本發(fā)明涉及主動陣列基板的制造方法，更具體的說，涉及一種顯示面板的主動陣列基板的制造方法。

背景技術：

薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、優(yōu)異的畫面品質以及較高的生產良率等性能，目前已經逐漸占據了顯示領域的主導地位。同樣，薄膜晶體管顯示器包含顯示面板和背光模組，顯示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也稱彩色濾光片基板)和薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相對內側存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(Liquid Crystal，LC)。顯示面板是通過電場對液晶分子取向的控制，改變光的偏振狀態(tài)，并藉由偏光板實現光路的穿透與阻擋，實現顯示的目的。

由于集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小，器件的封裝密度不停的增大，因此對材料各方面性能的要求不斷的提高。由于器件的比例縮小，目前器件的柵氧絕緣層厚度變得非常薄，對于比例小的器件而言，柵氧絕緣層厚度只會越來越薄，這需要有新的高K的柵氧絕緣介電材料。

技術實現要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種柵極絕緣層的介電常數大的主動陣列基板的制造方法。

本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現的：

一種主動陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

形成柵極于基板上；

依序形成柵極絕緣層、半導體層及歐姆接觸層于所述透明基材及所述柵極上；

形成源電極及漏電極于所述歐姆接觸層上；

形成保護層于所述源電極及所述漏電極上；以及

形成像素電極層于所述保護層上，其中所述像素電極層是電性連接于所述漏電極；

其中，所述柵極絕緣層包括納米多孔硅及納米顆粒，所述納米顆粒的介電常數大于硅層的介電常數。

在一些實施例中，所述柵極絕緣層包括堆疊的第一絕緣層及第二絕緣層，所述納米多孔硅及所述納米顆粒是形成于所述第二絕緣層中。

在一些實施例中，納米顆粒包括二種以上不同介電常數的納米顆粒。

納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性。

鍺的介電常數為16，通過調節(jié)鍺的比例提高柵極絕緣層的介電常數，當然也可以采用其他介電常數高的金屬和其他材料。

納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性，鍺的介電常數為16，納米多孔硅本身具有很多硅孔，鍺納米顆粒可以存入硅孔內，不會增加通過納米多孔硅的厚度，通過調節(jié)鍺納米顆粒Ge的負載量實現介電系數可控調節(jié)。

其中，所述柵極絕緣層包括納米多孔硅，所述納米多孔硅包括多個彼此連接的空心柱狀的子組件，所述子組件切面為六邊形，所述子組件中間具有圓形通孔，所述子組件的圓形通孔上設有多個硅孔，所述硅孔內設有鍺納米顆粒。

多孔硅的子部件切面六邊形方便多個子部件拼接排列，硅孔內設有多個鍺納米顆粒，不影響多孔硅厚度。

其中，所述柵極絕緣層上對應柵極導線段設有非晶硅層，所述非晶硅層上設有與非晶硅層對應的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上設有分隔的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極之間設有溝道，所述溝道穿過歐姆接觸層，所述溝道底部為非晶硅層，所述源電極和漏電極寬度大于非晶硅層的寬度，所述源電極和漏電極上設有保護層，所述保護層上設有像素電極層，所述保護層對應漏電極設有過孔，所述像素電極層通過過孔與漏電極連接。

其中，所述柵極絕緣層上對應柵極導線段設有非晶硅層，所述非晶硅層上設有與非晶硅層對應的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上設有分隔的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極之間設有溝道，所述溝道穿過歐姆接觸層，所述溝道底部為非晶硅層，所述源電極和漏電極寬度等于與其接觸的歐姆接觸層的寬度，所述源電極和漏電極上設有保護層，所述保護層上設有像素電極層，所述保護層對應漏電極設有過孔，所述像素電極層通過過孔與漏電極連接。

其中，所述保護層的相對介電常數小于氮化硅和氧化硅的相對介電常數。

采用低介電常數保護層可以提高薄膜晶體管TFT器件性能，改善信號串擾問題和RC電路延時問題。

其中，所述低介電常數保護層包括介孔氧化硅

介孔氧化硅的相對介電常數εr＝1.4～2.4，低介電常數保護層采用介孔氧化硅取代5-mask與4-mask工藝TFT器件中的保護層材料SiNx(相對介電常數ε_r＝7～8)，介孔氧化硅比一般氧化硅(相對介電常數εr＝3.9～4.1)的εr更低，可以提高TFT器件性能，改善信號串擾問題和RC電路延時問題，減小低介電常數保護層的厚度，當然低介電常數保護層也可以采用其他低介電常數的材料，如納米多孔硅等。

