一種蒸鍍裝置及待蒸鍍基板加工方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種待蒸鍍基板、蒸鍍裝置及待蒸鍍基板加工方法，所述待蒸鍍基板上設(shè)置有第一定位機(jī)構(gòu)，所述第一定位機(jī)構(gòu)與所述待蒸鍍基板可拆卸連接；所述第一定位機(jī)構(gòu)與第二定位機(jī)構(gòu)配合，并可相互連接、可拆卸，第二定位機(jī)構(gòu)在蒸鍍過程中與蒸鍍裝置相對固定。所述蒸鍍裝置包括：設(shè)置于所述蒸鍍腔室內(nèi)的第二定位機(jī)構(gòu)，與所述待蒸鍍基板上的第一定位機(jī)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置，以在蒸鍍時(shí)與所述第一定位機(jī)構(gòu)連接，使得所述設(shè)置第一定位機(jī)構(gòu)的區(qū)域與所述基板支撐基臺之間的距離小于第二設(shè)定值。所述蒸鍍基板的加工方法用于加工本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的待蒸鍍基板。本發(fā)明能夠有效解決待蒸鍍基板下垂的問題。
【專利說明】
一種蒸鍍裝置及待蒸鍍基板加工方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及生產(chǎn)制造領(lǐng)域，尤其涉及一種蒸鍍裝置及待蒸鍍基板加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]蒸鍍是顯示產(chǎn)品生產(chǎn)制造過程中經(jīng)常使用的工藝，是在真空環(huán)境下，將材料加熱并使其附著在基板上。然而蒸鍍過程中一些影響良率的因素至今還未得到很好的解決，玻璃下垂量較大就是其中之一。蒸鍍過程是一個(gè)高真空的環(huán)境而無法使用真空吸附，如圖1所示，只能通過蒸鍍裝置上端的支撐件(Finger)1l在玻璃基板102邊緣進(jìn)行支撐，由于玻璃基板自身的重量較大會導(dǎo)致較大的下垂量。這無論對于蒸鍍的均一性還是對于掩模版的對位精度都是非常不利的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種蒸鍍裝置及待蒸鍍基板加工方法，能夠有效解決待蒸鍍基板下垂的問題。
[0004]基于上述目的本發(fā)明提供的蒸鍍裝置，包括:蒸鍍腔室、設(shè)置于蒸鍍腔室內(nèi)的蒸鍍源、掩模板支撐架和基板支撐基臺，所述掩模板支撐架用于承載掩模板，所述基板支撐基臺用于支撐待蒸鍍基板，且所述掩模板設(shè)置于所述蒸鍍源和所述待蒸鍍基板之間；所述蒸鍍裝置還包括:設(shè)置于所述蒸鍍腔室內(nèi)的第二定位機(jī)構(gòu)，與一第一定位機(jī)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置;所述在蒸鍍時(shí)與所述第一定位機(jī)構(gòu)連接，使得所述設(shè)置第一定位機(jī)構(gòu)的區(qū)域與所述基板支撐基臺之間的距離小于第二設(shè)定值。
[0005]可選的，所述第二定位機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述基板支撐基臺上。
[0006]可選的，所述第一定位機(jī)構(gòu)為導(dǎo)磁塊或磁力發(fā)生機(jī)構(gòu);所述第二定位機(jī)構(gòu)為能夠與第一定位機(jī)構(gòu)之間產(chǎn)生吸引力的磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)或?qū)Т艍K。
[0007]可選的，所述基板支撐基臺設(shè)置有凹槽，在所述第一定位機(jī)構(gòu)與所述第二定位機(jī)構(gòu)之間產(chǎn)生吸引力時(shí)，能夠?qū)⑺龅谝欢ㄎ粰C(jī)構(gòu)吸附在所述凹槽內(nèi)。
[0008]可選的，所述凹槽與所述基板支撐基臺邊沿之間的距離大于第一設(shè)定值。
[0009]可選的，當(dāng)所述凹槽設(shè)置有偶數(shù)個(gè)時(shí)，每兩個(gè)凹槽相對于所述基板支撐基臺的中心對稱設(shè)置。
[0010]可選的，所述凹槽的大小和形狀與第一定位機(jī)構(gòu)適配。
[0011]可選的，當(dāng)所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)均為磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)時(shí)，所述第一定位機(jī)構(gòu)與所述第二定位機(jī)構(gòu)的極性相反。
