本申請(qǐng)涉及印刷電路板領(lǐng)域，并且更具體地，涉及一種用于印刷電路板(printcircuitbroading，pcb)的散熱孔的加工方法。

背景技術(shù)：

隨著網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品的發(fā)展，人們要求功率轉(zhuǎn)換器的輸出功率不斷提高，同時(shí)又希望它的尺寸能進(jìn)來減小。目前通常采用的功率轉(zhuǎn)換器件為表面貼裝功率轉(zhuǎn)換器(簡(jiǎn)稱表貼功率管)，表貼功率管通常通過印刷電路板來散熱，這就對(duì)pcb板的散熱能力提出了要求。

當(dāng)前技術(shù)中，采用在pcb中預(yù)加工散熱孔實(shí)現(xiàn)散熱。在散熱孔的孔內(nèi)壁電鍍導(dǎo)熱率較高的導(dǎo)熱層(例如，銅鍍層)來加速散熱，這一般通過電鍍工藝來實(shí)現(xiàn)。電鍍工藝是將整件工件浸入電鍍?nèi)芤褐校秒娊庠?，在工件表面沉積金屬或合金的過程。由于是將整件工件浸入電鍍?nèi)芤?，?duì)散熱孔的電鍍過程會(huì)導(dǎo)致對(duì)整個(gè)pcb進(jìn)行電鍍，導(dǎo)致pcb表面導(dǎo)熱層厚度增加。這與網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品向更小方向發(fā)展、pcb向更薄方向發(fā)展的趨勢(shì)是相矛盾的。因此，在電鍍過后，往往需要通過磨板來降低pcb表面導(dǎo)熱層厚度。

然而，隨著無線單板高密設(shè)計(jì)帶來的挑戰(zhàn)，以及高速高頻散熱帶來的挑戰(zhàn)，要求散熱孔兼顧高密細(xì)線路基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)散熱。而如果pcb表面導(dǎo)電層厚度太大，則不利于均勻細(xì)線路的布置；即便通過磨板來降低導(dǎo)熱層厚度，但是磨板工序?qū)е铝藀cb表面不均勻，同樣不利于均勻細(xì)線路的布置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于pcb的散熱孔的加工方法，能夠?qū)崿F(xiàn)散熱孔內(nèi)壁的電鍍層增加，同時(shí)減小了pcb表面電鍍層厚度的影響，有利于后續(xù)更高密的外層線路的設(shè)計(jì)。

第一方面，提供一種用于印刷電路板pcb的散熱孔的加工方法，所述pcb的外壁包括上表面、下表面和連接于所述上表面和所述下表面之間的側(cè)壁，所述加工方法包括：

將至少兩層pcb子板壓合形成pcb，所述至少兩層pcb子板中的任意兩層相鄰的pcb子板之間具有內(nèi)導(dǎo)電層，所述至少兩層子板之間的內(nèi)導(dǎo)電層中至少包括一層目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層，所述目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層露出于所述側(cè)壁的至少一個(gè)面；

根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的pcb圖形，對(duì)所述pcb進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿所述pcb厚度方向的至少一個(gè)散熱孔；

對(duì)所述pcb進(jìn)行第一電鍍處理，經(jīng)所述第一電鍍處理后的所述pcb的外壁以及每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁沉積有第一電鍍層；

對(duì)沉積在所述上表面的第一電鍍層和沉積在所述下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，經(jīng)所述開窗處理后的所述上表面的第一區(qū)域的第一電鍍層與第二區(qū)域的第一電鍍層斷開，且所述下表面的第三區(qū)域的第一電鍍層與第四區(qū)域的第一電鍍層斷開，其中，所述第一區(qū)域?yàn)樗錾媳砻嬷形挥谒錾峥椎目卓谥車膮^(qū)域，所述第二區(qū)域?yàn)樗錾媳砻嬷羞h(yuǎn)離所述散熱孔的區(qū)域，所述第三區(qū)域?yàn)樗鱿卤砻嬷形挥谒錾峥椎目卓谥車膮^(qū)域，所述第四區(qū)域?yàn)樗鱿卤砻嬷羞h(yuǎn)離所述散熱孔的區(qū)域；

通過所述至少一層目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層，對(duì)所述散熱孔進(jìn)行第二電鍍處理，經(jīng)所述第二電鍍處理后的所述散熱孔的內(nèi)壁和所述第一區(qū)域沉積有第二電鍍層。

