二極管進行回流焊接。還可以在微發(fā)光二極管上沉積負電極?？梢栽诿糠N顏色的微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移之后進行回流焊。作為替代，也可以在所有顏色的微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移之后進行回流焊。
[0055]另外，還可以對所焊接的微發(fā)光二極管進行聚合物填充。例如，還可以用錐形電介質(zhì)沉積來代替聚合物填充。
[0056]在另一個實施例中，本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。
[0057]在另一個實施例中，本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置?？梢允褂酶鶕?jù)本發(fā)明的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。
[0058]相對于現(xiàn)有技術(shù)，在同等條件下，通過本發(fā)明的技術(shù)方案制造的微發(fā)光二極管更加簡單、可靠并能夠保持高性能，而且其生產(chǎn)率相對高且成本低。
[0059]在另一個實施例中，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機、平板電腦等。
[0060]在本發(fā)明的技術(shù)方案中，直接在原始襯底上形成微發(fā)光二極管，并通過激光剝離的方式將其轉(zhuǎn)移到接收襯底上。本發(fā)明的技術(shù)方案是現(xiàn)有技術(shù)中沒有想到的。
[0061 ] 另外，通過本發(fā)明，可以選擇性地轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管。
[0062]另外，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，可以進行僅一次轉(zhuǎn)移，而在現(xiàn)有技術(shù)中需要進行兩次轉(zhuǎn)移。
[0063]另外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案更加高效，成本更低，并且不會產(chǎn)生由于額外的熱開銷造成的產(chǎn)品性能劣化。
[0064]另外，與采用拾取頭的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不需要復(fù)雜的拾取系統(tǒng)，并因此通過本發(fā)明制造的產(chǎn)品的成本更低、更可靠。
[0065]另外，由于不需要現(xiàn)有技術(shù)中的微發(fā)光二極管與中間的承載襯底之間的臨時鍵合，因此，通過本發(fā)明，可以進一步降低成本。
[0066]由于在本發(fā)明中不需要考慮采用拾取頭的現(xiàn)有技術(shù)中所要考慮的鍵合層相位改變，因此，根據(jù)本發(fā)明的制造方法可以具有較高的生產(chǎn)率，額外的熱負荷限制較小。因而，在同等條件下，所制造的微發(fā)光二極管具有更高的性能。
[0067]下面參照圖2A至2G描述根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個例子。
[0068]如圖2A所示，在諸如藍寶石襯底的對激光透明的原始襯底I上形成微發(fā)光二極管
2。所述微發(fā)光二極管2例如具有垂直微發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。微發(fā)光二極管2例如包括η型摻雜的GaN層、多個量子阱結(jié)構(gòu)、P型摻雜的GaN層、ρ金屬電極和微凸塊等。
[0069]如圖2Α所示，可以將多個微發(fā)光二極管2分割開來。
[0070]如圖2Β所示，將原始襯底I翻轉(zhuǎn)過來，并將其與具有液體薄膜(例如，包含助焊劑)5的接收襯底4對齊。微發(fā)光二極管2上的微凸塊與助焊劑接觸。接收襯底4上預(yù)先設(shè)置有接墊3。例如，接墊3包括用于接收紅色微發(fā)光二極管的接墊3r、用于接收藍色微發(fā)光二極管的接墊3b和用于接收綠色微發(fā)光二極管的接墊3g。
[0071]如圖2C所示，選擇性地用激光6照射原始襯底上的部分區(qū)域7，從而將所形成的多個微發(fā)光二極管中的選定的微發(fā)光二極管2a、2b從原始襯底上剝離。
[0072]如圖2D所示，將原始襯底I抬起。由于液體薄膜的表面張力的作用，很容易地將所選定的微發(fā)光二極管2a、2b剝離，而在原始襯底I上保留其他微發(fā)光二極管。
[0073]之后，可以移動原始襯底，并重復(fù)圖2C至圖2D的操作，這樣可以將多個微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0074]如圖2E所示，多個微發(fā)光二極管被轉(zhuǎn)移到接收襯底4。
[0075]如圖2F所示，例如通過回流焊將多個微光二極管焊接到接收襯底上。之后可以清洗助焊劑。
[0076]如圖2G所示，在接收襯底上進行填充聚合物8并進行密封。之后，沉積N金屬電極9，例如利用ITO材料。
[0077]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的另一個示意性實施例的流程圖。
[0078]如圖3所示，在步驟S2100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。
[0079]在步驟S2200，在接收襯底上設(shè)置各向異性導(dǎo)電層。
[0080]例如，各向異性導(dǎo)電層是各向異性導(dǎo)電膜(ACF)、各向異性導(dǎo)電漿(ACG)和各向異性導(dǎo)電膠帶(ACT)中的至少一種。
[0081]在步驟S2300，使微發(fā)光二極管與接收襯底上的各向異性導(dǎo)電層接觸。例如，可以使得微發(fā)光二極管與接收襯底上的各向異性導(dǎo)電層粘接在一起。在這個步驟中，例如可以先將微發(fā)光二極管與接收襯底上對應(yīng)的接墊對準。
