基板處理裝置以及基板處理方法
【專利摘要】基板處理裝置(1)包括：具有上部開口(222)的腔室本體(22)；具有下部開口(232)的腔室蓋部(23)；位于腔室蓋部(23)的蓋內部空間(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的徑方向的尺寸比下部開口(232)的徑方向的尺寸大。腔室本體(22)的上部開口(222)通過腔室蓋部(23)而被覆蓋，從而形成使基板(9)容納在內部的腔室體(21)。在基板處理裝置(1)中，在基板(9)被移入而形成腔室體(21)之前，在遮蔽板(51)與下部開口(232)重合的狀態(tài)下，從氣體供給部(812)所供給的氣體被填充至腔室蓋部(23)的蓋內部空間(231)中。由此，形成腔室體(21)后，腔室體(21)內迅速被氣體所充滿，從而能夠實現(xiàn)所期望的低氧氣氣氛。
【專利說明】
基板處理裝置以及基板處理方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及處理基板的基板處理裝置以及基板處理方法。
【背景技術】
[0002]以往，在半導體基板(以下，簡稱“基板”。)的制造工序中，使用多種類的基板處理裝置對基板實施各種處理。例如，通過向表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板上供給藥液，對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，蝕刻處理結束后，還進行向基板上供給去除液去除抗蝕劑或向基板上供給清洗液進行清洗的處理。
[0003]在存在氧氣的環(huán)境下(例如，大氣中)進行基板的處理的情況下，可能會有氧氣對基板造成不良影響的情況產生。例如，處理中所使用的藥液中溶解有氧氣，當通過該藥液接觸基板的表面，會使基板的表面產生不良影響。尤其，在表面形成有金屬膜的基板的處理中，會存在該金屬膜在處理中被氧化的危險。因此，極力防止這種金屬膜的氧化成為需求。
[0004]在日本特開第2010-56218號公報(文獻I)的基板處理裝置中，設置有與被基板保持機構所保持的基板相面對設置的遮蔽部。遮蔽部包括與基板的上表面相面對設置的基板面對設置面、從基板面對設置面的周圍向基板保持機構突出的周壁部。被降低氧氣濃度的非活性氣體溶解水與藥液原液混合的藥液向基板上供給。在文獻I的基板處理裝置中，通過設置隔斷部，使基板的上表面上的氣氛與隔斷部的外部的氣氛隔斷，企圖抑制基板上的氣氛中的氧氣濃度的上升。從而基板上的氧氣濃度降低，抑制了基板的上表面上設置的金屬月吳的氧化等。
[0005]但是，在文獻I的基板處理裝置中，由于隔斷部的內部與外部并沒有完全隔開，基板上的氣氛中的氧氣濃度的降低是有限的。另外，在迅速降低隔斷部內部的氧氣濃度方面也有限。另一方面，腔室體(處理室)的內部設置有基板保持部或處理液供給部，使基板移入后密閉腔室體，向內部空間供給非活性氣體等而成為低氧氣狀態(tài)。然而，為使腔室體的內部空間成為充分的低氧氣狀態(tài)，需要一定程度長的時間。
【發(fā)明內容】
[0006]本發(fā)明涉及一種處理基板的基板處理裝置以及基板處理方法，其目的在于，使腔室體內迅速成為所期望的氣體氣氛。
[0007]本發(fā)明的基板處理裝置包括:基板保持部，其以水平狀態(tài)保持基板;腔室蓋部，其具有下部開口，所述下部開口的上方形成有蓋內部空間；腔室本體，其具有與所述下部開口在上下方向上面對設置的上部開口，并形成本體內部空間;腔室開關機構，其使所述腔室蓋部相對于所述腔室本體在所述上下方向上相對地移動，并通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口來形成在內部容納所述基板保持部的腔室體;處理液供給部，其向所述基板的上表面供給處理液;遮蔽板，其配置于所述蓋內部空間，并與所述基板的所述上表面面對設置，能夠堵塞所述下部開口；遮蔽板移動機構，其使所述遮蔽板在所述蓋內部空間相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上相對地移動，氣體供給部，在所述遮蔽板與所述腔室蓋部的所述下部開口重合的狀態(tài)下，向所述蓋內部空間供給氣體。根據該基板處理裝置能夠實現(xiàn)在腔室體內迅速成為所期望的氣體氣氛。
[0008]本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式中，還包括基板移動機構，其使所述基板與所述基板保持部一同相對于所述腔室體在所述上下方向上相對地移動，在所述遮蔽板從所述腔室蓋部的所述下部開口分離的狀態(tài)下，由所述基板移動機構使所述基板在所述腔室體內在所述蓋內部空間與所述本體內部空間之間，經由所述下部開口以及所述上部開口相對地移動。
[0009]本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，所述腔室蓋部包括:蓋本體部，其呈上下反翻轉的杯狀；
[0010]環(huán)狀的蓋底面部，其從所述蓋本體部的下端部向徑方向內側擴展，并且在中央部設置有所述下部開口，與所述下部開口重合的所述遮蔽板的下表面在所述下部開口的周圍的整周上與所述蓋底面部的上表面接觸而堵塞所述下部開口。
[0011 ]更優(yōu)選為，所述蓋底面部的所述上表面越靠近所述徑方向外側而越朝向下方，所述腔室蓋部的所述蓋底面部與所述蓋本體部的連接部設置有排出所述蓋內部空間內的液體的排出端口。
[0012]本發(fā)明的其他的優(yōu)選實施方式中，在所述遮蔽板的下表面的中央部設置有氣體噴出口，由所述氣體供給部，經由所述氣體噴出口向所述遮蔽板的所述下表面與所述基板的所述上表面之間的空間供給所述氣體。
[0013]在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，還包括基板旋轉機構，其使所述基板以朝向所述上下方向的中心軸為中心與所述基板保持部一同進行旋轉。所述腔室本體包括杯部，其在所述腔室蓋部的下方，位于所述基板保持部的徑方向外側且繞所述基板保持部的整周，接受從旋轉的所述基板飛散的處理液。
[0014]更優(yōu)選為，所述腔室本體還包括:外筒部，其位于所述杯部的所述徑方向外側且繞所述杯部的整周與所述腔室蓋部接觸來形成所述腔室體;外筒連接部，其使所述外筒部的上端部與所述杯部之間的間隙堵塞。
[0015]本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，還包括基板旋轉機構，其使所述基板以朝向所述上下方向的中心軸為中心與所述基板保持部一同進行旋轉。在所述蓋內部空間所述基板利用所述基板旋轉機構進行旋轉時，所述遮蔽板在接近所述基板的位置上以所述中心軸為中心進行旋轉。
