對多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種多孔質(zhì)膜的蝕刻方法。一個實施方式的方法包括：向收納有具有多孔質(zhì)膜的被處理物的等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)供給第一氣體的工序；和在處理容器內(nèi)生成多孔質(zhì)膜的蝕刻用的第二氣體的等離子體的工序。第一氣體由在處理容器內(nèi)在其上載置有被處理物的載臺的溫度時具有133.3帕斯卡以下的飽和蒸氣壓的處理氣體組成或包含該處理氣體。另外，在供給第一氣體的工序中，不生成等離子體，供給至處理容器內(nèi)的處理氣體的分壓設(shè)定為飽和蒸氣壓的20％以上的分壓。
【專利說明】
對多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明的實施方式涉及對多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體設(shè)備這樣的電子設(shè)備中，有時使用多孔質(zhì)膜。作為多孔質(zhì)膜，例如，可以使 用SiOC膜這樣的由低介電常數(shù)材料構(gòu)成的膜。在這樣的電子設(shè)備的制造中，進(jìn)行如下處理： 將通過光刻法在光致抗蝕劑形成的細(xì)微圖案通過等離子體蝕刻根據(jù)需要轉(zhuǎn)印到TiN膜、 SiO2膜或Si3N4膜這樣的硬掩模上，接著將該圖案轉(zhuǎn)印到多孔質(zhì)膜。
[0003] 多孔質(zhì)膜的等離子體蝕刻中，通過在等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)使蝕刻用的 氣體激發(fā)，生成自由基，但自由基侵入多孔質(zhì)膜的細(xì)孔(微孔）內(nèi)會對多孔質(zhì)膜帶來損傷。因 此，提出了保護(hù)多孔質(zhì)膜不受自由基損傷的幾種技術(shù)方案。
[0004] 例如，在非專利文獻(xiàn)1中，記載了通過對多孔質(zhì)膜在極低溫下進(jìn)行蝕刻，使反應(yīng)產(chǎn) 物在多孔質(zhì)膜中冷凝的技術(shù)。在該技術(shù)中，利用在多孔質(zhì)膜中冷凝的反應(yīng)產(chǎn)物，抑制自由基 侵入該多孔質(zhì)膜中。為了使這樣的反應(yīng)產(chǎn)物冷凝，將多孔質(zhì)膜的蝕刻時的溫度設(shè)定在_70°C 以下。
[0005] 另外，在非專利文獻(xiàn)2中，記載了使PMM(聚甲基丙烯酸甲酯樹脂)浸透在多孔質(zhì)膜 中，利用該P(yáng)MM抑制自由基向多孔質(zhì)膜中侵入的技術(shù)。該技術(shù)中，在多孔質(zhì)膜的蝕刻結(jié)束之 后，通過利用氫氣和氦氣的混合氣體的等離子體處理、或激光退火這樣的后處理除去PMMA。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 非專利文獻(xiàn)
[0008] 非專利文南犬I :Liping Zhang等、Damage Free Cryogenic Etching of a Porous Organosilic a Ultralow-k Film、ECS Solid State Lett.2013volume 2, issue 2，N5_N7
[0009] 非專利文獻(xiàn)2 :Markus H.Heyne等、Quantitative characterization of pore stuffing and unstuffing for postporosity plasma protection of low-k materialsNJournal of Vacuum Science&Technology B32,0622 02(2014)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 發(fā)明所要解決的課題
[0011] 在如非專利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)的極低溫下的蝕刻中，無法使用具有利用通常的制 冷劑的冷卻單元的等離子體處理裝置，例如，需要具有利用液氮等的冷卻單元的等離子體 處理裝置。因此，在這樣極低溫的蝕刻中，運(yùn)行成本變高。另外，在如非專利文獻(xiàn)2所述的技 術(shù)中，需要用于使PMMA浸透到多孔質(zhì)膜中的工序，且需要專用的處理裝置。另外，在非專利 文獻(xiàn)2所述的技術(shù)中，由于用于除去PMM的后處理，對多孔質(zhì)膜造成損傷。
[0012] 因此，需要能夠抑制多孔質(zhì)膜的損傷的經(jīng)改善的多孔質(zhì)膜的蝕刻方法。
[0013] 用于解決課題的方案
[0014] -個方案中，提供一種對多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法。該方法包括(a)向收納有具有 多孔質(zhì)膜的被處理物的等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)供給第一氣體的工序（以下，稱為 "封孔工序"）和(b)在處理容器內(nèi)生成多孔質(zhì)膜的蝕刻用的第二氣體的等離子體的工序（以 下，稱為"蝕刻工序"）。第一氣體由在處理容器內(nèi)在其上載置有被處理物的載臺的溫度時具 有133.3帕斯卡以下的飽和蒸氣壓的處理氣體組成或包含該處理氣體。另外，封孔工序中， 不生成等離子體，供給至處理容器內(nèi)的處理氣體的分壓為飽和蒸氣壓的20%以上。一個實 施方式中，封孔工序中的處理容器內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為133.3帕斯卡（ITorr)以下的壓 力。另外，一個實施方式中，蝕刻工序中的處理容器內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為40帕斯卡 (300mTorr)以下的壓力。此外，蝕刻工序中的處理容器內(nèi)的空間的壓力也可以設(shè)定為13.33 帕斯卡（IOOmTorr)以下。
