到襯底。
[0152]在圖9中不出了紅色橫向微發(fā)光二極管605、綠色橫向微發(fā)光二極管606和藍(lán)色橫向微發(fā)光二極管607。橫向微發(fā)光二極管605包括P電極605p和N電極605η。橫向微發(fā)光二極管606包括P電極606ρ和N電極606η。橫向微發(fā)光二極管607包括P電極607ρ和N電極607η。
[0153]在襯底604中設(shè)置引線結(jié)構(gòu)(包括接墊)615?、61511、616?、61611、617?、61711。引線結(jié)構(gòu)615ρ、616ρ、617ρ用于連接正電極。引線結(jié)構(gòu)615η、616η、617η用于連接負(fù)電極。
[0154]在圖9的例子中，例如，橫向微發(fā)光二極管的電極605ρ、605η、606ρ、606η、607ρ、607η包括焊料凸起602。例如，還可以在焊料凸起602上涂覆助焊劑。將電極605ρ、605η、606ρ、606η、607ρ、607η 分別接合到引線結(jié)構(gòu) 615ρ、615η、616ρ、616η、617ρ、617η(例如，通過(guò)回流焊接)。
[0155]例如，還可以在橫向微發(fā)光二極管和襯底604之間填充聚合物603。還可以在橫向微發(fā)光二極管上設(shè)置透明的蓋層601。這些處理是現(xiàn)有技術(shù)中已知的，故在此不再詳述。
[0156]因此，例如，本發(fā)明還可以包括橫向微發(fā)光二極管的具體應(yīng)用。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明還可以提供一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法。該方法包括:在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管，其中，該微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管，其中該橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極位于同一側(cè)；使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸；以及從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管。
[0157]米用橫向微發(fā)光二極管的一個(gè)效果在于，可以省略微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移之后的N金屬電極處理。此外，由于在晶圓級(jí)進(jìn)行測(cè)試時(shí)P電極和N電極都已經(jīng)被形成，因此，可以簡(jiǎn)化晶圓級(jí)的顏色分格和/或測(cè)試。
[0158]此外，例如，在這個(gè)方法中，還可以在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層，以便經(jīng)由各向異性導(dǎo)電層使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接墊接觸。然后，在從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管后，對(duì)各向異性導(dǎo)電層進(jìn)行處理，使得橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上的接墊電連接。
[0159]例如，各向異性導(dǎo)電層可以是各向異性導(dǎo)電膜、各向異性導(dǎo)電漿和各向異性導(dǎo)電膠帶中的至少一種。
[0160]除了利用各向異性導(dǎo)電層的粘性以及利用液體(例如助焊劑)的表面張力使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸之外，本發(fā)明還可以利用重力、靜電力和/或電磁力的作用來(lái)實(shí)現(xiàn)所述接觸。
[0161]例如，當(dāng)從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底時(shí)，橫向微發(fā)光二極管與原始襯底分離，并由于重力的原因，橫向微發(fā)光二極管掉落在接收襯底上。
[0162]例如，可以通過(guò)向所述接墊施加電壓來(lái)施加靜電力，從而利用靜電力的作用，使得橫向微發(fā)光二極管在從原始襯底剝離后留在接收襯底上。
[0163]例如，在橫向微發(fā)光二極管中包含磁性物質(zhì)(例如Ni)的情況下，可以設(shè)置磁場(chǎng)，以利用電磁力的作用，使得橫向微發(fā)光二極管在從原始襯底剝離后留在接收襯底上。
[0164]類似地，還可以將這個(gè)應(yīng)用橫向微發(fā)光二極管的例子中的轉(zhuǎn)移方法應(yīng)用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，以將橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。
[0165]例如，還可以使用所述制造方法來(lái)制造微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置。這種微發(fā)光二極管裝置采用橫向微發(fā)光二極管。
[0166]例如，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含所述微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。
[0167]圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的利用非接觸的作用力來(lái)轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管的一個(gè)方法的流程圖。
[0168]如圖10所示，在用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法中，在步驟S4100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。
[0169]所述微發(fā)光二極管例如既可以是橫向微發(fā)光二極管，也可以是垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管。在橫向微發(fā)光二極管中，P電極和N電極位于同一側(cè)的。在垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管中，P電極和N電極位于相對(duì)側(cè)。
[0170]在步驟S4200，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。
[0171]在步驟S4300，利用非接觸的作用力，使微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。
