠使得蝕刻藥液在極短的時(shí)間內(nèi) 浸沒(méi)送到的待蝕刻的玻璃基板，利于提高生產(chǎn)效率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)。
[0009] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種玻璃基板的蝕刻方法，包括如下步驟：
[0010] 步驟1、提供待蝕刻的玻璃基板、刻蝕槽、蝕刻藥液及供給管路；
[0011] 步驟2、在刻蝕槽內(nèi)設(shè)置一浸泡槽；
[0012] 步驟3、所述供給管路向浸泡槽內(nèi)注入蝕刻藥液直至注入預(yù)定量的蝕刻藥液；
[0013] 步驟4、將待蝕刻的玻璃基板送入刻蝕槽內(nèi)；
[0014] 步驟5、升高浸泡槽直至其內(nèi)蝕刻藥液完全浸沒(méi)玻璃基板；
[0015] 步驟6、達(dá)到預(yù)定浸泡時(shí)間后，降低浸泡槽露出玻璃基板。
[0016] 所述浸泡槽的材質(zhì)為PVC。
[0017] 所述供給管路位于浸泡槽的一側(cè)以注入蝕刻藥液。
[0018] 所述浸泡槽的底部?jī)啥嗽O(shè)有氣缸，為步驟5與步驟6中所述浸泡槽的升降提供動(dòng) 力。
[0019] 所述步驟4通過(guò)傳動(dòng)裝置將待蝕刻的玻璃基板送入刻蝕槽內(nèi)，所述傳動(dòng)裝置包括 數(shù)個(gè)位于刻蝕槽內(nèi)的滾輪，所述浸泡槽包圍該數(shù)個(gè)滾輪，在步驟5升高該浸泡槽后，所述數(shù) 個(gè)滾輪位于浸泡槽內(nèi)。
[0020] 在所述步驟3注入到預(yù)定量的蝕刻藥液時(shí)，所述步驟4將待蝕刻的玻璃基板送入 到刻蝕槽內(nèi)預(yù)定的位置。
[0021] 所述玻璃基板為用于TFT-IXD的玻璃基板。
[0022] 本發(fā)明還提供一種玻璃基板的蝕刻浸泡裝置，包括刻蝕槽、傳動(dòng)裝置、浸泡槽、及 供給管路，所述浸泡槽位于刻蝕槽內(nèi)，所述傳動(dòng)裝置包括數(shù)個(gè)位于刻蝕槽內(nèi)的滾輪，所述浸 泡槽包圍該數(shù)個(gè)滾輪，所述供給管路用于供給蝕刻藥液給浸泡槽。
[0023] 所述浸泡槽的材質(zhì)為PVC。
[0024] 該蝕刻浸泡裝置還包括設(shè)于所述浸泡槽的底部?jī)啥说臍飧?，為所述浸泡槽于刻蝕 槽內(nèi)的升降提供動(dòng)力。
[0025] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明玻璃基板的蝕刻方法，在刻蝕槽內(nèi)設(shè)置浸泡槽，在玻璃 基板進(jìn)入刻蝕槽之前向所述浸泡槽內(nèi)注入預(yù)定量的蝕刻藥液，在玻璃基板進(jìn)入刻蝕槽之后 立即通過(guò)氣缸升高浸泡槽，使玻璃基板瞬時(shí)完全浸入蝕刻藥液，減少了蝕刻制程的時(shí)間，提 高了生產(chǎn)效率；本發(fā)明蝕刻浸泡裝置，通過(guò)在刻蝕槽內(nèi)設(shè)置浸泡槽，并在浸泡槽的底部?jī)啥?設(shè)置氣缸，由氣缸實(shí)現(xiàn)浸泡槽的快速升降，能夠使得蝕刻藥液在極短的時(shí)間內(nèi)浸沒(méi)玻璃基 板，利于提高生產(chǎn)效率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)。