因此，本發(fā)明實(shí)施例通過將內(nèi)導(dǎo)電層引出pcb側(cè)面，以便于和電鍍夾具連接，使得在pcb的上、下表面中散熱孔及周圍區(qū)域與遠(yuǎn)離散熱孔的區(qū)域斷開的情況下，能夠通過內(nèi)導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)局部電鍍，在增大散熱孔內(nèi)壁厚度的同時(shí)減小了對(duì)pcb的上、下表面的電鍍層厚度的影響，在提升局部散熱效果的同時(shí)有效提升外層布線密度，有利于后續(xù)更高密的外層線路的設(shè)計(jì)。

可選地，所述對(duì)沉積在所述上表面的第一電鍍層和沉積在所述下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，包括：

通過蝕刻方式對(duì)沉積在所述上表面的第一電鍍層和沉積在所述下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理。

可選地，所述對(duì)沉積在所述上表面的第一電鍍層和沉積在所述下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，包括：

通過機(jī)械加工方法對(duì)沉積在所述上表面的第一電鍍層和沉積在所述下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理。

可選地，所述對(duì)沉積在所述上表面的第一電鍍層和沉積在所述下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，包括：

通過激光燒蝕方式對(duì)沉積在所述上表面的第一電鍍層和沉積在所述下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理。

可選地，所述第一電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層，所述第二電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層。

可選地，沉積在每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁的所述第一電鍍層和所述第二電鍍層的總厚度大于或等于2密耳。

通過仿真計(jì)算可知，當(dāng)散熱孔內(nèi)壁的電鍍層厚度增大時(shí)，導(dǎo)熱系數(shù)也隨之提高。

第二方面，提供了一種用于印刷電路板pcb的散熱孔的加工方法，包括：

將至少兩層pcb子板壓合形成pcb，并根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的pcb圖形，對(duì)所述pcb進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿所述pcb厚度方向的至少一個(gè)散熱孔；

將干膜覆蓋至所述pcb的上表面和下表面，并根據(jù)所述pcb板中所述至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)所述干膜進(jìn)行開窗處理，經(jīng)所述開窗處理后的干膜中包含有與所述至少一個(gè)散熱孔相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)開窗，所述至少一個(gè)開窗與所述至少一個(gè)散熱孔的位置一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)開窗的孔徑大小小于所對(duì)應(yīng)的散熱孔的孔徑大小，以使每個(gè)散熱孔被所對(duì)應(yīng)的開窗遮擋；

對(duì)所述pcb進(jìn)行第三電鍍處理，經(jīng)所述第三電鍍處理后的每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁沉積有第三電鍍層；

去除所述干膜，并對(duì)所述pcb進(jìn)行第四電鍍處理，經(jīng)所述第四電鍍處理后的所述pcb的外壁和每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁沉積有第四電鍍層。

因此，本發(fā)明實(shí)施例通過在pcb的上表面和下表面覆蓋干膜，并通過對(duì)干膜進(jìn)行開窗處理得到孔徑小于散熱孔孔徑的開窗，以遮擋散熱孔的孔口，避免電鍍層沉積在散熱孔孔口及周圍區(qū)域，在增大散熱孔內(nèi)壁厚度的同時(shí)減小了對(duì)pcb的上、下表面的電鍍層厚度的影響，在提升局部散熱效果的同時(shí)有效提升外層布線密度，有利于后續(xù)更高密的外層線路的設(shè)計(jì)。

可選地，所述根據(jù)所述pcb板所述至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)所述干膜進(jìn)行開窗處理，包括：

根據(jù)所述pcb中所述至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，通過蝕刻方式對(duì)所述干膜進(jìn)行開窗處理。

可選地，所述根據(jù)所述pcb中所述至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)所述干膜進(jìn)行開窗處理，包括：

根據(jù)所述pcb中所述至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，通過機(jī)械加工方法對(duì)所述干膜進(jìn)行開窗處理。

可選地，所述根據(jù)所述pcb中所述至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)所述干膜進(jìn)行開窗處理，包括：

根據(jù)所述pcb中所述至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，通過激光燒蝕方式對(duì)所述干膜進(jìn)行開窗處理。

可選地，所述第三電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層，所述第四電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層。

可選地，沉積在每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁的所述第三電鍍層和所述第四電鍍層的總厚度大于或等于2密耳。