[0012]可選的，所述凹槽設(shè)置有奇數(shù)個(gè)時(shí)，其中至少一個(gè)凹槽設(shè)置于所述基板支撐基臺的中心位置，其余凹槽中每兩個(gè)相對于所述基板支撐基臺的中心對稱設(shè)置。
[0013]可選的，所述蒸鍍裝置還包括所述第一定位機(jī)構(gòu)，所述第一定位機(jī)構(gòu)通過可分解粘接劑與所述待蒸鍍基板粘合連接。
[0014]可選的，所述粘接劑為有機(jī)粘接劑、UV膠、水溶性膠水中的任一種。
[0015]可選的，所述有機(jī)粘接劑為有機(jī)真空膠，所述有機(jī)真空膠能夠在真空條件下固化。
[0016]同時(shí)，本發(fā)明提供一種待蒸鍍基板的加工方法，采用本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的蒸鍍裝置對待蒸鍍基板進(jìn)行加工，其特征在于，包括如下步驟:
[0017]利用蒸鍍裝置基板支撐基臺的支撐件承載待蒸鍍基板；
[0018]將所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)連接，使得待蒸鍍基板不同位置與蒸鍍設(shè)備基板支撐基臺的距離差小于設(shè)定值。
[0019]可選的，將所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)連接的步驟之后，還包括:
[0020]將掩膜板與所述待蒸鍍基板貼合；
[0021]使用所述蒸鍍裝置對所述待蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍，形成蒸鍍目標(biāo)基板。
[0022]可選的，當(dāng)所述蒸鍍裝置還包括所述第一定位機(jī)構(gòu)且所述第一定位機(jī)構(gòu)通過可分解粘接劑與所述待蒸鍍基板粘合連接時(shí)，所述使用所述蒸鍍裝置對所述待蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍之后，還包括:
[0023]將所述蒸鍍目標(biāo)基板與封裝蓋板進(jìn)行對盒；
[0024]將所述粘接劑分解，使得所述第一定位機(jī)構(gòu)從所述蒸鍍目標(biāo)基板上移除。
[0025]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的蒸鍍裝置及待蒸鍍基板的加工方法，能夠通過第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)增加待蒸鍍基板和蒸鍍裝置之間的連接點(diǎn)，從而能夠起到防止待蒸鍍基板在蒸鍍時(shí)下垂的作用，同時(shí)第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)通過相互連接的方式增加待蒸鍍基板和蒸鍍裝置之間的定位點(diǎn)，不會對待蒸鍍基板造成損壞或電路損傷，也不會對蒸鍍過程產(chǎn)生影響。
【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的待蒸鍍基板固定示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的待蒸鍍基板結(jié)構(gòu)以及蒸鍍裝置基板支撐基臺示意圖；
[0028]圖3A-E為本發(fā)明一種實(shí)施例的待蒸鍍基板加工方法示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的待蒸鍍基板加工方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0031]本發(fā)明首先提供一種蒸鍍裝置，參照圖2，包括:蒸鍍腔室、設(shè)置于蒸鍍腔室內(nèi)的蒸鍍源、掩模板支撐架和基板支撐基臺204，其中，由于蒸鍍腔室、蒸鍍源、掩膜板支撐架屬于現(xiàn)有技術(shù)，圖2中未畫出；所述掩模板支撐架用于承載掩模板，所述基板支撐基臺用于承載待蒸鍍基板，且所述掩模板設(shè)置于所述蒸鍍源和所述待蒸鍍基板201之間。所述蒸鍍裝置還包括:設(shè)置于所述蒸鍍腔室內(nèi)的第二定位機(jī)構(gòu)203，與所述待蒸鍍基板201上的第一定位機(jī)構(gòu)202對應(yīng)設(shè)置，以在蒸鍍時(shí)與所述第一定位機(jī)構(gòu)202連接，使得所述待蒸鍍基板201上所述設(shè)置第一定位機(jī)構(gòu)202的區(qū)域與所述基板支撐基臺204之間的距離小于第二設(shè)定值。
