基板處理裝置和基板處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠減少占地面積并且能夠獲得高生產(chǎn)量的基板處理裝置。本發(fā)明的位于載置塊和端塊之間的中間塊，其包括：相互層疊設(shè)置的多個第一處理模塊，其用于分別僅對從載置塊取出并送往端塊的基板和從端塊返回載置塊的基板中的一者進行處理；進行升降的第一基板搬送機構(gòu)，其用于將從載置塊和端塊中的一者搬送到了該中間塊的基板搬送到各第一處理模塊，并交接給載置塊和端塊中的另一者；和以繞過第一處理模塊的方式從載置塊和上述端塊中的另一者向一者搬送基板的第二基板搬送機構(gòu)。
【專利說明】
基板處理裝置和基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及具有用于對基板進行處理的多個層疊的處理模塊的基板處理裝置、基板處理方法和存儲介質(zhì)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體器件的制造步驟中的光刻步驟中，通過將涂敷、顯影裝置和曝光裝置連接而構(gòu)成的抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)，在作為基板的半導體晶片(以下記為晶片)上形成抗蝕劑圖案。涂敷、顯影裝置具有:為了在晶片上形成抗蝕劑膜而涂敷抗蝕劑的抗蝕劑涂敷模塊；向利用曝光裝置而曝光的抗蝕劑膜供給顯影液而形成抗蝕劑圖案的顯影模塊;和向晶片供給藥液并在利用曝光裝置進行曝光時形成用于保護抗蝕劑膜的保護膜的保護膜形成模塊等的供給各種藥液的液體處理模塊。另外，在涂敷、顯影裝置中還設(shè)置有在各液體處理前后、對晶片進行加熱處理的加熱模塊。在專利文獻I中記載了這樣的涂敷、顯影裝置的例子。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2012 —19130號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
[0007]近年來，曝光裝置的生產(chǎn)量上升，為了使上述抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高，關(guān)于涂敷、顯影裝置，也要求提高其生產(chǎn)量。具體而言，要求以例如每I小時能夠處理275個左右的晶片的方式構(gòu)成涂敷、顯影裝置。因此，為了提高生產(chǎn)量，考慮在涂敷、顯影裝置中，增加對晶片進行相同種類的處理的模塊的數(shù)量，利用這些模塊進行并行處理。
[0008]例如，在上述專利文獻I中表示了朝向曝光裝置在橫向排列有分別具有在上下劃分為多層的單元塊的前方側(cè)處理塊、后方側(cè)處理塊的涂敷、顯影裝置，并且在各單元塊中分別具有處理模塊、加熱模塊和在模塊之間搬送晶片的搬送機構(gòu)。利用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)各種模塊的增設(shè)。在上述后方側(cè)處理塊中，在下層側(cè)的單元塊中設(shè)置保護膜形成模塊，在上層側(cè)的單元塊中設(shè)置在曝光之前清洗晶片背面的背面清洗模塊，沿著前方側(cè)處理塊、后方側(cè)處理塊的排列方向，與保護膜形成模塊、背面清洗模塊一起配置2個用于對晶片進行處理的杯體。
[0009]在該專利文獻I的涂敷、顯影裝置中，利用曝光裝置處理的曝光結(jié)束的晶片通過后方側(cè)處理塊，被搬送到前方側(cè)處理塊接受處理。如上所述，在后方側(cè)處理塊中設(shè)置保護膜形成模塊和背面清洗模塊時，后方側(cè)處理塊的各單元塊的搬送機構(gòu)在相對這些各模塊搬送曝光之前的晶片的間隔中，搬送曝光結(jié)束的晶片，該搬送機構(gòu)的負荷變大，因此存在不能充分地提尚生廣量的危險。
[0010]但是，關(guān)于上述背面清洗模塊，也可以設(shè)置在將后方側(cè)處理塊和曝光裝置相互連接的接口塊中，因此，在將背面清洗模塊配置在接口塊中時，對應于后方側(cè)處理塊中設(shè)置的杯體的數(shù)量，后層處理塊的占地面積(footprint)就會變得比較大。在涂敷、顯影裝置中，要求減少占地面積，并實現(xiàn)增設(shè)模塊。即，與該專利文獻I所述的涂敷、顯影裝置相比，要求能夠進一步減少占地面積，并且能夠獲得高生產(chǎn)量的裝置。
[0011]本發(fā)明是鑒于以上的觀點而完成的發(fā)明，本發(fā)明的課題在于提供在基板處理裝置中，能夠減少占地面積，并且能夠獲得高生產(chǎn)量的技術(shù)。
[0012]用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0013]本發(fā)明的基板處理裝置，其特征在于:包括:
[0014]用于將收納于載置體的基板取出的載置塊;使從該載置塊取出的基板返回到該載置塊，相對于上述載置塊橫向設(shè)置的端塊;和位于上述載置塊與上述端塊之間的中間塊，
[0015]上述中間塊包括:
[0016]相互層疊設(shè)置的多個第一處理模塊，其用于分別僅對從上述載置塊取出并送往上述端塊的上述基板和從上述端塊返回上述載置塊的上述基板中的一者進行處理；
[0017]進行升降的第一基板搬送機構(gòu)，其用于將從上述載置塊和上述端塊中的一者搬送到了該中間塊的上述基板搬送到上述各第一處理模塊，并交接給上述載置塊和端塊中的另一者;和
[0018]與上述第一基板搬送機構(gòu)另行設(shè)置的第二基板搬送機構(gòu)，其以繞過上述第一處理模塊的方式從上述載置塊和上述端塊中的另一者向一者搬送基板。
[0019]本發(fā)明的基板處理方法是使用基板處理裝置的基板處理方法，其特征在于:上述基板處理裝置包括:用于將收納于載置體的基板取出的載置塊;將從該載置塊取出的基板返回到該載置塊，相對于上述載置塊橫向設(shè)置的端塊;和位于上述載置塊與上述端塊之間的中間塊，
[0020]上述基板處理方法包括:
[0021]利用設(shè)置于上述中間塊、并相互層疊設(shè)置的多個處理模塊，分別僅對從上述載置塊取出并送往上述端塊的上述基板和從上述端塊返回上述載置塊的上述基板中的一者進行處理的步驟；
[0022]利用設(shè)置于上述中間塊的能夠升降的第一基板搬送機構(gòu)，將從上述載置塊和端塊中的一者搬送到了該中間塊的上述基板搬送上述各處理模塊，并交接給上述載置塊和端塊中的另一者的步驟;和
[0023]利用設(shè)置于上述中間塊的與上述第一基板搬送機構(gòu)另行設(shè)置的第二基板搬送機構(gòu)，以繞過上述處理模塊的方式從上述載置塊和端塊中的另一者向一者搬送基板的步驟。
[0024]本發(fā)明的存儲介質(zhì)，其特征在于:
[0025]存儲有在基板處理裝置中使用的計算機程序，
[0026]上述計算機程序用于實施本發(fā)明的基板處理方法。
[0027]發(fā)明效果
[0028]本發(fā)明的基板處理裝置通過依次排列載置塊、中間塊、端塊而構(gòu)成。而且設(shè)置有:在中間塊中相互層疊設(shè)置的處理模塊；向處理模塊交接基板并從上述載置塊和端塊中的一者向另一者搬送該基板的第一基板搬送機構(gòu);和以繞過上述處理模塊的方式從載置塊和端塊中的另一者向一者搬送基板的第二基板搬送機構(gòu)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，能夠減少裝置的占地面積的增加，并能夠?qū)崿F(xiàn)處理模塊的搭載數(shù)量的增加。另外，利用第二基板搬送機構(gòu)，能夠減少向這些處理模塊搬送基板的第一基板搬送機構(gòu)的負擔，能夠快速地向載置塊和端塊中的一者搬送基板，所以能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)量的提高。
【附圖說明】
[0029]圖1是本發(fā)明涉及的第一實施方式的涂敷、顯影裝置的俯視圖。
[0030]圖2是上述涂敷、顯影裝置的立體圖。
[0031 ]圖3是上述涂敷、顯影裝置的概略縱剖側(cè)視圖。