通過仿真計(jì)算可知，當(dāng)散熱孔內(nèi)壁的電鍍層厚度增大時(shí)，導(dǎo)熱系數(shù)也隨之提高。

第三方面，提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括：計(jì)算機(jī)程序代碼，當(dāng)所述計(jì)算機(jī)程序代碼被發(fā)送設(shè)備的處理單元、發(fā)送單元或處理器、發(fā)送器運(yùn)行時(shí)，使得所述發(fā)送設(shè)備的執(zhí)行上述第一方面或第一方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)方式中的用于pcb的散熱孔的加工方法。

第四方面，提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括：計(jì)算機(jī)程序代碼，當(dāng)所述計(jì)算機(jī)程序代碼被發(fā)送設(shè)備的處理單元、發(fā)送單元或處理器、發(fā)送器運(yùn)行時(shí)，使得所述發(fā)送設(shè)備的執(zhí)行上述第二方面或第二方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)方式中的用于pcb的散熱孔的加工方法。

第五方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有指令，當(dāng)其在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行時(shí)，使得計(jì)算機(jī)執(zhí)行上述第一方面或第一方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)方式中的方法。

第六方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有指令，當(dāng)其在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行時(shí)，使得計(jì)算機(jī)執(zhí)行上述第二方面或第二方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)方式中的方法。

附圖說明

圖1是適用于本發(fā)明實(shí)施例的pcb的示意圖。

圖2是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的示意性流程圖。

圖3是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的示意圖。

圖4是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的另一示意圖。

圖5是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的又一示意圖。

圖6是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的再一示意圖。

圖7是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的示意性流程圖。

圖8是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的示意圖。

圖9是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的另一示意圖。

圖10是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的再一示意圖。

圖11是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的又一示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本申請(qǐng)中的技術(shù)方案進(jìn)行描述。

為了便于理解本發(fā)明實(shí)施例，首先結(jié)合圖1詳細(xì)說明適用于本發(fā)明實(shí)施例的pcb。

圖1示出了適用于本發(fā)明實(shí)施例的pcb10。如圖所示，表貼功率管貼裝于pcb表面，用于實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換(例如，功率放大等)。通常情況下，表貼功率管可以選用金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，mosfet)等。以mosfet為例，其散熱主要依賴于漏極管腳和封裝外殼。一方面，覆在pcb表面的銅可以作為表貼mosfet的散熱器件，功耗產(chǎn)生的熱量由mosfet的基片上通過它的漏極引腳到達(dá)pcb上，再利用pcb上的銅散熱到周圍環(huán)境中。另一方面，功耗產(chǎn)生的熱量由基片經(jīng)功率管封裝外殼直接散到周圍環(huán)境中去。本發(fā)明實(shí)施例的散熱孔主要涉及前一種散熱方式，即通過pcb上的銅散熱。

為了適應(yīng)無線單板高密設(shè)計(jì)以及高速高頻散熱的需求，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N散熱孔的加工方法。以下，結(jié)合圖2至圖11詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法。

需要說明的是，在下文中描述的實(shí)施例中，涉及到pcb加工的各個(gè)工藝，例如：壓合、鉆孔、電鍍、覆蓋干膜、退膜、蝕刻開窗、機(jī)械開窗、激光開窗、磨板等，但這些工藝的具體過程與現(xiàn)有技術(shù)中的具體過程相同或相似，為了簡(jiǎn)潔，本申請(qǐng)中省略對(duì)其具體過程的詳細(xì)說明。

圖2是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法200的示意性流程圖。可以理解，本發(fā)明實(shí)施例中的pcb的外壁包括上表面、下表面以及連接于該上表面和下表面之間的側(cè)壁。

如圖2所示，該加工方法200包括：

s210，將至少兩層pcb子板壓合形成pcb，該至少兩層pcb子板之間的任意兩層相鄰的pcb子板之間具有內(nèi)導(dǎo)電層，該至少兩層pcb子板之間的內(nèi)導(dǎo)電層中至少包括一層目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層，該目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層露出于該pcb的側(cè)壁的至少一個(gè)面。

圖3是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的示意圖。如圖所示，pcb可以由多層pcb子板壓合形成，層與層之間可以通過導(dǎo)電層(為便于區(qū)分，將位于pcb子板之間的導(dǎo)電層記作內(nèi)導(dǎo)電層)隔離。該導(dǎo)電層可以用于制作信號(hào)線路和電路連接。可以理解，該內(nèi)導(dǎo)電層的層數(shù)量與pcb子板的層數(shù)相關(guān)，因此，該內(nèi)導(dǎo)電層的層數(shù)量為至少一層。則，該至少一層內(nèi)導(dǎo)電層中至少包括一層目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層，該目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層露出于pcb側(cè)壁的至少一個(gè)面。假設(shè)該pcb為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，則其側(cè)壁包括四個(gè)面。則該目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層露出于該四個(gè)面中的至少一個(gè)，以便于后續(xù)s250中的第二電鍍處理，后文會(huì)結(jié)合s250詳細(xì)說明該過程。

