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微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法、制造方法、裝置和電子設(shè)備的制造方法_3

文檔序號(hào):9732263閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
200 0C之間,所施加的壓力是在IMPa至4MPa之間,施加壓力的時(shí)間是在10秒至30秒之間。通過(guò)所述處理,ACF 203在垂直方向上將微發(fā)光二極管與對(duì)應(yīng)的接墊互連。
[0107]之后,(通過(guò)聚合物214)對(duì)輔助襯底213進(jìn)行解鍵合。
[0108]在圖4L中,執(zhí)行通常的后續(xù)處理:對(duì)聚合物214進(jìn)行蝕刻,以暴露微發(fā)光二極管的外延層;在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極215 (例如,ITO材料電極);以及在N電極上進(jìn)行封裝216 (例如,進(jìn)行PET層疊)。
[0109]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的又一個(gè)示意性實(shí)施例的流程圖。
[0110]如圖5所示,在步驟S3100,將至少一個(gè)微發(fā)光二極管從原始襯底轉(zhuǎn)移到支撐體。例如,原始襯底是激光透明的。
[0111]在一個(gè)例子中,該步驟可以包括:將原始襯底安裝到支撐體,其中,在原始襯底上形成有微發(fā)光二極管,在支撐體的表面上有光釋放粘合劑,微發(fā)光二極管通過(guò)光釋放粘合劑粘合到支撐體上;從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底,用于從原始襯底剝離所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管;以及從支撐體側(cè)照射光,以釋放未被剝離的微發(fā)光二極管。在這個(gè)例子中,支撐體是透光的。
[0112]例如,光釋放粘合劑可以是紫外線(xiàn)照射膠帶(UVTape)。例如,支撐體是硬性的。在轉(zhuǎn)移過(guò)程中微發(fā)光二極管的移位會(huì)影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量。本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過(guò)采用硬性的支撐體,可以減小這種移位。這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員尚未注意到的地方。例如,支撐體的材料可以是PET。
[0113]通常,紅色微發(fā)光二極管很難在諸如藍(lán)寶石襯底的激光透明襯底上形成。因此,在一個(gè)例子中,可以預(yù)先形成紅色微發(fā)光二極管,然后將紅色微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到原始襯底上,以用于最終轉(zhuǎn)移到接收襯底上。例如,在該實(shí)施例中,可以在生長(zhǎng)襯底上形成紅色微發(fā)光二極管。接著,將紅色微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到中間襯底上。之后,將紅色微發(fā)光二極管從中間襯底轉(zhuǎn)移到原始襯底上。
[0114]在步驟S3200,將所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管從支撐體轉(zhuǎn)移到備用襯底。
[0115]例如,備用襯底在其表面上具有彈性體或聚合物。例如,通過(guò)彈性體或聚合物將所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管鍵合到備用襯底。
[0116]在一個(gè)例子中,該步驟還可以包括:將具有所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管的支撐體鍵合到備用襯底,以及從支撐體側(cè)照射光,以釋放所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管。
[0117]在步驟S3300,將所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管從備用襯底轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0118]在一個(gè)例子中,該步驟還可以包括:將所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管與接收襯底上的接墊對(duì)準(zhǔn);以及通過(guò)彈性體或聚合物剝離所述至少一個(gè)微發(fā)光二極管。
[0119]例如,可以分別針對(duì)紅色微發(fā)光二極管、藍(lán)色微發(fā)光二極管和綠色微發(fā)光二極管執(zhí)行上述轉(zhuǎn)移步驟。在這里不再重復(fù)描述。
[0120]在上述處理之后,可以對(duì)微發(fā)光二極管執(zhí)行常規(guī)的后續(xù)處理。例如,后續(xù)處理可以包括:在具有微發(fā)光二極管的接收襯底上涂覆聚合物;對(duì)聚合物進(jìn)行固化;對(duì)聚合物進(jìn)行蝕刻,以暴露微發(fā)光二極管的外延層;在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極;以及在N電極上進(jìn)行封裝。
[0121]本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),在微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移過(guò)程中,通常僅轉(zhuǎn)移原始襯底上的部分微發(fā)光二極管。如果直接將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上,則容易污染原始襯底上的剩余微發(fā)光二極管。在這個(gè)實(shí)施例中,通過(guò)經(jīng)由中間的支撐體的轉(zhuǎn)移,可以減小這種污染。
[0122]在該又一個(gè)實(shí)施例中,本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)所述實(shí)施例的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。
[0123]在該又一個(gè)實(shí)施例中,本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置,例如顯示屏裝置。可以使用根據(jù)所述實(shí)施例的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來(lái)制造所述微發(fā)光二極管裝置。
[0124]在該又一個(gè)實(shí)施例中,本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)所述實(shí)施例的微發(fā)光二極管裝置。例如,該電子設(shè)備可以是手機(jī)、平板電腦等。