[0032]圖4是上述涂敷、顯影裝置中設(shè)置的中間塊的立體圖。
[0033]圖5是上述中間塊的概略縱剖后視圖。
[0034]圖6是表示在上述中間塊中形成的氣流的說明圖。
[0035]圖7是表示上述涂敷、顯影裝置中的晶片的搬送路徑的說明圖。
[0036]圖8是第二實施方式的涂敷、顯影裝置的俯視圖。
[0037]圖9是上述涂敷、顯影裝置的概略縱剖側(cè)視圖。
[0038]圖10是第二實施方式的中間塊的概略縱剖后視圖。
[0039]圖11是表示上述涂敷、顯影裝置中的晶片的搬送路徑的說明圖。
[0040]圖12是第三實施方式的涂敷、顯影裝置的俯視圖。
[0041]圖13是構(gòu)成上述涂敷、顯影裝置的塊的概略縱剖側(cè)視圖。
[0042]圖14是第四實施方式的涂敷、顯影裝置的俯視圖。
[0043]圖15是構(gòu)成上述涂敷、顯影裝置的塊的概略縱剖側(cè)視圖。
[0044]圖16是表示上述中間塊的另一結(jié)構(gòu)的概略縱剖后視圖。
[0045]圖17是表示中間塊的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0046]附圖標記說明
[0047]Al載置塊
[0048]A2交接塊
[0049]A3處理塊
[0050]A4中間塊[0051 ]BI?B6單元塊
[0052]ITC保護膜形成模塊
[0053]NTD顯影模塊
[0054]SCPL溫度調(diào)整模塊
[0055]TRS交接模塊
[0056]W 晶片
[0057]1、7、71、72涂敷、顯影裝置
[0058]31上下共用搬送機構(gòu)
[0059]51下側(cè)搬送機構(gòu)
[0060]52上側(cè)搬送機構(gòu)[0061 ]57往復移送機構(gòu)
[0062]73背面清洗模塊。
【具體實施方式】
[0063](第一實施方式)
[0064]參照圖1?圖3對作為本發(fā)明的第一實施方式所涉及的基板處理裝置的涂敷、顯影裝置I進行說明。圖1、圖2、圖3分別是該涂敷、顯影裝置I的俯視圖、立體圖、概略縱剖側(cè)視圖。涂敷、顯影裝置I與例如進行浸液曝光的曝光裝置A6連接。利用涂敷、顯影裝置I和曝光裝置A6，在作為基板的晶片W的表面依次進行抗蝕劑膜的形成、抗蝕劑膜的曝光、抗蝕劑膜的顯影，構(gòu)成在抗蝕劑膜上形成抗蝕劑圖案的抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)。
[0065]涂敷、顯影裝置I依次在水平方向上直線狀配置有載置塊Al、交接塊A2、處理塊A3、中間塊A4和接口塊A5而構(gòu)成，作為端塊的接口塊A5在與中間塊A4相反一側(cè)連接有曝光裝置A6。關(guān)于塊Al?A5，相鄰配置的塊相互連接并且相互劃分。為了方便起見，在以后的說明中，將塊Al?A5的排列方向作為前后方向，將載置塊Al側(cè)作為前方側(cè)，將接口塊A5側(cè)作為后方側(cè)。
[0066]圖中11是在收納多塊晶片W的狀態(tài)下，從涂敷、顯影裝置I的外部對晶片W進行搬送的載置體。載置塊Al具有:載置體11的載置臺12;和用于在載置體11的內(nèi)部與載置塊Al的內(nèi)部之間搬送晶片W的搬送機構(gòu)13。搬送機構(gòu)13構(gòu)成為能夠在載置體11與后述塔Tl的交接模塊TRS之間進行晶片W的交接。此外，在各實施方式的涂敷、顯影裝置中，將載置晶片W的位置記載為模塊。
[0067]接著，對交接塊A2進行說明，在該交接塊A2的左右方向的中央部設(shè)置有模塊的塔Tl。塔Tl構(gòu)成為層疊有用于在該交接塊A2與載置塊Al或處理塊A3之間交接晶片W的多個交接模塊TRS和進行晶片W的溫度調(diào)整的多個溫度調(diào)整模塊SCPL。在該塔TI的交接模塊TRS中，關(guān)于利用搬送機構(gòu)13進行晶片W的交接的模塊，在圖3中表示為TRSO和TRS7。關(guān)于塔Tl中的其他交接模塊TRS和溫度調(diào)整模塊SCPL的配置，在后文中敘述。
[0068]在交接塊A2中，以左右夾住塔Tl的方式設(shè)置有搬送機構(gòu)14、15。從前方向后方看，塔Tl的右側(cè)的搬送機構(gòu)設(shè)為14，左側(cè)的搬送機構(gòu)設(shè)為15。為了能夠在構(gòu)成塔Tl的各模塊間搬送晶片W，使這些搬送機構(gòu)14、15構(gòu)成為自由升降。從前方向后方看，在搬送機構(gòu)14的右側(cè)設(shè)置有向晶片W的表面供給氣體、進行疏水化處理的疏水化處理模塊16，搬送機構(gòu)14構(gòu)成為在塔Tl的各模塊與疏水化處理模塊16之間也進行晶片W的交接。
[0069]接著，對處理塊A3進行說明。處理塊A3通過將相互劃分的扁平的單元塊B1、B2、B3、B4、B5、B6從下向上依次層疊而構(gòu)成。單元塊BI?B3是在利用曝光裝置A6進行曝光之前的晶片W上形成防反射膜和抗蝕劑膜的單元塊。單元塊B4?B6是對利用曝光裝置A6進行曝光之后的晶片W進行顯影處理的單元塊。
[0070]參照圖1對單元塊B6進行說明。圖中21是晶片W的搬送區(qū)域，以在單元塊B6左右的中央部前后延伸的方式形成。從前方向后方看，在搬送區(qū)域21的右側(cè)設(shè)置有多個加熱模塊22 ο多個加熱模塊22上下層疊，形成層疊體，在前后方向排列6個該層疊體。加熱模塊22具有載置晶片W的熱板，將所載置的晶片W加熱到規(guī)定的溫度。
[0071 ]另外，從前方向后方看，在搬送區(qū)域21的左側(cè)，在前后方向上配置2個顯影模塊DEV6。顯影模塊DEV6具有前后排列的2個杯體23，在各杯體23中收納晶片W的狀態(tài)下向該晶片W供給顯影液，并進行顯影處理。在搬送區(qū)域21中設(shè)置有晶片W的搬送機構(gòu)C6，分別在顯影模塊DEV6的各杯體23中、加熱模塊22中以及設(shè)置在塔TI和后述塔T2的模塊中的位于與單元塊B6對應的高度的模塊中，進行晶片W的交接。
[0072]單元塊B4、B5與單元塊B6同樣構(gòu)成。在圖3中，將設(shè)置于單元塊B4、B5中的顯影模塊分別表示為DEV4、DEV5，將設(shè)置于單元塊B4、B5中的搬送機構(gòu)分別表示為C4、C5。關(guān)于單元塊BI?B3，設(shè)置I個抗蝕劑膜形成模塊COT和I個防反射膜形成模塊BCT代替2個顯影模塊DEV?？刮g劑膜形成模塊COT和防反射膜形成模塊BCT與顯影模塊DEV大致同樣地構(gòu)成，向收納在杯體23中的晶片W，代替顯影液而供給抗蝕劑、防反射膜形成用的藥液，并進行涂敷。這樣，代替顯影模塊DEV而設(shè)置抗蝕劑膜形成模塊COT和防反射膜形成模塊BCT，除此以外，單元塊BI?B3與單元塊B4?B6同樣構(gòu)成。
[0073]在圖3中，將設(shè)置于單元塊BI?B3中的抗蝕劑膜形成模塊表示為COTl?C0T3，將設(shè)置于單元塊BI?B3中的防反射膜形成模塊表示為BCTl?BCT3。另外，將設(shè)置于單元塊BI?B3的搬送機構(gòu)表示為Cl?C3。搬送機構(gòu)Cl?C6構(gòu)成第三基板搬送機構(gòu)。在該第一實施方式中，在顯影模塊DEV4?DEV6中，向晶片W供給用于進行除去抗蝕劑膜中被曝光的區(qū)域的顯影(以下記為正型顯影)的顯影液。
[0074]此處，對上述交接塊A2的塔Tl中的模塊配置進行補充說明，在能夠利用搬送機構(gòu)Cl?C6進行晶片W的交接的各個高度設(shè)置有交接模塊TRS和溫度調(diào)整模塊SCPL。在圖3中，將能夠利用搬送機構(gòu)Cl?C6交接晶片W的交接模塊TRS表示為TRSl?TRS6，將能夠利用搬送機構(gòu)Cl?C6交接晶片W的溫度調(diào)整模塊SCPL表示為SCPLl?SCPL6。
[0075]接著，也參照作為立體圖的圖4和作為從后方向前方看的概略縱剖后視圖的圖5對中間塊A4進行說明。在中間塊A4的左右的中央部的前側(cè)設(shè)置有構(gòu)成交接部的模塊的塔T2，該塔T2通過將多個交接模塊TRS和溫度調(diào)整模塊SCPL上下層疊而構(gòu)成。