該導(dǎo)電層可以由為導(dǎo)電材料制備，典型地，該導(dǎo)電材料可以為銅。但應(yīng)理解，這里示例的導(dǎo)電材料不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)構(gòu)成任何限定，該導(dǎo)電材料也可以為其他金屬材料或者高分子導(dǎo)電材料，本申請(qǐng)對(duì)此并未特別限定。

需要說明的是，圖3以及后文示出的圖4至圖6、圖8至圖11是為了便于理解而示出的pcb的部分截面的示意圖。在這些示意圖中，未示出pcb的側(cè)面邊界，也就是說，散熱孔可能僅存在于pcb中的部分位置，而pcb的側(cè)面可能在遠(yuǎn)離散熱孔的位置，并且，該pcb中可能還存在更多的區(qū)域未配置散熱孔。就如圖5中所示，第二區(qū)域的面積可能大于第一區(qū)域的面積，第四區(qū)域的面積可能大于第三區(qū)域的面積，本申請(qǐng)對(duì)此并未特別限定。為了簡(jiǎn)潔，后文中省略對(duì)相同或相似情況的說明。

s220，根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的pcb圖形，對(duì)該pcb進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿該pcb厚度方向的至少一個(gè)散熱孔。

具體來說，pcb設(shè)計(jì)人員可以預(yù)先設(shè)計(jì)pcb圖形，該圖形中包括對(duì)該pcb的布線設(shè)計(jì)、電子元件的布局以及與外部連接的布局。根據(jù)該預(yù)先設(shè)計(jì)的pcb圖形，可以確定在哪些位置布置了表貼功率管，需要通過散熱孔進(jìn)行散熱，進(jìn)而確定散熱孔的具體位置。在確定了散熱孔的位置后，對(duì)pcb進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿該pcb厚度方向的散熱孔。

其中，pcb厚度方向即垂直于該pcb的上表面或下表面的方向。通常情況下，pcb的上下表面基本平行，該pcb的厚度即上表面與下表面間的距離。

圖4是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的另一示意圖。如圖所示，散熱孔貫穿該pcb的厚度方向，即，散熱孔可以為基本平行于該pcb厚度方向的通孔，或者說，該散熱孔的中心軸與pcb的厚度方向基本平行。這里所說的基本平行，可以理解夾角近似為0°。也就是說，散熱孔的中心軸與pcb的厚度方向的夾角近似為0°，或者說，散熱孔的中心軸與pcb的上表面或下表面的夾角近似為90°。在制備過程中，該夾角可能存在一定的誤差范圍，這個(gè)誤差可以理解為該通孔的軸向偏差，但該誤差是在機(jī)加工可接受的范圍內(nèi)的，是可以忽略的，或者說，是允許的。

可以理解，該散熱孔的數(shù)量可以根據(jù)表面貼裝的功率管的數(shù)量以及該pcb的面積(即，上表面或者下表面的面積)來確定。通常情況下，pcb中包含有至少一個(gè)散熱孔。

另外，從圖4可以看到，內(nèi)導(dǎo)電層是貫穿pcb的，因此，經(jīng)鉆孔處理后的pcb中，內(nèi)導(dǎo)電層露出于每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁，或者說，在散熱孔的內(nèi)壁上可以看到內(nèi)導(dǎo)電層的截面。

s230，對(duì)該pcb進(jìn)行第一電鍍處理，經(jīng)該第一電鍍處理后的pcb的外壁以及每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁均沉積有第一電鍍層。

具體來說，第一電鍍處理即對(duì)該pcb的全板電鍍。電鍍夾具可以通過連接至s210中提及的目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層、pcb的上表面或者pcb的下表面中的任意一項(xiàng)實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通，然后利用電解原理，在pcb的外側(cè)以及散熱孔的內(nèi)壁沉積第一電鍍層。

