一種復(fù)合薄膜材料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[〇〇〇1 ]本發(fā)明涉及一種復(fù)合薄膜材料。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的很多電子元器件如芯片、集成電路板、0LED顯示器、IXD背光模組、CPU模組、放大器模組，等等，在工作時(shí)會產(chǎn)生熱量，同時(shí)，也會產(chǎn)生電磁波干擾(包括干擾他件或被他件干擾)。通常，傳統(tǒng)方法是在以上元器件上覆蓋金屬箱，對其進(jìn)行電磁屏蔽，然后再在該金屬箱上覆蓋石墨，以收集、導(dǎo)勻、儲存元器件產(chǎn)生的熱量，然后，再在該石墨上粘合金屬散熱器件，以將熱量散發(fā)出去。整個(gè)制程復(fù)雜、成本高，并且，對于電子產(chǎn)品整機(jī)而言，其作為附屬功能件，占用的空間太大，嚴(yán)重影響電子產(chǎn)品的輕薄化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種復(fù)合薄膜材料。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案予以解決:
[0005]—種復(fù)合薄膜材料，所述復(fù)合薄膜材料由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，以及附著在所述含Ni合金層上的Cu層組成，其中，所述基膜的厚度為0.05?0.25mm，所述含Ni合金層的厚度為200nm?500nm，所述Cu層的厚度為6000nm?lOOOOnm;或者，所述復(fù)合薄膜材料由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，附著在所述含Ni合金層上的Cu層，以及附著在所述Cu層上的硅橡膠層組成，其中，所述基膜的厚度為0.05?0.25mm，所述含Ni合金層的厚度為200nm?500nm，所述Cu層的厚度為100nm?400nm，所述娃橡膠層的厚度為0.1mm?0.4mm〇
[0006]優(yōu)選地，所述含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cr合金，其中，Cr的質(zhì)量含量為3%-35%，余量為附。
[0007]優(yōu)選地，所述含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cu合金，其中，Cu的質(zhì)量含量為5%-50%，余量為附。
[0008]優(yōu)選地，所述含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cu/Ti合金，其中，Cu的質(zhì)量含量為5%-50%，Ti的質(zhì)量含量為0.5%-6.0%，余量為Ni。
[0009]優(yōu)選地，所述基膜為PET膜或PC膜或兩者的復(fù)合。
[〇〇1〇]優(yōu)選地，通過物理氣相沉積工藝將所述含Ni合金層附著在所述基膜上。
[0011]優(yōu)選地，通過電解液電鍍工藝將所述Cu層附著在所述含Ni合金層上。
[0012]優(yōu)選地，當(dāng)所述復(fù)合薄膜材料中含有所述硅橡膠層時(shí)，所述硅膠層通過涂布的方法附著在所述Cu層上。
[0013]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比的有益效果包括:本發(fā)明通過特定厚度匹配的多層復(fù)合形成復(fù)合薄膜材料，其中，含Ni合金層具有反射作用同時(shí)具有預(yù)定的電磁屏蔽性能，Cu層具有導(dǎo)熱和屏蔽作用，該復(fù)合薄膜材料集合了反射、電磁屏蔽、散熱等特性，例如，在將復(fù)合薄膜材料應(yīng)用到發(fā)熱器件中時(shí)，該Ni合金層和基膜一起朝外，具有對光的反射小的作用，同時(shí)通過特定厚度的Cu層(或者特定厚度匹配的Cu層和硅橡膠層)，復(fù)合薄膜材料能快速從發(fā)熱器件吸收熱量并散發(fā)到環(huán)境中。
【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中的復(fù)合薄膜材料的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二中的復(fù)合薄膜材料的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面對照附圖并結(jié)合優(yōu)選的實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0017]本發(fā)明提供一種復(fù)合薄膜材料，在一種實(shí)施方式中，所述復(fù)合薄膜材料由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，以及附著在所述含Ni合金層上的Cu層組成，其中，所述基膜的厚度為0.05?0.25111111，所述含附合金層的厚度為20〇111]1?50〇11111，所述(]11層的厚度為6000nm?lOOOOnm。在另一種實(shí)施方式中，所述復(fù)合薄膜材料由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，附著在所述含Ni合金層上的Cu層，以及附著在所述Cu層上的硅橡膠層組成，其中，所述基膜的厚度為〇.05?0.25mm，所述含Ni合金層的厚度為200nm?500nm，所述Cu層的厚度為l〇〇nm?400nm，所述娃橡膠層的厚度為0.1mm?0.4mm〇
[0018]以下通過優(yōu)選的實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。
[0〇19] 實(shí)施例一
[0020]如圖1所示，復(fù)合薄膜材料由基膜11，附著在基膜11上的含Ni合金層12,以及附著在含Ni合金層12上的Cu層13組成，其中，基膜11的厚度為0.2mm，含Ni合金層12的厚度為300nm，Cu層13的厚度為lOOOOnm?；た梢圆捎霉鈱W(xué)級透明的PET膜，其耐溫低于150°C。含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cr合金，其中，Cr的質(zhì)量含量為30 %，余量為Ni，通過物理氣相沉積(PVD)工藝將Ni/Cr合金層附著在PET膜上，含Ni合金層與基膜的表面結(jié)合十分緊密，可以為其上的Cu層提供結(jié)構(gòu)過渡和應(yīng)力過渡，同時(shí)可以為后續(xù)即將制作的Cu層提供一個(gè)高附著力的鏈接面，使得Cu層也能緊密附著。Cu層通過電解液電鍍形成并附著在含Ni合金層上，足夠厚的Cu層提供高的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，是器件快速熱傳導(dǎo)的介質(zhì)所在。將該實(shí)施例中的復(fù)合薄膜材料粘結(jié)在發(fā)熱器件上，經(jīng)測試，每lcm2的發(fā)熱器件上對應(yīng)的復(fù)合薄膜材料的儲熱為30-35mJ，而其散熱能力大于35mJ，能滿足35mW發(fā)熱器件的負(fù)荷，通過復(fù)合薄膜的散熱作用，可以將發(fā)熱器件與環(huán)境的溫差控制在l〇°C以內(nèi)。通過電解液電鍍的方式形成的Cu層十分致密，經(jīng)測試，復(fù)合薄膜材料中Cu層13的電阻率為2.0ΧΚΓ5?3.0父10^^*〇11，而普通濕法涂布的銅包覆材料的電阻率為1.0 X 1(Γ3?1.0 X 1(Γ4 Ω *cm等級。同時(shí)，本實(shí)施例的復(fù)合薄膜材料的屏蔽效果優(yōu)于同類應(yīng)用的產(chǎn)品，其屏蔽性能達(dá)到30-60dB。
