技術總結
本發(fā)明涉及一種阻氣膜及阻氣膜的制造方法。本發(fā)明的阻氣膜為包含基材膜及無機層的阻氣膜，其中，無機層含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均勻且O的比率較低的均勻區(qū)域，與任意一個以上的界面接觸的區(qū)域為由O比率：(O的數(shù)量/Si、N及O的總數(shù))×100％表示的O比率從均勻區(qū)域側向界面方向增加，且O比率的每單位膜厚的變化量為2％/nm～8％/nm的含氧區(qū)域。阻氣膜的制造方法包含通過等離子體CVD法形成無機層，且包含調整供給用于形成等離子體的功率從0kW達到最大值的時間及從供給高頻率的功率的最大值達到0kW的時間。

技術研發(fā)人員：中村誠吾;望月佳彥;向井厚史
受保護的技術使用者：富士膠片株式會社
文檔號碼：201580013441
技術研發(fā)日：2015.01.23
技術公布日：2016.11.16