[相關(guān)申請]

本申請享有以日本專利申請2016-46605號(申請日：2016年3月10日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，有時在將半導(dǎo)體晶片薄膜化之前將半導(dǎo)體晶片貼附在支撐基板。貼附在支撐基板的半導(dǎo)體晶片在將半導(dǎo)體晶片薄膜化之后，從支撐基板剝離。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置的制造方法在將經(jīng)薄膜化的半導(dǎo)體晶片從支撐基板剝離時，可使半導(dǎo)體晶片所受的損壞減少。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法是在表面形成著半導(dǎo)體元件的晶片將所述表面朝向支撐基板側(cè)而粘接的所述支撐基板的外周的至少一部分形成剝離面，從所述剝離面來看隔著所述支撐基板的幾何學(xué)重心朝向所述剝離面的方向?qū)⑺鼍c所述支撐基板剝離。

附圖說明

圖1(a)～圖1(d)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。

圖2(a)～圖2(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。

圖3(a)～圖3(c)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的俯視圖。

圖4(a)～圖4(c)是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照隨附圖式，對實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本發(fā)明并非由這些實(shí)施方式限定。

(第1實(shí)施方式)

圖1(a)～圖1(d)及圖2(a)～圖2(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖，圖3(a)～圖3(c)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的俯視圖。

在圖1(a)中，在半導(dǎo)體晶片w的正面?zhèn)刃纬芍骷觗v。此時，半導(dǎo)體晶片w的厚度可以能夠以半導(dǎo)體晶片w單體穩(wěn)定地操作的方式設(shè)定。例如，半導(dǎo)體晶片w的厚度可設(shè)定為100μm以上。半導(dǎo)體晶片w的材料例如可使用si、ge、sige、gaas、gaalas、inp、gap、gan、sic或ingaasp等。器件層dv中可包含形成在半導(dǎo)體晶片w的有源區(qū)及形成在半導(dǎo)體晶片w上的配線層等?？稍谟性磪^(qū)設(shè)置通道區(qū)域、源極層及漏極層?？稍谂渚€層設(shè)置柵極電極及配線等。形成在器件層dv的器件可為存儲器元件，也可為晶體管元件。也可形成邏輯電路、處理器或nand(notand，與非)閃速存儲器等集成電路。

而且，介隔粘接層2將半導(dǎo)體晶片w的正面?zhèn)裙潭ㄔ谥位?。另外，支撐基板1的形狀可與半導(dǎo)體晶片w的形狀對應(yīng)。此時，支撐基板1的外形也可大于半導(dǎo)體晶片w。另外，支撐基板1的材料可為si，也可為玻璃。粘接層2的材料可使用能通過加熱等剝離且剝離后不具有粘附性的材料。例如，粘接層2的材料可使用熱固性樹脂。

接著，如圖1(b)所示，利用cmp(chemicalmechanicalpolishing，化學(xué)機(jī)械拋光)等方法對半導(dǎo)體晶片w的背面?zhèn)冗M(jìn)行研磨，由此，將半導(dǎo)體晶片w薄膜化。此時，半導(dǎo)體晶片w的厚度可設(shè)定為50μm以下。另外，也可存在將半導(dǎo)體晶片w薄膜化之后在半導(dǎo)體晶片w形成貫通電極的步驟或在半導(dǎo)體晶片w形成背面電極的步驟等。

接著，如圖1(c)所示，將半導(dǎo)體晶片w的背面?zhèn)荣N附在支持帶3。此時，支持帶3可利用環(huán)4支撐。支持帶3的材料可使用具有粘附性的樹脂膜等。此時，也可使用切割帶作為支持帶3。環(huán)4的材料例如可使用不銹鋼等。此處，通過將半導(dǎo)體晶片w貼附在支持帶3，在半導(dǎo)體晶片w的薄膜化后將支撐基板1從半導(dǎo)體晶片w剝離的情況下，也可防止半導(dǎo)體晶片w的折損。

接著，如圖1(d)所示，將貼附著半導(dǎo)體晶片w的支持帶3固定在臺5。此時，可通過將支撐支持帶3的環(huán)4嵌入至臺5而將支持帶3固定在臺5。為了使支持帶3的固定的穩(wěn)定性提升，也可對臺5采用多孔吸盤等。