其中，所述介孔氧化硅包括多個子單元，所述子單元包括成三行排列的子部件，所述子單元的中間一行包括并排的三個子部件，所述子單元的第一行和第三行分別包括并排的兩個子部件，所述第一行和第三行的兩個子部件分別設置在中間一行三個子部件的任意兩個子部件之間，所述子部件切面為六邊形，所述子部件中間具有圓形通孔。

子單元具有排列規(guī)則有序的子部件，具有較高的比表面積，較好的熱穩(wěn)定性和水熱穩(wěn)定性，子部件通孔大小均勻，子部件切面為六邊形，方便多個子部件拼接排列。

與現有技術相比，本發(fā)明的技術效果是：

第一層導線上設置的柵極絕緣層介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，增大器件存儲電荷能力，柵極絕緣層包括組合物，組合物包括第一組成物和第二組成物，第一組成物的介電常數小于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，第二組成物的介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，通過調節(jié)第一組成物和第二組成物的比例實現柵極絕緣層的介電常數可調。

附圖說明

所包括的附圖用來提供對本申請實施例的進一步的理解，其構成了說明書的一部分，用于例示本申請的實施方式，并與文字描述一起來闡釋本申請的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本發(fā)明實施例一種主動陣列基板的示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例一種主動陣列基板的示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例一種主動陣列基板的另一示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例納米多孔硅示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例納米多孔硅和鍺納米顆粒示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例介孔氧化硅示意圖；

圖7是本發(fā)明一實施例柵極絕緣層的示意圖。

具體實施方式

這里所公開的具體結構和功能細節(jié)僅僅是代表性的，并且是用于描述本發(fā)明的示例性實施例的目的。但是本發(fā)明可以通過許多替換形式來具體實現，并且不應當被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實施例。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或組件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外，術語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個組件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發(fā)明中的具體含義。

這里所使用的術語僅僅是為了描述具體實施例而不意圖限制示例性實施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數形式“一個”、“一項”還意圖包括復數。還應當理解的是，這里所使用的術語“包括”和/或“包含”規(guī)定所陳述的特征、整數、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個或更多其他特征、整數、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

下面結合附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作進一步說明。

下面參考圖1至圖7描述本發(fā)明實施例的顯示面板。

如圖1所示，在圖1的實施中顯示面板包括基板10，所述基板10上設有若干條第一層導線21，所述第一層導線21上設有柵極絕緣層22，所述柵極絕緣層22采用氮化硅或氧化硅，所述柵極絕緣層22上對應第一層導線21的柵極導線段211設有非晶硅層23，所述非晶硅層23上設有與非晶硅層23對應的歐姆接觸層24，所述歐姆接觸層24上設有分隔的源電極25和漏電極26，所述源電極25和漏電極26之間設有溝道27，所述溝道27穿過歐姆接觸層24，所述溝道27底部為非晶硅層23，所述源電極25和漏電極26的寬度大于非晶硅層23的寬度，所述源電極25和漏電極26上設有保護層30，所述保護層30上設有像素電極層50，所述保護層30對應漏電極26設有過孔28，所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中，所述源電極25超出非晶硅層23部分一側直接連接柵極絕緣層22另一側直接連接保護層30，所述柵極絕緣層22對應過孔28部分與漏電極26之間連接。使用5Mask獲取的薄膜晶體管TFT，具有較好的性能。