[0016]本發(fā)明的基于基板處理裝置的基板處理方法，所述基板處理裝置包括:基板保持部，其以水平狀態(tài)保持基板;腔室蓋部，其具有下部開口，所述下部開口的上方形成有蓋內部空間；腔室本體，其具有與所述下部開口在上下方向上面對設置的上部開口，并形成本體內部空間；遮蔽板，其配置于所述蓋內部空間，并與所述基板的上表面面對設置，能夠堵塞所述下部開口。包括工序:a)在所述遮蔽板與所述腔室蓋部的所述下部開口重合的狀態(tài)下，向所述蓋內部空間供給氣體的工序;b)在所述腔室蓋部從所述腔室本體分離的狀態(tài)下，通過所述基板保持部來保持所述基板的工序;c)使所述腔室蓋部相對于所述腔室本體在所述上下方向上相對地移動，并通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口來形成在內部容納所述基板以及所述基板保持部的腔室體的工序;d)使所述遮蔽板相對于所述腔室蓋部相對地上升而使所述遮蔽板從所述下部開口分離的工序;e)向所述腔室體內供給所述氣體的工序；f)向所述基板的所述上表面供給處理液的工序。根據該基板處理方法，能夠迅速使腔室體內成為所期望的氣體氣氛。
[0017]上述目的以及另外的目的、特征、形式以及優(yōu)點將參照附圖通過對以下所進行的發(fā)明的詳細說明而明確。
【附圖說明】
[0018]圖1是表示一個實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0019]圖2是表示氣液供給部以及氣液排出部的模塊圖。
[0020]圖3是表示基板處理裝置的剖視圖。
[0021 ]圖4是表示基板處理裝置的剖視圖。
[0022]圖5是表示基板的處理的流程圖。
[0023]圖6是表示基板的局部剖視圖。
[0024]圖7是表示基板處理裝置的另外一例的剖視圖。
[0025]圖8是表示基板處理裝置的另外一例的剖視圖。
【具體實施方式】
[0026]圖1是表示本發(fā)明一實施方式的基板處理裝置I的結構的剖視圖?；逄幚硌b置I是向大致圓板狀的半導體基板9(以下，簡稱“基板9”)供給處理液，對基板9一張一張進行處理的單張式處理裝置。在圖1中，基板處理裝置I的局部結構的剖視中省略標注剖面線(在其他剖視圖中也同樣省略)。
[0027]基板處理裝置I包括腔室體21、基板保持部31、基板旋轉機構35、第一移動機構41、第二移動機構42、第三移動機構43、遮蔽板51、遮蔽板旋轉機構55、外罩11。外罩11容納腔室體21、基板保持部31以及遮蔽板51等。
[0028]腔室體21呈以朝上下方向的中心軸Jl為中心的有蓋以及有底的大致圓筒狀。腔室體21包括腔室本體22和腔室蓋部23。腔室本體22與腔室蓋部23在上下方向上面對設置。在圖1所示狀態(tài)下，腔室本體22與腔室蓋部23在上下方向上是分離的。腔室本體22呈以中心軸Jl為中心的有底大致圓筒狀，并形成本體內部空間221。腔室蓋部23呈以中心軸Jl為中心的有蓋大致圓筒狀，并形成蓋內部空間231。腔室本體22的外徑與腔室蓋部23的外徑大致相等。
[0029]腔室本體22具有大致圓形的上部開口 222。腔室蓋部23具有大致圓形的下部開口232。腔室本體22的上部開口 222與腔室蓋部23的下部開口 232在上下方向上面對設置。腔室本體22的上部開口 222的直徑與腔室蓋部23的下部開口 232的直徑大致相等。另外，在以中心軸Jl為中心的徑方向上，腔室蓋部23的蓋內部空間231的尺寸比下部開口 232的徑方向的尺寸(即、直徑)大。針對腔室本體22以及腔室蓋部23的結構會在后述中詳細說明。
[0030]基板保持部31呈以中心軸Jl為中心的大致圓板狀?；灞３植?1配置于基板9的下方，以水平狀態(tài)保持基板9的外緣部。在圖1所示狀態(tài)下，基板保持部31在上下方向上位于腔室本體22與腔室蓋部23之間?；灞３植?1的直徑比基板9的直徑大?；灞３植?1的直徑比腔室本體22的上部開口 222的直徑、以及腔室蓋部23的下部開口 232的直徑小。腔室本體22的上部開口 222以及腔室蓋部23的下部開口 232與基板9以及基板保持部31在上下方向上面對設置?；逍D機構35配置于基板保持部31的下方?；逍D機構35使基板9與基板保持部31—同以中心軸Jl為中心進行旋轉。
[0031]遮蔽板51呈以中心軸Jl為中心的大致圓板狀。遮蔽板51配置于腔室蓋部23的內部空間即蓋內部空間231中。遮蔽板51的徑方向的尺寸(S卩、直徑)優(yōu)選為比腔室蓋部23的下部開口 232的直徑大。能夠使遮蔽板51堵塞腔室蓋部23的下部開口 232。遮蔽板51與被基板保持部31所保持的基板9的上表面91經由下部開口 232在上下方向上面對設置。
[0032]遮蔽板旋轉機構55配置于遮蔽板51的上側。遮蔽板旋轉機構55是例如，中空軸電機。通過遮蔽板旋轉機構55，遮蔽板51在腔室蓋部23的蓋內部空間231中以中心軸Jl為中心進行旋轉。通過遮蔽板旋轉機構55的遮蔽板51的旋轉與通過基板旋轉機構35的基板9的旋轉是獨立進行的。
[0033]遮蔽板旋轉機構55的旋轉軸551經由在外罩11的上部設置的貫通孔、以及在腔室蓋部23的上部設置的貫通孔與遮蔽板51連接。外罩11的該貫通孔的周圍的部位與腔室蓋部23的該貫通孔的周圍的部位通過在上下方向上可伸縮的大致圓筒狀的伸縮構件111(例如，波紋管)連接。另外，旋轉軸551上設置有大致圓板狀的法蘭部553，法蘭部553的外周部與外罩11的上述貫通孔的周圍的部位通過在上下方向上可伸縮的大致圓筒狀的伸縮構件552(例如，波紋管)連接?；逄幚硌b置I中，通過法蘭部553以及伸縮構件552使外罩11內的空間與外罩11外的空間隔開。另外，通過伸縮構件111使腔室蓋部23內的空間與外罩11內且腔室蓋部23外的空間隔開。
[0034]圖2是表示基板處理裝置I所包括的氣液供給部18以及氣液排出部19的模塊圖。氣液供給部18包括處理液供給部811、氣體供給部812。處理液供給部811包括上部中央噴嘴181、藥液供給部813、純水供給部814。藥液供給部813以及純水供給部814分別經由閥與上部中央噴嘴181連接。氣體供給部812包括上部中央噴嘴181、多個蓋噴嘴182、非活性氣體供給部816。非活性氣體供給部816經由閥與上部中央噴嘴181連接。非活性氣體供給部816另外還經由閥與多個蓋噴嘴182連接。
[0035]如圖1以及圖2所示，多個蓋噴嘴182設置于腔室蓋部23的上部。多個蓋噴嘴182配置為以中心軸Jl為中心的圓周狀。如圖2所示，各蓋噴嘴182的下端設置有第一氣體噴出口184。從非活性氣體供給部816送出的非活性氣體從腔室蓋部23的上部設置的多個第一氣體噴出口 184向蓋內部空間231供給。
