液晶顯示面板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種顯示裝置，特別是涉及一種液晶顯示面板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 娃基液晶（LC0巧顯示器是液晶顯示器（LCDs)的一種類型，由一娃芯片與一玻璃 板之間夾著一液晶層組成。由于娃芯片可使用標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CM0巧技術(shù) 來制造，故與LCD相比，可提供更高的穩(wěn)定性與可信度。目前，LC0S顯示面板已廣泛應(yīng)用于 影像與媒體設(shè)備，如手持錄攝影機(jī)、數(shù)字相機(jī)、投影電視與多媒體高射投影機(jī)等。
[0003] 在LC0S面板中，雖然反射像素電極可能在不影響光學(xué)性質(zhì)的情況下覆蓋晶體管， 但相比較于透射式LCD面板，LC0S面板的像素具有較大的孔徑比。然而，當(dāng)像素尺寸持續(xù) 縮小，像素的孔徑比減少而LC0S面板的反射率將降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種制造具有雙反射鏡層作為反射結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板 的方法，可提高光線反射率，并提供更高的影像顯示明亮度。
[0005] 為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示器面板的制造方法，其中包括W下步驟。 提供其上具有一絕緣層的一基底后，在該絕緣層上形成一第一金屬復(fù)合層，接著圖案化W 形成穿過該第一金屬復(fù)合層的至少一第一開口。在該至少一第一開口內(nèi)形成一第一中間介 電層，而在該圖案化第一金屬復(fù)合層上形成一第二中間介電層。圖案化該第二中間介電層， W形成穿過該第二中間介電層的第二開口。在該圖案化第二中間介電層上形成一第二金屬 復(fù)合層，接著圖案化W形成至少一第H開口。接著，在該至少一第H開口內(nèi)形成一第H中間 介電層。
[0006] 在一實(shí)施例中，形成第一金屬復(fù)合層的步驟包含在絕緣層上依序形成一第一層、 一第二層與一第一金屬層。
[0007] 在一實(shí)施例中，形成第一層的步驟包含通過姍鍛或物理氣相沉積（PVD)形成一鐵 層，而形成第二層包含通過PVD或化學(xué)氣相沉積（CVD)形成一氮化鐵（TiN)層。
[0008] 在一實(shí)施例中，形成第一金屬層的步驟包含通過姍鍛、PVD或電鍛形成由鉛、鐵、 粗、銀、金、銅或笛制成的一層。
[0009] 在一實(shí)施例中，第一金屬復(fù)合層的厚度范圍為200皿至1000皿。
[0010] 在一實(shí)施例中，第二中間介電層包含娃氧化物、娃氮氧化物與/或娃氮化物，其通 過CVD形成。
[0011] 在一實(shí)施例中，第二中間介電層的厚度范圍為300埃至1800埃。
[0012] 在一實(shí)施例中，形成第二金屬復(fù)合層的步驟包含依序形成一第H層、一第四層與 一第二金屬層。
[0013] 在一實(shí)施例中，形成第H層的步驟包含通過姍鍛或物理氣相沉積（PVD)形成一鐵 層，而形成第四層包含通過PVD或化學(xué)氣相沉積（CVD)形成一氮化鐵（TiN)層。
[0014] 在一實(shí)施例中，第H層與第四層共形形成覆蓋第二開口的表面，而不填滿第二開 n。
[0015] 在一實(shí)施例中，形成第二金屬層的步驟包含通過姍鍛、PVD或電鍛形成由鉛、鐵、 粗、銀、金、銅或笛制成的一層。
[0016] 在一實(shí)施例中，第二金屬復(fù)合層的厚度范圍為300埃至1800埃。
[0017] 在一實(shí)施例中，還包括在圖案化第二金屬復(fù)合層上形成另一絕緣層，并在圖案化 第二金屬復(fù)合層上方形成多個像素電極與一彩色濾片矩陣。
[0018] 在一實(shí)施例中，還包括在彩色濾片矩陣上方形成一液晶層與一上基底。
[0019] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0020] 圖1是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一顯示面板的剖面示意圖。
[0021] 圖2A-2J說明本發(fā)明一實(shí)施例中顯示面板的反射結(jié)構(gòu)的方法制造流程。
[0022] 圖3是呈現(xiàn)顯示面板反射值與光波長之間關(guān)系的示意圖。
[002引符號說明
[0024] 100 ;顯示面板
[00幼 200 ;主動矩陣
[0026] 210 :下某底
[0027] 220 ;主動元件
[002引 230;像素電極
[002引 240 ;反射結(jié)構(gòu)
[0030] 250;導(dǎo)電元件
[003U 260;第一絕緣層
[0032] 270 ;第二絕緣層