[0032]從上面所述可以看出，本發(fā)明所提供的蒸鍍裝置，通過待蒸鍍基板上的第一定位機(jī)構(gòu)和與蒸鍍裝置相對固定設(shè)置的第二定位機(jī)構(gòu)，能夠使得待蒸鍍基板和蒸鍍裝置之間的連接點(diǎn)增加，從而能夠起到防止待蒸鍍基板下垂的作用。
[0033]在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述第一定位機(jī)構(gòu)202與所述待蒸鍍基板201可拆卸連接;所述第一定位機(jī)構(gòu)202與第二定位機(jī)構(gòu)203配合，并可相互連接、可拆卸，第二定位機(jī)構(gòu)203在蒸鍍過程中與蒸鍍裝置相對固定。
[0034]在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)可以為相互可拆卸的機(jī)械結(jié)構(gòu)，例如，第二定位機(jī)構(gòu)為設(shè)置在蒸鍍裝置基板支撐基臺的卡槽，該卡槽不同于卡接玻璃基板邊緣的卡槽;第一定位機(jī)構(gòu)為卡接構(gòu)件，所述卡接構(gòu)件能夠卡接在所述卡槽中，并能夠從所述卡槽中取出；當(dāng)卡接構(gòu)件卡接在所述卡槽中時(shí)，能夠增加基板和蒸鍍裝置之間的連接點(diǎn)，從而能夠起到防止待蒸鍍基板下垂的作用。再如，所述第二定位機(jī)構(gòu)為超真空吸附機(jī)構(gòu)，所述第一定位機(jī)構(gòu)為吸盤機(jī)構(gòu)，在蒸鍍環(huán)境下，第一定位機(jī)構(gòu)能夠?qū)⒌诙ㄎ粰C(jī)構(gòu)吸附，從而增加待蒸鍍基板和蒸鍍裝置的連接點(diǎn)。再如，所述第二定位機(jī)構(gòu)為設(shè)置于蒸鍍裝置基板支撐基臺的下表面，第一定位機(jī)構(gòu)為設(shè)置于待蒸鍍基板的電場固化物，當(dāng)待蒸鍍基板移動到蒸鍍裝置基板支撐基臺下方時(shí)，第一定位機(jī)構(gòu)與第二定位機(jī)構(gòu)接觸，通過對所述電場固化物施加電場使其固化，從而能夠?qū)⒋翦兓逋ㄟ^第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)與蒸鍍裝置固定，增加了待蒸鍍基板和蒸鍍裝置之間的連接點(diǎn)。
[0035]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第一定位機(jī)構(gòu)與所述待蒸鍍基板的邊沿之間的距離大于第一設(shè)定值。
[0036]在蒸鍍過程中，所述第一定位機(jī)構(gòu)與待蒸鍍基板中心的距離越小，或者第一定位機(jī)構(gòu)能夠?qū)ΨQ地分布于待蒸鍍基板中心周圍，或者第一定位機(jī)構(gòu)能夠?qū)ΨQ地分布于待蒸鍍基板中間區(qū)域時(shí)將具有較好的消除下垂效果。
[0037]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，參照圖2，所述第二定位機(jī)構(gòu)203設(shè)置于所述基板支撐基臺204上。所述第二定位機(jī)構(gòu)203在蒸鍍過程中與蒸鍍裝置的基板支撐基臺204相對固定。
[0038]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第一定位機(jī)構(gòu)為導(dǎo)磁塊或磁力發(fā)生機(jī)構(gòu);所述第二定位機(jī)構(gòu)為能夠與第一定位機(jī)構(gòu)之間產(chǎn)生吸引力的磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)或?qū)Т艍K。
[0039]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第一定位機(jī)構(gòu)為導(dǎo)磁塊或磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)。同時(shí)，第二定位機(jī)構(gòu)應(yīng)當(dāng)為能夠與第一定位機(jī)構(gòu)吸附。具體的，所述第一定位機(jī)構(gòu)為導(dǎo)磁塊，所述第二定位機(jī)構(gòu)為磁力發(fā)生機(jī)構(gòu);或，所述第一定位機(jī)構(gòu)為磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)，所述第二定位機(jī)構(gòu)為導(dǎo)磁塊。所述導(dǎo)磁塊為磁鐵或其他能夠被磁力吸附的物體。