陣列基板、顯示器及陣列基板的制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種陣列基板，包括：基板，采用有機(jī)材料；隔離層，采用金屬材質(zhì)，所述隔離層形成在所述基板上；及緩沖層，所述緩沖層形成在所述隔離層背離所述基板的一側(cè)。本發(fā)明所述陣列基板在高溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積過(guò)程中，可避免等離子直接轟擊由有機(jī)材料制成的基板而產(chǎn)生污染問(wèn)題。本發(fā)明還提供一種應(yīng)用所述陣列基板的顯示器以及一種陣列基板的制備方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
陣列基板、顯示器及陣列基板的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及柔性顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、一種顯示器以及一種陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前主要的柔性顯示器件是基于有機(jī)材料基板上制備的，而由于有機(jī)材料基板隔水、隔氧、耐熱能力較差，且在制作低溫多晶娃(Low temperature poly_silicon，LTPS)柔性顯示器時(shí)需經(jīng)過(guò)準(zhǔn)分子錫射結(jié)晶(Eximer laser annealing，ELA)等高溫制程，因此需要在基板上制備一層較厚的氮化物或氧化物作為緩沖層，避免有機(jī)材料基板受到損傷。氮化物或氧化物緩沖層一般是通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n，PECVD)沉積。通過(guò)低溫沉積的緩沖層膜層疏松、隔水、隔氧效果較差，而采用較高溫度沉積時(shí)，沉積過(guò)程中等離子直接轟擊有機(jī)材料基板產(chǎn)生的有機(jī)物塵埃會(huì)污染設(shè)備腔體和管道等。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種陣列基板，所述陣列基板在高溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積過(guò)程中，可避免等離子直接轟擊由有機(jī)材料制成的基板而產(chǎn)生污染問(wèn)題。
[0004]另外，本發(fā)明還提供一種應(yīng)用所述陣列基板的顯示器。
[0005]此外，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，以制備所述陣列基板。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式采用如下技術(shù)方案:
[0007]—方面，提供一種陣列基板，包括:
[0008]基板，采用有機(jī)材料；
[0009]隔離層，采用金屬材質(zhì)，所述隔離層形成在所述基板上;及
[0010]緩沖層，所述緩沖層形成在所述隔離層背離所述基板的一側(cè)。
[0011]其中，所述陣列基板還包括多個(gè)薄膜晶體管，所述多個(gè)薄膜晶體管形成在所述緩沖層背離所述隔離層的一側(cè)，所述多個(gè)薄膜晶體管包括低溫多晶硅層。
[0012]其中，所述隔離層采用鈦材料。
[0013]其中，所述隔離層采用鋁材料、銅材料或鎳材料。
[0014]另一方面，還提供一種顯示器，包括有機(jī)發(fā)光二極管和如上述任一項(xiàng)所述的陣列基板，所述有機(jī)發(fā)光二極管形成在所述緩沖層背離所述隔離層的一側(cè)。
[0015]再另一方面，還提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0016]提供基板，所述基板米用有機(jī)材料；
[0017]在所述基板上形成隔離層，所述隔離層采用金屬材質(zhì)；
[0018]在所述隔離層背離所述基板的一側(cè)上形成緩沖層;及
[0019]在所述緩沖層背離所述隔離層的一側(cè)上形成多個(gè)薄膜晶體管。
[0020]其中，所述“在所述基板上形成隔離層”包括:在所述基板上沉積鈦材料，以形成所述隔離層。
[0021 ]其中，所述“在所述基板上沉積鈦材料”包括:在所述基板上沉積鈦材料的工藝溫度小于等于250°。
[0022]其中，所述“在所述基板上沉積鈦材料”包括:通過(guò)磁控濺射在所述基板上沉積鈦材料。
[0023]其中，所述“在所述基板上形成隔離層”包括:在所述基板上沉積鋁材料、銅材料或鎳材料，以形成所述隔離層。
[0024]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0025]由于本發(fā)明實(shí)施例所述陣列基板的所述基板與所述緩沖層之間設(shè)置有隔離層，所述隔離層采用金屬材質(zhì)，故而在所述緩沖層通過(guò)高溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n，PECVD)的過(guò)程中，所述隔離層可防止等離子體直接轟擊所述基板產(chǎn)生的有機(jī)物污染設(shè)備腔體和管道。同時(shí)，在后續(xù)的其他高溫工藝中，例如準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程，所述隔離層也能夠降低外部對(duì)所述基板的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板的作用。
