1.一種阻氣膜，其包含基材膜及無(wú)機(jī)層，
所述無(wú)機(jī)層含有Si、N、H及O，
所述無(wú)機(jī)層在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均勻且由以下式表示的O比率為10％以下的均勻區(qū)域，
與所述無(wú)機(jī)層的任意一個(gè)接觸或兩個(gè)界面分別接觸的區(qū)域?yàn)楹鯀^(qū)域，所述含氧區(qū)域中，由以下式表示的O比率從所述均勻區(qū)域側(cè)向界面方向增加，且O比率的每單位膜厚的變化量為2％/nm～8％/nm，
O比率：(O的數(shù)量/Si、N及O的總數(shù))×100％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻氣膜，其中，
與所述無(wú)機(jī)層的兩個(gè)界面接觸的區(qū)域分別為所述含氧區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的阻氣膜，其中，
所述含氧區(qū)域的膜厚均為4～15nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其中，
所述無(wú)機(jī)層的膜厚為15～65nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其中，
所述無(wú)機(jī)層的膜厚為20～40nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其中，
所述均勻區(qū)域的組成為SiNxHyOz，式中，0.8≤x≤1.1，0.7≤y≤0.9，且z＜0.1。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻氣膜，其中，
所述均勻區(qū)域的組成為SiNxHyOz，式中，0.9≤x≤1.0，0.8≤y≤0.9，z＜0.1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其中，
所述無(wú)機(jī)層的密度為2.1～2.4g/cm3。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的阻氣膜，其包含阻隔性層疊體，所述阻隔性層疊體包含所述無(wú)機(jī)層及至少1層以上的有機(jī)層。
10.一種包含含有Si、N、H及O的無(wú)機(jī)層的阻氣膜的制造方法，
所述制造方法包括將供給高頻率而成為等離子體狀態(tài)的硅烷、氨及氫進(jìn)行蒸鍍而形成所述無(wú)機(jī)層的步驟，
將供給所述高頻率的功率從0kW達(dá)到最大值的時(shí)間以及從供給所述高頻率的功率的最大值達(dá)到0kW的時(shí)間中的任意一個(gè)以上設(shè)為1.5～7秒，且在設(shè)為1.5～7秒的所述任意一個(gè)以上的時(shí)間內(nèi)使功率連續(xù)變化。