[0125]通常,紅色微發(fā)光二極管不能直接形成在諸如藍(lán)寶石襯底的激光透明的原始襯底上。因此,需要預(yù)先在另外的襯底上形成紅色微發(fā)光二極管,然后將其轉(zhuǎn)移到藍(lán)寶石襯底上。圖6A至圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的用于紅微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的例子。
[0126]如圖6A所示,在諸如GaAs襯底的生長(zhǎng)襯底301上形成紅色微發(fā)光二極管302。
[0127]如圖6B所示,通過(guò)臨時(shí)鍵合聚合物303,將紅色微發(fā)光二極管302與諸如硅襯底的中間襯底304鍵合。聚合物303例如是熱釋放膠帶(TRT)。
[0128]如圖6C所示,例如通過(guò)濕法蝕刻去除生長(zhǎng)襯底301。
[0129]如圖6D所示,諸如藍(lán)寶石襯底的原始襯底306上涂覆有光刻膠305。通過(guò)光刻膠305,原始襯底306與紅色微發(fā)光二極管302鍵合。光刻膠305能夠承受200°C以上的溫度,通常250°C以上。
[0130]如圖6E所示,在小于200°C的溫度,對(duì)聚合物303進(jìn)行處理,以去除中間襯底304。
[0131]如圖6F所示,對(duì)光刻膠305執(zhí)行O2等離子蝕刻,以便隔離各個(gè)紅色微發(fā)光二極管302。
[0132]圖7A至圖7L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的又一個(gè)例子。
[0133]如圖7A所示,原始襯底406上具有光刻膠405和紅色微發(fā)光二極管402。紅色微發(fā)光二極管402被安裝到到紫外線(xiàn)照射膠帶411上。紫外線(xiàn)照射膠帶411位于硬性的PET支撐體412上。通過(guò)激光413,選擇性地剝離紅色微發(fā)光二極管。
[0134]如圖7B所示,從支撐體412側(cè)照射紫外線(xiàn),從而釋放未被剝離的紅色微發(fā)光二極管。
[0135]被剝離的紅色微發(fā)光二極管402r很容易與原始襯底406脫離。如圖7C所示,被剝離的紅色微發(fā)光二極管402r粘在紫外線(xiàn)照射膠帶411上,而其他紅色微發(fā)光二極管仍留在原始襯底406上。
[0136]如圖7D所示,諸如玻璃襯底的備用襯底415上具有彈性體/聚合物416。例如,可以通過(guò)旋凃的方式將彈性體/聚合物416涂覆到備用襯底415上。彈性體/聚合物416例如可以是PDMS或3M LC5320,并且例如可以通過(guò)紫外線(xiàn)固化。
[0137]如圖7E所示,從支撐體側(cè)完全照射紫外線(xiàn),從而釋放紅色微發(fā)光二極管及彈性體/聚合物416。
[0138]之后,例如,如果在微發(fā)光二極管上沒(méi)有微凸起,則可以利用銀漿對(duì)備用襯底415上的微發(fā)光二極管進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。
[0139]如圖7F所示,將備用襯底415上的紅色微發(fā)光二極管402r與接收襯底417上的接墊419對(duì)準(zhǔn)。例如,接收襯底417是顯示襯底,并包括信號(hào)引線(xiàn)418。例如,通過(guò)回流,將紅色微發(fā)光二極管402r鍵合到接墊419?;亓鞯臏囟壤缈梢源笥?60°C。之后通過(guò)激光剝離,將備用襯底415與接收襯底417分離。
[0140]圖7G示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419和紅色微發(fā)光二極管402r。
[0141]圖7H示出了從備用襯底420向接收襯底417轉(zhuǎn)移綠色微發(fā)光二極管422g的示意圖。備用襯底420具有彈性體/聚合物421。
[0142]圖71示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419、紅色微發(fā)光二極管402r和綠色微發(fā)光二極管422g。
[0143]圖7J示出了從備用襯底423向接收襯底417轉(zhuǎn)移藍(lán)色微發(fā)光二極管425b的示意圖。備用襯底423具有彈性體/聚合物424。
[0144]圖7K示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419、紅色微發(fā)光二極管402r、綠色微發(fā)光二極管422g和藍(lán)色微發(fā)光二極管425b。
[0145]在圖7L中,對(duì)轉(zhuǎn)移后的微發(fā)光二極管執(zhí)行常規(guī)的后續(xù)處理:在具有微發(fā)光二極管的接收襯底上涂覆聚合物426 ;對(duì)聚合物426進(jìn)行固化;對(duì)聚合物進(jìn)行蝕刻,以暴露微發(fā)光二極管的外延層;在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極427 ;以及在N電極上進(jìn)行封裝(未示出)。
[0146]本發(fā)明的技術(shù)方案既可以使用垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管,也可以使用橫向結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管(倒裝微發(fā)光二極管)。前面的附圖中示出的垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管僅僅是示例性的,并不用于限制本發(fā)明的范圍。圖8示出了橫向微發(fā)光二極管的例子。
[0147]在圖8所示的例子中,微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管。在橫向微發(fā)光二極管中,P電極和N電極位于同一側(cè)。在圖8中示出了紅色橫向微發(fā)光二極管505、綠色橫向微發(fā)光二極管506和藍(lán)色橫向微發(fā)光二極管507。橫向微發(fā)光二極管505包括P電極505p (正電極)和N電極505η (負(fù)電極)。橫向微發(fā)光二極管506包括P電極506ρ和N電極506η。橫向微發(fā)光二極管507包括P電極507ρ和N電極507η。
[0148]在襯底504中設(shè)置引線(xiàn)結(jié)構(gòu)(包括接墊)515?、51511、516?、51611、517?、51711。引線(xiàn)結(jié)構(gòu)515p、516p、517p用于連接正電極。引線(xiàn)結(jié)構(gòu)515n、516n、517n用于連接負(fù)電極。
[0149]在圖8的例子中,橫向微發(fā)光二極管的電極505p、505n、506p、506n、507p、507n分別通過(guò)各向異性導(dǎo)電層503連接到引線(xiàn)結(jié)構(gòu)515p、515n、516p、516n、517p、517n。
[0150]可以在橫向微發(fā)光二極管之間涂覆聚合物502。還可以在橫向微發(fā)光二極管上設(shè)置透明的蓋層501。
[0151]圖9示出了橫向微發(fā)光二極管的另一個(gè)例子。圖9的例子與圖8的例子的區(qū)別之處在于,在圖9中,橫向微發(fā)光二極管通過(guò)焊料(而非各向異性導(dǎo)電層)連接
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