[0076]關(guān)于該塔T2的交接模塊TRS，設(shè)置成與上述單元塊BI?B6對應的各高度，并將利用上述搬送機構(gòu)Cl?C6分別進行晶片W的交接的模塊(第一載置模塊)表示為TRSll?TRS16。另外，在塔T2的下部側(cè)、上部側(cè)，以能夠利用后述下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42進行晶片W的交接的方式，分別設(shè)置有交接模塊TRS17、TRS18。另外，在塔T2的高度中央部設(shè)置有相對后述的往復移送機構(gòu)57進行晶片W的交接的作為第二載置模塊的交接模塊TRS10。另外，關(guān)于溫度調(diào)整模塊SCPL，在塔T2的下部側(cè)、上部側(cè)設(shè)置有分別能夠利用下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42進行晶片W的交接的SCPLll、SCPL12。
[0077]對上述交接模塊TRSll?TRS18的結(jié)構(gòu)進行說明。這些交接模塊TRSll?TRS18分別具有水平板和從該水平板向上方突出的用于支承晶片W的背面中心部的3根銷，通過處理塊A3的搬送機構(gòu)Cl?C6、后述下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42、上下間搬送機構(gòu)31的升降動作，能夠向該銷的前端交接晶片W。此外，為了在各搬送機構(gòu)之間交接晶片，除了上述塔Tl中的各交接模塊TRS和后述塔T3中的TRS20以外的各交接模塊TRS也與例如交接模塊TRS11?TRS18同樣構(gòu)成。關(guān)于交接模塊TRS10，具有通過升降機構(gòu)能夠自由升降的用于支承晶片W的背面中心部的3個升降銷，并構(gòu)成為在后述的往復移送機構(gòu)57與該升降銷之間能夠進行晶片W的交接。
[0078]溫度調(diào)整模塊SCPLll、SCPL12具有大致圓形的板，在該板上載置晶片W。在板的周緣部形成切口，后述的下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42的支承體46的爪部通過該切口，由此能夠在支承體46與板之間進行晶片W的交接。在該板的背面設(shè)置有冷卻水的流路，調(diào)節(jié)載置于板的晶片W的溫度。此外，上述塔TI的溫度調(diào)整模塊SCPL也與該溫度調(diào)整模塊SCPL11、SCPL12同樣構(gòu)成。
[0079]以從左右夾住塔T2的方式，設(shè)置上下間搬送機構(gòu)31和清潔氣體供給部36。作為載置模塊間搬送機構(gòu)的上下間搬送機構(gòu)31與下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42—起構(gòu)成第一基板搬送機構(gòu)。也參照圖6對上下間搬送機構(gòu)31進行說明。圖6的上部、下部分別表示上下間搬送機構(gòu)31的側(cè)表面、上表面。上下間搬送機構(gòu)31具有:立起的縱長的框架形狀的導軌32;沿導軌32的長度方向垂直升降的升降臺33;和在升降臺33上自由進退地構(gòu)成的、并支承晶片W的背面的支承體34。以相對塔T2的各交接模塊TRS能夠進行晶片W的交接的方式，使支承體34形成為俯視時大致為U字狀，不與晶片W的背面中心部重疊地支承晶片W。在上述導軌32上，沿其長度方向成狹縫狀的排氣口 35朝向該導軌32的內(nèi)側(cè)開口。
[0080]清潔氣體供給部36具有過濾器，以能夠?qū)⒗迷撨^濾器清潔后的氣體向塔T2供給、且從該塔T2的上端部遍及到下端部供給的方式縱長地構(gòu)成。在利用涂敷、顯影裝置I進行的晶片W的搬送中，相互并行地進行清潔氣體供給部36的清潔氣體的供給和從排氣口35的排氣。因此，以通過塔T2的各模塊間、并且通過在圖6的上部用虛線的箭頭表示的上下間搬送機構(gòu)31的升降臺33的升降區(qū)域的方式，形成橫向流動的氣流。在圖6的上部和下部，用實線的箭頭表示該氣流。即使從上下間搬送機構(gòu)31中產(chǎn)生顆粒，或者從塔T2的周圍產(chǎn)生顆粒，隨著上述氣流也可以除去這些顆粒，并且能夠抑制其附著在晶片W上。
[0081]返回圖4、圖5，在中間塊A4的左右的中央部的后方側(cè)以相互上下重疊的方式設(shè)置有下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42。下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42相互相同地構(gòu)成，對有代表性的下側(cè)搬送機構(gòu)41進行說明，下側(cè)搬送機構(gòu)41具有:立起的縱長的框架形狀的導軌43;沿導軌43的長度方向垂直升降的升降臺44;在升降臺44上繞著鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)臺45;和在旋轉(zhuǎn)臺45上設(shè)置的晶片W的支承體46、46。
[0082]2個支承體46、46以其中一者能夠從模塊接受晶片W、另一者能夠向該模塊搬送晶片W的方式，相互獨立且進退自由地構(gòu)成。另外，支承體46以相對塔T2的各溫度調(diào)整模塊SCPL能夠進行晶片W的交接的方式，形成為與該溫度調(diào)整模塊SCPL的板的形狀相對應的結(jié)構(gòu)。具體而言，其由以下兩個部件構(gòu)成:以從基端部起前端部分出2個叉且沿水平延伸同時包圍晶片W的側(cè)方周圍的方式形成的框架;和以與溫度調(diào)整模塊SCPL的板的切口對應的方式，向框架的內(nèi)側(cè)突出、支承晶片W的背面周緣部的爪部。
[0083]從前方向后方看，在下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42的右側(cè)，相互層疊地設(shè)置有周緣曝光模塊51A、51B、加熱模塊52A?52H和排氣單元53A、53B，從下方向上方按照53A、52A、52B、52C、52D、51A、53B、52E、52F、52G、52H、51B 的順序設(shè)置。為了除去各個晶片 W 的周緣部的不需要的抗蝕劑膜，周緣曝光模塊51A、51B對該周緣部進行曝光。為了檢查曝光之前的晶片W的表面狀態(tài)，該周緣曝光模塊51A、51B也可以構(gòu)成為能夠利用照相機進行拍照。加熱模塊52A?52H與處理塊A3的加熱模塊22同樣，具有對載置的晶片W進行加熱的熱板。
[0084]從前方向后方看，在下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42的左側(cè)，層疊地設(shè)置有保護膜形成模塊ITCl?ITC6。由該保護膜形成模塊ITCl?ITC6構(gòu)成的層疊體，以與由周緣曝光模塊51A、51B、加熱模塊52A?52H和排氣單元53A、53B構(gòu)成的層疊體一起從左右夾住下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42的方式設(shè)置。保護膜形成模塊ITCl?ITC6分別具有I個杯體23。然后，向收納在該杯體23中的晶片W供給保護膜形成用的藥液，形成在利用曝光裝置A6進行液浸曝光時用于保護抗蝕劑膜的保護膜。在6個保護膜形成模塊中，將設(shè)置在下側(cè)的3個表示為ITCl?ITC3，將設(shè)置在上側(cè)的3個表示為ITC4?ITC6。
[0085]上述保護膜形成模塊ITCl?ITC3、周緣曝光模塊51A、加熱模塊52A?52D和溫度調(diào)整模塊SCPLll設(shè)置成能夠利用下側(cè)搬送機構(gòu)41進行晶片W的交接的高度。然后，保護膜形成模塊ITC4?ITC6、周緣曝光模塊51B、加熱模塊52E?52H和溫度調(diào)整模塊SCPL12設(shè)置成能夠利用上側(cè)搬送機構(gòu)42進行晶片W的交接的高度。另外，下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42也向設(shè)置于接口塊A5的后述塔T3所設(shè)置的交接模塊TRS進行晶片W的交接。