[0015] -個方案涉及的方法中，為了對多孔質(zhì)膜的細(xì)孔進(jìn)行封孔，使用在載臺溫度具有 133.3帕斯卡以下的飽和蒸氣壓的處理氣體，該處理氣體以飽和蒸氣壓的20%以上的分壓 供給到處理容器內(nèi)。使用這樣的分壓的處理氣體的封孔工序中，由于毛細(xì)管冷凝，在多孔質(zhì) 膜的細(xì)孔內(nèi)，處理氣體液化，細(xì)孔內(nèi)的液體抑制在蝕刻工序中生成的自由基侵入多孔質(zhì)膜 的細(xì)孔。另外，該液化不需要極低溫，能夠在通過通常的等離子體處理裝置的冷卻單元能夠 實現(xiàn)的溫度例如-50 °C左右、或-50 °C以上的溫度下實現(xiàn)。另外，通過處理氣體的液化生成的 液體，例如，由于通過將被處理物的溫度設(shè)定為常溫而氣化，所以能夠容易地除去。因此，能 夠不使用將被處理物的溫度調(diào)整為極低溫的冷卻單元，保護(hù)多孔質(zhì)膜不受蝕刻用的自由基 損傷，并且，能夠抑制多孔質(zhì)膜的損傷。
[0016] -個實施方式中，能夠重復(fù)實施包括封孔工序和蝕刻工序的動作順序。通過封孔 工序?qū)攵嗫踪|(zhì)膜的細(xì)孔內(nèi)的液體，可以在蝕刻工序中氣化。采用該實施方式，以利用液體 保護(hù)多孔質(zhì)膜持續(xù)的時間長度實施蝕刻工序，再實施封孔工序和蝕刻工序。由此，能夠抑制 多孔質(zhì)膜的損傷，并且能夠確保蝕刻量。
[0017] -個實施方式的方法在封孔工序與蝕刻工序之間還包括不生成等離子體而向處 理容器內(nèi)供給第二氣體的工序（以下，稱為"氣體置換工序"）。采用該實施方式，處理容器內(nèi) 的氣體通過氣體置換工序從第一氣體置換為第二氣體之后，生成等離子體。因此，可以抑制 不需要的活性種的產(chǎn)生。
[0018] -個實施方式中，封孔工序中所使用的處理氣體可以為碳氟化合物氣體。另外，一 個實施方式中，碳氟化合物氣體包括C 7F8氣體和C6F6氣體中的至少一種，在封孔工序中供給 至處理容器內(nèi)的處理氣體的分壓可以設(shè)定為飽和蒸氣壓的100%以下的分壓。
[0019] -個實施方式中，封孔工序中所使用的處理氣體可以為烴氣體。另外，一個實施方 式中，處理氣體可以為含氧烴氣體。這些實施方式的處理氣體也能夠用于封孔工序。另外， 一個實施方式中，處理氣體中所含的分子中的氧原子的原子數(shù)相對于該分子中的碳原子的 原子數(shù)可以為1/2以下。采用這樣的處理氣體，能夠抑制由氧引起的多孔質(zhì)膜的損傷，并且 能夠使處理氣體在多孔質(zhì)膜的細(xì)孔內(nèi)液化。
[0020] 一個實施方式中，方法還可以包括使來源于處理氣體的多孔質(zhì)膜中的液體氣化生 成氣體，對該氣體進(jìn)行排氣的工序（以下，稱為"除去工序"）。除去工序中，在封孔工序和蝕 刻工序中所使用的等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)，將具有多孔質(zhì)膜的被處理物的溫度設(shè) 定為常溫(例如，20°C )以上的溫度?；蛘?，除去工序中，在經(jīng)由真空搬運(yùn)系統(tǒng)與封孔工序和 蝕刻工序中所使用的等離子體處理裝置連接的專用的裝置內(nèi)，將具有多孔質(zhì)膜的被處理物 的溫度設(shè)定為常溫(例如，20°C)以上的溫度。
[0021] 發(fā)明的效果
[0022] 如以上所說明的那樣，提供經(jīng)改善的多孔質(zhì)膜的蝕刻方法，能夠不使用將被處理 物的溫度調(diào)整為極低溫的冷卻單元，保護(hù)多孔質(zhì)膜不受蝕刻用的自由基損傷，并且，能夠抑 制多孔質(zhì)膜的損傷。
【附圖說明】
[0023]圖1是表示一個實施方式的對多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法的流程圖。
[0024]圖2是表不被處理物的一例的剖面圖。
[0025]圖3是示意表示一個實施方式的等離子體處理裝置的圖。
[0026]圖4是圖1所示的方法相關(guān)的一例的時序圖。
[0027]圖5是表示實施圖1所示的方法的各工序后的被處理物的狀態(tài)的剖面圖。
[0028]圖6是表示實施圖1所示的方法的各工序后的被處理物的狀態(tài)的剖面圖。
[0029]圖7是表示實施圖1所示的方法的各工序后的被處理物的狀態(tài)的剖面圖。
[0030]圖8是表示實施圖1所示的方法的各工序后的被處理物的狀態(tài)的剖面圖。
[0031] 圖9是表示實施圖1所示的方法的各工序后的被處理物的狀態(tài)的剖面圖。
[0032] 圖10是表示各種碳氟化合物氣體的飽和蒸氣壓與載臺ro的溫度的關(guān)系的曲線圖。
[0033] 圖11是表示第2例的處理氣體的飽和蒸氣壓與載臺ro的溫度的關(guān)系的曲線圖。
[0034] 圖12是表示實驗例1中求得的折射率的曲線圖。
[0035]圖13是表示實驗例2的處理后的多孔質(zhì)膜、實驗例3的處理后的多孔質(zhì)膜和比較實 驗例1的處理后的多孔質(zhì)膜的FTIR的分析結(jié)果的曲線圖。
[0036] 符號說明 [0037] 10…等離子體處理裝置
[0038] 12···處理容器
[0039] 30…上部電極
[0040] 40…氣體源群
[0041] 50···排氣裝置
[0042] 62…第一高頻電源
[0043] 64…第二高頻電源
[0044] PD…載臺
[0045] ESC…靜電卡盤
[0046] LE…下部電極
[0047] W…晶片
[0048] MK···掩模
[0049] PL···多孔質(zhì)膜
[0050] SB…基板
【具體實施方式】
[0051] 以下，參照附圖，對各種實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，各附圖中，對相同或相應(yīng)的 部分標(biāo)注相同符號。