【附圖說(shuō)明】
[0026]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]此外，以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明中所提到的方向用語(yǔ)，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語(yǔ)是為了更好、更清楚地說(shuō)明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0032]在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“設(shè)置在……上”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接;可以是機(jī)械連接;可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
[0033]此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。若本說(shuō)明書(shū)中出現(xiàn)“工序”的用語(yǔ)，其不僅是指獨(dú)立的工序，在與其它工序無(wú)法明確區(qū)別時(shí)，只要能實(shí)現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語(yǔ)中。另外，本說(shuō)明書(shū)中用“?”表示的數(shù)值范圍是指將“?”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的單元用相同的標(biāo)號(hào)表示。
[0034]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板I，包括依次層疊設(shè)置的基板11、隔離層12以及緩沖層13。其中，所述基板11采用有機(jī)材料制成。所述隔離層12采用金屬材質(zhì)制成，并且形成在所述基板11上。所述緩沖層13形成在所述隔離層12背離所述基板11的一側(cè)。
[0035]在本實(shí)施例中，由于所述陣列基板I的所述基板11與所述緩沖層13之間設(shè)置有隔離層12，所述隔離層12采用金屬材質(zhì)，故而在所述緩沖層13通過(guò)高溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，PECVD)的過(guò)程中，所述隔離層 12可防止等離子體直接轟擊所述基板11產(chǎn)生的有機(jī)物污染設(shè)備腔體和管道。同時(shí)，在后續(xù)的其他高溫工藝中，例如準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程，所述隔離層12也能夠降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。
[0036]應(yīng)當(dāng)理解的，所述“外部”指所述基板11的外部，也即所述隔離層12能夠降低熱量自所述基板11的外部向所述基板11的內(nèi)部的傳導(dǎo)。
[0037]進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖1，所述陣列基板I還包括多個(gè)薄膜晶體管10(Thin_filmtransisto^TFT)，所述多個(gè)薄膜晶體管10形成在所述緩沖層13背離所述隔離層12的一側(cè)。所述多個(gè)薄膜晶體管10呈陣列排布在所述緩沖層13上。
[0038]進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖1，所述多個(gè)薄膜晶體管10包括低溫多晶硅層14，也即所述多個(gè)薄膜晶體管10的有源層采用低溫多晶娃(Low temperature poly_silicon，LTPS)工藝制成。所述低溫多晶娃工藝包括準(zhǔn)分子錫射結(jié)晶過(guò)程(Eximer laser annealing,ELA)。在準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程中，所述隔離層12能夠有效降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。
[0039]進(jìn)一步地，作為一種優(yōu)選實(shí)施例，所述隔離層12可采用鈦(Ti)材料。由于鈦材料具有韌性好、耐腐蝕、熔點(diǎn)高、熱導(dǎo)系數(shù)低、在極冷極熱條件下應(yīng)力小，且能夠在低溫條件下通過(guò)物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n，PVD)得到等特點(diǎn)，故而所述隔離層12能夠更好地起到保護(hù)所述基板11的作用。特別的，由于鈦材料的韌性好，故而所述隔離層12抗等離子體轟擊能力強(qiáng)，在所述緩沖層13的形成過(guò)程中，所述隔離層12能夠很好地保護(hù)所述基板U。同時(shí)，由于所述鈦材料的導(dǎo)熱系數(shù)低，在準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程中，所述隔離層12亦能夠有效降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。