[0082]在步驟S2400，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。
[0083]例如，可以分別針對紅發(fā)光二極管、綠發(fā)光二極管、藍發(fā)光二極管分別執(zhí)行上述步驟。由于分別針對三種發(fā)光二極管執(zhí)行上述轉(zhuǎn)移可以看作是對上述步驟的簡單重復(fù)，因此，在這里不再重復(fù)。只要上述步驟中的每一個在一個方案中被執(zhí)行過，則該方案落入本發(fā)明的保護范圍。
[0084]在步驟S2500，對各向異性導(dǎo)電層進行處理，使得微發(fā)光二極管(電極)與接收襯底上的接墊電連接。
[0085]在一個例子中，可以使用輔助襯底，從微發(fā)光二極管側(cè)對各向異性導(dǎo)電層施加壓力。例如，對各向異性導(dǎo)電層進行處理的溫度可以在150°C至200°C之間。例如，所施加的壓力是在IMPa至4MPa之間。例如，施加壓力的時間是在10秒至30秒之間。
[0086]在一個例子中，輔助襯底可以是平板剛性襯底。本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過采用剛性襯底可以減小微發(fā)光二極管可能出現(xiàn)的移位。這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員尚未注意到的地方。
[0087]例如，可以在輔助襯底的表面上涂覆有臨時鍵合聚合物。在這種情況下，步驟S2500還可以包括:經(jīng)由臨時鍵合聚合物將輔助襯底與各向異性導(dǎo)電層鍵合；以及在施加壓力之后，經(jīng)由臨時鍵合聚合物對輔助襯底進行解鍵合，以移除輔助襯底。將輔助襯底與微發(fā)光二極管臨時鍵合的好處在于，可以相對固定微發(fā)光二極管的位置，并減小對各向異性導(dǎo)電層進行處理期間微發(fā)光二極管的移位。
[0088]在上述處理之后，可以對微發(fā)光二極管執(zhí)行通常的后續(xù)處理。例如，后續(xù)處理可以包括:對臨時鍵合聚合物進行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極；以及在N電極上進行封裝。
[0089]例如，接收襯底可以是顯示襯底。在接收襯底上可以預(yù)先設(shè)置引線以及接墊，以便與微發(fā)光二極管電連接。
[0090]在這個實施例中，通過各向異性導(dǎo)電層來連接微發(fā)光二極管和接收襯底。這種方式處理相對簡單，并且更適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
[0091]在該另一個實施例中，本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。
[0092]在該另一個實施例中，本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置?？梢允褂酶鶕?jù)所述實施例的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。在根據(jù)所述實施例的微發(fā)光二極管裝置中，微發(fā)光二極管通過各向異性導(dǎo)電層與接收襯底上的接墊電接觸，這與現(xiàn)有技術(shù)中的微發(fā)光二極管裝置是不同的。
[0093]在該另一個實施例中，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)所述實施例的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機、平板電腦等。
[0094]圖4A至圖4L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個例子。
[0095]如圖4A所示，在諸如藍寶石襯底的原始襯底201上具有紅色微發(fā)光二極管202。在諸如顯示襯底的接收襯底204上具有各向異性導(dǎo)電膜(ACF) 203。接收襯底204具有用于連接微發(fā)光二極管的信號引線205以及接墊205’。
[0096]如圖4B所示，以較小的力將原始襯底201 (紅色微發(fā)光二極管202)與各向異性導(dǎo)電膜203接觸。例如，可以把要轉(zhuǎn)移的紅色微發(fā)光二極管202與接收襯底204上的接墊對準。用激光206照射原始襯底201，以選擇性地剝離紅色微發(fā)光二極管。
[0097]圖4C中示出了剝離后的紅色微發(fā)光二極管202r。
[0098]圖4D示出了原始襯底207及其綠色微發(fā)光二極管208。要剝離的綠色微發(fā)光二極管與接收襯底204上的接墊對準。
[0099]圖4E示出了綠色微發(fā)光二極管208以較小的力與各向異性導(dǎo)電膜203接觸。通過激光209選擇性地剝離至少一個綠色微發(fā)光二極管。
[0100]圖4F示出了剝離后的紅色微發(fā)光二極管202r和綠色微發(fā)光二極管208g。
[0101]圖4G示出了原始襯底210及其藍色微發(fā)光二極管211。要剝離的藍色微發(fā)光二極管與接收襯底204上的接墊對準。
[0102]圖4H示出了藍色微發(fā)光二極管211以較小的力與各向異性導(dǎo)電膜203接觸。通過激光212選擇性地剝離至少一個藍色微發(fā)光二極管。
[0103]圖41示出了剝離后的紅色微發(fā)光二極管202r、綠色微發(fā)光二極管208g和藍色微發(fā)光二極管211b。
[0104]在轉(zhuǎn)移了三種顏色的發(fā)光二極管之后，可以檢查是否存在缺陷，并進行修補。
[0105]圖4J中示出了輔助襯底213。輔助襯底213是平板剛性襯底，例如玻璃襯底。在輔助襯底213上涂覆有聚合物214，例如3M LC5200/5320聚合物。該聚合物例如可以通過紫外線固化，并且可以通過紅色激光解鍵合。
[0106]在圖4K中，通過輔助襯底213對ACF 203進行處理。例如，處理條件為，溫度在150 °C至