[0052]圖1是表示一個實施方式的對多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法的流程圖。圖1所示的方法 MT是對被處理物的多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法。圖2是表示被處理物的一例的剖面圖。圖2所 示的被處理物（以下，有時也稱為"晶片W"）具備基板SB、多孔質(zhì)膜PL和掩模MK。多孔質(zhì)膜PL 設(shè)置于基板SB上。在多孔質(zhì)膜PL形成有大量細(xì)孔。細(xì)孔可以具有數(shù)nm、例如Inm~2nm的平均 寬度。其中，平均寬度是指各細(xì)孔的最大寬度的平均值。另外，多孔質(zhì)膜是SiOC膜這樣的由 低介電常數(shù)材料構(gòu)成的膜。多孔質(zhì)膜PL例如可以通過CVD法或旋涂成膜法這樣的成膜法形 成。
[0053]掩模MK設(shè)置在多孔質(zhì)膜PL上。掩模MK在一例中可以包括第1層Ll和第2層L2。第1層 Ll例如為硅氧化膜，第2層L2為TiN膜。在掩模MK形成有要轉(zhuǎn)印到多孔質(zhì)膜PL的圖案。例如， 在掩模MK形成有具有開口的圖案。這樣的掩模MK能夠通過使用光刻技術(shù)和等離子體蝕刻來 形成。此外，關(guān)于等離子體蝕刻，在方法MT的一系列工序中，能夠使用等離子體處理裝置10 實施。
[0054]方法MT中，在實施工序STl之前，在等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)收納晶片W。圖 3是示意表示一個實施方式的等離子體處理裝置的圖。圖3中示意表示了能夠用于實施方法 MT的一例的等離子體處理裝置的縱剖面的結(jié)構(gòu)。圖3所示的等離子體處理裝置10為電容耦 合型等離子體蝕刻裝置，其具備大致圓筒狀的處理容器12。處理容器12的內(nèi)壁面例如由陽 極氧化處理過的鋁構(gòu)成。該處理容器12安全接地。
[0055]在處理容器12的底部上設(shè)置有大致圓筒狀的支承部14。支承部14例如由絕緣材料 構(gòu)成。支承部14在處理容器12內(nèi)從處理容器12的底部沿垂直方向延伸存在。另外，在處理容 器12內(nèi)，設(shè)置有載臺PD。載臺由支承部14支承。
[0056]在該載臺PD上，載置在等離子體處理裝置10的處理容器12內(nèi)收納的晶片W，載臺ro 保持該晶片W。載臺PD具有下部電極LE和靜電卡盤ESC。下部電極LE包括第一板18a和第二板 18b。第一板18a和第二板18b例如由鋁這樣的金屬構(gòu)成，形成為大致圓盤形狀。第二板18b設(shè) 置于第一板18a上，與第一板18a電連接。
[0057]在第二板18b上，設(shè)置有靜電卡盤ESC。靜電卡盤ESC具有將作為導(dǎo)電膜的電極配置 在一對絕緣層或絕緣片間的結(jié)構(gòu)。直流電源22經(jīng)由開關(guān)23與靜電卡盤ESC的電極電連接。該 靜電卡盤ESC利用由來自直流電源22的直流電壓產(chǎn)生的庫侖力等靜電力吸附晶片W。由此， 靜電卡盤 ESC能夠保持晶片W。此外，在靜電卡盤ESC內(nèi)可以內(nèi)置有加熱器，在該加熱器可以 連接有設(shè)置于處理容器12的外部的加熱器電源。
[0058]在第二板18b的周緣部上以圍繞晶片W的邊緣和靜電卡盤ESC的方式配置有聚焦環(huán) FR。聚焦環(huán)FR是為了提高蝕刻的均勻性而設(shè)置的。聚焦環(huán)FR由根據(jù)蝕刻對象的膜的材料適 當(dāng)選擇的材料構(gòu)成，例如，可以由硅、石英這樣的材料構(gòu)成。
[0059]在第二板18b的內(nèi)部設(shè)置有制冷劑流路24。制冷劑流路24構(gòu)成溫度調(diào)控單元。從在 處理容器12的外部設(shè)置的冷卻單元經(jīng)由配管26a對制冷劑流路24供給制冷劑。供給到制冷 劑流路24的制冷劑經(jīng)由配管26b返回冷卻單元。這樣，在制冷劑流路24與冷卻單元之間循環(huán) 制冷劑。通過控制該制冷劑的溫度，控制由靜電卡盤ESC所支承的晶片W的溫度。此外，制冷 劑可以使用能夠?qū)⒕琖冷卻到例如-50°C以上的溫度的通常的制冷劑。作為這樣的制冷 劑，可以例示Galden(注冊商標(biāo)）。
[0060]另外，在等離子體處理裝置10設(shè)置有氣體供給線路28。氣體供給線路28將來自傳 熱氣體供給單元的傳熱氣體、例如He氣供給到靜電卡盤ESC的上表面與晶片W的背面之間。 [0061 ]另外，等離子體處理裝置10具備上部電極30。上部電極30在載臺PD的上方與該載 臺PD相對配置。下部電極LE和上部電極30相互大致平行地設(shè)置。在上部電極30與下部電極 LE之間，提供用于對晶片W進(jìn)行等離子體處理的處理空間S。
[0062]上部電極30經(jīng)由絕緣性屏蔽部件32被支承在處理容器12的上部。上部電極30可以 包括電極板34和電極支承體36。電極板34面向處理空間S，在該電極板34設(shè)置多個排氣孔 34a。該電極板34由硅或氧化硅這樣的材料構(gòu)成。
[0063]電極支承體36裝卸自如地支承電極板34,例如可以由鋁這樣的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。 該電極支承體36可以具有水冷結(jié)構(gòu)。在電極支承體36的內(nèi)部設(shè)置有氣體擴(kuò)散室36a。從該氣 體擴(kuò)散室36a向下方延伸有與排氣孔34a連通的多個氣體流通孔36b。另外，在電極支承體36 形成有對氣體擴(kuò)散室36a導(dǎo)入處理氣體的氣體導(dǎo)入口 36c，在該氣體導(dǎo)入口 36c連接有氣體 供給管38。
[0064]在氣體供給管38,經(jīng)由閥群42和流量控制器群44連接有氣體源群40。氣體源群40 包括多個氣體源。多個氣體源包括供給第一氣體的一個以上的氣體源以及供給第二氣體的 一個以上的氣體源。氣體源群40的多個氣體源還可以包括后述的方法MT的工序ST4中使用 的氣體、例如氬或氮?dú)獾臍怏w源。