[0036]如圖1所示，上部中央噴嘴181設置于遮蔽板旋轉機構55的旋轉軸551內。如圖2所示，上部中央噴嘴181的下端的中央部設置有向基板9的上表面91供給處理液(S卩、來自藥液供給部813的藥液、以及來自純水供給部的814純水)的處理液吐出口 183。另外，在上部中央噴嘴181的下端上，處理液吐出口 183的周圍設置有大致環(huán)狀的第二氣體噴出口 185。從非活性氣體供給部816送出的非活性氣體從第二氣體噴出口 185向遮蔽板51的下方空間(S卩、遮蔽板51的下表面512與基板9的上表面91之間的空間)供給。上部中央噴嘴181的下端在上下方向上配置于與遮蔽板51的下表面512大致相同的位置上。即、上部中央噴嘴181的處理液吐出口 183以及第二氣體噴出口 185被設置于遮蔽板51的下表面512的中央部上。
[0037]氣液排出部19包括本體排出端口226a、蓋部排出端口 237、氣液分離部193、本體排氣部194、藥液回收部195、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198、排液部199。本體排出端口 226a設置于腔室本體22上并與氣液分離部193連接。氣液分離部193分別經由閥與本體排氣部194、藥液回收部195以及排液部196連接。蓋部排出端口 237設置于腔室蓋部23上并與氣液分離部197連接。氣液分離部197分別經由閥與蓋排氣部198以及排液部199連接。氣液供給部18以及氣液排出部19的各結構通過控制部1而被控制。第一移動機構41、第二移動機構42、第三移動機構43、基板旋轉機構35以及遮蔽板旋轉機構55 (參照圖1)也通過控制部10而被控制。
[0038]從藥液供給部813經由上部中央噴嘴181向基板9上供給的藥液是例如，聚合物去除液、或者氫氟酸、氫氧化四甲銨水溶液等蝕刻液。純水供給部814經由上部中央噴嘴181向基板9供給純水(DIW: de1nized water)。處理液供給部811也可以包括供給上述藥液以及純水以外的處理液的其他供給部。從非活性氣體供給部816供給的氣體是例如，氮氣(N2)。氣體供給部812也可以包括其他供給部，以供給氮氣以外的非活性氣體、或非活性氣體以外的氣體。
[0039]如圖1所示，腔室本體22包括外筒部223、外筒連接部224、杯部225、本體底部226。杯部225呈以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。杯部225在腔室蓋部23的下方，并位于基板旋轉機構35的徑方向外側的整周。杯部225包括呈以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的杯側壁部227a、從杯側壁部227a的上端向徑方向內側擴展的大致圓環(huán)板狀的杯頂蓋部227b。杯頂蓋部227b的中央開口就是上述上部開口 222。
[0040]外筒部223呈以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。外筒部223位于杯部225的徑方向外側的整周。外筒部223是例如，分別為圓周狀的多個峰折線與分別為圓周狀的多個谷折線在上下方向上交替排列的波紋管。外筒部223、杯部225以及基板保持部31的下方配置有底大致圓筒狀的本體底部226。外筒部223的下端部與本體底部226的側壁部的上端部在整周上連接。本體底部226的底面部設置有上述本體排出端口 226a。本體排出端口 226a在腔室本體22的內部空間即本體內部空間221中，配置于基板9、基板保持部31以及杯部225的下方。腔室本體22內的液體以及氣體經由本體排出端口 226a向腔室本體22外(S卩、腔室體21外)排出。在本體底部226中也可以設置在圓周方向上排列的多個本體排出端口 226a。
[0041]外筒連接部224呈以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)板狀。外筒連接部224使外筒部223的上端部與杯部225的外緣部連接。具體而言，外筒連接部224與外筒部223的上端部、杯頂蓋部227b的外緣部連接。通過外筒連接部224，外筒部223的上端部與杯部225之間的間隙被堵塞。
[0042]腔室蓋部23包括蓋本體部233、蓋底面部234。蓋本體部233呈以中心軸Jl為中心的有蓋大致圓筒狀。換言之，蓋本體部233呈以上下翻轉的杯狀。如前文所述，蓋本體部233的中央部中的貫通孔，即腔室蓋部23的上部中的貫通孔通過伸縮構件111、552、外罩11的上部的一部分、以及法蘭部553而被堵塞。堵塞該貫通孔的這些構件可以視為是蓋本體部233的一部分。另外，通過伸縮構件111、552所形成的筒狀的空間是蓋內部空間231的一部分。
[0043]蓋底面部234呈以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)板狀，中央部設置有上述下部開口232。蓋底面部234是從蓋本體部233的下端部向徑方向內側擴展的。蓋底面部234的上表面235以及下表面236是越靠近徑方向外側而越朝向下的傾斜面。腔室蓋部23的蓋底面部234與蓋本體部233的連接部設置有上述蓋部排出端口 237。蓋內部空間231內的液體、以及氣體經由蓋部排出端口 237被排出。
[0044]在圖1所示狀態(tài)下，遮蔽板51與腔室蓋部23的下部開口232重合。此時遮蔽板51的下表面512在下部開口 232的周圍的整周上與蓋底面部234的上表面235接觸。具體而言，遮蔽板51的下表面512的外周部與蓋底面部234的上表面235中下部開口 232附近的部位在整周上接觸。由此，腔室蓋部23的下部開口 232通過遮蔽板51而被堵塞，下部開口 232的上方的蓋內部空間231成為封閉空間。此外，在本實施方式中，遮蔽板51與蓋底面部234之間的接觸部不是完全的氣密結構，因此，蓋內部空間231沒有完全與外部的空間隔斷。當然，該接觸部也可以是包括密封構件等氣密結構，讓蓋內部空間231成為與外部的空間隔開的密閉空間。
[0045]第一移動機構41配置于例如，外罩11的上側。第一移動機構41使遮蔽板51與遮蔽板旋轉機構55—同在上下方向上移動。遮蔽板51通過第一移動機構41在腔室蓋部23的蓋內部空間231中，在上下方向上移動。如上所述，遮蔽板51比腔室蓋部23的下部開口232大，因此，遮蔽板51無法經由下部開口 232移動到腔室蓋部23的外部(S卩、蓋底面部234的下方)。第一移動機構41包括例如，電機、螺桿(在第二移動機構42以及第三移動機構43中也相同)。