如圖2所示，在圖2的實施中顯示面板包括基板10，所述基板10上設有若干條第一層導線21，所述第一層導線21上設有柵極絕緣層22，所述柵極絕緣層22采用氮化硅或氧化硅，所述柵極絕緣層22上對應第一層導線21的柵極導線段211設有非晶硅層23，所述非晶硅層23上設有與非晶硅層23對應的歐姆接觸層24，所述歐姆接觸層24上設有分隔的源電極25和漏電極26，所述源電極25和漏電極26之間設有溝道27，所述溝道27穿過歐姆接觸層24，所述溝道27底部為非晶硅層23，所述源電極25和漏電極26寬度大于非晶硅層23的寬度，所述源電極25和漏電極26上設有保護層30，所述保護層30上設有像素電極層50，所述保護層30對應漏電極26設有過孔28，所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中，所述源電極25外側的保護層30直接與柵極絕緣層22連接，所述柵極絕緣層22對應過孔28上方依次設有非晶硅層23、歐姆接觸層24和漏電極26。使用4Mask獲取的薄膜晶體管TFT具有較好的性能，而且可以節(jié)省一步Mask工藝。

目前工業(yè)界正在進行高K介電常數材料作為薄膜晶體的柵氧介電層材料。在過去的幾十年中，由于工藝和設計的進步，集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小，器件的封裝密度不停的增大，因此對材料各方面性能的要求不斷的提高。由于器件的比例縮小，目前器件的柵氧絕緣層厚度變得非常薄，對于未來比例小的器件而言，柵氧絕緣層厚度只會越來越薄，這需要有新的高K的柵氧絕緣介電材料。上述實施例采用的四道工藝或五道工藝TFT-Array陣列，在TFT晶體管中，柵介電極與上級的絕緣保護層之間存在很高的電壓。柵氧層會受到隧穿電流的影響，當柵極的柵極絕緣層很薄時，電子會在薄膜晶體管中隧穿通過柵極絕緣層。這將導致晶體管閥值電壓的漂移，無法切換開關狀態(tài)導致電路失效。傳統(tǒng)的柵氧絕緣介電材料(如SiO2、SiNx)已不滿足當前TFT-LCD器件高封裝密度發(fā)展的需要。

如圖3、圖4和圖5所示，在圖3、圖4和圖5的實施中顯示面板包括：基板10；若干條第一層導線21，所述若干條第一層導線21設置在基板10上；柵極絕緣層22，所述柵極絕緣層22設置在若干條第一層導線21上，所述柵極絕緣層22的介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，所述柵極絕緣層22包括組合物，所述組合物包括第一組成物和第二組成物。

第一層導線21上設置的柵極絕緣層22介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，增大器件存儲電荷能力，柵極絕緣層22包括組合物，組合物包括第一組成物和第二組成物，第一組成物的介電常數小于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，第二組成物的介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，通過調節(jié)第一組成物和第二組成物的比例實現柵極絕緣層22的介電常數可調。

可選的，其中，所述第一組成物包括納米多孔硅。納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性。

可選的，其中，所述第二組成物包括鍺納米顆粒。鍺的介電常數為16，通過調節(jié)鍺的比例提高柵極絕緣層22的介電常數，當然也可以采用其他介電常數高的金屬和其他材料。

可選的，其中，所述第一組成物包括納米多孔硅，所述第二組成物包括鍺納米顆粒。納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性，鍺的介電常數為16，納米多孔硅本身具有很多硅孔，鍺納米顆?？梢源嫒牍杩變龋粫黾油ㄟ^納米多孔硅的厚度，通過調節(jié)鍺納米顆粒Ge的負載量實現介電系數可控調節(jié)。

其中，所述柵極絕緣層22包括納米多孔硅，所述納米多孔硅包括多個彼此連接的空心柱狀的子組件221，所述子組件221切面為六邊形，所述子組件221中間具有圓形通孔，所述子組件221的圓形通孔上設有多個硅孔，所述硅孔內設有鍺納米顆粒。多孔硅的子部件42切面六邊形方便多個子部件42拼接排列，硅孔內設有多個鍺納米顆粒，不影響多孔硅厚度。

其中，所述柵極絕緣層22上對應柵極導線段211設有非晶硅層23，所述非晶硅層23上設有與非晶硅層23對應的歐姆接觸層24，所述歐姆接觸層24上設有分隔的源電極25和漏電極26，所述源電極25和漏電極26之間設有溝道27，所述溝道27穿過歐姆接觸層24，所述溝道27底部為非晶硅層23，所述源電極25和漏電極26寬度大于非晶硅層23的寬度，所述源電極25和漏電極26上設有第二絕緣30，所述第二絕緣30上設有像素電極層50，所述第二絕緣30對應漏電極26設有過孔28，所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中，所述源電極25超出非晶硅層23部分一側直接連接柵極絕緣層22另一側直接連接低介電常數保護層40，所述柵極絕緣層22對應過孔28部分與漏電極26之間連接。使用5Mask可以獲取更好性能的薄膜晶體管TFT。