[0065]第一氣體包括在多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)液化的處理氣體。對于該第一氣體，與方法 MT的詳細(xì)內(nèi)容一起在后面進(jìn)行闡述。另外，第二氣體是多孔質(zhì)膜PL的蝕刻用的氣體。第二氣 體例如可以為SiF4氣體、NF 3氣體和Ar氣體這樣的稀有氣體的混合氣體、或者CF4氣體、O2氣 體和Ar氣體這樣的稀有氣體的混合氣體。
[0066 ]閥群4 2包括多個閥，流量控制器群4 4包括質(zhì)量流量控制器這樣的多個流量控制 器。氣體源群40的多個氣體源分別經(jīng)由閥群42的對應(yīng)的閥和流量控制器群44的對應(yīng)的流量 控制器與氣體供給管38連接。
[0067]另外，等離子體處理裝置10中，沿處理容器12的內(nèi)壁裝卸自如地設(shè)置有防沉積罩 46。防沉積罩46也設(shè)置于支承部14的外周。防沉積罩46用于防止在處理容器12附著蝕刻副 產(chǎn)物(沉積物），可以通過在鋁材包覆Y 2O3等陶瓷來構(gòu)成。
[0068] 在處理容器12的底部側(cè)且在支承部14與處理容器12的側(cè)壁之間設(shè)置有排氣板48。 排氣板48例如可以通過在鋁材包覆Y2O3等陶瓷來構(gòu)成。在該排氣板48的下方且在處理容器 12設(shè)置有排氣口 12e。在排氣口 12e經(jīng)由排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有渦輪 分子栗等真空栗，能夠?qū)⑻幚砣萜?2內(nèi)的空間減壓至所期望的真空度。另外，在處理容器12 的側(cè)壁設(shè)置有晶片W的搬入搬出口 12g，該搬入搬出口 12g能夠通過閘閥54開關(guān)。
[0069]另外，等離子體處理裝置10還具備第一高頻電源62和第二高頻電源64。第一高頻 電源62是產(chǎn)生等離子體生成用的高頻電力的電源，例如產(chǎn)生27~IOOMHz的頻率的高頻電 力。第一高頻電源62經(jīng)由匹配器66與上部電極30連接。匹配器66是用于使第一高頻電源62 的輸出阻抗與負(fù)載側(cè)(上部電極30側(cè)）的輸入阻抗相匹配的電路。此外，第一高頻電源62可 以經(jīng)由匹配器66與下部電極LE連接。
[0070]第二高頻電源64是產(chǎn)生用于對晶片W引入離子的高頻偏置電力的電源，例如產(chǎn)生 400kHz~13.56MHz的范圍內(nèi)的頻率的高頻偏置電力。第二高頻電源64經(jīng)由匹配器68與下部 電極LE連接。匹配器68是用于使第二高頻電源64的輸出阻抗與負(fù)載側(cè)(下部電極LE側(cè)）的輸 入阻抗相匹配的電路。
[0071] 另外，一個實施方式中，等離子體處理裝置10還可以具備控制部Cnt。該控制部Cnt 是具備處理器、存儲部、輸入裝置、顯示裝置等的計算機(jī)，控制等離子體處理裝置10的各部。 關(guān)于該控制部Cnt，操作員能夠利用輸入裝置，進(jìn)行用于管理等離子體處理裝置10的指令的 輸入操作等，另外，通過顯示裝置，能夠?qū)⒌入x子體處理裝置10的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況可視化顯示。另 外，在控制部Cnt的存儲部，存儲有用于通過處理器控制在等離子體處理裝置10實施的各種 處理的控制程序、用于按照處理條件在等離子體處理裝置10的各部實施處理的程序、即、處 理菜單。
[0072] 再次參照圖1，對方法MT進(jìn)行詳細(xì)說明。以下的說明中，除了圖1以外，還參照圖4~ 圖9。圖4是表示方法MT相關(guān)的一例的時序圖。圖5~圖9是表示實施方法MT的各工序后的被 處理物的狀態(tài)的剖面圖。此外，圖4中，第一氣體的供給為高水平（圖中，記為"H"）表示向等 離子體處理裝置的處理容器內(nèi)供給第一氣體，第一氣體的供給為低水平（圖中，記為"L"）表 示不向等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)供給第一氣體。另外，第二氣體的供給為高水平（圖 中，記為"H"）表示向等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)供給第二氣體，第二氣體的供給為低 水平（圖中，記為"L"）表示不向等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)供給第二氣體。另外，高頻 電力的供給為高水平（圖中，記為"H"）表示供給來自第一高頻電源62的高頻電力，生成等離 子體，高頻電力的供給為低水平（圖中，記為"L"）表示不供給來自第一高頻電源62的高頻電 力，不生成等離子體。
[0073] 方法MT中，首先，實施工序STl。工序STl中，以在載臺PD上載置有晶片W的狀態(tài)，向 處理容器12內(nèi)供給第一氣體。圖4中，表示第一氣體從時刻tl到時刻t2之間向處理容器12內(nèi) 供給。另外，工序STl中，通過排氣裝置50將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外， 工序STl中，載臺PD的溫度設(shè)定為-50°C以上的溫度。該工序STl中，如圖4所示，不供給來自 第一高頻電源62的高頻電力。因此，工序STl中，不生成等離子體。
[0074]第一氣體由可以在多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)液化的處理氣體構(gòu)成或包含該處理氣體。 該處理氣體為在載臺的溫度、例如-50°C以上的溫度時具有ITorr、即133.3帕斯卡(Pa)以 下的飽和蒸氣壓的氣體。第一氣體向處理容器12內(nèi)供給，使得處理氣體的分壓成為20%以 上的分壓。