[0046]第二移動機構42配置于腔室本體22的側方，并使腔室蓋部23在上下方向上移動。具體而言，腔室蓋部23通過第二移動機構42，在圖1所示“上位置”與圖3所示“下位置”之間移動。在腔室蓋部23配置于上位置的狀態(tài)下，下部開口 232位于比基板保持部31上的基板9更靠上方的位置。在腔室蓋部23配置于下位置的狀態(tài)下，下部開口 232位于比基板保持部31上的基板9更靠下方的位置。腔室蓋部23從上位置向比上位置更靠下方的下位置移動時，通過第一移動機構41，遮蔽板51也在上下方向上移動，遮蔽板51相對于腔室蓋部23在上下方向上的相對位置被變更。即、第一移動機構41以及第二移動機構42是使遮蔽板51在腔室蓋部23的蓋內部空間231中，相對于腔室蓋部23而相對地在上下方向上移動的遮蔽板移動機構。
[0047]第三移動機構43配置于腔室本體22的側方，使腔室本體22的一部分在上下方向上移動。具體而言，通過第三移動機構43，腔室本體22的杯部225通過第三移動機構43，在圖1以及圖3所示“下位置”與圖4所示“上位置”之間移動。在杯部225配置于下位置的狀態(tài)下，上部開口 222位于比基板保持部31上的基板9更靠下方的位置。在杯部225配置于上位置的狀態(tài)下，上部開口 222位于比基板保持部31上的基板9更靠上方的位置。杯部225在上下方向上移動時，外筒部223在上下方向上伸縮。在基板處理裝置I中，腔室本體22的杯部225從下位置向比下位置更靠上方的上位置移動時，遮蔽板51相對于腔室蓋部23在上下方向上的相對位置也變更。此外，基板處理裝置I中，腔室本體22的本體底部226以及基板保持部31不會在上下方向上移動。
[0048]如圖3所示，在腔室蓋部23位于下位置、腔室本體22的杯部225也位于下位置的狀態(tài)下，腔室本體22的上部開口 222與腔室蓋部23的下部開口 232面對設置、且該上部開口 222通過腔室蓋部23而被覆蓋。由此，形成內部具有密閉空間(S卩、包含蓋內部空間231以及本體內部空間221的空間，以下，稱為“腔室空間” ο)的腔室體21 ο具體而言，腔室蓋部23中，蓋本體部233與蓋底面部234的連接部通過與腔室本體22的外筒部223接觸而形成腔室體21。
[0049]另外，如圖4所示，腔室本體22的杯部225位于上位置，且腔室蓋部23與也位于上位置的狀態(tài)下，也相同地，腔室本體22的上部開口 222通過腔室蓋部23而被覆蓋，并形成腔室體21。如圖3以及圖4所示，腔室體21的內部(S卩、腔室空間)容納有基板9以及基板保持部31。即、第二移動機構42以及第三移動機構43是使腔室蓋部23相對于腔室本體22在上下方向上相對地移動，并使腔室本體22的上部開口 222通過腔室蓋部23被覆蓋而形成腔室體21的腔室開關機構。
[0050]接著，參照圖5對基于基板處理裝置I的基板9的處理流程進行說明。首先，如圖1所示，基板處理裝置I中，腔室蓋部23位于上位置、且腔室本體22的杯部225位于下位置。換言之，即腔室體21為打開的狀態(tài)。另外，以遮蔽板51的下表面512與蓋底面部234的上表面235接觸的方式，遮蔽板51與腔室蓋部23的下部開口 232在平面視圖中重合。由此，下部開口 232被堵塞，蓋內部空間231成為封閉空間。該狀態(tài)下，由氣體供給部812(參照圖2)經由多個第一氣體噴出口 184向蓋內部空間231供給氮氣。另外，蓋內部空間231的氣體從蓋部排出端口237向腔室蓋部23的外部排出。由此，在蓋內部空間231中填充氮氣(步驟Sll)。
[0051 ] 此外，步驟SI I中，腔室蓋部23的下部開口 232沒有必要通過遮蔽板51而被氣密地堵塞，只要遮蔽板51與下部開口 232重合，遮蔽板51與蓋底面部234之間可以存在若干個的間隙的堵塞方式也可。即使在這種堵塞的方式下，從氣體供給部812向蓋內部空間231供給的氮氣的供給量被控制，通過向蓋內部空間231流入的氮氣的流入量與來自該間隙以及蓋部排出端口 237的氣體的流出量大致相等方式在蓋內部空間231內填充氮氣。并且，通過適當調整該氮氣的流入量等，能夠使蓋內部空間231內的氧氣濃度降低至工序上所需要程度的低氧氣狀態(tài)。此外，在圖1中，圖示有基板9，而步驟SI I是在基板9被移入基板處理裝置I之前進行的。
[0052]接著，在如上述腔室蓋部23從腔室本體22分離的狀態(tài)下，使基板9從外罩11上設置的移出入口(未圖示)移入到外罩11內，并被基板保持部31所保持(步驟S12)。步驟S12中，基板9在比腔室本體22的上部開口 222更上方上，被基板保持部31所保持。
[0053]圖6是為說明基板處理裝置I中被處理的基板9的表面狀態(tài)的一例剖視圖?；?是例如，上表面91上附著有聚合物殘渣(S卩、干蝕刻或灰化后的殘渣)，并露出金屬圖案。金屬圖案可以是銅或鎢等金屬的單膜，也可以是多個金屬膜層疊的多層膜。該多層膜是例如，為防止擴散，在銅膜表面形成阻擋金屬膜的層疊膜。
[0054]如圖6所示，基板9的上表面91上形成層間絕緣膜911。在層間絕緣膜911上，從其上面挖掘而形成下布線槽912。下布線槽912中埋設有銅布線913。層間絕緣膜911上經由刻蝕阻擋膜914，層疊有作為被加工膜的一例的低電容率絕緣膜915。低電容率絕緣膜915上，從其上面挖掘而形成上布線槽916。進而，在低電容率絕緣膜915上，形成從上布線槽916的底面到達銅布線913的表面的通孔917。在上布線槽916以及通孔917中用銅一次埋入。
[0055]上布線槽916以及通孔917是在低電容率絕緣膜915上形成硬膜后，進行干蝕刻處理，去除低電容率絕緣膜915中的從硬膜露出的部分而形成的。形成上布線槽916以及通孔917后，進行灰化處理，從低電容率絕緣膜915上去除不需要的硬膜。干蝕刻時以及灰化時，包含低電容率絕緣膜915或硬膜的成分的反應生成物成為聚合物殘渣，附著在低電容率絕緣膜915的表面(包含上布線槽916以及通孔917的里面。)等上。從而，向灰化后的基板9的表面上供給聚合物去除液，并進行為了從低電容率絕緣膜915的表面去除聚合物殘渣的處理。
[0056]如上所述，表面為露出金屬圖案即銅布線913的基板9被基板保持部31所保持，通過驅動第一移動機構41以及第二移動機構42，遮蔽板51以及腔室蓋部23向下方移動。腔室蓋部23從圖1所示上位置向圖3所示下位置移動。換言之，腔室蓋部23相對于腔室本體22在上下方向上相對地移動。并且，腔室本體22的上部開口 222通過腔室蓋部23而被覆蓋，從而形成使基板9以及基板保持部31容納在內部的腔室體21 (步驟S13)。另外，與步驟S13同步，遮蔽板51相對于腔室蓋部23而相對地上升，在腔室體21內中，遮蔽板51從腔室蓋部23的下部開口 232向上方分離(步驟S14)。
[0057]如上所述，腔室蓋部23通過從上位置向下位置移動，被基板保持部31所保持的基板9通過腔室蓋部23的下部開口232向蓋內部空間231移動。換言之，在步驟S13、S14中，在形成腔室體21的狀態(tài)下，基板9位于腔室空間的里面蓋內部空間231中。如上所述，蓋內部空間231中被氮氣所填充，因此，通過使基板9向蓋內部空間231移動，能夠使基板9的周圍迅速成為氮氣氣氛(即、低氧氣氣氛)。在蓋內部空間231中，基板9的上表面91與遮蔽板51的下表面512在上下方向上面對設置并接近。