作為示例而非限定，該第一電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層。

可以理解的是，通常情況下，每一層pcb子板的外壁都包覆有銅，銅可以作為導(dǎo)電層與電鍍夾具連接，實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通。其中，經(jīng)過對(duì)pcb子板壓合形成的pcb的上表面和下表面的銅可以理解為外導(dǎo)電層(為便于區(qū)分和說明，將暴露在pcb外部的導(dǎo)電層記作外導(dǎo)電層)，位于兩個(gè)相鄰的pcb子板之間的銅可以理解為內(nèi)導(dǎo)電層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，經(jīng)第一電鍍處理后沉積在pcb的外壁和散熱孔的內(nèi)壁的第一電鍍層的厚度可以為1密耳(mil)。

s240，對(duì)沉積在pcb的上表面的第一電鍍層和沉積在下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，經(jīng)該開窗處理后的該上表面的第一區(qū)域的第一電鍍層與第二區(qū)域的第一電鍍層斷開，且該下表面的第三區(qū)域的第一電鍍層與第四區(qū)域的第一電鍍層斷開。

其中，該第一區(qū)域?yàn)樵撋媳砻嬷形挥谠撋峥椎目卓谥車膮^(qū)域，該第二區(qū)域?yàn)樵撋媳砻嬷羞h(yuǎn)離該散熱孔的區(qū)域，該第三區(qū)域?yàn)樵撓卤砻嬷形挥谠撋峥椎目卓谥車膮^(qū)域，該第四區(qū)域?yàn)樵撓卤砻嬷羞h(yuǎn)離該散熱孔的區(qū)域。

在經(jīng)過了第一電鍍處理之后，全板都電鍍上了第一電鍍層，對(duì)于pcb來說，除了散熱孔內(nèi)壁需要沉積更厚的散熱層，其他位置無需增厚。因此，本申請(qǐng)?jiān)趐cb的上表面和下表面的第一電鍍層上分別作了開窗處理，使散熱孔的孔口周圍區(qū)域(例如，分別對(duì)應(yīng)于上表面的第一區(qū)域和下表面的第三區(qū)域)和遠(yuǎn)離散熱孔的區(qū)域(例如，分別對(duì)應(yīng)于上表面的第二區(qū)域和下表面的第四區(qū)域)斷開，即，切斷了散熱孔及孔口周圍區(qū)域與遠(yuǎn)離散熱孔區(qū)域的電路導(dǎo)通。

圖5是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的又一示意圖。如圖所示。通過對(duì)上表面的第一電鍍層和下表面的第一電鍍層進(jìn)行開窗處理，使沉積在上表面的第一區(qū)域的第一電鍍層和沉積在上表面的第二區(qū)域的第一電鍍層斷開，并且沉積在下表面的第三區(qū)域的第一電鍍層和沉積在下表面的第四區(qū)域的第一電鍍層斷開。圖5示出的為該pcb的截面示意圖，若從箭頭指向的方向看(即俯視)該pcb的上表面，可以看到散熱孔及孔口周圍區(qū)域與遠(yuǎn)離散熱孔的區(qū)域完全被隔斷。

可選地，對(duì)沉積在該上表面的第一電鍍層和沉積在該下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，包括：

通過蝕刻方式對(duì)沉積在該上表面的第一電鍍層和沉積在該下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理。

可選地，對(duì)沉積在該上表面的第一電鍍層和沉積在該下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，包括：

通過機(jī)械加工方式對(duì)沉積在該上表面的第一電鍍層和沉積在該下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理

可選地，對(duì)沉積在該上表面的第一電鍍層和沉積在該下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理，包括：

通過激光燒蝕方式對(duì)沉積在該上表面的第一電鍍層和沉積在該下表面的第一電鍍層分別進(jìn)行開窗處理。

應(yīng)理解，以上列舉的對(duì)第一電鍍層進(jìn)行開窗處理的具體方法僅為示例性說明，不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)構(gòu)成任何限定。

可以理解的是，經(jīng)過上述開窗處理之后，若通過外導(dǎo)電層(即，pcb的上表面或下表面的導(dǎo)電層)來進(jìn)行電鍍，是無法將電鍍層沉積在散熱孔內(nèi)壁上的，而只是將電鍍層沉積在pcb的上表面的第二區(qū)域和下表面的第四區(qū)域，而與本申請(qǐng)所提出的對(duì)散熱孔的加工要求(即，保證散熱孔內(nèi)壁的厚導(dǎo)熱層(通過電鍍層實(shí)現(xiàn)熱傳導(dǎo))，而不對(duì)pcb的上、下表面厚度造成影響)是相矛盾的。相反，若通過某個(gè)導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)與散熱孔內(nèi)壁的電路導(dǎo)通，便可以實(shí)現(xiàn)對(duì)散熱孔內(nèi)壁的局部電鍍，而這個(gè)導(dǎo)電層可以是在s210中提及的目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層。

s250，通過該至少一層目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層，對(duì)該散熱孔進(jìn)行第二電鍍處理，經(jīng)該第二電鍍處理后的該散熱孔的內(nèi)壁和該第一區(qū)域沉積有第二電鍍層。

