SR25k這一方式，階梯性地使電勢變高。
[0127]通過構(gòu)成為圖20A、圖20B所示那樣，與圖18A、圖18B的構(gòu)成相比，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大存儲信號電荷的區(qū)域的面積(部分SR21、部分SR22、部分SR23j、部分SR24j各自的縱方向的面積及部分SR25k的平面方向的面積)。由此，能夠使信號存儲部H)的飽和電荷量(例如，飽和電子數(shù))進(jìn)一步增加。
[0128](第二實(shí)施方式)
[0129]接下來，對第二實(shí)施方式所涉及的固體攝像裝置205進(jìn)行說明。下面，以與第一實(shí)施方式不同的部分為主進(jìn)行說明。
[0130]在第一實(shí)施方式中，按每個像素P設(shè)有轉(zhuǎn)送部TR、復(fù)位部RST及放大部AMP，所以如圖4A所示，各像素P的X方向的寬度Wx及y方向的寬度Wy需要按配置轉(zhuǎn)送部TR、復(fù)位部RST及放大部AMP的量來確保。例如，在俯視時，需要按各像素P，確保與轉(zhuǎn)送部TR(轉(zhuǎn)送晶體管)的槽柵TRG、復(fù)位部RST (復(fù)位晶體管)的柵極RSTG、放大部AMP (放大晶體管)的柵極AMPG對應(yīng)的面積。
[0131]對此，能夠削減按各像素P應(yīng)當(dāng)配置的元件數(shù)(晶體管數(shù))時，能夠使各像素P的X方向的寬度Wx及y方向的寬度Wy進(jìn)一步縮小，能夠期待各像素P的進(jìn)一步的縮小。
[0132]因此，在第二實(shí)施方式中，在多個像素P間分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP，并且按多個像素P分配配置復(fù)位部RST及放大部AMP。
[0133]具體而言，如圖21所示，在固體攝像裝置205的像素陣列212中的在列方向(x方向)相鄰的二個像素之間分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP，并且對在列方向(X方向)相鄰的二個像素分配配置復(fù)位部RST及放大部AMP。圖21是關(guān)于2行X2列的像素P(l，I)?P (2, 2)的陣列來示意性地表示固體攝像裝置205的像素陣列212的平面構(gòu)成的圖。
[0134]例如，對在列方向(X方向)相鄰的二個像素P(l，I)、P (2，I)進(jìn)行示意性地說明。另外，關(guān)于在列方向(X方向)相鄰的二個像素P (2，I)、P (2，2)，也與在列方向(X方向)相鄰的二個像素P(l，I)、P (2，I)是同樣的。
[0135]像素P(l，I)具有復(fù)位部RST，但不具有放大部AMP。像素P(l，l)的復(fù)位部RST (復(fù)位晶體管)的源極RSTS分別電連接于像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)及像素P(2，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)。由此，像素P(l，I)的復(fù)位部RST將像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓復(fù)位，并將像素P (2，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓復(fù)位。
[0136]此外，像素P (2，I)具有放大部AMP，但不具有復(fù)位部RST。像素P (2，I)的放大部AMP (放大晶體管)的柵極AMPG分別電連接于像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)及像素P (2，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)。由此，像素P (2，I)的放大部AMP將與像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓對應(yīng)的信號輸出至信號線316 —」，并將與像素？(2，1)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓對應(yīng)的信號輸出至信號線SIG—j。
[0137]另外，與圖21所示的平面構(gòu)成對應(yīng)的電路構(gòu)成例如如圖22那樣。圖22是對固體攝像裝置205的電路構(gòu)成進(jìn)行表示的圖。在共有復(fù)位部RST及放大部AMP的二個像素P (1，I)、p(2，I)之間分別輸出與信號存儲部ro的電荷對應(yīng)的信號還是將與信號存儲部ro的電荷對應(yīng)的信號相加后輸出，能夠以二個像素P (I，I)、p (2，I)的各自的轉(zhuǎn)送部TR的導(dǎo)通?截止的定時來調(diào)整。另外，圖21所示的布局構(gòu)成上的像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)和像素P(2，l)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)，通過布線相互電連接而具有相同的電壓，所以如圖22所示，電路構(gòu)成上作為由像素P(l，I)及像素P(2，l)所共有的單一的電荷電壓轉(zhuǎn)換元件而發(fā)揮功能。
