微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法、制造方法、裝置和電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于顯示的微發(fā)光二極管，更具體地，涉及一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法、一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法、一種微發(fā)光二極管裝置以及一種包含微發(fā)光二極管裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]微發(fā)光二極管(MicroLED)技術(shù)是指在襯底上以高密度集成的微小尺寸的LED陣列。目前，微發(fā)光二極管技術(shù)正開始發(fā)展，工業(yè)界正期待有高品質(zhì)的微發(fā)光二極管產(chǎn)品進入市場。高品質(zhì)微發(fā)光二極管產(chǎn)品會對市場上已有的諸如LCD/0LED的傳統(tǒng)顯示產(chǎn)品產(chǎn)生深刻影響。
[0003]在制造微發(fā)光二極管的過程中，首先在施主晶圓上形成微發(fā)光二極管，接著將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接受襯底上。接受襯底例如是顯示屏。
[0004]在制造微發(fā)光二極管過程中的一個困難在于如何將微發(fā)光二極管從施主晶圓上轉(zhuǎn)移到接受襯底上。在現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過靜電拾取的方式來執(zhí)行所述轉(zhuǎn)移。在靜電拾取的過程中需要使用轉(zhuǎn)移頭陣列。轉(zhuǎn)移頭陣列的結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，并需要考慮它的可靠性。制造轉(zhuǎn)移頭陣列需要額外的成本。在利用轉(zhuǎn)移頭陣列的拾取之前需要產(chǎn)生相位改變。另外，在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過程中，微發(fā)光二極管用于相位改變的熱預(yù)算受到限制，通常小于350°C，或者更具體地，小于200°C;否則，微發(fā)光二極管的性能會劣化。在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過程中通常需要兩次轉(zhuǎn)移，即，從施主晶圓到承載晶圓的轉(zhuǎn)移以及從承載晶圓到接受襯底的轉(zhuǎn)移。
[0005]美國專利US 8,333,860 BI公開了一種用于傳送微器件的傳送頭陣列，其中通過向傳送頭中的電極施加電壓來拾取微器件。該專利在此全部引入作為參考。
[0006]美國專利US8，426，227B1公開了一種用于形成微發(fā)光二極管陣列的方法，其中，使用傳送頭來將微發(fā)光二極管陣列轉(zhuǎn)移到接受襯底上。該專利在此全部引入作為參考。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一個目的是提供一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的新技術(shù)方案。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法，包括:在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管;在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層;使微發(fā)光二極管與接收襯底上的各向異性導(dǎo)電層接觸;從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管；以及對各向異性導(dǎo)電層進行處理，使得微發(fā)光二極管與接收襯底上的接墊電連接。
[0009]優(yōu)選地，對各向異性導(dǎo)電層進行處理的步驟還包括:使用輔助襯底，從微發(fā)光二極管側(cè)對各向異性導(dǎo)電層施加壓力。
[0010]優(yōu)選地，對各向異性導(dǎo)電層進行處理的溫度是在150°C至200°C之間，所施加的壓力是在IMPa至4MPa之間，以及施加壓力的時間是在10秒至30秒之間。[0011 ]優(yōu)選地，輔助襯底是平板剛性襯底。
[0012]優(yōu)選地，在輔助襯底的表面上涂覆有臨時鍵合聚合物，以及對各向異性導(dǎo)電層進行處理的步驟還包括:經(jīng)由臨時鍵合聚合物將輔助襯底與各向異性導(dǎo)電層鍵合；以及在施加壓力之后，經(jīng)由臨時鍵合聚合物對輔助襯底進行解鍵合，以移除輔助襯底。
[0013]優(yōu)選地，所述方法還包括:對臨時鍵合聚合物進行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層;在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極；以及在N電極上進行封裝。