如圖2、圖4和圖5所示，在圖2、圖4和圖5的實施中顯示面板包括：基板10；若干條第一層導線21，所述若干條第一層導線21設置在基板10上；柵極絕緣層22，所述柵極絕緣層22設置在若干條第一層導線21上，所述柵極絕緣層22的介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，所述柵極絕緣層22包括組合物，所述組合物包括第一組成物和第二組成物。

第一層導線21上設置的柵極絕緣層22介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，增大器件存儲電荷能力，柵極絕緣層22包括組合物，組合物包括第一組成物和第二組成物，第一組成物的介電常數小于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，第二組成物的介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，通過調節(jié)第一組成物和第二組成物的比例實現柵極絕緣層22的介電常數可調。

可選的，其中，所述第一組成物包括納米多孔硅。納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性。

可選的，其中，所述第二組成物包括鍺納米顆粒。鍺的介電常數為16，通過調節(jié)鍺的比例提高柵極絕緣層22的介電常數，當然也可以采用其他介電常數高的金屬和其他材料。

可選的，其中，所述第一組成物包括納米多孔硅，所述第二組成物包括鍺納米顆粒。納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性，鍺的介電常數為16，納米多孔硅本身具有很多硅孔，鍺納米顆?？梢源嫒牍杩變?，不會增加通過納米多孔硅的厚度，通過調節(jié)鍺納米顆粒Ge的負載量實現介電系數可控調節(jié)。

其中，所述柵極絕緣層22包括納米多孔硅，所述納米多孔硅包括多個彼此連接的空心柱狀的子組件221，所述子組件221切面為六邊形，所述子組件221中間具有圓形通孔，所述子組件221的圓形通孔上設有多個硅孔，所述硅孔內設有鍺納米顆粒。多孔硅的子部件42切面六邊形方便多個子部件42拼接排列，硅孔內設有多個鍺納米顆粒，不影響多孔硅厚度。

其中，所述柵極絕緣層22上對應柵極導線段211設有非晶硅層23，所述非晶硅層23上設有與非晶硅層23對應的歐姆接觸層24，所述歐姆接觸層24上設有分隔的源電極25和漏電極26，所述源電極25和漏電極26之間設有溝道27，所述溝道27穿過歐姆接觸層24，所述溝道27底部為非晶硅層23，所述源電極25和漏電極26寬度等于與其接觸的歐姆接觸層24的寬度，所述源電極25和漏電極26上設有第二絕緣30，所述第二絕緣30上設有像素電極層50，所述第二絕緣30對應漏電極26設有過孔28，所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中，所述源電極25外側的低介電常數保護層40直接與柵極絕緣層22連接，所述柵極絕緣層22對應過孔28上方依次設有非晶硅層23、歐姆接觸層24和漏電極26。使用4道光罩(Mask)可以獲取更好性能的薄膜晶體管TFT，而且節(jié)省一步光罩(Mask)。

如圖2、圖3和圖6所示，在圖2、圖3和圖6的實施中顯示面板包括：基板10；若干條第一層導線21，所述若干條第一層導線21設置在基板10上；柵極絕緣層22，所述柵極絕緣層22設置在若干條第一層導線21上，所述柵極絕緣層22的介電常數大于氧化硅層和氮化硅層的介電常數，所述柵極絕緣層22包括組合物，所述組合物包括第一組成物和第二組成物。

