所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書的一部分。
[0041]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
[0042]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0043]下面參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例和例子。
[0044]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
[0045]如圖1所示，在步驟S1100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。
[0046]所述激光透明的原始襯底例如可以是藍(lán)寶石襯底、SiC襯底等等。所述微發(fā)光二極管可以用于被安裝到顯示屏面板上。
[0047]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在原始襯底上形成一個(gè)微發(fā)光二極管，或者也可以形成多個(gè)微發(fā)光二極管。例如，可以在激光透明的原始襯底上形成多個(gè)微發(fā)光二極管。所述多個(gè)微發(fā)光二極管可以形成陣列。
[0048]在一個(gè)例子中，在激光透明的原始襯底上形成多個(gè)微發(fā)光二極管的情況下，原始襯底還可以被分割或劃分成多個(gè)片，用于更加靈活的轉(zhuǎn)移。
[0049]在步驟S1200，使微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。
[0050]例如，所述接收襯底是顯示屏面板。
[0051]例如，所述接墊可以被設(shè)置成用于顯示屏中的紅色像素陣列、黃色像素陣列或藍(lán)色像素陣列。
[0052]在一個(gè)例子中，在形成了多個(gè)微發(fā)光二極管的情況下，可以使多個(gè)微發(fā)光二極管中的至少一個(gè)微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的至少一個(gè)接墊接觸。所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管可以是所述多個(gè)微發(fā)光二極管中的一個(gè)、多個(gè)或者全部。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管在這里僅描述了希望被剝離的至少一個(gè)微發(fā)光二極管與接墊接觸，但是，所述多個(gè)微發(fā)光二極管中的其他微發(fā)光二極管也可以與接墊接觸。
[0053]例如，在接觸的步驟中，可以使微發(fā)光二極管經(jīng)由液體薄膜與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。例如，所述液體薄膜例如可以包含助焊劑。在這里，通過(guò)液體薄膜(助焊劑)的表面張力，微發(fā)光二極管的剝離可以變得很容易，并且成功率很高。
[0054]在步驟S1300，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。
[0055]在一個(gè)例子中，在至少一個(gè)微發(fā)光二極管與接墊接觸的情況下，可以從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底上的至少一個(gè)區(qū)域，以從原始襯底剝離所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管。例如，所述至少一個(gè)區(qū)域可以由技術(shù)人員選擇。例如，所述至少一個(gè)區(qū)域可以分別與所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管對(duì)應(yīng)。所述至少一個(gè)區(qū)域可以僅是原始襯底上的部分區(qū)域，或者也可以是全部區(qū)域。
[0056]在另一個(gè)例子中，還可以偏移所述原始襯底，以用于轉(zhuǎn)移另外的微發(fā)光二極管。
[0057]在另一個(gè)例子中，在使用原始襯底完成轉(zhuǎn)移之后，為了應(yīng)對(duì)在顯示屏面板上的部分點(diǎn)處微發(fā)光二極管缺失的情況，可以使用另外的激光透明的備用襯底。例如，可以在另外的備用襯底上形成微發(fā)光二極管;使備用襯底上的微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊(在缺失位置)接觸；以及從備用襯底側(cè)用激光照射備用襯底，以從備用襯底剝離微發(fā)光二極管。以這種方式，可以進(jìn)一步提高顯示屏的質(zhì)量。
[0058]在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底之后，可以在接收襯底上形成微發(fā)光二極管陣列。
[0059]在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底之后，還可以包括后續(xù)步驟。
[0060]例如，還可以在接收襯底上，對(duì)所剝離的微發(fā)光二極管進(jìn)行回流焊接。還可以在微發(fā)光二極管上沉積負(fù)電極?？梢栽诿糠N顏色的微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移之后進(jìn)行回流焊。作為替代，也可以在所有顏色的微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移之后進(jìn)行回流焊。
[0061]另外，還可以對(duì)所焊接的微發(fā)光二極管進(jìn)行聚合物填充。例如，還可以用錐形電介質(zhì)沉積來(lái)代替聚合物填充。
[0062]在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。