[0086]對下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42與各模塊的晶片W的交接進行補充說明，在保護膜形成模塊ITCl?ITC6的杯體23和周緣曝光模塊51A、51B中設(shè)置有未圖示的升降銷，通過該升降銷，在這些模塊與下側(cè)搬送機構(gòu)41或上側(cè)搬送機構(gòu)42之間進行晶片W的交接。另夕卜，在加熱模塊52A?52H中設(shè)置有與上述溫度調(diào)整模塊SCPL的板相同地形成的晶片W的溫度調(diào)整用板、使該板在熱板的外側(cè)和熱板的上方之間移動的移動機構(gòu)、和用于在熱板與在該熱板上移動的板之間交接晶片W的升降銷。相對該加熱模塊52A?52H的板，在該板位于熱板的外側(cè)的狀態(tài)下，通過升降下側(cè)搬送機構(gòu)41或上側(cè)搬送機構(gòu)42的支承體46來進行晶片W的交接。
[0087]在各圖中，將在保護膜形成模塊ITCl?ITC3與周緣曝光模塊51A和加熱模塊52A?52D之間的下側(cè)搬送機構(gòu)41的晶片W的搬送區(qū)域表示為41A，將在保護膜形成模塊ITC4?ITC6與周緣曝光模塊51B和加熱模塊52E?52H之間的上側(cè)搬送機構(gòu)42的晶片W的搬送區(qū)域表示為42A。上述排氣單元53A、53B具有各自的排氣口 54，排氣單元53A的排氣口 54、排氣單元53B的排氣口 54分別向搬送區(qū)域41A、42A開口。
[0088]在上述搬送區(qū)域41A、42A之間以相互劃分這些搬送區(qū)域41A、42A的方式設(shè)置有清潔氣體供給部41B，在搬送區(qū)域42A的上方設(shè)置有清潔氣體供給部42B。清潔氣體供給部41B、42B構(gòu)成為在內(nèi)部具有清潔氣體的流路的水平的厚板形狀，供給該流路的清潔氣體從在清潔氣體供給部41B、42B的下面分散設(shè)置的多個孔向下方供給。在利用涂敷、顯影裝置I的晶片W的搬送中，進行從該清潔氣體供給部41B、42B的清潔氣體的供給和從上述排氣單元53A、53B的排氣口54的排氣。因此，如圖5中的箭頭所示，在搬送區(qū)域41A、42A中，以分別從上方向下方、并從該搬送區(qū)域41A、42A的下端部沿橫向流動進行排氣的方式，形成下降氣流。由于該下降氣流，即使在保護膜形成模塊ITCl?ITC6中產(chǎn)生的藥液的薄霧成為顆粒并在搬送區(qū)域41A、42A中流動，或者顆粒從下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42飛散到搬送區(qū)域41A、42A中，都能夠從搬送區(qū)域41A、42A中排除顆粒，并且能夠抑制其附著在晶片W上。
[0089]在清潔氣體供給部41B的上方且在搬送區(qū)域42A的下方設(shè)置有作為第二基板搬送機構(gòu)的往復移送機構(gòu)57。往復移送機構(gòu)57具有:在前后方向上延伸的導軌57A;沿導軌57A在前后自由地水平移動并且在前后形成為長條的滑塊57B;和載置晶片W、并且沿滑塊57B的長度方向在該滑塊57B的一端上與另一端上之間自由移動地構(gòu)成的往復移送機構(gòu)主體57C。往復移送機構(gòu)主體57C在上述塔T2的交接模塊TRS1上與設(shè)置于接口塊A5的塔T3的交接模塊TRS20上之間進行搬送。交接模塊TRS20與上述交接模塊TRSlO同樣地構(gòu)成，并具有升降銷。交接模塊TRS10、TRS20的各升降銷配置成對在該交接模塊TRS10、TRS20上移動的往復移送機構(gòu)主體57C不產(chǎn)生干擾地進行升降，并在與該往復移送機構(gòu)主體57C之間進行晶片W的交接。
[0090]往復移送機構(gòu)57的晶片W的搬送區(qū)域58形成為與下側(cè)搬送機構(gòu)41的晶片W的搬送區(qū)域41A和上側(cè)搬送機構(gòu)42的晶片W的搬送區(qū)域42A重疊，并且被這些搬送區(qū)域41A、42A從上方和下方夾住。如圖5所示，在清潔氣體供給部41B的上方設(shè)置有隔板58A，通過該隔板58A和清潔氣體供給部41B，將搬送區(qū)域58從搬送區(qū)域41A和搬送區(qū)域42A劃分出來。此外，在圖5以外的圖中，省略了隔板58A的圖示。
[0091 ]接著，參照圖1、圖3對接口塊A5進行說明。接口塊A5在左右的中央部具有塔T3。該塔T3包括多個層疊而成的交接模塊TRS，就該TRS而言，其包括:利用上述往復移送機構(gòu)57進行晶片W的交接的TRS20;利用下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42分別進行晶片W的交接的TRS21、TRS22和TRS23、TRS24。
[0092]在接口塊A5設(shè)置有搬送機構(gòu)61?63、在曝光之前清洗晶片的背面的背面清洗模塊64和在曝光之后清洗晶片W的表面的表面清洗模塊65。背面清洗模塊64向晶片W的背面供給清洗液，并且利用清潔刷對晶片W進行擦洗。表面清洗模塊65向晶片W的表面供給清洗液并進行清洗。搬送機構(gòu)61構(gòu)成為能夠在塔T3的交接模塊TRS21、TRS22與曝光裝置A6之間搬送晶片Wο搬送機構(gòu)62、63以能夠在構(gòu)成塔T3的各交接模塊TRS之間搬送晶片W的方式自由升降地構(gòu)成，搬送機構(gòu)62能夠向背面清洗模塊64交接晶片W，搬送機構(gòu)63能夠向表面清洗模塊65交接晶片W。
[0093]如圖1所示，在涂敷、顯影裝置I中設(shè)置有控制部100?？刂撇?00例如由計算機構(gòu)成，具有未圖示的程序存儲部。在該程序存儲部中，為了進行后述晶片W的搬送和各模塊中的晶片W的處理，存儲有組合有命令(步驟組)的程序。這樣，以利用各搬送機構(gòu)進行晶片W的搬送、在各處理模塊中進行晶片W的處理的方式，通過存儲的該程序，從控制部100向涂敷、顯影裝置I的各部分輸出控制信號。該程序以被存儲在例如硬盤、光盤、磁光盤或存儲卡等存儲介質(zhì)中的狀態(tài)被存儲在程序存儲部中。
[0094]在上述涂敷、顯影裝置I中，利用各搬送機構(gòu)相互并行地進行晶片W的搬送，也相互并行地進行各模塊中的晶片W的處理。接著，參照圖3和圖7對上述涂敷、顯影裝置I中的晶片W的搬送路徑和處理步驟進行說明。圖7順序地表示搬送晶片W的模塊，并且對應該模塊表示向各模塊交接晶片W的搬送機構(gòu)。在圖3中，用實線的箭頭表示相對一部分交接模塊TRS的晶片W的搬送方向。
[0095]利用載置塊Al的搬送機構(gòu)13從載置體11搬出的晶片W被搬送到塔Tl的交接模塊TRS0，利用交接塊A2的搬送機構(gòu)14搬送到疏水化處理模塊16，進行疏水化處理后，利用搬送機構(gòu)14搬送到交接模塊TRSl、TRS2、TRS3中的任一者。即，以被搬入單元塊B1、B2、B3中的任一者的方式對晶片W進行分配。
[0096]被搬送到交接模塊TRSl的晶片W，被搬送機構(gòu)Cl按照塔Tl的溫度調(diào)整模塊SCPL1—防反射膜形成模塊BCT1—加熱模塊22—溫度調(diào)整模塊SCPL1—抗蝕劑膜形成模塊C0T1—加熱模塊22的順序搬送。由此，在晶片W的表面形成防反射膜后，以覆蓋防反射膜的方式形成抗蝕劑膜。然后，利用搬送機構(gòu)Cl交接到中間塊A4中的塔T2的交接模塊TRSl I。
[0097]被搬送到交接模塊TRS2、TRS3的晶片W，除了利用搬送機構(gòu)C2、C3分別進行搬送，以及被搬送到與單元塊B2、B3的高度對應的模塊以外，與被搬送到交接模塊TRSl的晶片W同樣地被搬送并進行處理。具體地對搬送路徑進行說明，關(guān)于被搬送到交接模塊TRS2的晶片W，按照溫度調(diào)整模塊SCPL2—防反射膜形成模塊BCT2—加熱模塊22—溫度調(diào)整模塊SCPL2—抗蝕劑膜形成模塊⑶T2—加熱模塊22—塔T2的交接模塊TRS12的順序被搬送，關(guān)于被搬送到交接模塊TRS3的晶片W，按照溫度調(diào)整模塊SCPL3—防反射膜形成模塊BCT3—加熱模塊22—溫度調(diào)整模塊SCPL3—抗蝕劑膜形成模塊⑶Τ3—加熱模塊22—交接模塊TRS13的順序被搬送。