[0040]進(jìn)一步地，作為另一種優(yōu)選實(shí)施例，所述隔離層12也可采用鋁(Al)材料、銅(Cu)材料或者鎳(Ni)材料。在準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程中，本實(shí)施例所述隔離層12能夠吸收大量熱能，故而能夠有效降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。
[0041]進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖1，可選的，所述多個(gè)薄膜晶體管10還包括柵極絕緣層15、柵極16、介質(zhì)層17、源區(qū)192、漏區(qū)191以及平坦層18。具體而言:所述柵極絕緣層15覆蓋所述低溫多晶娃層14和所述緩沖層13。所述低溫多晶娃層14經(jīng)過(guò)P型摻雜(P-type doping)和溝道摻雜，形成依次連接的第一部分141、第二部分142以及第三部分143。所述柵極16形成在所述柵極絕緣層15背離所述低溫多晶硅層14的一側(cè)，且所述柵極16正對(duì)所述第二部分142。所述介質(zhì)層17覆蓋所述柵極16以及所述柵極絕緣層15，所述柵極絕緣層15與所述介質(zhì)層17上共同開(kāi)設(shè)有第一孔和第二孔，所述第一孔用于顯露部分所述第一部分141，所述第二孔用于暴露所述第二部分143。所述漏區(qū)191和所述源區(qū)192均形成在所述介質(zhì)層17背離所述柵極絕緣層15的表面上，所述漏區(qū)191通過(guò)所述第一孔連接至所述第一部分141，所述源區(qū)192通過(guò)所述第二孔連接至所述第二部分142。所述平坦層18覆蓋所述介質(zhì)層17、所述源區(qū)192以及所述漏區(qū)191，所述平坦層18開(kāi)設(shè)有第三孔110，所述第三孔110用于暴露部分所述源區(qū)192，使得所述源區(qū)192可與其他部件實(shí)現(xiàn)連接。
[0042]進(jìn)一步地，所述緩沖層13包括氧化物(例如氧化硅，S1x)或/和氮化物(例如氮化硅，SiNx)。優(yōu)選的，所述緩沖層13包括層疊設(shè)置的第一子緩沖層及第二子緩沖層。所述第一子緩沖層相較于所述第二子緩沖層鄰近所述隔離層12，所述第一子緩沖層為氮化硅(SiNx)材料，所述第二子緩沖層為氧化硅(S1x)材料。所述第一子緩沖層及所述第二子緩沖層的設(shè)置能夠更好地緩沖所述陣列基板I在制備過(guò)程中對(duì)所述基板11的損傷。且，所述第一子緩沖層采用氮化硅材料，在制備氮化硅材料的時(shí)候能夠產(chǎn)生氫(H)元素用于修補(bǔ)所述低溫多晶硅層14，提高所述低溫多晶硅層14的電性能。所述第二子緩沖層采用氧化硅材料，用于改善所述第二子緩沖層的應(yīng)力，防止所述第二子緩沖層脫落。
[0043]進(jìn)一步地，所述有機(jī)材料為聚酰亞胺(Polyimide，PI)。當(dāng)然，所述基板11也可采用其他有機(jī)材料(由碳、氫、氧、氮等元素組成的材料統(tǒng)稱(chēng)為有機(jī)材料)。優(yōu)選柔性材料，使得所述基板11為柔性基板。
[0044]請(qǐng)一并參閱圖1至圖3，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示器100，包括有機(jī)發(fā)光二極管2和如上述任一實(shí)施例所述的陣列基板I，也即所述顯示器100為有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。所述有機(jī)發(fā)光二極管2形成在所述緩沖層13背離所述隔離層12的一側(cè)。具體而言，所述有機(jī)發(fā)光二極管2形成在所述多個(gè)薄膜晶體管10背離所述緩沖層13的一側(cè)。特別的，當(dāng)所述陣列基板I的所述基板11采用柔性材料時(shí)，所述顯示器100為柔性顯示器。
[0045]在本實(shí)施例中，由于所述顯示器100采用的所述陣列基板I包括隔離層12，所述隔離層12設(shè)置在所述基板11與所述緩沖層13之間，所述隔離層12采用金屬材質(zhì)，故而在所述緩沖層13通過(guò)高溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n，PECVD)的過(guò)程中，所述隔離層12可防止等離子體直接轟擊所述基板11產(chǎn)生的有機(jī)物污染設(shè)備腔體和管道。同時(shí)，所述隔離層12也能夠降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。再者，由于所述隔離層12具有一定的導(dǎo)電性，因此也能起到靜電屏蔽作用，提高了所述顯示器100的抗靜電干擾能力。
[0046]優(yōu)選的，所述隔離層12采用鈦材料、鋁材料、銅材料或鎳材料。
[0047]進(jìn)一步地，請(qǐng)一并參閱圖1至圖3，作為一種可選實(shí)施例，所述有機(jī)發(fā)光二極管2包括陽(yáng)極21、發(fā)光層24以及陰極27，所述發(fā)光層24位于所述陽(yáng)極21與所述陰極27之間。所述陽(yáng)極21采用透明電極，所述陰極27采用透明電極或半透明電極。由于所述隔離層12采用金屬材質(zhì)，例如鈦，對(duì)光的穿透率低，因此所述隔離層12可作為所述有機(jī)發(fā)光二極管2的反射層。