[0058]在基板處理裝置I中，從步驟Sll以后至對于基板9上的一系列處理結束為止，由氣體供給部812持續(xù)供給氮氣。在圖3所示狀態(tài)下，從位于比遮蔽板51更靠上方的多個蓋噴嘴182的第一氣體噴出口 184 (參照圖2)向蓋內部空間231供給氮氣，而使蓋內部空間231的氣壓變得比本體內部空間221的氣壓更高。換言之，蓋內部空間231成為正壓狀態(tài)。從而，蓋內部空間231的氮氣從遮蔽板51與腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙經由下部開口 232以及上部開口 222向本體內部空間221流出(S卩、從蓋內部空間231向本體內部空間22送出)。另外，本體內部空間221的氣體從本體排出端口 226a向腔室體21的外部排出。由此，本體內部空間221也被來自氣體供給部812所供給的氮氣填充。換言之，由氣體供給部812向腔室體21內供給氮氣而被填充(步驟S15)。以下，步驟S15的處理稱為“氣體置換處理”。
[0059]步驟S15中，來自氣體供給部812的氮氣經由上部中央噴嘴181的第二氣體噴出口185 (參照圖2 )，也向遮蔽板51的下表面512與基板9的上表面91之間的空間供給。由此，能夠使遮蔽板51與基板9之間的空間的氣氛迅速置換為氮氣氣氛。此外，在步驟SI I?SI4之間的任何一個步驟中，根據需要也可以從第二氣體噴出口 185供給氮氣。尤其，在步驟S14中，通過從第二氣體噴出口 185供給氮氣，能夠使步驟S15的氣體置換處理更為有效率地進行。
[0060]接著，通過驅動第一移動機構41、第二移動機構42以及第三移動機構43，使遮蔽板51、腔室蓋部23以及腔室本體22的杯部225向上方移動。腔室蓋部23以及腔室本體22的杯部225分別從圖3所示下位置向圖4所示上位置移動。換言之，通過第二移動機構42以及第三移動機構43使基板9與基板保持部31—同相對于腔室體21相對地下降。第二移動機構42以及第三移動機構43是使基板9與基板保持部31—同相對于腔室體21在上下方向上相對地移動的基板移動機構。遮蔽板51的相對于腔室蓋部23的相對位置不會變更，遮蔽板51被維持在從腔室蓋部23的下部開口 232向上方分離的狀態(tài)。
[0061]如上所述，通過腔室體21從下位置向上位置移動，在腔室體21內，基板9從蓋內部空間231經由下部開口 232以及上部開口 222本體向內部空間221移動(步驟S16)。由此，杯部225在腔室蓋部23的下方，并位于基板9以及基板保持部31的徑方向外側的整周。
[0062]基板9位于本體內部空間221上，通過基板旋轉機構35使基板9開始旋轉。并且，通過處理液供給部811，經由上部中央噴嘴181的處理液吐出口 183 (圖2參照)，向旋轉中的基板9的上表面91上供給處理液(步驟S17)。向旋轉的基板9的中央部供給的處理液通過離心力而在上表面91上向徑方向外側移動，并從基板9的外緣向杯部225飛散。通過杯部225而被接受的處理液經由配置于杯部225的下方的本體排出端口 226a向腔室體21外排出。
[0063]在基板處理裝置I中，通過只在規(guī)定的時間內向基板9的上表面91供給處理液，對基板9的上表面91進行規(guī)定的處理。以下，步驟S17的處理稱為“液處理”。在步驟S17中，從藥液供給部813供給的藥液(例如，聚合物去除液或蝕刻液等)在經過規(guī)定的時間內向基板9上供給后，藥液的供給被停止。由此，進行基板9的上表面91的藥液處理?；?上的藥液通過基板9的旋轉而向杯部225飛散，從而從基板9上去除。通過杯部225接受的藥液經由本體排出端口 226a向腔室體21外排出，通過藥液回收部195 (參照圖2)而被回收。接著，從純水供給部814所供給的純水在經過規(guī)定的時間內向基板9上供給，使基板9的上表面91進行沖洗處理。通過杯部225所接受的純水經由本體排出端口 226a向腔室體21外排出，并通過排液部196而被廢棄。
[0064]在基板處理裝置I中，杯部225上也可以設有配置為同心圓狀的多個杯。在這種情況下，向基板9上供給的處理液的種類被切換時，優(yōu)選為將接受來自基板9處理液也進行切換。由此，在步驟S17中，多個種類的處理液被利用時，能夠容易地對多個處理液進行分別回收或廢棄。
[0065]如上所述，在步驟S17中，對基板9供給處理液的期間，也可以通過氣體供給部812持續(xù)供給氮氣。在圖4所示狀態(tài)下，也與在圖3所示狀態(tài)相同，從位于比遮蔽板51更上方的多個蓋噴嘴182的第一氣體噴出口 184向蓋內部空間231供給氮氣。由此，優(yōu)選使蓋內部空間231的氣壓變得比本體內部空間221的氣壓更高，蓋內部空間231成為正壓狀態(tài)。通過蓋內部空間231成為正壓狀態(tài)，使蓋內部空間231的氮氣從遮蔽板51與腔室蓋部23的蓋底面部234之間的間隙經由下部開口 232以及上部開口 222向本體內部空間221送出。另外，從蓋內部空間231向本體內部空間221流入的氮氣經由本體排出端口 226a而被引導向腔室體21外并排出。
[0066]由此，在腔室體21內形成依次通過遮蔽板51的外周緣附近、下部開口232的外周緣附近、上部開口 222的外周緣附近、以及基板9的外周緣附近的大致圓筒狀的氮氣氣流。對于基板9的上表面91的處理液的供給是在該大致圓筒狀的氣流的內部進行的。因此，能夠抑制處理液的霧或煙等穿過大致圓筒狀的氣流從遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙進入蓋內部空間231。另外，處理液的霧或煙等能夠通過該氣流迅速向下方移動，快速向腔室體21外排出。
[0067]在基板處理裝置I中，通過使本體排出端口226a配置于杯部225的下方，能夠容易地形成上述氣流。此外，該氣流的流速等通過使來自多個蓋噴嘴182的氮氣的供給量、以及遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙的尺寸等進行變更，從而能夠容易地進行調整。另外，只要能夠形成該氣流，未必一定要使本體排出端口 226a配置于杯部225的下方，只要配置于比位于本體內部空間221上的基板9以及基板保持部31更靠下方的位置即可。
[0068]在步驟S17中，經由上部中央噴嘴181的第二氣體噴出口185，也可以向遮蔽板51的下表面512與基板9的上表面91之間的空間供給氮氣。如此，在上述大致圓筒狀的氣流的內側中，通過形成朝向基板9的上表面91的向下的氣流，使基板9的上方的空間存在的處理液的霧或煙等朝向該大致圓筒狀的氣流壓出。其結果，更加能夠抑制處理液的霧或煙等進入蓋內部空間231的同時，使該霧或煙等更快速地向腔室體21外排出。