[0014]優(yōu)選地，各向異性導(dǎo)電層是各向異性導(dǎo)電膜、各向異性導(dǎo)電漿和各向異性導(dǎo)電膠帶中的至少一種。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，包括使用根據(jù)本發(fā)明的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的微發(fā)光二極管裝置，其中，微發(fā)光二極管通過各向異性導(dǎo)電層與接收襯底上的接墊電接觸。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種電子設(shè)備，包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法，包括:將至少一個微發(fā)光二極管從原始襯底轉(zhuǎn)移到支撐體上;將所述至少一個微發(fā)光二極管從支撐體轉(zhuǎn)移到備用襯底上；以及將所述至少一個微發(fā)光二極管從備用襯底轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0019]優(yōu)選地，原始襯底是激光透明的，以及將至少一個微發(fā)光二極管從原始襯底轉(zhuǎn)移到支撐體的步驟包括:將原始襯底安裝到支撐體，其中，在原始襯底上形成有微發(fā)光二極管，在支撐體的表面上有光釋放粘合劑，微發(fā)光二極管通過光釋放粘合劑粘合到支撐體上，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，用于從原始襯底剝離所述至少一個微發(fā)光二極管，以及從支撐體側(cè)照射光，以釋放未被剝離的微發(fā)光二極管;其中，將所述至少一個微發(fā)光二極管從支撐體轉(zhuǎn)移備用襯底的步驟包括:將具有所述至少一個微發(fā)光二極管的支撐體鍵合到備用襯底，以及從支撐體側(cè)照射光，以釋放所述至少一個微發(fā)光二極管。
[0020]優(yōu)選地，光釋放粘合劑是紫外線照射膠帶，以及支撐體是硬性的。
[0021]優(yōu)選地，支撐體的材料是PET。
[0022]優(yōu)選地，備用襯底在其表面上具有彈性體或聚合物，以及將所述至少一個微發(fā)光二極管從支撐體轉(zhuǎn)移備用襯底的步驟還包括:通過彈性體或聚合物將所述至少一個微發(fā)光二極管鍵合到備用襯底;其中，將所述至少一個微發(fā)光二極管從備用襯底轉(zhuǎn)移到接收襯底上的步驟還包括:將所述至少一個微發(fā)光二極管與接收襯底上的接墊對準；以及通過彈性體或聚合物剝離所述至少一個微發(fā)光二極管。
[0023]優(yōu)選地，所述方法還包括:在生長襯底上形成紅色微發(fā)光二極管;將紅色微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到中間襯底上；以及將紅色微發(fā)光二極管從中間襯底轉(zhuǎn)移到原始襯底上。
[0024]優(yōu)選地，所述方法還包括:在具有微發(fā)光二極管的接收襯底上涂覆聚合物;對聚合物進行固化;對聚合物進行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層;在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極；以及在N電極上進行封裝。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，包括使用根據(jù)本發(fā)明的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的微發(fā)光二極管裝置。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種電子設(shè)備，包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。
[0028]另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，盡管現(xiàn)有技術(shù)中存在許多問題，但是，本發(fā)明的每個實施例或權(quán)利要求的技術(shù)方案可以僅在一個或幾個方面進行改進，而不必同時解決現(xiàn)有技術(shù)中或者【背景技術(shù)】中列出的全部技術(shù)問題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，對于一個權(quán)利要求中沒有提到的內(nèi)容不應(yīng)當作為對于該權(quán)利要求的限制。
[0029]通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。
【附圖說明】
[0030]被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0031 ]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的一個示意性實施例的流程圖。
[0032]圖2A至圖2G示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個例子。
[0033]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的另一個示意性實施例的流程圖。
[0034]圖4A至圖4L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個例子。
[0035]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實施例的流程圖。
[0036]圖6A至圖6F示出了根據(jù)本發(fā)明的用于紅微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的例子。
[0037]圖7A至圖7L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的又一個例子。
【具體實施方式】
[0038]現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的各種示例性實施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。
[0039]以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0040]對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細討論，但在適當情況下，