圖6是根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的再一示意圖。圖6示出了經(jīng)第二電鍍處理之后得到的pcb。如圖所示，通過將電鍍夾具連接至目標(biāo)內(nèi)導(dǎo)電層，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)散熱孔內(nèi)壁以及散熱孔口周圍的區(qū)域(即，包括上表面的第一區(qū)域和下表面的第三區(qū)域)的局部電鍍，使散熱孔的內(nèi)壁沉積有較厚的電鍍層(即，第一電鍍層和第二電鍍層的厚度之和)。

在本發(fā)明實(shí)施例中，經(jīng)第二電鍍處理后沉積在散熱孔的內(nèi)壁的第二電鍍層的厚度可以為2mil。也就是說，經(jīng)第一電鍍處理和第二電鍍處理之后，在散熱孔內(nèi)壁沉積的電鍍層的厚度可以達(dá)到3mil。

應(yīng)理解，這里示意的電鍍層的厚度僅為示例性說明，通過調(diào)節(jié)電鍍?nèi)芤旱臐舛纫约半婂儠r(shí)間，可以控制電鍍層的厚度增加或減小。但是可以理解，通過本發(fā)明實(shí)施例對(duì)第一電鍍層的開窗實(shí)現(xiàn)了對(duì)散熱孔內(nèi)壁的局部電鍍。

作為示例而非限定，該第一電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，第一電鍍層沉積的材料和第二電鍍層沉積的材料可以相同或不同。不論第一電鍍層和第二電鍍層的材料相同或不同，通過在散熱孔內(nèi)壁沉積較厚的電鍍層，可以提高該散熱孔的導(dǎo)熱系數(shù)。

典型地，該第一電鍍層和第二電鍍層均為銅鍍層。

通過仿真計(jì)算可知，若第一電鍍層和第二電鍍層均為銅鍍層，第一電鍍層和第二電鍍層的厚度之和(即，散熱孔內(nèi)壁銅厚)增加一倍，導(dǎo)熱系數(shù)增加一倍；當(dāng)散熱孔內(nèi)壁銅厚由1mil增加至4mil時(shí)，導(dǎo)熱系數(shù)提高三倍。

需要特別說明的是，由于通過開窗處理，將上表面的第一區(qū)域和第二區(qū)域斷開，下表面的第三區(qū)域和第四區(qū)域斷開，經(jīng)過第二電鍍處理之后，該第二電鍍層也會(huì)沉積在上表面的第一區(qū)域和下表面的第三區(qū)域。為了保證pcb表面的厚度均勻，可以通過磨板來減小第一區(qū)域和第三區(qū)域的電鍍層厚度。

但是，對(duì)上表面的第一區(qū)域的磨板以及對(duì)下表面的第三區(qū)域的磨板僅僅是對(duì)局部區(qū)域的磨板，并未影響到大部分未鉆孔的區(qū)域，也就是上表面的第二區(qū)域和下表面的第四區(qū)域。因此，第二區(qū)域和第四區(qū)域的均勻電鍍層因較少地受到磨板的影響，表面均勻，有利于高密細(xì)線路的布置。

這是因?yàn)?，在pcb上布線實(shí)際上是通過預(yù)先設(shè)計(jì)好的pcb圖形對(duì)pcb表面的銅進(jìn)行蝕刻來實(shí)現(xiàn)的。也就是說，根據(jù)pcb圖形對(duì)pcb表面用掩膜版對(duì)銅進(jìn)行蝕刻，可以將不需要的銅去除掉，僅留下用于作為電路連線的銅線。本申請(qǐng)通過對(duì)散熱孔進(jìn)行局部電鍍，使得pcb的上下表面銅厚較小，只需要使用少量的較低濃度的腐蝕溶液、經(jīng)過短時(shí)間的腐蝕，便可以蝕刻得到所需的電路；并且，腐蝕溶液的流量小，易于控制，避免了大量腐蝕溶液流入，不易控制而導(dǎo)致對(duì)pcb表面的刻蝕不均勻。