接著，如圖2(a)及圖3(a)所示，在線剝離結(jié)束位置e2，通過將爪6a的前端插入到支撐基板1與粘接層2之間而在支撐基板1設(shè)置剝離面h1。

接著，如圖2(b)及圖3(b)所示，在線剝離開始位置e1，通過將爪6b的前端插入到支撐基板1與粘接層2之間而在支撐基板1設(shè)置剝離面h2。此時，線剝離結(jié)束位置e2可隔著支撐基板1的中心(幾何學(xué)重心)設(shè)置在與線剝離開始位置e1為相反側(cè)的支撐基板1的外周。各爪6a、6b可以能夠插入到支撐基板1與粘接層2之間的方式使前端變尖。各爪6a、6b可為鏟狀，也可為楔狀。另外，可分別對應(yīng)于線剝離結(jié)束位置e2及線剝離開始位置e1而個別地設(shè)置爪6a、6b，也可在線剝離結(jié)束位置e2及線剝離開始位置e1共有1個爪。此時，可構(gòu)成為能夠?qū)⒆σ苿拥骄€剝離結(jié)束位置e2及線剝離開始位置e1的位置。

接著，如圖3(c)所示，通過使剝離線lh沿剝離方向dh移動而將支撐基板1從半導(dǎo)體晶片w剝離。剝離方向dh可設(shè)定為從線剝離開始位置e1朝向線剝離結(jié)束位置e2。此時，為了使剝離線lh沿剝離方向dh移動，可在較剝離線lh更靠線剝離開始位置e1側(cè)吸附支撐基板1，并且在較剝離線lh更靠線剝離結(jié)束位置e2側(cè)對支撐基板1加壓。然后，通過使剝離線lh沿剝離方向dh移動直至到達(dá)至剝離面h1為止，可將支撐基板1從半導(dǎo)體晶片w剝離。該剝離線lh可呈直線狀設(shè)置在支撐基板1與半導(dǎo)體晶片w的密接面與剝離面的邊界。線剝離是指通過使剝離線lh沿剝離方向dh移動而將支撐基板1從半導(dǎo)體晶片w剝離。

此處，如果線剝離推進(jìn)，那么支撐基板1與半導(dǎo)體晶片w的密接面變小。此時，在線剝離結(jié)束位置e2不存在剝離面h1的情況下，難以確保盡可能對抗支撐基板1的剛性的密接面的面積。因此，有如下情況，即，在剝離的最終階段，不能克服支撐基板1的剛性而剩余的密接面一下子剝離(面剝離)，對器件層dv造成損壞。

相對于此，通過在線剝離開始前在線剝離結(jié)束位置e2形成剝離面h1，可在維持線剝離的狀態(tài)下到達(dá)至剝離面h1。因此，可防止在剝離的最終階段剩余的密接面一下子剝離，而可減少器件層dv所受的負(fù)荷。

(第2實(shí)施方式)

圖4(a)～圖4(c)是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的俯視圖。

在圖4(a)的線剝離開始位置e1，通過將爪6a的前端插入到支撐基板1與粘接層2之間而在支撐基板1設(shè)置剝離面h1。

接著，如圖4(b)所示，在將爪6a的前端插入到支撐基板1與粘接層2之間的狀態(tài)下，使爪6a沿著支撐基板1的外周旋轉(zhuǎn)1周，由此，遍及支撐基板1的全周設(shè)置剝離面h3。

接著，如圖4(c)所示，通過使剝離線lh沿剝離方向dh移動而將支撐基板1從半導(dǎo)體晶片w剝離。剝離方向dh可設(shè)定為從線剝離開始位置e1朝向線剝離結(jié)束位置e2。

此處，通過遍及支撐基板1的全周設(shè)置剝離面h3之后進(jìn)行線剝離，可縮短剝離線lh的長度，而可降低剝離線時的支撐基板1的剛性，并且可防止在剝離的最終階段剩余的密接面一下子剝離，從而可減少器件層dv所受的負(fù)荷。

已對本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為例子而提出，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能以其他多種方式實(shí)施，可以在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式或其變化包含在發(fā)明的范圍或主旨中，并且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。

[符號的說明]

1支撐基板

2粘接層

3支持帶

4環(huán)

5臺

6a、6b爪