[0069]對基板9的處理液的供給結束，通過驅動第一移動機構41、第二移動機構42以及第三移動機構43，使遮蔽板51、腔室蓋部23以及腔室本體22的杯部225向下方移動。腔室蓋部23以及腔室本體22的杯部225分別從圖4所示上位置向圖3所示下位置移動。換言之，通過第二移動機構42以及第三移動機構43，使基板9與基板保持部31 —同相對腔室體21相對地上升。遮蔽板51的相對于腔室蓋部23的相對位置不會變更，且遮蔽板51維持從腔室蓋部23的下部開口 232向上方分離的狀態(tài)。
[0070]如上所述，腔室體21通過從上位置向下位置移動，在腔室體21內中，基板9從本體內部空間221經由上部開口 222以及下部開口 232向蓋內部空間231移動(步驟S18)。在蓋內部空間231中，基板9的上表面91與遮蔽板51的下表面512在上下方向上面對設置并接近。
[0071]接著，通過基板旋轉機構35，基板9與基板保持部31—同以中心軸Jl為中心進行較高速地旋轉。由此，基板9上的處理液(例如，純水)在上表面91上向徑方向外側移動，并從基板9的外緣向周圍飛散。其結果，基板9上的處理液被去除(步驟S19)。以下，步驟S19的處理稱為“干燥處理” ο步驟S19中基板9的旋轉速度比步驟SI7中基板9的旋轉速度大。
[0072]在步驟S19中，從旋轉的基板9飛散的處理液被蓋本體部233的內面以及蓋底面部234的上表面235所接受，并向蓋本體部233與蓋底面部234之間的連接部移動。并且，該處理液(即、在步驟S19中從基板9上去除的處理液)通過蓋部排出端口 237向腔室蓋部23外(SP、腔室體21外)排出。如上所述，在腔室蓋部23中，蓋底面部234的上表面235是越靠近徑方向外側而越朝向下的傾斜面。從而，防止上表面235上的處理液向下部開口 232移動。另外，上表面235上的處理液快速地向徑方向外側移動，因此，能夠實現(xiàn)來自蓋內部空間231的處理液的快速地排出。
[0073]蓋內部空間231中基板9通過基板旋轉機構35進行旋轉時(S卩、步驟S19中)，通過遮蔽板旋轉機構55，遮蔽板51在上下方向上接近基板9的上表面91的位置上，在與基板9相同旋轉方向上以與基板9大致相等旋轉速度、且以中心軸Jl為中心進行旋轉。通過在接近基板9的上表面91而配置的遮蔽板51，能夠抑制(或防止)從基板9飛散的處理液再附著在基板9的上表面91上。另外，通過遮蔽板51的旋轉，使遮蔽板51的上表面511以及下表面512上附著的處理液向周圍飛散，并能夠從遮蔽板51上去除處理液。
[0074]在基板處理裝置I中，步驟S19中，經由上部中央噴嘴181的第二氣體噴出口 185(參照圖2)，向遮蔽板51的下表面512與基板9的上表面91之間的空間供給氮氣。由此，能夠從基板9與遮蔽板51之間的空間更加快速地排出處理液，從而促進基板9的干燥。
[0075]基板9的干燥處理結束后，通過驅動第一移動機構41以及第二移動機構42，遮蔽板51以及腔室蓋部23向上方移動。腔室蓋部23從圖3所示下位置向圖1所示上位置移動。由此，腔室蓋部23與腔室本體22在上下方向上分離，腔室體21被打開。之后，被實施上述一系列處理的基板9從外罩11上設置的移出入口(未圖示)向外罩11外移出(步驟S20)。另外，遮蔽板51相對于腔室蓋部23相對地下降，并與蓋底面部234接觸使下部開口 232堵塞。并且，與步驟SI I相同，通過從氣體供給部812供給的氮氣，使蓋內部空間231被氮氣填充。在基板處理裝置I中，對多個基板9依次進行上述步驟Sll?S20。
[0076]如以上說明，在基板處理裝置I中，腔室蓋部23的蓋內部空間231設置有徑方向的尺寸比下部開口 232大的遮蔽板51。并且，在基板9被移入而形成腔室體21之前的步驟Sll中，遮蔽板51與下部開口 232重合的狀態(tài)下，從氣體供給部812所供給的氣體被填充到腔室蓋部23的蓋內部空間231內。由此，形成腔室體21后，能夠使腔室體21內迅速地成為所期望的氣體氣氛。其結果，能夠縮短從形成腔室體21至在該氣體氣氛中基板9的處理開始為止的時間，能夠提高基板處理裝置I的生產性。
[0077]如上所述，在基板處理裝置I中，通過從氣體供給部812供給的氣體使用氮氣等非活性氣體，能夠在低氧氣氣氛中迅速進行基板9的液處理。其結果，能夠抑制基板9的上表面91上設置的金屬膜的氧化等。
[0078]如上所述，腔室蓋部23包括蓋本體部233、蓋底面部234。在步驟SI I中，遮蔽板51的下表面512通過與蓋底面部234的上表面235接觸，使腔室蓋部23的下部開口 232堵塞。由此，能夠向蓋內部空間231的氣體的填充迅速且容易地進行。
[0079]在步驟S13中形成腔室體21的狀態(tài)下，基板9位于預先填充有氣體的蓋內部空間231中。由此，能夠在形成腔室體21的后緊接著使基板9的周圍快速地成為所期望的氣體氣氛。
[0080]如上所述，在步驟S15中，在基板9配置于蓋內部空間231的狀態(tài)下，進行氣體置換處理，在步驟S16中，通過第二移動機構42以及第三移動機構43使腔室體21向上位置移動，基板9從蓋內部空間231向本體內部空間221相對地移動。另外，在步驟SI7中，在基板9配置于本體內部空間221的狀態(tài)下，對基板9進行液處理，在步驟SI8中，通過第二移動機構42以及第三移動機構43使腔室體21向下位置移動，從而使基板9從本體內部空間221向蓋內部空間231相對地移動。并且，在步驟S19中，在基板9配置于蓋內部空間231的狀態(tài)下使基板9進行干燥處理。
[0081 ]如此，基板處理裝置I中，第二移動機構42以及第三移動機構43作為使基板9在蓋內部空間231與本體內部空間221之間相對于腔室體21相對地移動的基板移動機構而起作用。通過該基板移動機構的基板9的相對移動是在腔室體21內，以遮蔽板51從腔室蓋部23的下部開口 232向上方分離的狀態(tài)下，經由下部開口 232以及上部開口 222而進行的。由此，對基板9進行的多個處理(S卩、氣體置換處理、液處理以及干燥處理的一系列處理)的空間能夠適應處理內容而在本體內部空間221與蓋內部空間231之間進行切換。
[0082]在步驟S17中液處理中，從旋轉的基板9飛散的處理液通過配置于腔室蓋部23的下方的杯部225所接受。由此，在液處理中所使用的處理液能夠容易地回收。如上所述，杯部225的周圍設置有通過與腔室蓋部23接觸而形成的腔室體21的外筒部223。外筒部223的上部與杯部225之間的間隙通過外筒連接部224而被堵塞，從而能夠使腔室體21內填充來自氣體供給部812的氣體的空間變小。其結果，能夠縮短步驟S15中氣體置換處理所需要的時間。