當(dāng)?shù)谝欢ㄎ粰C(jī)構(gòu)為導(dǎo)磁塊或磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)、第二定位機(jī)構(gòu)相應(yīng)地為磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)或?qū)Т艍K時(shí)，這種設(shè)計(jì)既不會存在損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)，又無需對現(xiàn)有設(shè)備做復(fù)雜的改進(jìn)，且起到很好的放置下垂效果。實(shí)施過程參數(shù)調(diào)節(jié)簡單，只需要調(diào)節(jié)磁力單元的磁力大小，設(shè)備改動小，可實(shí)現(xiàn)性較強(qiáng)。
[0040]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述基板支撐基臺設(shè)置有凹槽206，在所述第一定位機(jī)構(gòu)202與所述第二定位機(jī)構(gòu)203之間產(chǎn)生吸引力時(shí)，能夠?qū)⑺龅谝欢ㄎ粰C(jī)構(gòu)202吸附在所述凹槽內(nèi)。
[0041]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述凹槽與所述基板支撐基臺邊沿之間的距離大于第一設(shè)定值。
[0042]當(dāng)所述凹槽設(shè)置有偶數(shù)個(gè)時(shí)，每兩個(gè)凹槽相對于所述基板支撐基臺的中心對稱設(shè)置。對應(yīng)的，在本發(fā)明一些實(shí)施例中，當(dāng)所述凹槽設(shè)有偶數(shù)個(gè)時(shí)，第一定位機(jī)構(gòu)也設(shè)置有偶數(shù)個(gè)。在蒸鍍過程中，每兩個(gè)第一定位機(jī)構(gòu)相對于所述待蒸鍍基板的中心對稱設(shè)置。例如，當(dāng)?shù)谝欢ㄎ粰C(jī)構(gòu)設(shè)置有4個(gè)時(shí)，這4個(gè)第一定位機(jī)構(gòu)分別位于待蒸鍍基板兩個(gè)對稱軸的兩側(cè)。
[0043]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述凹槽設(shè)置有奇數(shù)個(gè)時(shí)，其中至少一個(gè)凹槽設(shè)置于所述基板支撐基臺的中心位置，其余凹槽中每兩個(gè)相對于所述基板支撐基臺的中心對稱設(shè)置。當(dāng)凹槽設(shè)有奇數(shù)個(gè)時(shí)，所述第一定位機(jī)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置有奇數(shù)個(gè)。在蒸鍍過程中，其中一個(gè)第一定位機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述待蒸鍍基板的中心位置，其余第一定位機(jī)構(gòu)中每兩個(gè)第一定位機(jī)構(gòu)相對于所述待蒸鍍基板的中心對稱設(shè)置。例如，當(dāng)?shù)谝欢ㄎ粰C(jī)構(gòu)設(shè)置有5個(gè)時(shí)，這5個(gè)第一定位機(jī)構(gòu)中，一個(gè)設(shè)置于待蒸鍍基板的中心位置，另外4個(gè)關(guān)于所述中心位置對稱設(shè)置。
[0044]通過實(shí)驗(yàn)檢測，可利用較少數(shù)量的第一定位機(jī)構(gòu)達(dá)到基本上完全消除待蒸鍍基板下垂的效果。例如，對于大部分基板，第一定位機(jī)構(gòu)可設(shè)置1-20個(gè)。當(dāng)?shù)谝欢ㄎ粰C(jī)構(gòu)設(shè)置有兩個(gè)或多個(gè)時(shí)，第二定位機(jī)構(gòu)的數(shù)量要能夠滿足令所有的第一定位機(jī)構(gòu)均能夠在蒸鍍過程中與第二定位機(jī)構(gòu)連接。
[0045]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，仍然參照圖2，所述凹槽206的大小和形狀與第一定位機(jī)構(gòu)202適配。
[0046]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，當(dāng)所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)均為磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)時(shí)，所述第一定位機(jī)構(gòu)與所述第二定位機(jī)構(gòu)的極性相反。
