微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法、制造方法、裝置和電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于顯示的微發(fā)光二極管，更具體地，涉及一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法、一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法、一種微發(fā)光二極管裝置以及一種包含微發(fā)光二極管裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]微發(fā)光二極管(Micro LED)技術(shù)是指在襯底上以高密度集成的微小尺寸的LED陣列。目前，微發(fā)光二極管技術(shù)正開(kāi)始發(fā)展，工業(yè)界正期待有高品質(zhì)的微發(fā)光二極管產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)。高品質(zhì)微發(fā)光二極管產(chǎn)品會(huì)對(duì)市場(chǎng)上已有的諸如LCD/0LED的傳統(tǒng)顯示產(chǎn)品產(chǎn)生深刻影響。
[0003]在制造微發(fā)光二極管的過(guò)程中，首先在施主晶圓上形成微發(fā)光二極管，接著將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接受襯底上。接受襯底例如是顯示屏。
[0004]在制造微發(fā)光二極管過(guò)程中的一個(gè)困難在于如何將微發(fā)光二極管從施主晶圓上轉(zhuǎn)移到接受襯底上。在現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過(guò)靜電拾取的方式來(lái)執(zhí)行所述轉(zhuǎn)移。在靜電拾取的過(guò)程中需要使用轉(zhuǎn)移頭陣列。轉(zhuǎn)移頭陣列的結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，并需要考慮它的可靠性。制造轉(zhuǎn)移頭陣列需要額外的成本。在利用轉(zhuǎn)移頭陣列的拾取之前需要產(chǎn)生相位改變。另外，在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過(guò)程中，微發(fā)光二極管用于相位改變的熱預(yù)算受到限制，通常小于350°C，或者更具體地，小于200°C ;否則，微發(fā)光二極管的性能會(huì)劣化。在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過(guò)程中通常需要兩次轉(zhuǎn)移，即，從施主晶圓到承載晶圓的轉(zhuǎn)移以及從承載晶圓到接受襯底的轉(zhuǎn)移。
[0005]美國(guó)專利US 8，333，860 BI公開(kāi)了一種用于傳送微器件的傳送頭陣列，其中通過(guò)向傳送頭中的電極施加電壓來(lái)拾取微器件。該專利在此全部引入作為參考。
[0006]美國(guó)專利US 8，426，227B1公開(kāi)了一種用于形成微發(fā)光二極管陣列的方法，其中，使用傳送頭來(lái)將微發(fā)光二極管陣列轉(zhuǎn)移到接受襯底上。該專利在此全部引入作為參考。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的新技術(shù)方案。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法，包括:在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管，其中，該微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管，其中該橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極位于同一側(cè)；使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸；以及從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管。
[0009]優(yōu)選地，所述方法還包括:在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層。優(yōu)選地，經(jīng)由各向異性導(dǎo)電層使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。優(yōu)選地，所述方法還包括:對(duì)各向異性導(dǎo)電層進(jìn)行處理，使得橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上的接墊電連接。
[0010]優(yōu)選地，各向異性導(dǎo)電層是各向異性導(dǎo)電膜、各向異性導(dǎo)電漿和各向異性導(dǎo)電膠帶中的至少一種。
[0011]優(yōu)選地，利用重力作用，使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。
[0012]優(yōu)選地，利用靜電力的作用，使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。
[0013]優(yōu)選地，通過(guò)向所述接墊施加電壓來(lái)施加所述靜電力。
[0014]優(yōu)選地，橫向微發(fā)光二極管中包含磁性物質(zhì)，以及利用電磁力的作用，使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。
[0015]優(yōu)選地，橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極包括焊料凸起，以及所述方法還包括:使所述焊料凸起與所述接墊接合。。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，包括使用根據(jù)本發(fā)明的方法將橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的微發(fā)光二極管裝置。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備，包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。
[0019]另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管現(xiàn)有技術(shù)中存在許多問(wèn)題，但是，本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施例或權(quán)利要求的技術(shù)方案可以僅在一個(gè)或幾個(gè)方面進(jìn)行改進(jìn)，而不必同時(shí)解決現(xiàn)有技術(shù)中或者【背景技術(shù)】中列出的全部技術(shù)問(wèn)題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于一個(gè)權(quán)利要求中沒(méi)有提到的內(nèi)容不應(yīng)當(dāng)作為對(duì)于該權(quán)利要求的限制。
[0020]通過(guò)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
【附圖說(shuō)明】
