1.一種P型結(jié)構(gòu)層，包括第一P型層，其特征在于：還包括位于第一P型層之上的極化電流注入層，所述極化電流注入層包括依次層疊的p+-GaN層、未摻雜含鋁氮化物層、以及 n+-GaN層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型結(jié)構(gòu)層，其特征在于： 所述未摻雜含鋁氮化物層為u-AlGaN層或者u-AlN層或者u-AlInGaN層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型結(jié)構(gòu)層，其特征在于：所述極化電流注入層的厚度為10~150埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型結(jié)構(gòu)層，其特征在于：所述p+-GaN層的厚度為1~50埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型結(jié)構(gòu)層，其特征在于：所述未摻雜含鋁氮化物層的厚度為1~50埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型結(jié)構(gòu)層，其特征在于：所述n+-GaN層的厚度為1~50埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型結(jié)構(gòu)層，其特征在于：所述P型摻雜的雜質(zhì)為Mg，所述N型摻雜的雜質(zhì)為Si。
8.一種發(fā)光二極管，從下至上至少包括依次層疊的襯底、第一N型層、第一發(fā)光層、其特征在于：所述第一發(fā)光層之上還層疊有權(quán)利要求1~7所述的任意一項(xiàng)的P型結(jié)構(gòu)層，所述P型結(jié)構(gòu)層包括第一P型層，以及位于第一P型層之上的極化電流注入層，所述極化電流注入層包括依次層疊的p+-GaN層、未摻雜含鋁氮化物層、以及 n+-GaN層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置于所述P型結(jié)構(gòu)層上的第二N型層、第二發(fā)光層、第二P型層和P型接觸層，形成雙層發(fā)光結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述p+-GaN層的P型雜質(zhì)含量大于第一P型層的雜質(zhì)含量；所述n+-GaN層的N型雜質(zhì)含量大于第一N型層的雜質(zhì)含量。