[0047]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，仍然參照圖2，所述第一定位機(jī)構(gòu)202通過可分解粘接劑205與所述待蒸鍍基板201粘合連接。
[0048]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述粘接劑為有機(jī)粘接劑、UV膠、水溶性膠水中的任一種。
[0049]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述有機(jī)粘接劑為有機(jī)真空膠，所述有機(jī)真空膠能夠在真空條件下固化。
[0050]在本發(fā)明一種具體實(shí)施例中，所述第一定位機(jī)構(gòu)為標(biāo)準(zhǔn)形狀的鐵塊，所述第二定位機(jī)構(gòu)為蒸鍍裝置的蒸鍍腔室基板支撐基臺上與所述第一定位機(jī)構(gòu)位置相對應(yīng)、形狀相匹配的凹槽，在蒸鍍裝置遠(yuǎn)離所述凹槽的一面設(shè)置有磁力發(fā)生機(jī)構(gòu);所述第一定位機(jī)構(gòu)通過真空膠與待蒸鍍基板連接，真空膠能夠在真空環(huán)境中固化，在一般環(huán)境中分解，因而能夠從待蒸鍍基板上完全清除，不會對待蒸鍍基板的后續(xù)加工以及使用造成影響。在蒸鍍之前啟動所述磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生磁力，將所述鐵塊吸附在凹槽內(nèi)，待蒸鍍基板會受到向上的力，將下垂部位拉平。在蒸鍍結(jié)束、待蒸鍍基板與封裝基板對合之后，真空膠在正常非真空環(huán)境中分解，此時(shí)可使用特定的有機(jī)溶劑將真空膠從基板上清除，同時(shí)將鐵塊從待蒸鍍基板上移除。
[0051]通過暫時(shí)性地在背板玻璃的背面中心處粘貼一塊鐵塊，并在上端基臺相應(yīng)位置設(shè)置形狀匹配的凹槽與磁力單元，在進(jìn)行精細(xì)金屬掩模對位前，磁力單元與鐵塊的吸附可以拉平背板玻璃，從而極大程度的解決了玻璃下垂量的問題。最后在進(jìn)行封裝成盒后再用相應(yīng)溶劑將有機(jī)真空膠溶解破壞，鐵塊可回收使用。因此能夠以較小的成本解決待蒸鍍基板下垂的問題。
[0052]進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一種待蒸鍍基板的加工方法，采用本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的蒸鍍裝置對待蒸鍍基板進(jìn)行加工，包括如圖4所示的步驟:
[0053]步驟401:利用蒸鍍裝置基板支撐基臺的支撐件承載待蒸鍍基板;此時(shí)待蒸鍍基板自然下垂；
[0054]步驟402:將所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)連接，使得待蒸鍍基板不同位置與蒸鍍設(shè)備基板支撐基臺的距離差小于設(shè)定值。
[0055]當(dāng)所述第一定位機(jī)構(gòu)為鐵塊，所述第二定位機(jī)構(gòu)為磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)時(shí)，步驟401之前，用真空將將所述第一定位機(jī)構(gòu)粘貼于待蒸鍍基板背面。所述蒸鍍裝置基板支撐基臺設(shè)置有與所述第一定位機(jī)構(gòu)形狀和大小相匹配的凹槽，通過啟動磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)，使得第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)相互吸附，鐵塊嵌入所述凹槽中。
[0056]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，仍然參照圖4，所述將所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)連接的步驟之后，還包括:
[0057]步驟403:將掩膜板與所述待蒸鍍基板貼合;具體的，所述掩膜板為精細(xì)金屬掩膜板；
[0058]步驟404:使用所述蒸鍍裝置對所述待蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍。