[0026] 為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì) 說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027] 下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見(jiàn)。附圖中，
[0028] 圖1為現(xiàn)有的玻璃基板的蝕刻浸泡方法步驟Γ的示意圖；
[0029] 圖2為現(xiàn)有的玻璃基板的蝕刻浸泡方法步驟2'的示意圖；
[0030] 圖3為本發(fā)明玻璃基板的蝕刻方法的流程圖；
[0031] 圖4為本發(fā)明玻璃基板的蝕刻浸泡裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖5為本發(fā)明玻璃基板的蝕刻方法的步驟4的示意圖；
[0033] 圖6為本發(fā)明玻璃基板的蝕刻方法的步驟5的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0035] 請(qǐng)參閱圖3至圖6,本發(fā)明提供一種玻璃基板的蝕刻方法，包括如下步驟：
[0036] 步驟1、提供待蝕刻的玻璃基板1、刻蝕槽3、蝕刻藥液6及供給管路7 ;
[0037] 步驟2、在刻蝕槽3內(nèi)設(shè)置一浸泡槽9 ;
[0038] 步驟3、所述供給管路7向浸泡槽9內(nèi)注入蝕刻藥液6直至注入預(yù)定量的蝕刻藥液 6 ；
[0039] 步驟4、將待蝕刻的玻璃基板1送入刻蝕槽3內(nèi)；
[0040] 步驟5、升高浸泡槽9直至其內(nèi)蝕刻藥液6完全浸沒(méi)玻璃基板1 ;
[0041] 步驟6、達(dá)到預(yù)定浸泡時(shí)間后，降低浸泡槽9露出玻璃基板1。
[0042] 具體的，所述步驟1中待蝕刻的玻璃基板1為用于TFT-LCD的玻璃基板；所述供給 管路7 -端置于刻蝕槽3內(nèi)，另一端插入儲(chǔ)存于機(jī)臺(tái)（未圖示）內(nèi)的蝕刻藥液中，用于供給 蝕刻藥液6給后續(xù)所述步驟3中的浸泡槽9。
[0043] 所述步驟2為在刻蝕槽3內(nèi)設(shè)置一浸泡槽9。所述浸泡槽9用于盛裝蝕刻藥液6, 以對(duì)玻璃基板1進(jìn)行蝕刻浸泡，其由具有耐腐蝕性的材料制成，優(yōu)選的，所述浸泡槽9由PVC 制成。特別需要指出的是，所述浸泡槽9的底部?jī)啥朔謩e設(shè)有一氣缸11，所述氣缸11作為 動(dòng)力源，為后續(xù)步驟5、步驟6中所述浸泡槽9的升降提供動(dòng)力。
[0044] 所述步驟3為所述供給管路7向浸泡槽9內(nèi)注入蝕刻藥液6直至注入預(yù)定量的蝕 刻藥液6。所述供給管路7位于所述浸泡槽9的一側(cè)，并對(duì)準(zhǔn)浸泡槽9,以注入蝕刻藥液6 ; 所述預(yù)定量的蝕刻藥液6,能夠保證在后續(xù)步驟5中完全浸沒(méi)所述玻璃基板1。
[0045] 當(dāng)所述步驟3注入預(yù)定量的蝕刻藥液6完成時(shí)，進(jìn)入步驟4,將待蝕刻的玻璃基板 1送入刻蝕槽3內(nèi)預(yù)定的位置。在所述步驟4中，通過(guò)傳動(dòng)裝置13將待蝕刻的玻璃基板1 送入刻蝕槽3內(nèi)；所述傳動(dòng)裝置13包括數(shù)個(gè)位于刻蝕槽3內(nèi)的滾輪131，所述浸泡槽9包圍 該數(shù)個(gè)滾輪131 ;進(jìn)一步的，所述數(shù)個(gè)滾輪131平行排布于玻璃基板1的上下兩側(cè)。此時(shí)， 盛裝有預(yù)定量的蝕刻藥液6的浸泡槽9位于待蝕刻的玻璃基板1的下方。
