技術(shù)編號(hào):11197237
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種P型結(jié)構(gòu)層及發(fā)光二極管。背景技術(shù)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管,從下至上包括依次層疊的襯底、N型層、發(fā)光層、P型層和P型接觸層。當(dāng)向發(fā)光二極管注入電流后,N型層提供電子,P型層提供空穴,電子和空穴在發(fā)光層中復(fù)合,使發(fā)光二極管發(fā)射一定波長(zhǎng)的光線。其中,電子的遷移率(mobility)較空穴快,導(dǎo)致在發(fā)光層中,電子空穴對(duì)分布不均,不能有效復(fù)合。發(fā)明內(nèi)容為解決以上問(wèn)題,一方面,本實(shí)用新型提供一種P型結(jié)構(gòu)層,包括第一P型層,其特征在于:還包括位于第一P型層之上的極化電流注入層...
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