[0138]如以上所述，在第二實(shí)施方式中，在固體攝像裝置205的像素陣列212中，在多個像素P間分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP，并且對該共有的多個像素P分配配置復(fù)位部RST及放大部AMP。由此，能夠削減按各像素P應(yīng)當(dāng)配置的元件數(shù)(晶體管數(shù))。其結(jié)果是，能夠使各像素P的X方向的寬度Wx及y方向的寬度Wy進(jìn)一步縮小，能夠使各像素P進(jìn)一步縮小。此外，在使各像素的平面方向的面積縮小了的情況下，對于各像素P，能夠確保平均后的放大部(放大晶體管)AMP的尺寸較大，能夠抑制隨機(jī)噪聲的增加。
[0139]另外，在固體攝像裝置205’的像素陣列212’中，以行方向2個像素且列方向I列為單位的信號讀出電路共有構(gòu)成中，也可以采用如圖23的配置。圖23是對像素陣列212’的其他的平面構(gòu)成的例子進(jìn)行表示的圖。即，也可以是如下配置:信號讀出電路共有單位是行方向2個像素且列方向I列這一點(diǎn)沒有變化，但每列其各為I個像素量而在圖23中觀察使在上下方向互不相同。例如，在第I列，像素P(2，l)及像素P(3，l)間分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP，并且按多個像素P分配配置復(fù)位部RST及放大部AMP。在第2列，像素P(l, 2)及像素P(2，2)分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP，并且按多個像素P分配配置復(fù)位部RST及放大部AMP。在此情況下，也能夠削減按各像素P應(yīng)當(dāng)配置的元件數(shù)(晶體管數(shù))。
[0140]或者，在第二實(shí)施方式中，對在列方向(X方向)相鄰的二個像素P間分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP的情況進(jìn)行示意性地說明，但共有復(fù)位部RST及放大部AMP的像素?cái)?shù)也可以是三個以上。
[0141]例如，也可以如圖24所示，在固體攝像裝置205i的像素陣列212i中的在列方向(X方向)相鄰的四個像素之間分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP，并且對在列方向(X方向)相鄰的四個像素分配配置復(fù)位部RST及放大部AMP。圖24是關(guān)于4行X2列的像素P(l，I)?P (4，2)的陣列對固體攝像裝置205i的像素陣列212i的平面構(gòu)成進(jìn)行示意性地表示的圖。
[0142]例如，對在列方向(X方向)相鄰的四個像素P(l，I)、P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)進(jìn)行示意性地說明。另外，關(guān)于在列方向(X方向)相鄰的四個像素P(1，2)、P(2，2)、P(3，2)、P (4，2)，與在列方向(X方向)相鄰的四個像素P(l，I)、P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)也是同樣的。
[0143]像素P(l，I)具有復(fù)位部RST，但不具有放大部AMP。像素P(l，l)的復(fù)位部RST(復(fù)位晶體管)的源極RSTS分別電連接于像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P (2，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P (3，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P(4，l)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)。由此，像素P(l，l)的復(fù)位部RST將像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓復(fù)位，將像素P (2，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓復(fù)位，將像素P (3，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓復(fù)位，并將像素P (4，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)的電壓復(fù)位。
[0144]此外，像素P(2，1)、P(3，1)、P(4，1)分別具有放大部AMP，但不具有復(fù)位部RST。像素P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)各自的放大部AMP (放大晶體管)的柵極AMPG分別電連接于像素P(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P(2，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P(3，l)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P(4，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)。由此，像素P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)各自的放大部AMP成為使各自的源極共通此外使各自的漏極共通而并聯(lián)地連接的狀態(tài)。