本發(fā)明涉及一種電阻材料，特別是涉及一種低介電常數(shù)碳膜電阻。

背景技術(shù)：

碳膜電阻器是膜式電阻中的一種。它是采用高溫真空鍍膜技術(shù)將碳緊密附在瓷棒表面形成碳膜，然后加適當(dāng)接頭切割，并在其表面涂上環(huán)氧樹脂密封保護而成的。其表面常涂以綠色保護漆。碳膜的厚度決定阻值的大小，通常用控制膜的厚度和刻槽來控制電阻器。

當(dāng)前，隨著電子線路高頻化的發(fā)展，各種高速數(shù)據(jù)傳輸線路及接口如：HDMI、USB3.0等得到了越來越廣泛的使用。為了減少此類線路中傳輸信號的損耗，需要盡可能減小其中所使用電阻的電容量，但是電阻的介電常數(shù)與電壓梯度呈反增長關(guān)系，降低介電常數(shù)的同時會使得電壓梯度超出正常范圍，因此，現(xiàn)有電阻的介電常數(shù)一般都高于300。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種具有良好性能的低介電常數(shù)碳膜電阻。

為了解決上述問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：

一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：包括如下組分及重量份數(shù)：

40～50石墨；

18～30PA6；

20～25滑石粉；

8～20增韌劑；

12～18阻燃劑；

30～40Mn₂O₃；

3～11Al₂O₃ ；

3～8 AgNO₃ ；

2～4B₂O₃；

1～3Bi₂O₃ ；

1～2SiO₂。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述AgNO₃為6份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述石墨為45份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述增韌劑為15份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述滑石粉為23份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述PA6為26份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述Mn₂O₃為35份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述Al₂O₃為7份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述Bi₂O₃為2份。

前述的一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：所述SiO₂為1.5份。

本發(fā)明所達到的有益效果：本發(fā)明低介電常數(shù)碳膜電阻，采用此配方能做到高阻值、低B值之配方組合：可在較寬溫度范圍內(nèi)使用，即可在高、低溫時同時使用；電性能、機械性能及可靠性方面的性能均有明顯的提升，并可以將電阻瓷體的相對介電常數(shù)控制在50-100以內(nèi)，電位梯度也保持在正常500-900v/mm 之間，具有優(yōu)良的綜合性能。

具體實施方式

以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。

一種低介電常數(shù)碳膜電阻，其特征在于：包括如下組分及重量份數(shù)：

45份石墨；

26份PA6；

23份滑石粉；

15份增韌劑；

15份阻燃劑；

35份Mn₂O₃；

7份Al₂O₃ ；

6份AgNO₃ ；

3份B₂O₃；

2份Bi₂O₃ ；

1.5份SiO₂。

綜上所述：本發(fā)明低介電常數(shù)碳膜電阻，采用此配方能做到高阻值、低B值之配方組合：可在較寬溫度范圍內(nèi)使用，即可在高、低溫時同時使用；電性能、機械性能及可靠性方面的性能均有明顯的提升，并可以將電阻瓷體的相對介電常數(shù)控制在50-100以內(nèi)，電位梯度也保持在正常500-900v/mm 之間，具有優(yōu)良的綜合性能。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征及優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。