[0063]在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置?？梢允褂酶鶕?jù)本發(fā)明的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來(lái)制造所述微發(fā)光二極管裝置。
[0064]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，在同等條件下，通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案制造的微發(fā)光二極管更加簡(jiǎn)單、可靠并能夠保持高性能，而且其生產(chǎn)率相對(duì)高且成本低。
[0065]在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。
[0066]在本發(fā)明的技術(shù)方案中，直接在原始襯底上形成微發(fā)光二極管，并通過(guò)激光剝離的方式將其轉(zhuǎn)移到接收襯底上。本發(fā)明的技術(shù)方案是現(xiàn)有技術(shù)中沒(méi)有想到的。
[0067]另外，通過(guò)本發(fā)明，可以選擇性地轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管。
[0068]另外，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，可以進(jìn)行僅一次轉(zhuǎn)移，而在現(xiàn)有技術(shù)中需要進(jìn)行兩次轉(zhuǎn)移。
[0069]另外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案更加高效，成本更低，并且不會(huì)產(chǎn)生由于額外的熱開(kāi)銷造成的產(chǎn)品性能劣化。
[0070]另外，與采用拾取頭的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不需要復(fù)雜的拾取系統(tǒng)，并因此通過(guò)本發(fā)明制造的產(chǎn)品的成本更低、更可靠。
[0071]另外，由于不需要現(xiàn)有技術(shù)中的微發(fā)光二極管與中間的承載襯底之間的臨時(shí)鍵合，因此，通過(guò)本發(fā)明，可以進(jìn)一步降低成本。
[0072]由于在本發(fā)明中不需要考慮采用拾取頭的現(xiàn)有技術(shù)中所要考慮的鍵合層相位改變，因此，根據(jù)本發(fā)明的制造方法可以具有較高的生產(chǎn)率，額外的熱負(fù)荷限制較小。因而，在同等條件下，所制造的微發(fā)光二極管具有更高的性能。
[0073]下面參照?qǐng)D2A至2G描述根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個(gè)例子。
[0074]如圖2A所示，在諸如藍(lán)寶石襯底的對(duì)激光透明的原始襯底I上形成微發(fā)光二極管
2。所述微發(fā)光二極管2例如具有垂直微發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。微發(fā)光二極管2例如包括η型摻雜的GaN層、多個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)、P型摻雜的GaN層、P金屬電極和微凸塊等。
[0075]如圖2Α所示，可以將多個(gè)微發(fā)光二極管2分割開(kāi)來(lái)。
[0076]如圖2Β所示，將原始襯底I翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，并將其與具有液體薄膜(例如，包含助焊劑)5的接收襯底4對(duì)齊。微發(fā)光二極管2上的微凸塊與助焊劑接觸。接收襯底4上預(yù)先設(shè)置有接墊
3。例如，接墊3包括用于接收紅色微發(fā)光二極管的接墊3r、用于接收藍(lán)色微發(fā)光二極管的接墊3b和用于接收綠色微發(fā)光二極管的接墊3g。
[0077]如圖2C所示，選擇性地用激光6照射原始襯底上的部分區(qū)域7，從而將所形成的多個(gè)微發(fā)光二極管中的選定的微發(fā)光二極管2a、2b從原始襯底上剝離。
[0078]如圖2D所示，將原始襯底I抬起。由于液體薄膜的表面張力的作用，很容易地將所選定的微發(fā)光二極管2a、2b剝離，而在原始襯底I上保留其他微發(fā)光二極管。
[0079]之后，可以移動(dòng)原始襯底，并重復(fù)圖2C至圖2D的操作，這樣可以將多個(gè)微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0080]如圖2E所示，多個(gè)微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移到接收襯底4。
[0081]如圖2F所示，例如通過(guò)回流焊將多個(gè)微光二極管焊接到接收襯底上。之后可以清洗助焊劑。
[0082]如圖2G所示，在接收襯底上進(jìn)行填充聚合物8并進(jìn)行密封。之后，沉積N金屬電極9，例如利用ITO材料。
[0083]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的另一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
[0084]如圖3所示，在步驟S2100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。
[0085]在步驟S2200，在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層。
[0086]例如，各向異性導(dǎo)電層是各向異性導(dǎo)電膜(ACF)、各向異性導(dǎo)電漿(ACG)和各向異性導(dǎo)電膠帶(ACT)中的至少一種。
[0087]在步驟S2300，使微發(fā)