還需要說明的是，圖6中僅為便于區(qū)分第一電鍍層和第二電鍍層，使用了不同的顏色來示意，但這不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)構(gòu)成任何限定。正如上文中所述，第一電鍍層和第二電鍍層可以為相同的材料或不同的材料，本申請(qǐng)對(duì)此并未特別限定。

因此，本發(fā)明實(shí)施例通過將內(nèi)導(dǎo)電層引出pcb側(cè)面，以便于和電鍍夾具連接，使得在pcb的上、下表面中散熱孔及周圍區(qū)域與遠(yuǎn)離散熱孔的區(qū)域斷開的情況下，能夠通過內(nèi)導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)局部電鍍，在增大散熱孔內(nèi)壁厚度的同時(shí)減小了對(duì)pcb的上、下表面的電鍍層厚度的影響，在提升局部散熱效果的同時(shí)有效提升外層布線密度，有利于后續(xù)更高密的外層線路的設(shè)計(jì)。

圖7是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法300的示意性流程圖。

如圖7所示，該加工方法300包括：

s310，將至少兩層pcb子板壓合形成pcb，并根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的pcb圖形，對(duì)該pcb進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿該pcb厚度方向的至少一個(gè)散熱孔。

圖8是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的示意圖。如圖所示，該pcb可以由多層pcb子板壓合形成。pcb設(shè)計(jì)人員可以預(yù)先設(shè)計(jì)pcb圖形，根據(jù)該預(yù)先設(shè)計(jì)的pcb圖形，可以確定散熱孔的位置，以對(duì)pcb進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿該pcb厚度方向的至少一個(gè)散熱孔。

s320，將干膜覆蓋至該pcb的上表面和下表面，并根據(jù)該pcb板中至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)該干膜進(jìn)行開窗處理，經(jīng)該開窗處理后的干膜中包含有與該至少一個(gè)散熱孔相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)開窗，該至少一個(gè)開窗與該至少一個(gè)散熱孔的位置一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)開窗的孔徑大小小于所對(duì)應(yīng)的散熱孔的孔徑大小，以使每個(gè)散熱孔被所對(duì)應(yīng)的開窗遮擋。

圖9是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的另一示意圖。如圖所示，在pcb的上表面和下表面分別覆蓋干膜，以在電鍍過程中避免電鍍層沉積在pcb的上表面和下表面。同時(shí)，為了保證電鍍層沉積在散熱孔的內(nèi)壁，可以通過對(duì)與散熱孔相對(duì)位置處的干膜進(jìn)行開窗處理。經(jīng)過開窗處理后的干膜中包含有至少一個(gè)開窗，該至少一個(gè)開窗與至少一個(gè)散熱孔一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)開窗的孔徑大小小于所對(duì)應(yīng)的散熱孔的孔徑大小?？蛇x地，該根據(jù)該pcb板該至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)該干膜進(jìn)行開窗處理，包括：

根據(jù)該pcb中該至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，通過蝕刻方式對(duì)該干膜進(jìn)行開窗處理。

可選地，該根據(jù)該pcb中該至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)該干膜進(jìn)行開窗處理，包括：

根據(jù)該pcb中該至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，通過機(jī)械加工方法對(duì)該干膜進(jìn)行開窗處理。

可選地，該根據(jù)該pcb中該至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，對(duì)該干膜進(jìn)行開窗處理，包括：

根據(jù)該pcb中該至少一個(gè)散熱孔中每個(gè)散熱孔的位置，通過激光燒蝕方式對(duì)該干膜進(jìn)行開窗處理。

s330，對(duì)該pcb進(jìn)行第三電鍍處理，經(jīng)該第三電鍍處理后的每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁沉積有第三電鍍層。

通過在s320中對(duì)干膜進(jìn)行開窗處理，可以在散熱孔的孔口周圍區(qū)域覆蓋干膜，以將所對(duì)應(yīng)的散熱孔遮擋，以避免沉積層在散熱孔的孔口周圍區(qū)域沉積。

圖10是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的又一示意圖。圖10中示出了經(jīng)過第三電鍍處理得到的pcb。通過在s330中覆蓋干膜以及對(duì)干膜進(jìn)行開窗處理，在第三電鍍處理中實(shí)現(xiàn)了對(duì)散熱孔的局部電鍍。經(jīng)第三電鍍處理之后的pcb，在未被干膜覆蓋的散熱孔內(nèi)壁沉積有第三電鍍層，而被干膜覆蓋的區(qū)域則未沉積第三電鍍層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，經(jīng)第三電鍍處理后沉積在散熱孔內(nèi)壁的第三電鍍層的厚度為2mil。

