陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板是液晶顯示裝置的重要組件，其是通過多道構(gòu)圖工序以在襯底基板上沉積各種膜層，從而得以制備出來的?，F(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制備流程大致如下:
[0003]首先在襯底基板上形成柵極和柵線；然后再柵極和柵線上沉積一層?xùn)沤^緣層；接著利用構(gòu)圖工藝在柵絕緣層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)柵線的位置形成第一連接孔，該第一連接孔以供后續(xù)工藝形成的掃描信號走線(用于向柵線輸出掃描驅(qū)動信號)與柵線連接，接收；再然后在柵絕緣層的上方進行像素電極的制備、有源層的制備、源/漏極的制備等等其他的工序。
[0004]其中，在利用構(gòu)圖工藝在柵絕緣層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)柵線的位置形成第一連接孔的過程中，需要先在柵絕緣層上涂布一整層的光刻膠，然后利用相應(yīng)的掩膜板對光刻膠進行曝光和顯影工藝，以使得位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)柵線的位置的光刻膠區(qū)域，接著對柵絕緣層進行刻蝕以形成第一連接孔，最后對殘留在柵絕緣層上的光刻膠采用剝離液進行剝離處理。
[0005]然而，在對柵絕緣層上殘留的光刻膠進行剝離處理時發(fā)現(xiàn)，由于第一連接孔僅僅是位于非顯示區(qū)域，因此在進行顯影處理之后，殘留在柵絕緣層上的光刻膠(位于整個顯示區(qū)域和部分非顯示區(qū)域)的量比較大，從而使得進行剝離處理時使用的剝離液的量比較多，且很難將這些殘留的光刻膠去除，進而影響后續(xù)工藝的進行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，可使得在柵絕緣層上形成第一連接孔的過程中，有效的減小剝離液的使用量，同時還能有效的使得殘留在柵絕緣層上的光刻膠經(jīng)過剝離處理后會被完全去除。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0008]在襯底基板的上方形成柵極和柵線；
[0009]在所述柵極和所述柵線上方形成柵絕緣層；
[0010]在所述柵絕緣層上形成像素電極；
[0011]在所述柵絕緣層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)柵線的位置形成第一連接孔，所述第一連接孔以供掃描信號走線與柵線連接。
[0012]可選地，所述在柵絕緣層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)柵線的位置形成第一連接孔的步驟包括:
[0013]在所述像素電極和所述柵絕緣層的上方涂布一層光刻膠；
[0014]利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光和顯影工藝，以使得在顯示區(qū)域內(nèi)位于所述像素電極上方的光刻膠部分去除或完全去除，在所述非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)于所述柵線的位置的上方的光刻膠完全去除；
[0015]對所述柵絕緣層進行刻蝕，以在所述柵絕緣層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)所述柵線的位置形成所述第一連接孔；
[0016]將殘留的光刻膠進行剝離。
[0017]可選地，所述光刻膠為正性光刻膠。
[0018]可選地，所述對所述柵絕緣層進行刻蝕的步驟中采用的是干法刻蝕。
[0019]可選地，所述陣列基板的制備方法還包括:
[0020]在所述柵絕緣層上形成有源層；
[0021]在所述有源層上形成源極和漏極，在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線，所述漏極與所述像素電極連接；
[0022]在所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線的上方形成鈍化層；
[0023]在所述鈍化層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)所述柵線的位置形成第二連接孔，以及在所述鈍化層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線的位置形成第三連接孔，所述第二連接孔與所述第一連接孔連通，所述第三連接孔以供數(shù)據(jù)信號走線與數(shù)據(jù)線連接。
[0024]可選地，所述陣列基板的制備方法還包括:
[0025]在所述鈍化層的上方形成公共電極。
[0026]可選地，所述柵絕緣層的材料為二氧化硅和氮化硅中的至少一種。
[0027]可選地，所述像素電極的材料為氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。