[0021]實(shí)施例二
[0022]如圖2所示，復(fù)合薄膜材料由基膜21，附著在基膜21上的含Ni合金層22,附著在含Ni合金層22上的Cu層23,以及附著在Cu層23上的硅橡膠層24組成，其中，基膜21的厚度為
0.1mm，含Ni合金層22的厚度為500nm，Cu層23的厚度為400nm，娃橡膠層24的厚度為0.2mm?；た梢圆捎肞C膜，其耐溫在120°C_170°C。含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cu合金，其中，Cu的質(zhì)量含量為40%，余量為Ni，通過物理氣相沉積工藝將Ni/Cu合金層附著在PC膜上，含Ni合金層與基膜的表面結(jié)合十分緊密，可以為其上的Cu層提供結(jié)構(gòu)過渡和應(yīng)力過渡，同時(shí)可以為后續(xù)即將制作的Cu層提供一個(gè)高附著力的鏈接面，使得Cu層也能緊密附著。Cu層通過電解液電鍍形成并附著在含Ni合金層上，硅橡膠層24通過涂布的方法附著在Cu層上，足夠厚且厚度匹配的Cu層和硅橡膠層提供高的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，是器件快速熱傳導(dǎo)的介質(zhì)所在，同時(shí)硅橡膠層還能起到粘結(jié)作用，便于與外部器件粘結(jié)。
[〇〇23] 在其他一些實(shí)施例中，含Ni合金層中的含Ni合金還可以為Ni/Cu/Ti合金，其中，Cu的質(zhì)量含量為5%-50%，Ti的質(zhì)量含量為0.5%-6.0%，余量為Ni。
[0024]根據(jù)實(shí)際需要，基膜還可以選用耐熱型光學(xué)級透明PET薄膜，半透明PET，白色PET
薄膜等。
[0025]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合薄膜材料，其特征在于:所述復(fù)合薄膜材料由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，以及附著在所述含Ni合金層上的Cu層組成，其中，所述基膜的厚度為0.05?0.25mm，所述含Ni合金層的厚度為200nm?500nm，所述Cu層的厚度為6000nm?lOOOOnm;或者，所述復(fù)合薄膜材料由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，附著在所述含Ni合金層上的Cu層，以及附著在所述Cu層上的硅橡膠層組成，其中，所述基膜的厚度為0.05?0.25mm，所述含Ni合金層的厚度為200nm?500nm，所述Cu層的厚度為100nm?400nm，所述娃橡膠層的厚度為〇.lmm?〇.4mm。2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜材料，其特征在于:所述含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cr合金，其中，Cr的質(zhì)量含量為3%-35%，余量為Ni。3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜材料，其特征在于:所述含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cu合金，其中，Cu的質(zhì)量含量為5%-50%，余量為Ni。4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜材料，其特征在于:所述含Ni合金層中的含Ni合金為Ni/Cu/Ti合金，其中，Cu的質(zhì)量含量為5%-50%，Ti的質(zhì)量含量為0.5%-6.0%，余量為Ni。5.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜材料，其特征在于:所述基膜為PET膜或PC膜或兩者的復(fù)合。6.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜材料，其特征在于:通過物理氣相沉積工藝將所述含Ni合金層附著在所述基膜上。7.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜材料，其特征在于:通過電解液電鍍工藝將所述Cu層附著在所述含Ni合金層上。8.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜材料，其特征在于:當(dāng)所述復(fù)合薄膜材料中含有所述硅橡膠層時(shí)，所述硅膠層通過涂布的方法附著在所述Cu層上。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種復(fù)合薄膜材料，其由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，以及附著在所述含Ni合金層上的Cu層組成，其中，所述基膜的厚度為0.05～0.25mm，所述含Ni合金層的厚度為200nm～500nm，所述Cu層的厚度為6000nm～10000nm；或者，其由基膜，附著在所述基膜上的含Ni合金層，附著在所述含Ni合金層上的Cu層，以及附著在所述Cu層上的硅橡膠層組成，其中，所述基膜的厚度為0.05～0.25mm，所述含Ni合金層的厚度為200nm～500nm，所述Cu層的厚度為100nm～400nm，所述硅橡膠層的厚度為0.1mm～0.4mm。該復(fù)合薄膜材料集合了反射、電磁屏蔽、散熱等特性。
【IPC分類】H05K7/20, B32B15/04, B32B15/20, B32B15/06
【公開號】CN105517422
【申請?zhí)枴緾N201610029924
【發(fā)明人】佘自力, 金烈, 梁銳生
【申請人】深圳市金凱新瑞光電股份有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2016年1月15日