[0172]非接觸的作用力指的是，這種作用力本身的施加可以不需要物體的直接接觸。例如，非接觸的作用力可以是通過(guò)場(chǎng)來(lái)施加的。這與利用各向異性導(dǎo)電層的粘性以及利用液體(例如助焊劑)的表面張力所施加的作用力不同。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，盡管非接觸的作用力本身的施加可以不需要物體的直接接觸，但是，可以通過(guò)非接觸的作用力來(lái)保持物體的直接接觸。例如，下面給出了非接觸的作用力的幾個(gè)例子。
[0173]例如，所述非接觸的作用力是重力。微發(fā)光二極管位于接收襯底上方。當(dāng)執(zhí)行剝離之后，由于重力的原因，微發(fā)光二極管掉落在接收襯底上并留在接收襯底上。
[0174]例如，所述非接觸的作用力是靜電力?？梢酝ㄟ^(guò)向所述接墊施加電壓來(lái)施加所述靜電力。
[0175]例如，所述非接觸的作用力是電磁力。在微發(fā)光二極管包含磁性物質(zhì)的情況下，可以通過(guò)磁體(例如永磁體)設(shè)置磁場(chǎng)，以利用電磁力的作用，使得微發(fā)光二極管在從原始襯底剝離后留在接收襯底上，從而直接或間接地與接墊接觸。
[0176]在這個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)非接觸的方式，將微發(fā)光二極管附著到接收襯底上，這是現(xiàn)有技術(shù)中所沒有預(yù)想到的。
[0177]例如，微發(fā)光二極管的電極包括焊料凸起。例如通過(guò)回流焊等，使所述焊料凸起與所述接墊接合。
[0178]圖10中的步驟順序不構(gòu)成對(duì)于本發(fā)明的任何限制。例如，盡管在圖10中示出了步驟S4200在步驟S4300之前，但是，重力作用、靜電力作用或電磁力作用例如可以是在步驟S4200之前或者在執(zhí)行步驟S4200時(shí)施加的。換句話說(shuō)，例如，可以在步驟S4200之前或者與步驟S4200同時(shí)地執(zhí)行步驟S4300.
[0179]類似地，還可以將這個(gè)轉(zhuǎn)移方法應(yīng)用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，以將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。
[0180]例如，還可以使用所述制造方法來(lái)制造微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置。
[0181]例如，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含所述微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。
[0182]雖然已經(jīng)通過(guò)例子對(duì)本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說(shuō)明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來(lái)限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法，包括: 在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管，其中，該微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管，其中該橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極位于同一側(cè)； 使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸；以及 從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層； 其中，經(jīng)由各向異性導(dǎo)電層使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸； 其中，所述方法還包括:對(duì)各向異性導(dǎo)電層進(jìn)行處理，使得橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上的接墊電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，各向異性導(dǎo)電層是各向異性導(dǎo)電膜、各向異性導(dǎo)電漿和各向異性導(dǎo)電膠帶中的至少一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用重力作用，使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用靜電力的作用，使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過(guò)向所述接墊施加電壓來(lái)施加所述靜電力。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，橫向微發(fā)光二極管中包含磁性物質(zhì)，以及利用電磁力的作用，使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極包括焊料凸起，以及所述方法還包括:使所述焊料凸起與所述接墊接合。9.一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法將橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。10.一種使用根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法制造的微發(fā)光二極管裝置。11.一種電子設(shè)備，包含根據(jù)權(quán)利要求10所述的微發(fā)光二極管裝置。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法、制造方法、裝置和電子設(shè)備。該用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法包括：在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管，其中，該微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管，其中該橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極位于同一側(cè)；使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸；以及從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管。采用橫向微發(fā)光二極管的一個(gè)效果在于，可以省略微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移之后的N金屬電極處理。
【IPC分類】H01L33/00, H01L33/62
【公開號(hào)】CN105493298
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201580001216
【發(fā)明人】鄒泉波, 王喆
【申請(qǐng)人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年7月14日