[0098]被搬送到塔Τ2的交接模塊TRS11?TRS13的晶片W，利用中間塊Α4的上下間搬送機構(gòu)31，以被分配給交接模塊TRS17或TRS18的方式被搬送。然后，被搬送到交接模塊TRS17的晶片W，被下側(cè)搬送機構(gòu)41按照溫度調(diào)整模塊SCPL11—保護膜形成模塊ITCl?ITC3中的任一者—加熱模塊52Α?52D中的任一者—周緣曝光模塊51Α的順序搬送。由此，在抗蝕劑膜的上層形成保護膜，另外隔著保護膜對抗蝕劑膜的周緣部進行曝光。然后，利用下側(cè)搬送機構(gòu)41，將晶片W搬送到接口 ±夬々5的塔Τ3的交接模塊TRS21。
[0099]關(guān)于被搬送到交接模塊TRS18的晶片W，除了利用上側(cè)搬送機構(gòu)42進行搬送、以及被搬送到與該上側(cè)搬送機構(gòu)42的高度對應的模塊以外，與被搬送到交接模塊TRS17的晶片W同樣地被搬送并進行處理。具體地對搬送路徑進行說明，按照交接模塊TRS18—溫度調(diào)整模塊SCPL12—保護膜形成模塊ITC4?ITC6中的任一者—加熱模塊52Ε?52Η中的任一者—周緣曝光模塊51Β—塔Τ3的交接模塊TRS22的順序進行搬送。
[0100]關(guān)于被搬送到交接模塊TRS21、TRS22的晶片W，被搬送機構(gòu)62搬送到背面清洗模塊64，進行背面清洗后，被搬送到交接模塊TRS23，利用搬送機構(gòu)61被搬送到曝光裝置A6進行曝光，然后，利用搬送機構(gòu)61被搬送到交接模塊TRS24。之后，被搬送機構(gòu)63搬送到表面清洗模塊65，進行表面清洗后，被搬送到塔T3的交接模塊TRS20，利用往復移送機構(gòu)57直接被搬送到塔T2的交接模塊TRS10。即，以繞過相對作為中間塊A4的處理模塊的保護膜形成模塊ITCl?6、加熱模塊52A?H、周緣曝光模塊51A、51B的方式被搬送。
[0101]之后，利用上下間搬送機構(gòu)31，將晶片W從交接模塊TRS1搬送到交接模塊TRS14、TRS15、TRS16中的任一者。即，以搬入單元塊B4、B5、B6中的任一者的方式對晶片W進行分配。利用搬送機構(gòu)C4，將被搬送到交接模塊TRS14的晶片W按照加熱模塊22—塔Tl的溫度調(diào)整模塊SCPL4—顯影模塊DEV4的順序進行搬送。由此晶片W在曝光之后依次接受加熱處理、顯影處理，并在抗蝕劑膜上形成抗蝕劑圖案。然后，利用搬送機構(gòu)C4，將晶片W搬送到加熱模塊22，在顯影之后接受加熱處理，之后將其搬送到交接塊A2中的塔Tl的交接模塊TRS4。
[0102]關(guān)于搬送到交接模塊TRS15、TRSl6的晶片W，除了利用搬送機構(gòu)C5、C6分別進行搬送、以及被搬送到與單元塊B5、B6的高度對應的模塊以外，與被搬送到交接模塊TRS14的晶片W同樣地被搬送并進行處理。具體地對搬送路徑進行說明，關(guān)于被搬送到交接模塊TRS15的晶片W，按照加熱模塊22—溫度調(diào)整模塊SCPL5—顯影模塊DEV5—加熱模塊22—塔Tl的交接模塊TRS5的順序被搬送。關(guān)于被搬送到交接模塊TRS16的晶片W，按照加熱模塊22—溫度調(diào)整模塊SCPL6—顯影模塊DEV6—加熱模塊22—塔Tl的交接模塊TRS6的順序被搬送。被搬送到交接模塊TRS4?TRS6的晶片W利用交接塊A2的搬送機構(gòu)15被搬送到塔TI的交接模塊TRS7，利用載置塊Al的搬送機構(gòu)13返回到載置體11。
[0103]根據(jù)該涂敷、顯影裝置I，設(shè)置了對在處理塊A3中形成抗蝕劑膜的曝光之前的晶片W進行各種處理的中間塊A4，在該中間塊A4中，設(shè)置了:由多個保護膜形成模塊ITCl?6構(gòu)成的處理模塊的層疊體；由多個加熱模塊52A?H和多個周緣曝光模塊51A、51B構(gòu)成的處理模塊的層疊體;為了從處理塊A3向中間塊A4交接晶片W而層疊交接模塊TRS而成的塔T2;從塔T2的交接模塊TRS向形成上述各層疊體的模塊搬送晶片W，并在該模塊中將處理結(jié)束的晶片W搬送到接口塊Α5的上下間搬送機構(gòu)31、下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42;和為了對曝光結(jié)束的晶片W進行顯影，直接將晶片W從接口塊Α5的交接模塊TRS20搬送到塔Τ2的交接模塊TRSlO的往復移送機構(gòu)57。通過如上所述那樣地形成處理模塊的層疊體，能夠?qū)崿F(xiàn)在中間塊Α4中設(shè)置的保護膜形成模塊ITCl?6、加熱模塊52Α?H、周緣曝光模塊51Α、51Β各自的個數(shù)的增加，而且能夠抑制中間塊Α4進而能夠抑制涂敷、顯影裝置I的占地面積的上升。然后，通過設(shè)置往復移送機構(gòu)57，能夠快速地使曝光結(jié)束的晶片W返回到處理塊A3，不需要為了使曝光結(jié)束的晶片W返回到處理塊A3而運作向上述各處理模塊的層疊體交接晶片W的下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42，就能夠抑制這些下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42的負擔。結(jié)果是能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的生產(chǎn)量的上升。
[0104]另外，關(guān)于保護膜形成模塊ITCl?ITC6的層疊體、加熱模塊52Α?52Η、周緣曝光模塊51Α、51Β的層疊體和塔Τ2的溫度調(diào)整模塊SCPL11、12，就配置在下側(cè)的模塊而言由下側(cè)搬送機構(gòu)41交接晶片W，就配置在上側(cè)的模塊而言由上側(cè)搬送機構(gòu)42交接晶片W。關(guān)于這樣相互層疊而成的同種的多個模塊，通過以相互不同的搬送機構(gòu)41、42進行晶片W的交接的方式進行分擔，能夠可靠地減少各搬送機構(gòu)41、42的負擔，能夠更加可靠地實現(xiàn)生產(chǎn)量的上升。上述同種的模塊是指，從載置體11搬送晶片W的順序相同，并且相互對晶片W進行相同的處理的模塊。
[0105]另外，下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42以上下重疊的方式配置，因此，通過設(shè)置這些下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42，能夠抑制中間塊A4的占地面積的上升。另外，利用往復移送機構(gòu)57的晶片W的搬送區(qū)域58以與下側(cè)搬送機構(gòu)41的晶片W的搬送區(qū)域41A和上側(cè)搬送機構(gòu)42的晶片W的搬送區(qū)域42A重疊的方式設(shè)置。因此，能夠更加可靠地減少中間塊A4的占地面積。
[0106](第二實施方式)
[0107]接著，關(guān)于第二實施方式所涉及的涂敷、顯影裝置7，以與涂敷、顯影裝置I的不同點為中心進行說明。圖8、圖9分別是涂敷、顯影裝置7的俯視圖、概略縱剖側(cè)視圖。另外，圖10是涂敷、顯影裝置7的中間塊A4的概略縱剖后視圖。在該涂敷、顯影裝置7的中間塊A4中，設(shè)置了顯影模塊NTDl?NTD6代替保護膜形成模塊ITCl?ITC6。
[0108]作為與保護膜形成模塊ITCl?6的不同點，顯影模塊NTDl?NTD6代替保護膜形成用的藥液向晶片W供給用于進行除去抗蝕劑膜中沒有曝光的區(qū)域的顯影(以下記為負型顯影)的顯影液。在涂敷、顯影裝置7中，在形成抗蝕劑膜后，進行正型顯影時，將該晶片W搬送到顯影模塊DEV4?DEV6并進行顯影處理，在進行負型顯影時，將該晶片W搬送到顯影模塊NTDl?NTD6并進行顯影處理。