[0028]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0029]本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，其中，在柵絕緣層上形成第一連接孔之前先完成了像素電極的制備，以利用像素電極對位于顯示區(qū)域的大部分柵絕緣層進行保護，因此在對柵絕緣層進行刻蝕形成第一連接孔過程中，可在像素電極上方保留很薄的一層光刻膠或者完全去除光刻膠，從而可使得在經(jīng)過曝光和顯影工藝后殘留在柵極絕緣層上的量減少。
【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖；
[0031]圖2為在襯底基板的上方形成柵極和柵線的示意圖；
[0032]圖3為在柵極和柵線上方形成柵絕緣層的示意圖；
[0033]圖4為在柵絕緣層上形成像素電極的示意圖；
[0034]圖5為在步驟1042a中經(jīng)過曝光和顯影工藝之后的示意圖；
[0035]圖6為在步驟1043a中形成第一連接孔的示意圖；
[0036]圖7為在步驟1044a中將殘留的光刻膠剝離的示意圖；
[0037]圖8為在步驟1042b中經(jīng)過曝光和顯影工藝之后的示意圖；
[0038]圖9為在步驟1043b中形成第一連接孔的示意圖；
[0039]圖10為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的制備方法的流程圖；
[0040]圖11為對應(yīng)圖10所示制備方法的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0041]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的一種陣列基板的制備方法進行詳細描述。
[0042]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖，如圖1所示，該陣列基板的制備方法，包括:
[0043]步驟101:在襯底基板的上方形成柵極和柵線。
[0044]圖2為在襯底基板的上方形成柵極和柵線的示意圖，如圖2所示，本實施例中的陣列基板包括顯示區(qū)域和圍繞在顯示區(qū)域四周的非顯示區(qū)域，在步驟101中，通過一次構(gòu)圖工藝以在襯底基板I的上方形成柵極2和柵線3，其中該柵線3會貫穿顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。
[0045]需要說明的是，本申請中的構(gòu)圖工藝具體是指包含了光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序。
[0046]步驟102:在柵極和柵線上方形成柵絕緣層。
[0047]圖3為在柵極和柵線上方形成柵絕緣層的示意圖，如圖3所示，在步驟102中，通過氣相沉積技術(shù)以在步驟101所制備出的基板的上方沉積一層?xùn)沤^緣層4。
[0048]可選地，本實施例中的柵絕緣層4的材料可以為二氧化硅和氮化硅中的至少一種。
[0049]步驟103:在柵絕緣層上形成像素電極。
[0050]圖4為在柵絕緣層上形成像素電極的示意圖，如圖4所示，在步驟103中，通過構(gòu)圖工藝以在柵絕緣層4上形成像素電極5。可選地，像素電極5的材料為氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。
[0051]步驟104:利用構(gòu)圖工藝在柵絕緣層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)柵線的位置形成第一連接孔。
[0052]作為步驟104的一種可選方案，可選地，步驟104包括:
[0053]步驟1041a:在像素電極和柵絕緣層的上方涂布一層光刻膠。
[0054]在步驟1041a中，可選地，該光刻膠可以為正性光刻膠。
[0055]步驟1042a:利用掩膜板對光刻膠進行曝光和顯影工藝，以使得在顯示區(qū)域內(nèi)位于像素電極上方的光刻膠部分去除，在非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)于柵線的位置的上方的光刻膠完全去除。
[0056]圖5為在步驟1042a中經(jīng)過曝光和顯影工藝之后的示意圖，如圖5所示，在步驟1042a中所使用到的掩膜板與現(xiàn)有技術(shù)用于形成第一連接孔時所使用到的掩膜板的區(qū)別在于，在步驟1042a中所使用到的掩膜板為半色調(diào)掩膜板，其在對應(yīng)像素電極5的區(qū)域為半透光區(qū)域，此時對應(yīng)像素電極5上方的光刻膠6進行曝光和顯影處理之后會部分去除(即位于像素電極上方的光刻膠部分保留)。由于現(xiàn)有技術(shù)中經(jīng)過曝光和顯影工藝之后位于柵絕緣層上的光刻膠在顯示區(qū)域內(nèi)是完全保留，因此本申請中經(jīng)過曝光和顯影工藝之后殘留在柵絕緣層4上方的光刻膠6的量與現(xiàn)有技術(shù)相比將會大大減少。
[0057]步驟1043a:對柵絕緣層進行刻蝕，以在柵絕緣層上位于非顯示區(qū)域內(nèi)且對應(yīng)柵線的位置形成第一連接孔。
[0058]圖6為在步驟1043a中形成第一連接孔的示意圖，如圖6所示，該步驟1043a中，通過刻蝕工藝以對柵絕緣層4進行刻蝕，在刻蝕過