[0075]工序STl中，構(gòu)成第一氣體的處理氣體通過毛細(xì)管冷凝在多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)液 化。毛細(xì)管冷凝是指在毛細(xì)管中在低于氣體的飽和蒸氣壓的壓力時該氣體發(fā)生冷凝、即液 化的現(xiàn)象。通過該毛細(xì)管冷凝，處理氣體的分壓即使為飽和蒸氣壓以下的分壓，侵入多孔質(zhì) 膜PL的細(xì)孔內(nèi)的該處理氣體也會在該細(xì)孔內(nèi)液化，形成液體。實施這樣的工序STl時，如圖5 所示，在多孔質(zhì)膜PL內(nèi)，形成由來源于處理氣體的液體填充細(xì)孔得到的區(qū)域SR。該區(qū)域SR遍 及從多孔質(zhì)膜PL的表面至某個深度為止的范圍。通過形成這樣的區(qū)域SR，即，通過多孔質(zhì)膜 PL的細(xì)孔被液體填充，可抑制由后述的工序ST3生成的自由基侵入多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔。其結(jié) 果，可抑制多孔質(zhì)膜PL的損傷。此外，對于處理氣體的種類和工序STl中的各種條件的詳細(xì) 內(nèi)容，在后面進(jìn)行闡述。
[0076]方法MT中，在工序STl結(jié)束時停止第一氣體向處理容器12內(nèi)的供給，接著，一個實 施方式中，實施工序ST2。工序ST2中，對處理容器12內(nèi)供給第二氣體。第二氣體例如包括 SiF4氣體、NF3氣體和Ar氣體這樣的稀有氣體的混合氣體、或者CF4氣體、〇2氣體和Ar氣體這 樣的稀有氣體的混合氣體，也可以為在接下來的工序ST3的蝕刻工藝中使用的氣體。圖4中， 表示第一氣體的供給在工序STl結(jié)束時的時刻t2停止，向處理容器12內(nèi)供給第二氣體從時 刻t2開始，在時刻t2開始的工序ST2持續(xù)至?xí)r刻t3。另外，如圖4所示，在工序ST2的實施期間 中，不從第一高頻電源62供給高頻電力。因此，工序ST2中，不生成等離子體。
[0077]工序ST2中，通過排氣裝置50將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。該規(guī)定的 壓力為與實施工序ST3時的處理容器12內(nèi)的壓力相同的壓力。另外，工序ST2中，載臺ro的溫 度、即晶片W的溫度設(shè)定為與實施工序ST3的載臺PD的溫度相同的溫度，例如，-50°c以上的 溫度。
[0078]該工序ST2中，處理容器12內(nèi)的氣體以不生成等離子體的狀態(tài)從第一氣體置換為 第二氣體。因此，可抑制不需要的活性種、g卩、來自第一氣體的活性種的產(chǎn)生。
[0079]接下來的工序ST3中，生成第二氣體的等離子體。為此，工序ST3中，維持向處理容 器12內(nèi)供給第二氣體的狀態(tài)，從第一高頻電源62供給高頻電力。圖4中，表示在工序ST3的實 施期間、即、從時刻t3至?xí)r刻t4之間供給來自第一高頻電源62的高頻電力。另外，工序ST3 中，通過排氣裝置50將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。該規(guī)定的壓力例如為 300mTorr(40Pa)以下的壓力。另外，該規(guī)定的壓力也可以為100mTorr(13.33Pa)以下的壓 力。另外，工序ST3中，載臺的溫度設(shè)定為例如-50°C以上的溫度。進(jìn)而，工序ST3中，也可以 向下部電極LE供給來自第二高頻電源64的高頻偏置電力。
[0080] 該工序ST3中，利用活性種、例如自由基來蝕刻多孔質(zhì)膜PL。由此，如圖6所示，多孔 質(zhì)膜PL在從掩模MK露出的部分被蝕刻。如圖6所示，在工序ST3中多孔質(zhì)膜PL被蝕刻的區(qū)域 為相對于該多孔質(zhì)膜PL的表面比區(qū)域SR淺的區(qū)域。即，如圖6所示，在實施工序ST3后，殘留 有距多孔質(zhì)膜PL的表面一定量(量X)的區(qū)域SR。
[0081] 如果上述的工序ST2和ST3的實施時間長度變長，則由于第二氣體的供給，存在于 處理室內(nèi)部的第一氣體的處理氣體的分壓成為飽和蒸氣壓以下。因此，侵入多孔質(zhì)膜PL的 細(xì)孔內(nèi)并液化的處理氣體再次氣化，排出到細(xì)孔外部。即，多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)的液體氣 化，多孔質(zhì)膜PL形成為自由基能夠侵入該細(xì)孔內(nèi)的狀態(tài)。因此，一個實施方式中，重復(fù)實施 包括工序STl、工序ST2和工序ST3的動作順序SQ。即，通過實施工序STl，如圖7所示，在從多 孔質(zhì)膜PL的表面至某個深度的范圍中，再次形成區(qū)域SR。接著，通過實施工序ST2,處理容器 12內(nèi)的氣體從第一氣體置換為第二氣體。接著，通過實施工序ST3,如圖8所示，多孔質(zhì)膜PL 再次被蝕刻。由此，能夠在通過液體對多孔質(zhì)膜PL的保護(hù)效果變?nèi)踔?，再次實施動作順?SQ，能夠?qū)崿F(xiàn)保護(hù)多孔質(zhì)膜PL不受自由基損傷，并且能夠確保多孔質(zhì)膜PL的蝕刻量。
[0082] 一個實施方式的方法MT中，工序STJ中，判斷是否滿足停止條件。在動作順序SQ的 實施次數(shù)達(dá)到規(guī)定次數(shù)時，判定為滿足停止條件。工序STJ中，判定為不滿足停止條件時，再 次實施動作順序SQ。另一方面，在工序STJ中，判定為滿足停止條件時，結(jié)束動作順序SQ的實 施，移至工序ST4。
[0083]工序ST4中，進(jìn)行使多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)的液體氣化生成氣體，對該氣體進(jìn)行排氣 的處理。一個實施方式的工序ST4中，能夠在等離子體處理裝置10中實施。該實施方式中，載 臺PD的溫度設(shè)定為能夠使細(xì)孔內(nèi)的液體氣化的溫度。例如，載臺PD的溫度設(shè)定為常溫（例 如，20°C )以上的溫度。另外，工序ST4中，向處理容器12內(nèi)供給氬氣，通過排氣裝置50將處理 容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力，例如，0.1T〇rr(13.33Pa)。這樣的工序ST4中，多孔質(zhì)膜 PL的細(xì)孔內(nèi)的液體氣化形成氣體，該氣體通過排氣裝置50從處理容器12內(nèi)的空間排出。由 此，除去多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)的液體。