[0109]與涂敷、顯影裝置I同樣地，在涂敷、顯影裝置7中，在中間塊A4中，層疊設(shè)置加熱模塊52A?52H。但是，關(guān)于涂敷、顯影裝置7中的加熱模塊52A?52H，其作用與涂敷、顯影裝置I的加熱模塊52A?52H不同，對曝光之后的晶片W進行加熱。另外，在該第二實施方式中的中間塊A4中，沒有設(shè)置周緣曝光模塊51A、51B。例如周緣曝光模塊也可以層疊設(shè)置在單元塊BI?B3的加熱模塊22中，在涂敷抗蝕劑后，在各單元塊BI?B3中對晶片W進行周緣曝光處理。
[0110]在涂敷、顯影裝置7中，關(guān)于向晶片W供給抗蝕劑并進行負型顯影時的晶片W的搬送路徑，參照圖11，以與第一實施方式的涂敷、顯影裝置I中的晶片W的搬送路徑的不同點為中心進行說明。關(guān)于從載置體11搬送的晶片W，與第一實施方式同樣地，被分配給單元塊BI?B3，在形成防反射膜和抗蝕劑膜后，被搬送到中間±夬六4中的塔T2的交接模塊TRS11?TRS13。之后，晶片W按照上下間搬送機構(gòu)31—交接模塊TRS10—往復移送機構(gòu)57—接口塊A5的交接模塊TRS20的順序被搬送，并從交接模塊TRS20交接給搬送機構(gòu)62。之后，與第一實施方式同樣地，在接口塊A5內(nèi)以及接口塊A5與曝光裝置A6之間，對晶片W進行交接，并依次接受背面清洗處理、曝光處理、表面清洗處理。
[0111]利用搬送機構(gòu)63，將從表面清洗模塊65搬出的晶片W分配并搬送到交接模塊TRS21、TRS22。關(guān)于搬送到交接模塊TRS21的晶片W，利用下側(cè)搬送機構(gòu)41，按照加熱模塊52A?52D中的任一者—塔T2的溫度調(diào)整模塊SCPLl I—顯影模塊NTDl?NTD3中的任一者的順序進行交接，依次接受曝光后加熱處理、顯影處理之后，被交接給交接模塊TRSl 7。
[0112]關(guān)于搬送到交接模塊TRS22的晶片W，除了利用上側(cè)搬送機構(gòu)42進行搬送、以及被搬送到與上側(cè)搬送機構(gòu)42的高度對應的模塊以外，與被搬送到交接模塊TRS21的晶片W同樣地被搬送并進行處理。具體地對搬送路徑進行說明，該晶片W按照加熱模塊52E?52H中的任一者—溫度調(diào)整模塊SCPL12—顯影模塊NTD4?NTD6中的任一者—交接模塊TRS18的順序被搬送。
[0113]關(guān)于被搬送到交接模塊TRS17、TRS18的晶片W，利用上下間搬送機構(gòu)31，以向交接模塊TRS14、TRS15、TRS16中的任一者交接的方式進行搬送。即，以分配給單元塊B4、B5、B6中的任一者的方式對晶片W進行搬送。關(guān)于被搬送到交接模塊TRS14的晶片W，被搬送機構(gòu)C4搬送到加熱模塊22，接受顯影后加熱處理后，按照溫度調(diào)整模塊SCPL4—交接模塊TRS4的順序進行搬送。
[0114]關(guān)于被搬送到交接模塊TRS15、TRSl6的晶片W，除了分別利用搬送機構(gòu)C5、C6進行搬送、以及搬送到與單元塊B5、B6的高度對應的模塊以外，與搬送到交接模塊TRS14的晶片W同樣地被搬送，依次接受加熱處理、溫度調(diào)整處理，分別交接給交接模塊TRS5、TRS6。然后，利用搬送機構(gòu)15，將被搬送到交接模塊TRS4?TRS6的晶片W搬送到交接模塊TRS7，利用搬送機構(gòu)13返回到載置體11。
[0115]針對在該涂敷、顯影裝置7中、向晶片W供給抗蝕劑進行正型顯影時的晶片W的搬送路徑和處理步驟進行說明。與進行負型顯影時同樣地，按照載置塊Al—交接塊A2—處理塊A3的單元塊BI?B3—中間塊A4的往復移送機構(gòu)57—接口塊A5—曝光裝置A6—接口塊A5的順序，對晶片W進行搬送并依次接受處理。
[0116]之后，晶片W被搬送到中間塊A4，在加熱模塊52A?52H中接受曝光之后的加熱處理后，利用下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42和上下間搬送機構(gòu)31被搬送到交接模塊TRS14?TRS16中的任一者，再被分配給單元塊B4?B6。之后，與第一實施方式同樣地，將晶片W在各單元塊B4?B6內(nèi)進行搬送，在顯影模塊DEV4?DEV6中接受顯影處理后，返回到載置體11。關(guān)于該涂敷、顯影裝置7，也能夠得到與涂敷、顯影裝置I同樣的效果。
[0117](第三實施方式)
[0118]關(guān)于第三實施方式的涂敷、顯影裝置71，參照圖12的俯視圖，以與第一實施方式的涂敷、顯影裝置I的不同點為中心進行說明。在該涂敷、顯影裝置71中，在處理塊A3與接口塊A5之間，從前方向后方設(shè)置中間塊A41、A42、A43。中間塊A41、A42、A43、接口塊A5相互相鄰設(shè)置，并且相互劃分。與涂敷、顯影裝置I中的中間塊A4同樣地形成中間塊A41、A42、A43。
[0119]圖13是中間塊A41、A42、A43的概略縱剖側(cè)視圖。在中間塊A41、A42、A43中，將相當于塔12的各塔表示為121322323。另外，將設(shè)置于塔122323的下部側(cè)、如后所述用于從前方側(cè)的塊搬入晶片W的交接模塊表示為TRS19。在該涂敷、顯影裝置71中，晶片W在中間塊A41、A42、A43中的任一者中，依次接受通過溫度調(diào)整模塊SCPL、保護膜形成模塊ITCl?ITC6、加熱模塊52A?52H和周緣曝光模塊51A、51B的處理。
[0120]在表示涂敷、顯影裝置71中的具體搬送的一個例子時，將在單元塊BI?B3中搬送并形成抗蝕劑膜的晶片W交接給中間±夬六41的塔T21的交接模塊TRS11?TRS13。在中間±夬八41中接受上述各種處理時，將該晶片W按照交接模塊TRS11?TRS13—中間塊A41的上下間搬送機構(gòu)31—塔T21的交接模塊TRS17、TRS18的順序進行搬送，并交接給中間塊A41的下側(cè)搬送機構(gòu)41或上側(cè)搬送機構(gòu)42，在該中間塊A41中，與第一實施方式同樣地，在各模塊之間進行搬送并進行處理。之后，將利用下側(cè)搬送機構(gòu)41搬送到中間塊A41的晶片W，通過例如中間塊A42、A43的下側(cè)搬送機構(gòu)41和塔T22、T23的交接模塊TRS17搬送到接口塊A5的塔T3的交接模塊TRS21，將利用上側(cè)搬送機構(gòu)42搬送到中間塊Α41的晶片W，通過中間塊Α42、Α43的上側(cè)搬送機構(gòu)42和塔Τ22、Τ23的交接模塊TRS18搬送到塔Τ3的交接模塊TRS22。
[0121]關(guān)于交接到塔Τ21的交接模塊TRS11?TRS13的晶片W，在中間塊Α42中接受處理的情況下，例如將該晶片W交接給中間塊Α41的下偵隨送機構(gòu)41—塔Τ22的交接模塊TRS19—中間塊Α42的上下間搬送機構(gòu)31—塔Τ22的交接模塊TRS17、TRS18，利用中間塊Α42的下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42，在該中間塊A42內(nèi)進行搬送并進行處理。之后，與在中間塊A41中進行處理的晶片W同樣地，通過塔T23的各交接模塊TRSl 7、TRS18和中間塊A43的下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42，被搬送到塔T3的交接模塊TRS21、TRS22。交接給塔T21的交接模塊TRS11?TRS13的晶片W，在中間塊A43中接受處理的情況下，將該晶片W交接給中間塊A41的下側(cè)搬送機構(gòu)41—塔T22的交接模塊TRS19—中間塊A42的下側(cè)搬送機構(gòu)41—塔T23的交接模塊TRS19—中間塊A43的上下間搬送機構(gòu)31—塔T23的交接模塊TRS17、TRS18，利用中間塊A43的下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42，在該中間塊A43中進行搬送并進行處理后，交接給塔T3的交接模塊TRS21、TRS22。