[0059]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，當(dāng)所述第一定位機(jī)構(gòu)通過有機(jī)粘接劑、UV膠、水溶性膠水與所述待蒸鍍基板粘接時(shí)，所述使用所述蒸鍍裝置對所述待蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍之后，還包括:
[0060]將蒸鍍后的基板與封裝蓋板進(jìn)行對盒；
[0061 ]將所述粘接劑分解，使得所述第一定位機(jī)構(gòu)從所述目標(biāo)基板上移除。具體的，可以用解膠劑將所述粘接劑分解。當(dāng)所述粘接劑為有機(jī)粘接劑時(shí)，可通過有機(jī)溶劑將所述粘接劑分解;當(dāng)所述粘接劑為水溶性膠水時(shí)，可通過水將粘接劑分解。
[0062]在本發(fā)明一種具體實(shí)施例中，所述第一定位機(jī)構(gòu)為標(biāo)準(zhǔn)形狀的鐵塊，所述第二定位機(jī)構(gòu)為蒸鍍裝置的蒸鍍腔室基板支撐基臺上與所述第一定位機(jī)構(gòu)位置相對應(yīng)、形狀相匹配的凹槽，在蒸鍍裝置遠(yuǎn)離所述凹槽的一面設(shè)置有磁力發(fā)生機(jī)構(gòu);所述第一定位機(jī)構(gòu)通過真空膠與待蒸鍍基板連接。本發(fā)明所提供的方法參照圖2以及圖3A-3E所示，包括:
[0063]將第一定位機(jī)構(gòu)202通過真空膠205設(shè)置于待蒸鍍基板201上，如圖3A所示；
[0064]利用蒸鍍裝置基板支撐基臺204的支撐件承載待蒸鍍基板201;此時(shí)待蒸鍍基板201自然下垂;如圖3B所示；
[0065]將所述第一定位機(jī)構(gòu)202和第二定位機(jī)構(gòu)203連接，使得待蒸鍍基板不同位置與蒸鍍設(shè)備基板支撐基臺的距離差小于設(shè)定值，如圖2所示；
[0066]將掩膜板301與所述待蒸鍍基板201貼合;具體的，所述掩膜板為精細(xì)金屬掩膜板，如圖3C所示；
[0067]使用所述蒸鍍裝置對所述待蒸鍍基板201進(jìn)行蒸鍍，形成蒸鍍目標(biāo)基板；
[0068]將蒸鍍目標(biāo)基板201與封裝蓋板302進(jìn)行對盒，如圖3D所示；
[0069]利用有機(jī)溶劑303將所述粘接劑205分解，使得所述第一定位機(jī)構(gòu)201從所述蒸鍍目標(biāo)基板201上移除，如圖3E所示。
[0070]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的待蒸鍍基板、蒸鍍裝置及待蒸鍍基板的加工方法，能夠通過第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)增加待蒸鍍基板和蒸鍍裝置之間的連接點(diǎn)，從而能夠起到防止待蒸鍍基板在蒸鍍時(shí)下垂的作用，同時(shí)第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)通過相互連接的方式增加待蒸鍍基板和蒸鍍裝置之間的定位點(diǎn)，不會對待蒸鍍基板造成損壞或電路損傷，也不會對蒸鍍過程產(chǎn)生影響。
[0071]應(yīng)當(dāng)理解，本說明書所描述的多個(gè)實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0072]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種蒸鍍裝置，包括:蒸鍍腔室、設(shè)置于蒸鍍腔室內(nèi)的蒸鍍源、掩模板支撐架和基板支撐基臺，所述掩模板支撐架用于承載掩模板，所述基板支撐基臺用于支撐待蒸鍍基板，且所述掩模板設(shè)置于所述蒸鍍源和所述待蒸鍍基板之間；其特征在于，所述蒸鍍裝置還包括:設(shè)置于所述蒸鍍腔室內(nèi)的第二定位機(jī)構(gòu)，與一第一定位機(jī)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置;所述在蒸鍍時(shí)與所述第一定位機(jī)構(gòu)連接，使得所述設(shè)置第一定位機(jī)構(gòu)的區(qū)域與所述基板支撐基臺之間的距離小于第二設(shè)定值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第二定位機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述基板支撐基臺上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第一定位機(jī)構(gòu)為導(dǎo)磁塊或磁力發(fā)生機(jī)構(gòu);所述第二定位機(jī)構(gòu)為能夠與第一定位機(jī)構(gòu)之間產(chǎn)生吸引力的磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)或?qū)Т艍K。