[0046] 所述步驟5中，通過(guò)所述氣缸11升高浸泡槽9直至其內(nèi)蝕刻藥液完全浸沒(méi)玻璃基 板1,相應(yīng)的，此時(shí)所述數(shù)個(gè)滾輪131也位于浸泡槽9內(nèi)。此過(guò)程可在瞬時(shí)內(nèi)完成，玻璃基板 1在極短時(shí)間內(nèi)即完全浸入蝕刻藥液，能夠減少蝕刻制程的時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。
[0047] 當(dāng)達(dá)到預(yù)定浸泡時(shí)間后，進(jìn)行步驟6的操作，通過(guò)所述氣缸11降低浸泡槽9露出 玻璃基板1，完成對(duì)所述玻璃基板1的蝕刻。通過(guò)氣缸11可以實(shí)現(xiàn)快速讓蝕刻藥液6離開 玻璃基板，從而更快速進(jìn)入下一個(gè)操作步驟，提高效率。
[0048] 請(qǐng)參閱圖4,本發(fā)明還提供一種玻璃基板的蝕刻浸泡裝置，包括刻蝕槽3、傳動(dòng)裝 置13、浸泡槽9及供給管路7。
[0049] 所述浸泡槽9用于盛裝蝕刻藥液6,其位于刻蝕槽3內(nèi)，并且所述浸泡槽9可于所 述刻蝕槽3內(nèi)進(jìn)行升降；所述傳動(dòng)裝置13用于傳送玻璃基板1至所述刻蝕槽3內(nèi)的預(yù)定位 置，其包括數(shù)個(gè)位于刻蝕槽3內(nèi)的滾輪131，該數(shù)個(gè)滾輪131平行排布于玻璃基板1的上下 兩側(cè)，所述浸泡槽9包圍該數(shù)個(gè)滾輪131 ;所述供給管路7位于所述浸泡槽9的一側(cè)，并對(duì) 準(zhǔn)浸泡槽9,用于供給蝕刻藥液6給浸泡槽9。
[0050] 所述浸泡槽9的材質(zhì)為PVC，具有耐腐蝕性。
[0051] 值得一提的是，該玻璃基板的蝕刻浸泡裝置還包括設(shè)于所述浸泡槽9的底部?jī)啥?的氣缸11，其作為動(dòng)力源為所述浸泡槽9于刻蝕槽3內(nèi)的升降提供動(dòng)力。在玻璃基板1進(jìn) 入刻蝕槽3之前，所述浸泡槽9在刻蝕槽3內(nèi)處于低位，所述供給管路7向浸泡槽9內(nèi)注 入預(yù)定量的蝕刻藥液6 ;當(dāng)所述傳動(dòng)裝置13傳送玻璃基板1至所述刻蝕槽3內(nèi)的預(yù)定位置 時(shí)，所述氣缸11立即帶動(dòng)所述浸泡槽9快速升高，使得所述浸泡槽9內(nèi)的蝕刻藥液6在極 短的時(shí)間內(nèi)浸沒(méi)玻璃基板1 ;當(dāng)達(dá)到預(yù)定的蝕刻浸泡時(shí)間后，所述氣缸11再帶動(dòng)所述浸泡 槽9下降返回至初始位置。
[0052] 綜上所述，本發(fā)明的玻璃基板的蝕刻方法，在刻蝕槽內(nèi)設(shè)置浸泡槽，在玻璃基板進(jìn) 入刻蝕槽之前向所述浸泡槽內(nèi)注入預(yù)定量的蝕刻藥液，在玻璃基板進(jìn)入刻蝕槽之后立即通 過(guò)氣缸升高浸泡槽，使玻璃基板瞬時(shí)完全浸入蝕刻藥液，減少了蝕刻制程的時(shí)間，提高了生 產(chǎn)效率；本發(fā)明玻璃基板的蝕刻浸泡裝置，通過(guò)在刻蝕槽內(nèi)設(shè)置浸泡槽，并在浸泡槽的底部 兩端設(shè)置氣缸，由氣缸實(shí)現(xiàn)浸泡槽的快速升降，能夠使得蝕刻藥液在極短的時(shí)間內(nèi)浸沒(méi)玻 璃基板，利于提商生廣效率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)。