[0122]然后，關(guān)于被搬送到塔T3的交接模塊TRS20的曝光結(jié)束的晶片W，按照中間塊A43的往復移送機構(gòu)57—塔T23的交接模塊TRS10—中間塊A42的往復移送機構(gòu)57—塔T22的交接模塊TRSI O—中間塊A41的往復移送機構(gòu)57—塔T21的交接模塊TRS1的順序進行搬送，之后，與第一實施方式同樣地被搬送到單元塊B4?B6并進行顯影處理。
[0123]像該涂敷、顯影裝置71那樣可以設(shè)置多個中間塊A4，因此，能夠抑制裝置的占地面積的增大，而且能夠?qū)崿F(xiàn)模塊數(shù)量的進一步增加。關(guān)于第二實施方式的涂敷、顯影裝置7，也可以像該涂敷、顯影裝置71那樣設(shè)置多個中間塊。
[0124](第四實施方式)
[0125]關(guān)于第四實施方式的涂敷、顯影裝置72，參照圖14的俯視圖，以與涂敷、顯影裝置I的不同點為中心進行說明。關(guān)于該涂敷、顯影裝置72，中間塊A4的配置與涂敷、顯影裝置I不同，中間塊A4設(shè)置在交接塊A2與處理塊A3之間。另外，在中間塊A4中，代替保護膜形成模塊ITCl?6，層疊設(shè)置有與背面清洗模塊64同樣構(gòu)成的多個背面清洗模塊73，進行了顯影處理的晶片W在返回到載置體11之前，被搬送到該背面清洗模塊73進行清洗。
[0126]在涂敷、顯影裝置72的中間塊A4中，沒有設(shè)置加熱模塊52A?52H和周緣曝光模塊5IA、5IB。另外，下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42以向構(gòu)成交接塊A2的塔TI的模塊交接晶片W的方式，配置在中間塊A4內(nèi)的前方側(cè)。而且，塔T2和上下間搬送機構(gòu)31配置在中間塊A4內(nèi)的后方側(cè)，在構(gòu)成塔T2的各模塊中，利用各單元塊BI?B6的搬送機構(gòu)Cl?C6交接晶片W。
[0127]在圖15中表示了塔Tl和塔T2中的模塊配置的一個例子。在涂敷、顯影裝置72中，與涂敷、顯影裝置I的塔Tl中的各單元塊BI?B6對應地設(shè)置的交接模塊TRSl?TRS6和溫度調(diào)整模塊SCPLl?SCPL6設(shè)置在塔T2中。另外，在塔T2中，設(shè)置分別利用下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42進行晶片W的交接的交接模塊TRS31、TRS32。
[0128]在涂敷、顯影裝置72的塔Tl中，除了設(shè)置與涂敷、顯影裝置I同樣地利用載置塊Al的搬送機構(gòu)13進行晶片W的交接的交接模塊TRS0、TRS7以外，還分別設(shè)置分別利用下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42進行晶片W的交接的交接模塊TRS41、TRS42。省略了對接口塊A5的塔T3的圖示，在與各單元塊BI?B6對應的高度設(shè)置有交接模塊TRS，構(gòu)成為在接口 ±夬々5的搬送機構(gòu)62、63與單元塊BI?B6的各搬送機構(gòu)Cl?C6之間進行晶片W的交接。
[0129]關(guān)于涂敷、顯影裝置72的晶片W的搬送路徑，以與涂敷、顯影裝置I的不同點為中心進行說明。載置體11的晶片W按照搬送機構(gòu)13—交接模塊TRS0—交接塊A2的搬送機構(gòu)14—疏水化處理模塊16—搬送機構(gòu)14—塔Tl的交接模塊TRS20—往復移送機構(gòu)57—塔T2的交接模塊TRS10—上下間搬送機構(gòu)31—塔T2的交接模塊TRSl?TRS3中的任一者的順序被搬送，被搬入到單元塊BI?B3中。
[0130]關(guān)于接受曝光處理并通過接口塊A5的塔T3的交接模塊TRS被搬送到單元塊B4?B6中的任一者進行顯影處理的晶片W，按照塔T2的交接模塊TRS4?TRS6中的任一者—上下間搬送機構(gòu)31—交接模塊TRS31或者TRS32—下側(cè)搬送機構(gòu)41或者上側(cè)搬送機構(gòu)42—下側(cè)搬送機構(gòu)41或者上側(cè)搬送機構(gòu)42能夠搬送的高度的背面清洗模塊73—下側(cè)搬送機構(gòu)41或者上側(cè)搬送機構(gòu)42—交接模塊TRS41或者TRS42—交接塊A2的搬送機構(gòu)15—交接模塊TRS7—搬送機構(gòu)13—載置體11的順序，進行搬送。關(guān)于該涂敷、顯影裝置72，也能夠得到與涂敷、顯影裝置I相同的效果。
[0131]然而，在圖5所說明的涂敷、顯影裝置I的中間塊A4中，關(guān)于同種的模塊，以使利用下側(cè)搬送機構(gòu)41交接晶片W的模塊和利用上側(cè)搬送機構(gòu)42交接晶片W的模塊數(shù)量相同的方式，形成了下側(cè)搬送機構(gòu)41、上側(cè)搬送機構(gòu)42和往復移送機構(gòu)57的各搬送區(qū)域41A、42A、58，但是并不限于以這樣的方式形成各搬送區(qū)域。在圖16所示的中間塊A4的例子中，從下側(cè)向上側(cè)層疊設(shè)置排氣單元53A、周緣曝光模塊51A、加熱模塊52A?52C、排氣單元53B、周緣曝光模塊51B、51C、加熱模塊52D?521。然后，以下側(cè)搬送機構(gòu)41向保護膜形成模塊ITCUITC2、周緣曝光模塊51A和加熱模塊52A?52C搬送晶片W，上側(cè)搬送機構(gòu)42向保護膜形成模塊ITC3?ITC6、周緣曝光模塊51B、51C、加熱模塊52D?521搬送晶片W的方式，形成各搬送區(qū)域41A、42A、58。
[0132]但是，為了抑制在下側(cè)搬送機構(gòu)41與上側(cè)搬送機構(gòu)42之間搬送負擔不平衡的現(xiàn)象并提高生產(chǎn)量，關(guān)于如圖5所示的層疊而成的同種的模塊，以使利用下側(cè)搬送機構(gòu)41交接晶片W的模塊和利用上側(cè)搬送機構(gòu)42交接晶片W的模塊數(shù)量相同的方式形成各搬送區(qū)域是有效的。
[0133]另外，在圖5所示的中間塊A4中，僅設(shè)置下側(cè)搬送機構(gòu)41和上側(cè)搬送機構(gòu)42中的任一個搬送機構(gòu)，該一個搬送機構(gòu)也可以向?qū)盈B而成的保護膜形成模塊ITCl?ITC6、周緣曝光模塊5IA、5IB、加熱模塊52A?52H搬送晶片W。在該情況下，例如往復移送機構(gòu)57的晶片W的搬送區(qū)域58形成在一個搬送機構(gòu)的晶片W的搬送區(qū)域的上側(cè)或者下側(cè)。
[0134]另外，往復移送機構(gòu)57的晶片W的搬送區(qū)域58不限于相對于下側(cè)搬送機構(gòu)41的搬送區(qū)域41A和上側(cè)搬送機構(gòu)42的搬送區(qū)域42A以上下重疊的方式設(shè)置。圖17是圖1中所說明的中間塊A4的變形例，交接模塊TRS1、TRS20配置在從塔T2、塔T3向左右方向錯位的位置。然后，在層疊而成的加熱模塊之間構(gòu)成為往復移送機構(gòu)57的搬送區(qū)域58，利用該往復移送機構(gòu)57，在TRS10、TRS20之間交接晶片W。通過上下間搬送機構(gòu)31的支承體34圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)，能夠在交接模塊TRSlO與塔T2的各模塊之間交接晶片W。交接模塊TRS20配置在能夠利用搬送機構(gòu)62進行晶片W的交接的位置。
[0135]然而，在第四實施方式的涂敷、顯影裝置72中，關(guān)于從載置塊Al搬出的晶片W，也可以在各塊A3?A5和曝光裝置A6中不接受抗蝕劑涂敷處理、顯影處理等各種處理而將其交接到中間塊A4，接受背面清洗模塊73的處理，返回到載置體11。即，本發(fā)明可以作為晶片W的清洗裝置而構(gòu)成。同樣地，在第一實施方式的涂敷、顯影裝置I中，關(guān)于從載置體11搬出的晶片W，也可以不進行抗蝕劑涂敷處理和顯影處理，在中間塊A4中只進行保護膜形成處理，返回到載置體11。即，本發(fā)明可以作為保護膜形成裝置而構(gòu)成。因此，本發(fā)明不限于適用于涂敷、顯影裝置。另外，在各實施方式中說明的例子可以相互組合。例如，也可以將在第四實施方式中說明的、具有背面清洗模塊73的中間塊A4設(shè)置在第一和第二實施方式的各涂敷、顯影裝置1、7中的交接塊A2與處理塊A3之間。