[0084]在另一個實施方式的工序ST4中，在經(jīng)由真空搬運(yùn)系統(tǒng)與等離子體處理裝置10連 接的其它處理裝置內(nèi)，晶片W置于能夠使細(xì)孔內(nèi)的液體氣化的溫度環(huán)境下。
[0085]通過實施這樣的方法MT，如圖9所示，能夠抑制多孔質(zhì)膜PL的損傷并且將掩模MK的 圖案轉(zhuǎn)印到多孔質(zhì)膜PL。另外，根據(jù)方法MT能夠用單一的等離子體處理裝置10實施工序 STl、工序ST2和工序ST3。另外，一個實施方式中，除了工序STl、工序ST2和工序ST3以外，也 可以利用單一的等離子體處理裝置10實施工序ST4。
[0086]以下，對工序STl中所使用的處理氣體和工序STl的各種條件進(jìn)行說明。
[0087] 第1例的處理氣體為碳氟化合物氣體。圖10是表示各種碳氟化合物氣體的飽和蒸 氣壓與載臺PD的溫度的關(guān)系的曲線圖。圖10的曲線圖的橫軸的"1000/溫度"表示1000除以 載臺F 1D的溫度得到的值，縱軸表示logi〇(飽和蒸氣壓(mTorr))。圖10中所示的點(plot)為表 示各種碳氟化合物氣體的飽和蒸氣壓與載臺ro的溫度的關(guān)系的實測值。如圖10所示，在該 圖的曲線圖中，表示各碳氟化合物氣體的飽和蒸氣壓與載臺ro的溫度的關(guān)系的多個實測值 大致位于直線上。
[0088] 這里，已知飽和蒸氣壓根據(jù)下式（1)的被稱為安托萬蒸氣壓經(jīng)驗式的實驗式良好 地近似。式(1)中，A、B、C是根據(jù)物質(zhì)確定的常數(shù)，T為絕對溫度，p為飽和蒸氣壓。
[0089]
[0090] 由式（1)的安托萬蒸氣壓經(jīng)驗式規(guī)定的飽和蒸氣壓p與絕對溫度T的關(guān)系在圖10所 示的曲線圖中為直線關(guān)系(此外，常數(shù)C的值不為零時，僅僅是圖10所示的直線在橫向移動， 飽和蒸氣壓P與絕對溫度T的關(guān)系存在直線關(guān)系這一點是不會改變的）。因此，圖10所示的關(guān) 于各碳氟化合物氣體的多個實測值的關(guān)系與由安托萬蒸氣壓經(jīng)驗式規(guī)定的直線關(guān)系一致。 因此，通過使用從實測值外延的直線，能夠定量預(yù)測沒有實測值的溫度區(qū)域的飽和蒸氣壓。
[0091] 從圖10所示的實測值或根據(jù)實測值外延的直線可知，C7F8氣體和C6F 6氣體在等離 子體處理裝置10中能夠?qū)崿F(xiàn)的-50°c以上的溫度時具有ITorr以下的飽和蒸氣壓。因此，作 為第1例的處理氣體，能夠使用C 7F8氣體和C6F6氣體。但是，第1例的處理氣體不限于C 7F8氣體 和C6F6氣體，能夠使用在載臺溫度具有I Torr以下的飽和蒸氣壓的任意的碳氟化合物氣體作 為第1例的處理氣體。
[0092] 第2例的處理氣體為烴氣體即CxHy氣體或者含氧烴氣體即CxHyOz氣體。這里，X、Y和Z 為1以上的整數(shù)。作為第2例的處理氣體，可以例示苯(C6H6)、正丁醇(CH3(CH 2)2CH2OH)、2_丁 氧基乙醇（CH3(CH2)3OCH2CH 2Oh)、2_乙氧基乙醇（C2H5OCH2CH2OH)、環(huán)己烷（C 6H12)、二噁烷 (OCH2CH2OCH 2Ch2 )、乙醇（C2H5OH)、乙酸乙酯（CH3⑶2C 2H5)、乙苯（C2H5C6H 5)、乙基環(huán)己烷 (C6H11C2H5)、甲乙酮（C 2H5COCH3 )、正辛烷（CH3(CH2)6CH3 )、1 -丙醇（CH3CH2CH2OH)、2-丙醇 ((CH 3) 2CH0H)、甲苯(C6H5CH3)。
[0093]圖11是表示第2例的處理氣體的飽和蒸氣壓與載臺ro的溫度的關(guān)系的曲線圖。圖 11中，表示第2例的處理氣體中的甲醇、乙醇、2-丙醇的飽和蒸氣壓(縱軸，單位為Torr)與載 臺PD的溫度(橫軸，單位為°C)的關(guān)系。如圖11所示，第2例的處理氣體也在等離子體處理裝 置10能夠?qū)崿F(xiàn)的-50°c以上的溫度時具有ITorr以下的飽和蒸氣壓。
[0094]第2例的處理氣體可以為該處理氣體中所含的分子中的氧原子的原子數(shù)相對于該 分子中的碳原子的原子數(shù)為1/2以下的處理氣體。作為這樣的第2例的處理氣體，能夠使用 上述例示的氣體中甲醇以外的氣體。采用這樣的原子數(shù)比的處理氣體，能夠抑制由氧引起 的多孔質(zhì)膜PL的損傷。
[0095] 一個實施方式的工序STl中，向處理容器12內(nèi)供給第一氣體，使得處理氣體的分壓 在載臺ro的溫度時為該處理氣體的飽和蒸氣壓的2〇 %以上、loo %以下的分壓。另外，工序 STl中，處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為ITorr、即133.3帕斯卡(Pa)以下的壓力。此外，工 序STl中的處理氣體的分壓、載臺ro的溫度和處理容器12內(nèi)的空間的壓力根據(jù)處理氣體的 種類，從上述的數(shù)值范圍中設(shè)定為適于以液體充滿多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔的值。通過這樣的工 序STl，處理氣體從多孔質(zhì)膜PL的表面侵入該多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)，侵入細(xì)孔內(nèi)的處理氣體 通過毛細(xì)管冷凝在該細(xì)孔內(nèi)液化，形成液體。