像素P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)各自的放大部AMP (放大晶體管)經(jīng)由信號線SIG — j與源極彼此連接，經(jīng)由電源線與漏極彼此連接。像素？(1，1)、？(2，1)、？(3，1)4(4，1)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD成為始終電連接于像素P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)的放大部AMP (放大晶體管)的柵極AMPG和像素P (I,I)的復(fù)位部RST (復(fù)位晶體管)的源極RSTS的狀態(tài)。即，像素P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)各自的放大部AMP并聯(lián)地連接于像素P (1，I)、P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD與信號線SIG — j之間，所以能夠容易地獲得跨導(dǎo)。
[0145]另外，與圖24所示的平面構(gòu)成對應(yīng)的電路構(gòu)成例如如圖25那樣。圖25是對固體攝像裝置205i的電路構(gòu)成進(jìn)行表示的圖。如圖25所示，像素P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)各自的放大部AMP等價地作為一個放大部發(fā)揮功能。共有復(fù)位部RST及放大部AMP的四個像素P(l，I)、P(2，I)、P(3，I)、P(4，I)之間分別輸出與信號存儲部H)的電荷對應(yīng)的信號還是將與信號存儲部ro的電荷對應(yīng)的信號相加后輸出，能夠以四個像素P(l，I)、P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)的各自的轉(zhuǎn)送部TR的導(dǎo)通?截止的定時來調(diào)整。另外，圖24所示的布局構(gòu)成上的像素p(l，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P (2，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P (3，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)及像素P (4，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)，通過布線相互電連接而具有相同的電壓，所以圖如25所示，在電路構(gòu)成上作為由像素P(l，I)、P (2，I)、P (3，I)、P (4，I)共有的單一的電荷電壓轉(zhuǎn)換元件發(fā)揮功能。
[0146]這樣，在三個以上的像素P間分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP并且對該共有的多個像素P分配配置復(fù)位部RST及放大部AMP的情況下，能夠使共有的放大部AMP的數(shù)目為多個。由此，在使各像素的平面方向的面積縮小了的情況下，，通過并聯(lián)地連接而通道寬度在實(shí)效上變大的放大部(放大晶體管)AMP輸出各像素P的輸出信號，所以能夠進(jìn)一步抑制隨機(jī)噪聲的增加。
[0147]或者，也可以是，在三個以上的像素P間除了分別共有復(fù)位部RST及放大部AMP以外還分別共有選擇部ADR并且對該共有的多個像素P分配配置復(fù)位部RST、放大部AMP及選擇部ADR。
[0148]S卩，代替復(fù)位部RST而由選擇部ADR進(jìn)行用于使像素P為選擇狀態(tài)/非選擇狀態(tài)的動作，所以復(fù)位部RST的漏極側(cè)的電位可以被固定(例如，VDD)。選擇部ADR例如是選擇晶體管，在有效電平的控制信號被提供給柵極ADRG時導(dǎo)通，從而使像素P為選擇狀態(tài)，在非有效電平的控制信號被提供給柵極ADRG時截止，從而使像素P為非選擇狀態(tài)。
[0149]例如，在圖24所示的四個像素P(Ll)、P(2，I)、P(3，I)、P(4，I)中，將像素P(4，I)的放大部AMP置換為選擇部ADR，將選擇部ADR(選擇晶體管)的漏極連接到像素P (2，I)、P (3，I)各自的放大部AMP的源極。圖26是對如上所述使固體攝像裝置205i變形后的固體攝像裝置的平面構(gòu)成進(jìn)行表示的圖。圖27是對如上所述使固體攝像裝置25i變形后的固體攝像裝置的電路構(gòu)成進(jìn)行表示的圖。在此情況下，與按每個像素P設(shè)置復(fù)位部RST、放大部AMP、選擇部ADR的構(gòu)成相比，也能夠削減按各像素P應(yīng)當(dāng)配置的元件數(shù)(晶體管數(shù))。另外，圖26所示的布局構(gòu)成上的像素P (I，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P(2，l)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)、像素P(3，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD(半導(dǎo)體區(qū)域SR3)及像素P (4，I)的電荷電壓轉(zhuǎn)換部FD (半導(dǎo)體