【主權(quán)項】
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括: 用于將收納于載置體的基板取出的載置塊；使從該載置塊取出的基板返回到該載置塊，相對于所述載置塊橫向設(shè)置的端塊;和位于所述載置塊與所述端塊之間的中間塊， 所述中間塊包括: 相互層疊設(shè)置的多個第一處理模塊，其用于分別僅對從所述載置塊取出并送往所述端塊的所述基板和從所述端塊返回所述載置塊的所述基板中的一者進行處理； 進行升降的第一基板搬送機構(gòu)，其用于將從所述載置塊和所述端塊中的一者搬送到了該中間塊的所述基板搬送到所述各第一處理模塊，并交接給所述載置塊和端塊中的另一者;和 與所述第一基板搬送機構(gòu)另行設(shè)置的第二基板搬送機構(gòu)，其以繞過所述第一處理模塊的方式從所述載置塊和所述端塊中的另一者向一者搬送基板。2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于: 在所述載置塊與所述端塊之間設(shè)置處理塊，并且將所述中間塊和所述處理塊中的一者設(shè)置在所述載置塊側(cè)，將另一者設(shè)置在所述端塊側(cè)， 所述處理塊由多個單元塊構(gòu)成，該多個單元塊被上下相互劃分，并且分別具有用于在所述載置塊和所述端塊之間搬送基板的第三基板搬送機構(gòu)， 在所述各單元塊中設(shè)置有第二處理模塊，該第二處理模塊用于對由所述第三基板搬送機構(gòu)搬送的、由所述第一處理模塊進行處理之前或者處理之后的基板進行處理， 所述中間塊包括用于在所述第一基板搬送機構(gòu)、所述第二基板搬送機構(gòu)和第三基板搬送機構(gòu)之間交接基板的交接部。3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述交接部包括:用于載置基板的多個第一載置模塊，其設(shè)置成與所述各單元塊對應的高度，用于對所述第三基板搬送機構(gòu)進行該基板的交接;和用于載置基板的第二載置模塊，其用于對所述第二基板搬送機構(gòu)進行該基板的交接， 所述第一基板搬送機構(gòu)包括在第一載置模塊和第二載置模塊之間搬送基板的載置模塊間搬送機構(gòu)。4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述交接部構(gòu)成為所述多個第一載置模塊和所述第二載置模塊在上下方向上配置， 設(shè)置有側(cè)方氣流形成部，該側(cè)方氣流形成部形成在所述各載置模塊之間橫向流動的氣流， 該側(cè)方氣流形成部包括:從側(cè)方向所述交接部供給氣體的側(cè)方氣體供給部；和設(shè)置成與所述側(cè)方氣體供給部一起從側(cè)方夾著所述交接部，排出所述氣體的側(cè)方排氣部。5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述側(cè)方排氣部由導軌構(gòu)成，該導軌設(shè)置在所述載置模塊間搬送機構(gòu)中、用于使支承基板的支承體進行升降。6.如權(quán)利要求1?5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述第二基板搬送機構(gòu)的基板搬送區(qū)域和所述第一基板搬送機構(gòu)的基板搬送區(qū)域在上下方向上重疊。7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述第一基板搬送機構(gòu)包括:上側(cè)搬送機構(gòu)，其在用于對層疊的所述多個第一處理模塊中的上側(cè)的第一處理模塊交接基板的上側(cè)搬送區(qū)域搬送基板;和下側(cè)搬送機構(gòu)，其在為了對下側(cè)的第一處理模塊交接基板而以與所述上側(cè)搬送區(qū)域重疊的方式設(shè)置的下側(cè)搬送區(qū)域搬送基板， 所述第二基板搬送機構(gòu)的基板搬送區(qū)域設(shè)置在所述上側(cè)搬送區(qū)域與下側(cè)搬送區(qū)域之間。8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，包括: 下降氣流形成部，其包括:分別從上方對所述上側(cè)搬送區(qū)域、所述下側(cè)搬送區(qū)域供給氣體的氣體供給部;和從所述上側(cè)搬送區(qū)域的下部側(cè)方、下側(cè)搬送區(qū)域的下部側(cè)方分別排出所述氣體的排氣口，在上側(cè)搬送區(qū)域、下側(cè)搬送區(qū)域分別形成下降氣流。9.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述第二處理模塊包括用于在基板上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成模塊， 所述中間塊或者所述處理塊包括對由曝光裝置曝光后的抗蝕劑膜進行顯影的顯影模塊， 所述端塊是用于在與所述曝光裝置之間交接基板的接口塊。10.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述處理塊設(shè)置在載置塊側(cè)，所述中間塊設(shè)置在端塊側(cè)， 在多個單元塊中，在第一單元塊設(shè)置有所述抗蝕劑膜形成模塊作為第二處理模塊，在與第一單元塊不同的第二單元塊設(shè)置有所述顯影模塊作為第二處理模塊， 所述第一處理模塊是對所述抗蝕劑膜形成后的、曝光之前的基板進行液體處理的模塊， 所述第一基板搬送機構(gòu)在將從所述第一單元塊搬送到了所述交接部的所述基板搬送到所述第一處理模塊后，將該基板交接給所述端塊， 所述第二基板搬送機構(gòu)為了通過所述第二單元塊向載置塊交接所述基板，從所述端塊向所述交接部搬送基板。11.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述處理塊設(shè)置在載置塊側(cè)，所述中間塊設(shè)置在端塊側(cè)， 在多個單元塊中，在第一單元塊設(shè)置有所述抗蝕劑膜形成模塊作為第二處理模塊， 所述第一處理模塊是所述顯影模塊， 所述第二基板搬送機構(gòu)向所述端塊搬送基板， 所述第一基板搬送機構(gòu)在將從所述端塊搬送到了所述中間塊的所述基板搬送到所述第一處理模塊后，并將該基板搬送到所述交接部， 與所述第一單元塊不同的第二單元塊的第一基板搬送機構(gòu)從所述交接部向所述載置塊搬送基板。12.一種使用基板處理裝置的基板處理方法，其特征在于: 所述基板處理裝置包括:用于將收納于載置體的基板取出的載置塊;將從該載置塊取出的基板返回到該載置塊，相對于所述載置塊橫向設(shè)置的端塊;和位于所述載置塊與所述端塊之間的中間塊， 所述基板處理方法包括: 利用設(shè)置于所述中間塊、并相互層疊設(shè)置的多個處理模塊，分別僅對從所述載置塊取出并送往所述端塊的所述基板和從所述端塊返回所述載置塊的所述基板中的一者進行處理的步驟； 利用設(shè)置于所述中間塊的能夠升降的第一基板搬送機構(gòu)，將從所述載置塊和端塊中的一者搬送到了該中間塊的所述基板搬送所述各處理模塊，并交接給所述載置塊和端塊中的另一者的步驟;和 利用設(shè)置于所述中間塊的與所述第一基板搬送機構(gòu)另行設(shè)置的第二基板搬送機構(gòu)，以繞過所述處理模塊的方式從所述載置塊和端塊中的另一者向一者搬送基板的步驟。
【文檔編號】H01L21/677GK105990202SQ201610158293
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年3月18日
【發(fā)明人】山岡輝貴, 田島直樹, 元井宏治
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社