[0083]在步驟S17中的液處理中，未必一定要形成上述大致圓筒狀的氣流。即使在腔室體21內沒有形成上述大致圓筒狀的氣流的情況下，也能通過使蓋內部空間231的氣壓比本體內部空間221的氣壓高，使蓋內部空間231成為正壓狀態(tài)，從而能夠抑制處理液的霧或煙等從遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙進入蓋內部空間231。
[0084]在上述基板處理裝置I中，可以有多種變更。
[0085]例如，步驟S15的氣體置換處理中，可以不進行來自在遮蔽板51的下表面512的中央部設置的第二氣體噴出口 185的氣體的噴出。步驟S17的液處理、以及步驟S19的干燥處理中也相同。在這種情況下，可以省略第二氣體噴出口 185。
[0086]在步驟S17的液處理中，也可以通過遮蔽板51的下表面512與腔室蓋部23的蓋底面部234接觸，使腔室蓋部23的下部開口 232通過遮蔽板51而被堵塞。即使在這種情況下，也能夠抑制處理液的霧或煙等進入蓋內部空間231。
[0087]在步驟S19的干燥處理中也可以是，與基板9的上表面91接近的遮蔽板51在圓周方向被固定在基板保持部31上，并通過基板旋轉機構35使基板9以及基板保持部31 —同旋轉。在這種情況下，也與上述相同，防止干燥處理時在基板9上再附著處理液，且也能夠從遮蔽板51上去除處理液。遮蔽板51通過基板旋轉機構35而旋轉的情況下，可以省略遮蔽板旋轉機構55。
[0088]在圖1所示例中，上述腔室開關機構包含移動腔室蓋部23的第二移動機構42、移動腔室本體22的杯部225的第三移動機構43。例如，可以省略第二移動機構42以及第三移動機構43中的一個，而僅使用另一個作為腔室開關機構。另外，在圖1所示例中，遮蔽板移動機構包含使遮蔽板51移動的第一移動機構41、使腔室蓋部23移動的第二移動機構42?？梢允÷缘谝灰苿訖C構41以及第二移動機構42中的一個，而僅使用另一個作為遮蔽板移動機構。
[0089]在圖1所示例中，上述基板移動機構包含使腔室蓋部23移動的第二移動機構42、使腔室本體22的杯部225移動的第三移動機構43?；逡苿訖C構也可以是例如，在腔室體21停止的狀態(tài)下，使基板保持部31在腔室體21內在上下方向上進行移動的機構。
[0090]在基板處理裝置I中，在步驟S13中形成腔室體21時，未必一定使腔室蓋部23從上位置向下位置移動。在步驟S13中，例如，腔室本體22的杯部225可以通過第三移動機構43從圖1所示下位置向圖4所示上位置移動，從而形成腔室體21。在這種情況下，與步驟S13同時進行的步驟S14中，通過第一移動機構41，遮蔽板51向上方移動，并從腔室蓋部23的下部開口232向上方分離。另外，步驟S15中，基板9在位于本體內部空間221的狀態(tài)下進行氣體置換處理。從而，省略從基板9的蓋內部空間231向本體內部空間221的相對移動(步驟S16)。接著步驟S15，進行基板9的液處理(步驟S17)。
[0091]在基板處理裝置I中，例如，代替圖1所示腔室蓋部23，如圖7所示，也可以設置比腔室本體22的外徑小的腔室蓋部23a。在圖7所示例中，有蓋大致圓筒狀的腔室蓋部23a的外周下端部通過與腔室本體22的杯部225的上面接觸，腔室本體22的上部開口 222被腔室蓋部23a所堵塞，從而形成腔室體21。另外，腔室蓋部23a上沒有設置蓋底面部234(參照圖1)，下部開口 232的徑方向的尺寸與腔室蓋部23a的徑方向的尺寸大致相等。蓋內部空間231中配置有在徑方向的尺寸比腔室蓋部23a的外徑略小的遮蔽板51。遮蔽板51在與腔室蓋部23的下部開口 232在上下方向上位于大致相同的位置上，通過與下部開口 232在平面視圖中重合，使其周圍僅留有的很少間隙，被下部開口 232實質地堵塞。在該狀態(tài)下，來自氣體供給部812的氣體被供給填充至蓋內部空間231中。
[0092]另外，在基板處理裝置I中，代替圖1所示遮蔽板51，可以如圖8所示，設置有比起下部開口232的直徑，外徑略小的遮蔽板51a。圖8所示例中，徑方向的尺寸比下部開口232的直徑略小的遮蔽板51a配置于蓋內部空間231中。遮蔽板51a在與腔室蓋部23的下部開口 232在上下方向上大致相同的位置上，通過與下部開口 232在平面視圖中重合，使其周圍僅留有很少間隙，被下部開口232實質地堵塞。在該狀態(tài)下，來自氣體供給部812氣體被供給填充至蓋內部空間231中。
[0093]在基板處理裝置I中，也可以對半導體基板以外的多種基板進行處理。另外，在基板處理裝置I中，不限于聚合物的去除或蝕刻，能夠使用鹽酸或氫氟酸等多種處理液，并在低氧氣環(huán)境下進行所期望的多種液處理。為了實現(xiàn)低氧氣狀態(tài)，向腔室體21供給的氣體也不限定于氮氣，也可以是氬等其他非活性氣體。向腔室體21供給的氣體可以是使腔室體21內成為所期望的氣體氣氛的氣體，例如，也可以是氣體組成比例被管理的混合氣體(即、混合多個種類的氣體)。
[0094]在上述實施方式以及各變形例中的結構在互相不矛盾的范圍內可以適當組合。
[0095]以上對本發(fā)明進行了詳細描寫說明，如前文所述的說明不限定于例示。而且在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以有多種變形或方式。
[0096]附圖標記的說明
[0097]I基板處理裝置
[0098]9 基板
[0099]21腔室體
[0100]22腔室本體
[0101]23,23a腔室蓋部
[0102]31基板保持部
[0103]35基板旋轉機構
[0104]41第一移動機構
[0105]42第二移動機構
[0106]43第三移動機構
[0107]51，51a 遮蔽板
[0108]91 (基板的)上表面
[0109]185第二氣體噴出口
[0110]221本體內部空間
[0111]222 (腔室本體的)上部開口
[0112]223外筒部
[0113]224外筒連接部
[0114]225 杯部
[0115]226a本體排出端口
[0116]231蓋內部空間
[0117]232 (腔室蓋部的)下部開口
[0118]233蓋本體部
[0119]234蓋底面部
[0120]235 (蓋底面部的)上表面
[0121]237蓋部排出端口
[0122]512 (遮蔽板的)下表面
[0123]811處理液供給部
[0124]812氣體供給部
[0125]Jl中心軸
[0126]Sll?S20 步驟
【主權項】