[0021]被結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同其說(shuō)明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0022]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
[0023]圖2A至圖2G示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個(gè)例子。
[0024]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的另一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
[0025]圖4A至圖4L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個(gè)例子。
[0026]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
[0027]圖6A至圖6F示出了根據(jù)本發(fā)明的用于紅微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的例子。
[0028]圖7A至圖7L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的又一個(gè)例子。
[0029]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的用于橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個(gè)例子。
[0030]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的用于橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個(gè)例子。
[0031]圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。
[0033]以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的，決不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0034]對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。
[0035]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
[0036]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0037]下面參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例和例子。
[0038]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
[0039]如圖1所示，在步驟S1100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。
[0040]所述激光透明的原始襯底例如可以是藍(lán)寶石襯底、SiC襯底等等。所述微發(fā)光二極管可以用于被安裝到顯示屏面板上。
[0041]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在原始襯底上形成一個(gè)微發(fā)光二極管，或者也可以形成多個(gè)微發(fā)光二極管。例如，可以在激光透明的原始襯底上形成多個(gè)微發(fā)光二極管。所述多個(gè)微發(fā)光二極管可以形成陣列。
[0042]在一個(gè)例子中，在激光透明的原始襯底上形成多個(gè)微發(fā)光二極管的情況下，原始襯底還可以被分割或劃分成多個(gè)片，用于更加靈活的轉(zhuǎn)移。
[0043]在步驟S1200，使微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。
[0044]例如，所述接收襯底是顯示屏面板。
[0045]例如，所述接墊可以被設(shè)置成用于顯示屏中的紅色像素陣列、黃色像素陣列或藍(lán)色像素陣列。
[0046]在一個(gè)例子中，在形成了多個(gè)微發(fā)光二極管的情況下，可以使多個(gè)微發(fā)光二極管中的至少一個(gè)微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的至少一個(gè)接墊接觸。所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管可以是所述多個(gè)微發(fā)光二極管中的一個(gè)、多個(gè)或者全部。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管在這里僅描述了希望被剝離的至少一個(gè)微發(fā)光二極管與接墊接觸，但是，所述多個(gè)微發(fā)光二極管中的其他微發(fā)光二極管也可以與接墊接觸。
[0047]例如，在接觸的步驟中，可以使微發(fā)光二極管經(jīng)由液體薄膜與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。例如，所述液體薄膜例如可以包含助焊劑。在這里，通過(guò)液體薄膜(助焊劑)的表面張力，微發(fā)光二極管的剝離可以變得很容易，并且成功率很高。
[0048]在步驟S1300，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。
[0049]在一個(gè)例子中，在至少一個(gè)微發(fā)光二極管與接墊接觸的情況下，可以從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底上的至少一個(gè)區(qū)域，以從原始襯底剝離所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管。例如，所述至少一個(gè)區(qū)域可以由技術(shù)人員選擇。例如，所述至少一個(gè)區(qū)域可以分別與所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管對(duì)應(yīng)。所述至少一個(gè)區(qū)域可以僅是原始襯底上的部分區(qū)域，或者也可以是全部區(qū)域。
[0050]在另一個(gè)例子中，還可以偏移所述原始襯底，以用于轉(zhuǎn)移另外的微發(fā)光二極管。
[0051]在另一個(gè)例子中，在使用原始襯底完成轉(zhuǎn)移之后，為了應(yīng)對(duì)在顯示屏面板上的部分點(diǎn)處微發(fā)光二極管缺失的情況，可以使用另外的激光透明的備用襯底。例如，可以在另外的備用襯底上形成微發(fā)光二極管；使備用襯底上的微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊(在缺失位置)接觸；以及從備用襯底側(cè)用激光照射備用襯底，以從備用襯底剝離微發(fā)光二極管。以這種方式，可以進(jìn)一步提高顯示屏的質(zhì)量。
[0052]在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底之后，可以在接收襯底上形成微發(fā)光二極管陣列。
[0053]在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底之后，還可以包括后續(xù)步驟。
[0054]例如，還可以在接收襯底上，對(duì)所剝離的微發(fā)光