[0033] 280 ;絕緣層
[0034] 290 ;彩色濾片矩陣
[0035] 300 ;液晶層
[003引310 ;配向?qū)?br>[0037] 400 ;上基底
[003引410 ;配向?qū)?br>[0039] 500 ;基底
[0040] 510 ;絕緣層
[0041] 520 ;第一金屬復(fù)合層520a、550a;上表面
[004引522 ;第一層
[004引524 ;第二層
[0044] 526 ;第一金屬層
[0045] 530 ;第一中間介電層
[0046] 53U561 ;剩余部分
[0047] 540;第二中間介電層
[0048] 550;第二金屬復(fù)合層
[004引 552 :第立層
[0050] 554;第四層
[005U 556;第二金屬層
[0052]S1、S2、S3;開口
【具體實(shí)施方式】
[0053] 在此W本發(fā)明實(shí)施例作為參考W便于更完整陳述本發(fā)明概念，并配合所附附圖作 詳細(xì)說明如下。在附圖與描述中所用的相同參考數(shù)字符號是指相同或相似元件。
[0054] 圖1是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一顯示面板的示意剖面圖。參照圖1，本實(shí)施例的顯 示面板100包含一主動矩陣200、一液晶層300與一上基底400。該主動矩陣200包含一下 基底210、多個主動元件220、多個像素電極230、一反射結(jié)構(gòu)240與多個導(dǎo)電元件250。
[0055] 在本實(shí)施例中，舉例而言，下基底210可能是一娃基底，而上基底可能是一玻璃基 底。在本案例中，顯示面板100是一LC0S顯示面板，而在本實(shí)施例中，主動矩陣200是該 LC0S顯示面板的一主動矩陣。主動元件220可W是在基底210中W矩陣排列的晶體管。在 本實(shí)施例中，像素電極230是反射像素電極，并分別配置于主動元件220上方。像素電極 230可W金屬如鉛所制成。反射結(jié)構(gòu)240配置于基底210與像素電極230之間。導(dǎo)電元件 250貫穿反射結(jié)構(gòu)240,并連接像素電極230與主動元件220。舉例而言，導(dǎo)電元件250可能 是由金屬或金屬合金制成。
[0056] 顯示面板100還包含一第一絕緣層260與一第二絕緣層270。該第一絕緣層260 配置于基底210與反射結(jié)構(gòu)240之間。該第二絕緣層270配置于反射結(jié)構(gòu)240與像素電極 230之間。此外，導(dǎo)電元件250可能通過絕緣層280而與反射結(jié)構(gòu)240隔離。顯示面板100 也包含一彩色濾片矩陣290,配置于像素電極230上，而一配向?qū)?10配置于該彩色濾片矩 陣290上。
[0057] 相對的上基底400可能還包含另一配向?qū)?10,配置于該透明基底400與液晶層 300之間。具體而言，液晶層300配置于配向?qū)?10、410之間，W及主動矩陣200與上基底 400之間。
[0058] 依據(jù)本實(shí)施例的顯示面板100,沒有被像素電極230反射的光線可被反射結(jié)構(gòu)240 反射。具體而言，穿過任兩相鄰像素電極230之間間隙的光線都被反射結(jié)構(gòu)240反射（W 箭頭顯示）。所W，顯示面板100的反射增加。因此，顯示面板100能夠提供具有較高明亮 度的影像。在此方式中，即使像素尺寸減少且像素的孔徑比例降低，顯示面板100仍能維持 高反射率。
[0059] 在下文中，前述反射結(jié)構(gòu)與其制造流程將進(jìn)一步詳細(xì)描述。因顯示面板的其他元 件可能使用已知技術(shù)制造，因此此處省略制造流程與適當(dāng)材料選擇的詳細(xì)說明。
[0060] 圖2A-2J說明本發(fā)明一實(shí)施例中顯示面板的反射結(jié)構(gòu)的制造流程。
[0061] 參照圖2A，提供一基底500,其上方有一絕緣層510。舉例而言，該基底500可能是 其中形成有數(shù)個主動元件與其它元件的一娃基底。在該絕緣層510上形成一第一金屬復(fù)合 層520。該第一金屬復(fù)合層520是通過依序形成一第一層522、一第二層524與一第一金屬 層526而形成。舉例而言，該第一層522可能是通過姍鍛或物理氣相沉積法（PVD)形成的 一鐵（Ti)層。舉例而言，該第二層524可能是通過PVD或化學(xué)氣相沉積法（CVD)形成的一 氮化鐵（TiN)層。該第一金屬層526可能是通過姍鍛、PVD或電鍛形成，由具有高反射性的 傳導(dǎo)性金屬所制成，如鉛（A1)、鐵（Ti)、粗（Ta)、銀（Ag)、金（Au)、銅（化）或笛（Pt)。特別 是該第一金屬層526可能是由鉛所制成。該第一金屬復(fù)合層520作為一反射鏡層，W反射 通過像素電極上方的光線。該第一金屬復(fù)合層520的厚度沒有特別限制，范圍可能從200nm 至lOOOnm。
[0062] 參照圖2B，通過光刻蝕刻制作工藝來圖案化