1.一種基板處理裝置，用于處理基板，其中， 包括: 基板保持部，其以水平狀態(tài)保持基板； 腔室蓋部，其具有下部開口，所述下部開口的上方形成有蓋內部空間； 腔室本體，其具有與所述下部開口在上下方向上面對設置的上部開口，并形成本體內部空間； 腔室開關機構，其使所述腔室蓋部相對于所述腔室本體在所述上下方向上相對地移動，并通過由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口來形成在內部容納所述基板保持部的腔室體，； 處理液供給部，其向所述基板的上表面供給處理液； 遮蔽板，其配置于所述蓋內部空間并與所述基板的所述上表面面對設置，能夠堵塞所述下部開口； 遮蔽板移動機構，其使所述遮蔽板在所述蓋內部空間相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上相對地移動， 氣體供給部，在所述遮蔽板與所述腔室蓋部的所述下部開口重合的狀態(tài)下，向所述蓋內部空間供給氣體。2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中， 還包括基板移動機構，其使所述基板與所述基板保持部一同相對于所述腔室體在所述上下方向上相對地移動， 在所述遮蔽板從所述腔室蓋部的所述下部開口分離的狀態(tài)下，由所述基板移動機構使所述基板在所述腔室體內在所述蓋內部空間與所述本體內部空間之間，經由所述下部開口以及所述上部開口相對地移動。3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置，其中， 所述腔室蓋部包括: 蓋本體部，其呈上下翻轉的杯狀； 環(huán)狀的蓋底面部，其從所述蓋本體部的下端部向徑方向內側擴展，并且在中央部設置有所述下部開口， 與所述下部開口重合的所述遮蔽板的下表面在所述下部開口的周圍的整周上與所述蓋底面部的上表面接觸而堵塞所述下部開口。4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其中， 所述蓋底面部的所述上表面越靠近所述徑方向外側越朝向下方， 在所述腔室蓋部的所述蓋底面部與所述蓋本體部的連接部設置有排出所述蓋內部空間內的液體的排出端口。5.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其中， 在所述遮蔽板的下表面的中央部設置有氣體噴出口， 由所述氣體供給部，經由所述氣體噴出口向所述遮蔽板的所述下表面與所述基板的所述上表面之間的空間供給所述氣體。6.根據權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其中， 還包括基板旋轉機構，其使所述基板以朝向所述上下方向的中心軸為中心與所述基板保持部一同進行旋轉， 所述腔室本體包括: 杯部，其在所述腔室蓋部的下方，位于所述基板保持部的徑方向外側且繞所述基板保持部的整周，接受從旋轉的所述基板飛散的處理液。7.根據權利要求6所述的基板處理裝置，其中， 所述腔室本體還包括: 外筒部，其位于所述杯部的所述徑方向外側且繞所述杯部的整周，通過與所述腔室蓋部接觸來形成所述腔室體； 外筒連接部，其堵塞所述外筒部的上端部與所述杯部之間的間隙。8.根據權利要求2至5中任一項所述的基板處理裝置，其中， 還包括基板旋轉機構，其使所述基板以朝向所述上下方向的中心軸為中心與所述基板保持部一同進行旋轉， 在所述蓋內部空間所述基板利用所述基板旋轉機構進行旋轉時，所述遮蔽板在接近所述基板的位置以所述中心軸為中心進行旋轉。9.一種基板處理裝置的基板處理方法，所述基板處理裝置包括: 基板保持部，其以水平狀態(tài)保持基板;腔室蓋部，其具有下部開口，所述下部開口的上方形成有蓋內部空間；腔室本體，其具有與所述下部開口在上下方向上面對設置的上部開口，并形成本體內部空間；遮蔽板，其配置于所述蓋內部空間并與所述基板的上表面面對設置，能夠堵塞所述下部開口，其中， 所述基板處理方法包括: a)在所述遮蔽板與所述腔室蓋部的所述下部開口重合的狀態(tài)下，向所述蓋內部空間供給氣體的工序； b)在所述腔室蓋部從所述腔室本體分離的狀態(tài)下，由所述基板保持部保持所述基板的工序； c)使所述腔室蓋部相對于所述腔室本體在所述上下方向上相對地移動，并由所述腔室蓋部覆蓋所述上部開口，來形成在內部容納所述基板以及所述基板保持部的腔室體的工序; d)使所述遮蔽板相對于所述腔室蓋部相對地上升而使所述遮蔽板從所述下部開口分離的工序； e)向所述腔室體內供給所述氣體的工序； f)向所述基板的所述上表面供給處理液的工序。10.根據權利要求9所述的基板處理方法，其中， 所述b)工序中，所述基板在比所述腔室本體的所述上部開口更靠上方的位置被所述基板保持部所保持， 所述d)工序與所述c)工序同時進行，在形成所述腔室體的狀態(tài)下，所述基板位于所述蓋內部空間。11.根據權利要求10所述的基板處理方法，其中， 所述e)工序中，經由在所述遮蔽板的下表面的中央部設置的氣體噴出口，向所述遮蔽板的所述下表面與所述基板的所述上表面之間的空間供給所述氣體。12.根據權利要求10或11所述的基板處理方法，其中， 還包括: 工序g)，在所述f)工序之前，通過使所述基板與所述基板保持部一同相對于所述腔室相對地下降，使所述基板從所述蓋內部空間經由所述下部開口以及所述上部開口向所述本體內部空間移動。13.根據權利要求12所述的基板處理方法，其中， 在所述f)工序中，所述蓋內部空間的氣壓比所述本體內部空間的氣壓高。14.根據權利要求9至13中任一項所述的基板處理方法，其中， 還包括: 工序h)，在所述f)工序之后，通過使所述基板與所述基板保持部一同相對于所述腔室體相對地上升，使所述基板從所述本體內部空間經由所述上部開口以及所述下部開口向所述蓋內部空間移動； 工序i)，通過以朝向所述上下方向的中心軸為中心，使所述基板與所述基板保持部一同旋轉，從而去除所述基板上的處理液。15.根據權利要求14所述的基板處理方法，其中， 所述腔室蓋部還包括: 蓋本體部，其呈上下翻轉的杯狀； 環(huán)狀的蓋底面部，其從所述蓋本體部的下端部向徑方向內側擴展，并且在中央部設置有所述下部開口； 排出端口，其設置于所述蓋底面部與所述蓋本體部的連接部，排出在所述i)工序中從所述基板去除的處理液。 所述蓋底面部的上表面越靠近所述徑方向外側而越朝向下方。16.根據權利要求14或15所述的基板處理方法，其中， 在所述i)工序中，在所述遮蔽板接近所述基板的位置以所述中心軸為中心進行旋轉。17.根據權利要求14至16中任一項所述的基板處理方法，其中， 在所述i)工序中，經由在所述遮蔽板的下表面的中央部設置的氣體噴出口，向所述遮蔽板的所述下表面與所述基板的所述上表面之間的空間供給所述氣體。18.根據權利要求9至17中任一項所述的基板處理方法，其中，所述基板是表面露出金屬圖案的基板。
【文檔編號】H01L21/304GK105981139SQ201580007916
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2015年2月23日
【發(fā)明人】吉田武司
【申請人】株式會社思可林集團