[0096]另外，通過將工序STl中的處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為ITorr以下的壓力， 工序ST3中的處理容器12內(nèi)的空間的壓力與工序STl中的處理容器12內(nèi)的空間的壓力之差 變小。因此，能夠縮短從工序STl過渡到工序ST3時從第一氣體向第二氣體的切換和壓力的 切換所需要的時間。即，能夠縮短工序ST2所需要的時間。其結(jié)果，能夠減少多孔質(zhì)膜PL內(nèi)的 液體在工序ST2中氣化的量。
[0097]另外，工序STl中使用第2例的處理氣體這樣的可燃性的氣體作為處理氣體時，需 要通過將該處理氣體用大量的犯氣這樣的稀釋氣體稀釋，將第一氣體中的處理氣體的濃度 設(shè)定為爆炸極限濃度以下的濃度，確保安全。另外，工序STl中采用高壓條件時，在實施工序 ST2時需要大量的第一氣體的排氣，因此，伴隨此需要大量稀釋氣體的排氣。但是，通過將工 序STl中的處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為ITorr以下的壓力能夠降低稀釋氣體的量，進(jìn) 而降低第一氣體的總量。
[0098]另一個實施方式中，第2例的處理氣體在工序STl中使用，向處理容器12內(nèi)供給第 一氣體，使得處理氣體的分壓在載臺PD的溫度時成為比該處理氣體的飽和蒸氣壓的100 % 大的分壓。另外，該實施方式的工序STl中，處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為50mTorr (6.666Pa)以下的壓力。以這樣的分壓供給的處理氣體不僅在多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔內(nèi)、而且在 處理容器12內(nèi)也能夠液化。但是，處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為50mTorr以下的低壓，因此，工 序STl中存在于處理容器12內(nèi)的處理氣體的分子的數(shù)量本身少。因此，能夠抑制通過處理氣 體液化生成的液體在多孔質(zhì)膜PL的表面不均勻地附著形成微掩模的現(xiàn)象，并且，能夠通過 液體填充多孔質(zhì)膜PL的細(xì)孔。
[0099]以下，對用于評價方法MT而進(jìn)行的實驗例進(jìn)行說明。此外，本發(fā)明不限定于這些實 施例。
[0100] (實驗例1)
[0101] 實驗例1中，準(zhǔn)備通過旋涂成膜法制成的SiOC膜（以下，稱為"多孔質(zhì)膜Γ)和通過 CVD法制成的SiOC膜(以下，稱為"多孔質(zhì)膜2"）。然后，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力作為可 變參數(shù)，實施工序ST1。工序STl中，作為第一氣體使用由C 6F6氣體構(gòu)成的氣體。另外，將工序 STl中的第一氣體的流量設(shè)定為3〇SCCm，將載臺ro的溫度設(shè)定為-50°c。
[0102] 并且，實驗例1中，分別求出實施工序STl后的多孔質(zhì)膜1和多孔質(zhì)膜2的折射率。圖 12中表示實驗例1中求出的折射率。圖12中，橫軸表示實施工序STl時的處理容器12內(nèi)的空 間的壓力，縱軸表示折射率。多孔質(zhì)膜的細(xì)孔被液體填充時的該多孔質(zhì)膜的折射率比細(xì)孔 不被液體填充時的多孔質(zhì)膜的折射率增加，參照圖12中所示的曲線圖，可知，特別是多孔質(zhì) 膜1在壓力為約6Pa以上時，折射率為高的值且飽和。該6Pa的壓力是-50°C時C 6F6氣體的飽和 蒸氣壓27Pa的約20%。因此，實驗例1的結(jié)果確認(rèn)了通過以20%以上的分壓向處理容器內(nèi)供 給處理氣體，能夠在多孔質(zhì)膜的細(xì)孔內(nèi)使處理氣體液化。
[0103] (實驗例2和實驗例3)
[0104] 實驗例2和實驗例3中，準(zhǔn)備以旋涂成膜法制成的SiOC膜、即多孔質(zhì)膜。接著，以以 下所示的條件實施方法MT。另外，在比較實驗例1中，對與實驗例2和實驗例3相同的多孔質(zhì) 膜，僅應(yīng)用與實驗例2的工序ST3相同的工序。此外，就工序ST4的處理而言，將具有實施工序 ST3后的多孔質(zhì)膜的被處理物搬運(yùn)到經(jīng)由真空搬運(yùn)體系與用于實施工序STl~工序ST3的等 離子體處理裝置連接的其它工藝腔室，在該工藝腔室內(nèi)實施。
[0105]〈實驗例2的條件〉
[0106] ?工序STl的第一氣體:C6F6氣體(50sccm)
[0107] ?工序STl的處理容器12內(nèi)的壓力：0.1Torr(13.33Pa)
[0108] ?工序STl的載臺ro的溫度：-50°C
[0109] ?工序STl的處理時間：30秒
[0110] ?工序 ST2 的第二氣體:NF3/SiF4/Ar 氣體（100/120/30sccm)
[0111] ?工序ST2的處理容器12內(nèi)的壓力：0.1Torr(13.33Pa)
[0112] ?工序ST2的載臺PD的溫度：-50°C
[0113] ?工序ST2的處理時間：10秒
[0114] ?工序 ST3 的第二氣體:NF3/SiF4/Ar 氣體（120/100/30sccm)
[0115] ?工序ST3的處理容器12內(nèi)的壓力：0.1Torr(13.33Pa)
[0116] ?工序ST3的載臺PD的溫度：-50°C
[0117] ?工序ST3的高頻電力：60MHz、100W
[0118] ?工序ST3的高頻偏置電力:0.4MHz、50W
[0119] ?工序ST3的處理時間：3秒 [0120] ?動作順序SQ的實施次數(shù):15次
[0121] ?工序ST4的載臺的溫度:200°C
[0122] ?工序ST4的處理時間：60秒
[0123] 〈實驗例3的條件〉
[0124] ?工序STl的第一氣體:2_丙醇（50sccm)
[0125] ?工序STl的處理容器12內(nèi)的壓力：0.14Torr(18.67Pa)
[0126] ?工序STl的載臺PD的溫度：-20°C
[0127] ?工序STl的處理時間：30秒
[0128] ?工序 ST2 的第二氣體:NF3/SiF4/Ar 氣體（120/100/30sccm)