[0048]在本實(shí)施例中，當(dāng)所述陰極27采用透明電極時(shí)，所述隔離層12反射所述發(fā)光層24發(fā)出的光線，所述有機(jī)發(fā)光二極管2實(shí)現(xiàn)頂發(fā)射。由于所述陽(yáng)極21以及所述陰極27均采用透明電極，可采用相同材質(zhì)，因此降低了所述有機(jī)發(fā)光二極管2的生產(chǎn)成本，也即降低了所述顯示器100的成本。
[0049]當(dāng)所述陰極27采用半透明電極時(shí)，所述隔離層12與半透明的所述陰極27形成共振微腔，增加了微腔的總光程，避免微腔調(diào)整對(duì)所述有機(jī)發(fā)光二極管2的有機(jī)膜層(例如所述發(fā)光層24)過(guò)度依賴(lài)，進(jìn)而提高所述有機(jī)發(fā)光二極管2的可調(diào)節(jié)性能，使得所述有機(jī)發(fā)光二極管2具有更高的發(fā)光效率，使得所述顯示器100具有更佳的顯示效果、能耗低。
[0050]進(jìn)一步地，所述透明電極可采用氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)材質(zhì)，以降低所述有機(jī)發(fā)光二極管2的成本，也即降低所述顯示器100的制作成本。同時(shí)，當(dāng)所述陽(yáng)極21采用氧化銦錫材質(zhì)時(shí)，可提高空穴注入能力、降低空穴注入能皇。應(yīng)當(dāng)理解的是，在其他實(shí)施例中，所述陽(yáng)極21也可以選用其他透明的具有高功函數(shù)的導(dǎo)電材料。
[0051]進(jìn)一步地，所述陰極27可采用采用鎂銀(Mg/Ag)合金制作半透明電極。其中，鎂與銀的比例為1:9。應(yīng)當(dāng)理解的是，在其他實(shí)施例中，所述陰極27也可以選用其他半透明的具有低功函數(shù)的導(dǎo)電材料。
[0052]進(jìn)一步地，作為一種可選實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖3，所述有機(jī)發(fā)光二極管2還包括空穴注入層(Hole Inject Layer，HIL)22、空穴傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)23、電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)25以及電子注入層(Electron Inject Layer,EIL)26，用以增加電子或空穴的傳輸及平衡，從而提高所述有機(jī)發(fā)光二極管2的發(fā)光效率。其中，所述空穴注入層22形成在所述陽(yáng)極21朝向所述發(fā)光層24的一側(cè)。所述空穴傳輸層23形成在所述空穴注入層22與所述發(fā)光層24之間。所述電子傳輸層25形成在所述發(fā)光層24背離所述空穴傳輸層23的一側(cè)。所述電子注入層26形成在所述電子傳輸層25與所述陰極27之間。
[0053]請(qǐng)一并參閱圖1至圖3，在本實(shí)施例中，所述陽(yáng)極21可通過(guò)所述第三孔110連接至所述源區(qū)192，用以實(shí)現(xiàn)所述有機(jī)發(fā)光二極管2與所述陣列基板I的電性連接。
[0054]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板I的制備方法，用以制備上述實(shí)施例的所述陣列基板I。所述制備方法包括:
[0055]Stepl:提供基板11，所述基板11米用有機(jī)材料；
[0056]Step2:在所述基板11上形成隔離層12，所述隔離層12采用金屬材質(zhì)；
[0057]Step3:在所述隔離層12背離所述基板11的一側(cè)上形成緩沖層13;及
[0058]Step4:在所述緩沖層13背離所述隔離層12的一側(cè)上形成多個(gè)薄膜晶體管10。
[0059]在本實(shí)施例中，由于所述基板11上設(shè)置有隔離層12，所述隔離層12采用金屬材質(zhì)，，故而當(dāng)所述緩沖層13通過(guò)高溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n，PECVD)工藝形成在所述隔離層12背離所述基板11的一側(cè)時(shí)，所述隔離層12可防止等離子體直接轟擊所述基板11產(chǎn)生的有機(jī)物污染設(shè)備腔體和管道。同時(shí)，所述隔離層12也能夠降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。
[0060]進(jìn)一步地，步驟Step2包括:在所述基板上沉積鈦材料，以形成所述隔離層12。由于鈦材料具有韌性好、耐腐蝕、熔點(diǎn)高、熱導(dǎo)系數(shù)低、在極冷極熱條件下應(yīng)力小等特點(diǎn)，故而所述隔離層12能夠更好地起到保護(hù)所述基板11的作用。特別的，由于鈦材料的韌性好，故而所述隔離層12抗等離子體轟擊能力強(qiáng)，在所述緩沖層13的形成過(guò)程中，所述隔離層12能夠很好地保護(hù)所述基板11。同時(shí)，由于所述鈦材料的導(dǎo)熱系數(shù)低，在準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程中，所述隔離層12亦能夠有效降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。[0061 ]進(jìn)一步地，所述“在所述基板上沉積鈦材料”包括:在所述基板上沉積鈦材料的工藝溫度小于等于250°，也即所述鈦材料可采用低溫沉積方式進(jìn)行沉積，以形成所述隔離層12，所述隔離層12成形難度較低。