[0053] 以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的 保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種玻璃基板的蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供待蝕刻的玻璃基板（1)、刻蝕槽（3)、蝕刻藥液（6)及供給管路（7); 步驟2、在刻蝕槽（3)內(nèi)設(shè)置一浸泡槽（9); 步驟3、所述供給管路（7)向浸泡槽（9)內(nèi)注入蝕刻藥液（6)直至注入預(yù)定量的蝕刻藥 液⑶； 步驟4、將待蝕刻的玻璃基板（1)送入刻蝕槽（3)內(nèi)； 步驟5、升高浸泡槽（9)直至其內(nèi)蝕刻藥液（6)完全浸沒(méi)玻璃基板（1); 步驟6、達(dá)到預(yù)定浸泡時(shí)間后，降低浸泡槽（9)露出玻璃基板（1)。
2. 如權(quán)利要求1所述的玻璃基板的蝕刻方法，其特征在于，所述浸泡槽（9)的材質(zhì)為 PVC。
3. 如權(quán)利要求1所述的玻璃基板的蝕刻方法，其特征在于，所述供給管路（7)位于浸泡 槽（9)的一側(cè)以注入蝕刻藥液（6)。
4. 如權(quán)利要求1所述的玻璃基板的蝕刻方法，其特征在于，所述浸泡槽（9)的底部?jī)啥?設(shè)有氣缸（11)，為步驟5與步驟6中所述浸泡槽（9)的升降提供動(dòng)力。
5. 如權(quán)利要求1所述的玻璃基板的蝕刻方法，其特征在于，所述步驟4通過(guò)傳動(dòng)裝置 (13)將待蝕刻的玻璃基板（1)送入刻蝕槽（3)內(nèi)，所述傳動(dòng)裝置（13)包括數(shù)個(gè)位于刻蝕 槽（3)內(nèi)的滾輪（131)，所述浸泡槽（9)包圍該數(shù)個(gè)滾輪（131)，在步驟5升高該浸泡槽（9) 后，所述數(shù)個(gè)滾輪（131)位于浸泡槽（9)內(nèi)。
6. 如權(quán)利要求1所述的玻璃基板的蝕刻方法，其特征在于，在所述步驟3注入到預(yù)定量 的蝕刻藥液（6)時(shí)，所述步驟4將待蝕刻的玻璃基板（1)送入到刻蝕槽（3)內(nèi)預(yù)定的位置。
7. 如權(quán)利要求1所述的玻璃基板的蝕刻方法，其特征在于，所述玻璃基板（1)為用于 TFT-IXD的玻璃基板。
8. -種蝕刻浸泡裝置，其特征在于，包括刻蝕槽（3)、傳動(dòng)裝置（13)、浸泡槽（9)、及供 給管路（7)，所述浸泡槽（9)位于刻蝕槽（3)內(nèi)，所述傳動(dòng)裝置（13)包括數(shù)個(gè)位于刻蝕槽 (3)內(nèi)的滾輪（131)，所述浸泡槽（9)包圍該數(shù)個(gè)滾輪（131)，所述供給管路（7)用于供給蝕 刻藥液（6)給浸泡槽（9)。
9. 如權(quán)利要求8所述的蝕刻浸泡裝置，其特征在于，所述浸泡槽（9)的材質(zhì)為PVC。
10. 如權(quán)利要求8所述的蝕刻浸泡裝置，其特征在于，還包括設(shè)于所述浸泡槽（9)的底 部?jī)啥说臍飧祝?1)，為所述浸泡槽（9)于刻蝕槽（3)內(nèi)的升降提供動(dòng)力。
【文檔編號(hào)】C03C15/00GK104045242SQ201410298834
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月26日
【發(fā)明者】李嘉 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司