[0129] ?工序ST2的處理容器12內(nèi)的壓力：0.1Torr(13.33Pa)
[0130] ?工序ST2的載臺PD的溫度：-20°C
[0131] ?工序ST2的處理時間：5秒
[0132] ?工序 ST3 的第二氣體:NF3/SiF4/Ar 氣體（120/100/30sccm)
[0133] ?工序ST3的處理容器12內(nèi)的壓力：0.1Torr(13.33Pa)
[0134] ?工序ST3的載臺PD的溫度：-20°C
[0135] ?工序ST3的高頻電力：60MHz、100W
[0136] ?工序ST3的高頻偏置電力:0.4MHz、50W
[0137] ?工序ST3的處理時間：3秒
[0138] ?動作順序SQ的實施次數(shù)：15次
[0139] ?工序ST4的載臺的溫度:200°C
[0140] ?工序ST4的處理時間：60秒
[0141] 實驗例2和3中，使用FTIR(傅里葉變換紅外分光光度計)分析實施方法MT后的多孔 質(zhì)膜。圖13的(a)中，表示作為初期、即實驗例2的處理前的多孔質(zhì)膜、實驗例2的處理后的多 孔質(zhì)膜和比較實驗例1的處理后的多孔質(zhì)膜的各個FTIR的分析結(jié)果的光譜。另外，圖13的 (b)中，表示作為初期、即實驗例3的處理前的多孔質(zhì)膜、和實驗例3的處理后的多孔質(zhì)膜的 各個FTIR的分析結(jié)果的光譜。如圖13的(a)所示，比較實驗例1的處理后的多孔質(zhì)膜的光譜 與初期的多孔質(zhì)膜的光譜明顯不同。即確認(rèn)了，不實施工序STl而進(jìn)行工序ST3的蝕刻，由此 對多孔質(zhì)膜造成損傷。另一方面，如圖13的(a)所示，實驗例2的處理后的多孔質(zhì)膜的光譜與 初期的多孔質(zhì)膜的光譜為大致相同的光譜。另外，如圖13的(b)所示，實驗例3的處理后的多 孔質(zhì)膜的光譜與初期的多孔質(zhì)膜的光譜為大致相同的光譜。因此，如實驗例2和實驗例3所 示，確認(rèn)了通過在工序STl利用毛細(xì)管冷凝以液體填充多孔質(zhì)膜的細(xì)孔，能夠抑制由工序 ST3的蝕刻引起的多孔質(zhì)膜的損傷。
[0142] 以上，對各種實施方式進(jìn)行了說明，但是，不受上述實施方式限定，能夠構(gòu)成各種 變形方式。例如，在上述實施方式中，方法MT的實施中使用等離子體處理裝置10,但方法MT 也能夠使用電感耦合型的等離子體處理裝置、或通過微波這樣的表面波生成等離子體的等 離子體處理裝置等任意的等離子體處理裝置實施。
【主權(quán)項】
1. 一種對多孔質(zhì)膜進(jìn)行蝕刻的方法，其特征在于： 包括：向收納有具有所述多孔質(zhì)膜的被處理物的等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)供給 第一氣體的工序;和 在所述處理容器內(nèi)生成所述多孔質(zhì)膜的蝕刻用的第二氣體的等離子體的工序， 所述第一氣體由在所述處理容器內(nèi)在其上載置有所述被處理物的載臺的溫度時具有 133.3帕斯卡以下的飽和蒸氣壓的處理氣體組成或包含該處理氣體， 供給所述第一氣體的所述工序中，不生成等離子體，供給至所述處理容器內(nèi)的所述處 理氣體的分壓為所述飽和蒸氣壓的20%以上。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于： 重復(fù)實施包括供給所述第一氣體的所述工序和生成所述第二氣體的等離子體的所述 工序的動作順序。3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于： 在供給所述第一氣體的所述工序與生成所述第二氣體的等離子體的所述工序之間，還 包括不生成等離子體、向所述處理容器內(nèi)供給所述第二氣體的工序。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項所述的方法，其特征在于： 供給所述第一氣體的所述工序中的所述處理容器內(nèi)的空間的壓力為133.3帕斯卡以 下。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項所述的方法，其特征在于： 生成所述第二氣體的等離子體的所述工序中的所述處理容器內(nèi)的空間的壓力為40帕 斯卡以下。6. 如權(quán)利要求1~5中任一項所述的方法，其特征在于： 所述處理氣體包含碳氟化合物氣體。7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于： 所述碳氟化合物氣體包括C7F8氣體和C6F6氣體中的至少一種， 供給所述第一氣體的所述工序中，供給至所述處理容器內(nèi)的所述處理氣體的分壓為所 述飽和蒸氣壓的100%以下。8. 如權(quán)利要求1~5中任一項所述的方法，其特征在于： 所述處理氣體為烴氣體或含氧烴氣體。9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于： 所述處理氣體中所含的分子中的氧原子的原子數(shù)相對于該分子中的碳原子的原子數(shù) 為1/2以下。10. 如權(quán)利要求1~9中任一項所述的方法，其特征在于： 還包括使來源于所述處理氣體的所述多孔質(zhì)膜中的液體氣化生成氣體，對該氣體進(jìn)行 排氣的工序。
【文檔編號】H01L21/311GK106067410SQ201610248184
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年4月20日 公開號201610248184.2, CN 106067410 A, CN 106067410A, CN 201610248184, CN-A-106067410, CN106067410 A, CN106067410A, CN201610248184, CN201610248184.2
【發(fā)明人】田原慈, 西村榮一, M·巴克拉諾夫, L·張, J-F·德馬爾內(nèi)夫
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社