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述基板支撐基臺設(shè)置有凹槽，在所述第一定位機(jī)構(gòu)與所述第二定位機(jī)構(gòu)之間產(chǎn)生吸引力時(shí)，能夠?qū)⑺龅谝欢ㄎ粰C(jī)構(gòu)吸附在所述凹槽內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述凹槽與所述基板支撐基臺邊沿之間的距離大于第一設(shè)定值。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于，當(dāng)所述凹槽設(shè)置有偶數(shù)個(gè)時(shí)，每兩個(gè)凹槽相對于所述基板支撐基臺的中心對稱設(shè)置。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述凹槽設(shè)置有奇數(shù)個(gè)時(shí)，其中至少一個(gè)凹槽設(shè)置于所述基板支撐基臺的中心位置，其余凹槽中每兩個(gè)相對于所述基板支撐基臺的中心對稱設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述凹槽的大小和形狀與第一定位機(jī)構(gòu)適配。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，其特征在于，當(dāng)所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)均為磁力發(fā)生機(jī)構(gòu)時(shí)，所述第一定位機(jī)構(gòu)與所述第二定位機(jī)構(gòu)的極性相反。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍裝置還包括所述第一定位機(jī)構(gòu)，所述第一定位機(jī)構(gòu)通過可分解粘接劑與所述待蒸鍍基板粘合連接。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述粘接劑為有機(jī)粘接劑、UV膠、水溶性膠水中的任一種。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述有機(jī)粘接劑為有機(jī)真空膠，所述有機(jī)真空膠能夠在真空條件下固化。13.—種待蒸鍍基板的加工方法，采用權(quán)利要求1-12中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置對待蒸鍍基板進(jìn)行加工，其特征在于，包括如下步驟: 利用蒸鍍裝置基板支撐基臺的支撐件承載待蒸鍍基板； 將所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)連接，使得待蒸鍍基板不同位置與蒸鍍設(shè)備基板支撐基臺的距離差小于設(shè)定值。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，將所述第一定位機(jī)構(gòu)和第二定位機(jī)構(gòu)連接的步驟之后，還包括: 將掩膜板與所述待蒸鍍基板貼合； 使用所述蒸鍍裝置對所述待蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍，形成蒸鍍目標(biāo)基板。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述蒸鍍裝置為權(quán)利要求10所述的蒸鍍裝置時(shí)，所述使用所述蒸鍍裝置對所述待蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍之后，還包括: 將所述蒸鍍目標(biāo)基板與封裝蓋板進(jìn)行對盒； 將所述粘接劑分解，使得所述第一定位機(jī)構(gòu)從所述蒸鍍目標(biāo)基板上移除。
【文檔編號】C23C14/24GK106048536SQ201610393384
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月6日
【發(fā)明人】陳棟, 孔超, 梁逸南
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司