技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：注入工序，從第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板(101)的背面進(jìn)行質(zhì)子注入；和形成工序，在注入工序后，通過(guò)在退火爐中對(duì)半導(dǎo)體基板(101)進(jìn)行退火處理，從而形成比半導(dǎo)體基板(101)具有更高的雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)域(101a)，形成工序在使退火爐處于氫氣氛，并將氫的容積濃度為6％～30％的條件下進(jìn)行。由此，在通過(guò)質(zhì)子注入而進(jìn)行的施主生成中能夠?qū)崿F(xiàn)晶體缺陷降低。另外，能夠提高施主化率。

技術(shù)研發(fā)人員：小林勇介;吉村尚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2013.03.18
技術(shù)公布日：2017.09.22