其中，所述第二絕緣30的相對介電常數小于氮化硅和氧化硅的相對介電常數。采用低介電常數保護層可以提高薄膜晶體管TFT器件性能，改善信號串擾問題和RC電路延時問題。

可選的，其中，所述柵極絕緣層22上對應柵極導線段211設有非晶硅層23，所述非晶硅層23上設有與非晶硅層23對應的歐姆接觸層24，所述歐姆接觸層24上設有分隔的源電極25和漏電極26，所述源電極25和漏電極26之間設有溝道27，所述溝道27穿過歐姆接觸層24，所述溝道27底部為非晶硅層23，所述源電極25和漏電極26寬度大于非晶硅層23的寬度，所述源電極25和漏電極26上設有第二絕緣30，所述第二絕緣30上設有像素電極層50，所述第二絕緣30對應漏電極26設有過孔28，所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中，所述源電極25超出非晶硅層23部分一側直接連接柵極絕緣層22另一側直接連接低介電常數保護層，所述柵極絕緣層22對應過孔28部分與漏電極26之間連接。

可選的，其中，所述柵極絕緣層22上對應柵極導線段211設有非晶硅層23，所述非晶硅層23上設有與非晶硅層23對應的歐姆接觸層24，所述歐姆接觸層24上設有分隔的源電極25和漏電極26，所述源電極25和漏電極26之間設有溝道27，所述溝道27穿過歐姆接觸層24，所述溝道27底部為非晶硅層23，所述源電極25和漏電極26寬度等于與其接觸的歐姆接觸層24的寬度，所述源電極25和漏電極26上設有第二絕緣30，所述第二絕緣30上設有像素電極層50，所述第二絕緣30對應漏電極26設有過孔28，所述像素電極層50通過過孔28與漏電極26連接。其中，所述源電極25外側的低介電常數保護層直接與柵極絕緣層22連接，所述柵極絕緣層22對應過孔28上方依次設有非晶硅層23、歐姆接觸層24和漏電極26。

其中，所述低介電常數保護層包括介孔氧化硅。介孔氧化硅的相對介電常數εr＝1.4～2.4，低介電常數保護層采用介孔氧化硅取代5-mask與4-mask工藝TFT器件中的保護層材料SiNx(相對介電常數ε_r＝7～8)，介孔氧化硅比一般氧化硅(相對介電常數εr＝3.9～4.1)的εr更低，可以提高TFT器件性能，改善信號串擾問題和RC電路延時問題，減小低介電常數保護層的厚度，當然低介電常數保護層也可以采用其他低介電常數的材料，如納米多孔硅等。

其中，所述介孔氧化硅包括多個子單元43，所述子單元43包括成三行排列的子部件42，所述子單元43的中間一行包括并排的三個子部件42，所述子單元43的第一行和第三行分別包括并排的兩個子部件42，所述第一行和第三行的兩個子部件42分別設置在中間一行三個子部件42的任意兩個子部件42之間，所述子部件42切面為六邊形，所述子部件42中間具有圓形通孔。子單元43具有排列規(guī)則有序的子部件42，具有較高的比表面積，較好的熱穩(wěn)定性和水熱穩(wěn)定性，子部件42通孔大小均勻，子部件42切面為六邊形，方便多個子部件42拼接排列。

在上述實施例中，非晶硅層采用a-Si材料，當然也可以采用其他半導體層材料。

如圖7所示，在一些實施例中，柵極絕緣層22可包括堆疊的第一絕緣層221及第二絕緣層222。第一絕緣層221可不具有納米顆粒，例如為氮硅化合物(SiNx)絕緣層，而納米多孔硅及納米顆粒是形成于第二絕緣層222中。通過第一絕緣層221及第二絕緣層222的材料調整，可進一步調整柵極絕緣層22的介電常數。

在一些實施例中，納米顆?？砂ǘN以上不同介電常數的納米顆粒。通過不同介電常數的納米顆粒調整，可進一步調整柵極絕緣層22的介電常數。

在上述實施例中，所述基板的材料可以選用玻璃、塑料等。

在上述實施例中，顯示面板包括液晶面板、OLED面板，曲面面板，等離子面板等，以液晶面板為例，液晶面板包括陣列基板和彩膜基板(CF)，所述陣列基板與彩膜基板相對設置，所述陣列基板與彩膜基板之間設有液晶和間隔單元(photo spacer，PS)，所述陣列基板上設有薄膜晶體管(TFT)，彩墨基板上設有彩色濾光層。

在上述實施例中，彩膜基板可包括TFT陣列，彩膜及TFT陣列可形成于同一基板上，陣列基本可包括彩色濾光層。

在上述實施例中，本發(fā)明的顯示面板可為曲面型面板。

以上內容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。