[0062]進(jìn)一步地，所述“在所述基板上沉積鈦材料”包括:通過(guò)磁控濺射在所述緩沖層13上沉積鈦材料。所述磁控派射是物理氣相沉積(PhysicaI Vapor Deposit1n,PVD)的一種。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。在其他實(shí)施中，也可以采用其他物理氣相沉積方式沉積所述鈦材料。
[0063]進(jìn)一步地，步驟Step2包括:在所述基板上沉積招材料、銅材料或鎳材料，以形成所述隔離層12。在準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程中，本實(shí)施例所述隔離層12能夠吸收大量熱能，故而能夠有效降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。
[0064]進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖1，步驟Step4包括:
[0065]Step41:在所述緩沖層13背離所述隔離層12的一側(cè)上形成非晶硅層；
[0066]Step42:通過(guò)準(zhǔn)分子錫射結(jié)晶(Eximer laser annealing，ELA)工藝，將所述非晶娃層轉(zhuǎn)化為多晶娃層；
[0067]Step43:通過(guò)光刻工藝圖案化所述多晶硅層；
[0068]Step44:經(jīng)過(guò)P型摻雜(P-type doping)和溝道摻雜，使所述多晶娃層形成所述多個(gè)薄膜晶體管10的有源層(也即低溫多晶硅層14);
[0069]Step45:在所述有源層和所述緩沖層13上，依次形成柵極絕緣層15、柵極16、介質(zhì)層17、源區(qū)192、漏區(qū)191以及平坦層18，以形成所述多個(gè)薄膜晶體管10。
[0070]本實(shí)施例中，在通過(guò)準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶過(guò)程中，所述隔離層12能夠降低外部對(duì)所述基板11的熱傳導(dǎo)，起到保護(hù)所述基板11的作用。
[0071]可選的，在步驟Step42進(jìn)行前，可先對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行去氫和準(zhǔn)分子鐳射結(jié)晶的預(yù)先清洗。
[0072]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基板，采用有機(jī)材料； 隔離層，采用金屬材質(zhì)，所述隔離層形成在所述基板上;及 緩沖層，所述緩沖層形成在所述隔離層背離所述基板的一側(cè)。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括多個(gè)薄膜晶體管，所述多個(gè)薄膜晶體管形成在所述緩沖層背離所述隔離層的一側(cè)，所述多個(gè)薄膜晶體管包括低溫多晶娃層。3.如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述隔離層采用鈦材料。4.如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述隔離層采用鋁材料、銅材料或鎳材料。5.—種顯示器，其特征在于，包括有機(jī)發(fā)光二極管和如權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的陣列基板，所述有機(jī)發(fā)光二極管形成在所述緩沖層背離所述隔離層的一側(cè)。6.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 提供基板，所述基板采用有機(jī)材料； 在所述基板上形成隔離層，所述隔離層采用金屬材質(zhì)； 在所述隔離層背離所述基板的一側(cè)上形成緩沖層;及 在所述緩沖層背離所述隔離層的一側(cè)上形成多個(gè)薄膜晶體管。7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述“在所述基板上形成隔離層”包括: 在所述基板上沉積鈦材料，以形成所述隔離層。8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述“在所述基板上沉積鈦材料”包括: 在所述基板上沉積鈦材料的工藝溫度小于等于250°。9.如權(quán)利要求7或8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述“在所述基板上沉積鈦材料”包括: 通過(guò)磁控濺射在所述基板上沉積鈦材料。10.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述“在所述基板上形成隔離層”包括: 在所述基板上沉積鋁材料、銅材料或鎳材料，以形成所述隔離層。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK106024804SQ201610375303
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月31日
【發(fā)明人】秦芳
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司