需要說明的是，經(jīng)第三電鍍處理之后的第三電鍍層與干膜開窗的邊界的位置關(guān)系有可能呈現(xiàn)為第三電鍍層的外表面與開窗的邊界平齊，也有可能因電鍍時(shí)間較短或電鍍?nèi)芤簼舛容^低等原因還未到達(dá)干膜開窗的邊界，甚至還有可能因電鍍時(shí)間較長(zhǎng)或電鍍?nèi)芤簼舛容^高等原因

s340，去除該干膜，并對(duì)該pcb進(jìn)行第四電鍍處理，經(jīng)該第四電鍍處理后的該pcb的外壁和每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁沉積有第四電鍍層。

圖11是根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的用于pcb的散熱孔的加工方法的再一示意圖。圖11中示出了經(jīng)過第四電鍍處理得到的pcb。通過去除干膜，在對(duì)pcb進(jìn)行第四電鍍處理即對(duì)pcb進(jìn)行全板電鍍，經(jīng)第四電鍍處理后的pcb外壁以及散熱孔內(nèi)壁均沉積有第四電鍍層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，經(jīng)該第四電鍍處理后的pcb外壁以及散熱孔內(nèi)壁沉積的第四電鍍層的厚度為1mil。

可選地，沉積在每個(gè)散熱孔的內(nèi)壁的該第三電鍍層和該第四電鍍層的總厚度大于或等于2密耳mil。

在本發(fā)明實(shí)施例中，該第三電鍍層和第四電鍍層的總厚度為3mil。

應(yīng)理解，這里示意的電鍍層的厚度僅為示例性說明，通過調(diào)節(jié)電鍍?nèi)芤旱臐舛纫约半婂儠r(shí)間，可以控制電鍍層的厚度增加或減小。

需要說明的是，圖11中僅為便于區(qū)分第三電鍍層和第四電鍍層，使用了不同的顏色來示意，但這不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)構(gòu)成任何限定。第三電鍍層和第四電鍍層可以為相同的材料或不同的材料，本申請(qǐng)對(duì)此并未特別限定。

可選地，該第三電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層，該第四電鍍層包括：銅鍍層、錫鍍層、銀鍍層或金鍍層。

因此，本發(fā)明實(shí)施例通過在pcb的上表面和下表面覆蓋干膜，并通過對(duì)干膜進(jìn)行開窗處理得到孔徑小于散熱孔孔徑的開窗，以遮擋散熱孔的孔口，避免電鍍層沉積在散熱孔孔口及周圍區(qū)域，在增大散熱孔內(nèi)壁厚度的同時(shí)減小了對(duì)pcb的上、下表面的電鍍層厚度的影響，在提升局部散熱效果的同時(shí)有效提升外層布線密度，有利于后續(xù)更高密的外層線路的設(shè)計(jì)。

需要說明的是，以上示例的散熱孔的加工方法僅為對(duì)該散熱孔的加工過程中的部分工序，而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)構(gòu)成任何限定。例如，該加工方法還包括孔上電鍍(platedonfiledvia，pofv)等，其具體過程與現(xiàn)有技術(shù)中相同或相似，為了簡(jiǎn)潔，這里不再贅述。

應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，“第一”、“第二”、“第三”和“第四”僅為用于區(qū)分不同的對(duì)象，例如，區(qū)分不同的電鍍處理，不同的電鍍層、不同的區(qū)域等，不應(yīng)對(duì)本發(fā)明構(gòu)成任何限定。

還應(yīng)理解，上述列舉的用于pcb的散熱孔的加工方法的各實(shí)施例，可以通過機(jī)器人或者數(shù)控加工方式來執(zhí)行，用于執(zhí)行該加工方法的設(shè)備軟件或工藝可以通過執(zhí)行保存在存儲(chǔ)器中的計(jì)算機(jī)程序代碼來執(zhí)行上述加工方法。

還應(yīng)理解，在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，上述各過程的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施過程構(gòu)成任何限定。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、或者計(jì)算機(jī)軟件和電子硬件的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來使用不同方法來實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本申請(qǐng)的范圍。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)、裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過程，在此不再贅述。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置和方法，可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。

所述功能如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本申請(qǐng)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：u盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(read-onlymemory，rom)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory，ram)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式，但本申請(qǐng)的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本申請(qǐng)揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。