相關(guān)申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案主張2014年12月18日申請(qǐng)的第62/093,908號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，所述臨時(shí)申請(qǐng)案的揭示內(nèi)容特此以引用的方式全部并入本文中。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體晶片被加工成集成電路芯片。在晶片從原始制造商運(yùn)輸?shù)街谱髟O(shè)施期間及在制作設(shè)施中的加工步驟當(dāng)中，用晶片容器來(lái)固持晶片。晶片經(jīng)歷數(shù)十個(gè)或數(shù)百個(gè)加工步驟才能成為最終集成電路產(chǎn)品。晶片是極其易碎且昂貴的。晶片所經(jīng)歷的加工步驟越多，投入越大，晶片的價(jià)值越大，且在受損壞時(shí)的損失越大。

晶片的直徑可具有各種尺寸、最高達(dá)300mm，且正在開(kāi)發(fā)用于450mm晶片的設(shè)備。在運(yùn)輸裝有晶片的容器期間及在晶片的裝載及卸除步驟期間以及在對(duì)晶片的封閉期間，都需要這些容器來(lái)保護(hù)晶片免受污染及損壞。所述晶片通常被支撐于僅通過(guò)晶片的邊緣來(lái)對(duì)其進(jìn)行支撐的容器中。尤其用于300mm晶片的晶片容器稱(chēng)為foup及fosb，其是“frontopeningunifiedpod(前開(kāi)口統(tǒng)一匣)”及“frontopeningshippingbox(前開(kāi)口裝運(yùn)盒)”的縮寫(xiě)。這些前開(kāi)口容器具有前開(kāi)口容器部及門(mén)，所述門(mén)閉合前開(kāi)口且閂鎖到所述容器部上。晶片是通過(guò)容器部中被定位于容器兩側(cè)處的擱架支撐。所述晶片還由晶片支撐件(也稱(chēng)為晶片限動(dòng)器(restraint))進(jìn)行前向及后向支撐，其中晶片邊緣安放在前向支撐件及后向支撐件中的多個(gè)v形或u形凹槽中，其中所述支撐件對(duì)前向邊緣及后向邊緣提供壓縮力。所述晶片支撐件可為具有薄聚合物彈簧的緩沖墊，所述聚合物彈簧連接到晶片邊緣嚙合部以對(duì)晶片邊緣提供彈性支撐。在foup中，晶片在裝運(yùn)期間通常被抬離擱架且僅由前向支撐件及后向支撐件支撐。所述晶片邊緣嚙合部是“彈簧支撐式”。依據(jù)行業(yè)慣例，對(duì)foup及fosb應(yīng)用x-y-z坐標(biāo)系，其中插入及縮回方向與z方向相關(guān)聯(lián)，垂直方向與x方向相關(guān)聯(lián)，且橫向方向、左方向及右方向與y方向相關(guān)聯(lián)?？蓪osb向后旋轉(zhuǎn)90度以便裝運(yùn)，使晶片垂直懸置于前向晶片支撐件及后向晶片支撐件之間，且坐標(biāo)系隨著fosb一起旋轉(zhuǎn)。

來(lái)自消費(fèi)者及產(chǎn)品制造商的需求以及制造成本效率已使集成電路的尺寸及厚度縮減。這在晶片加工層面反映為“電路密度”的增加及厚度的減小。尤其在大的晶片尺寸上(例如300mm)，厚度的減小相當(dāng)于對(duì)保護(hù)晶片(特別是在運(yùn)輸已裝載晶片容器期間)的需求更大。舉例來(lái)說(shuō)，較薄晶片在沖擊狀態(tài)期間的偏轉(zhuǎn)將大于較厚晶片且具有更大易碎性。這對(duì)前向支撐件及后向支撐件產(chǎn)生更大需求。舉例來(lái)說(shuō)，前向支撐件及后向支撐件可能需要更大的朝向及遠(yuǎn)離晶片(z方向)的移動(dòng)范圍且需要更精細(xì)支撐，其包括需使對(duì)晶片的壓縮力更小。

一般來(lái)說(shuō)，在前開(kāi)口晶片容器中，改進(jìn)前向晶片支撐件及/或后向晶片支撐件有效地支撐較薄晶片的能力將深受歡迎。

最近，不能夠有效地自身進(jìn)行支撐的極薄晶片被接合到載體襯底，使得所述極薄晶片可被加工及處置。因此，“接合式晶片”具有載體襯底側(cè)及載體襯底面以及經(jīng)薄化晶片側(cè)及經(jīng)薄化晶片面。在此類(lèi)接合式晶片中，極薄晶片在最終變換成集成電路之前最終會(huì)從載體襯底分離。所述載體襯底可通過(guò)其邊緣被支撐，其中經(jīng)薄化晶片邊緣相對(duì)于載體襯底邊緣向內(nèi)偏移。需要特別經(jīng)配置以支撐及保護(hù)這些接合式晶片的前向晶片支撐件及/或后向晶片支撐件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種前開(kāi)口晶片容器包括容器部及門(mén)部，所述容器部具有內(nèi)部擱架及位于后壁處的后向晶片邊緣支撐件。前門(mén)的尺寸適于被接納于開(kāi)口前部中且閂鎖到容器部且具有前向晶片支撐件，借此晶片以壓縮方式嚙合于前向晶片支撐件與后向晶片支撐件之間，每一晶片支撐件具有v形凹槽。所述前向晶片支撐件包含由彈簧構(gòu)件支撐的晶片邊緣嚙合部，所述彈簧構(gòu)件連接到基礎(chǔ)部，所述基礎(chǔ)部附接到前門(mén)的內(nèi)表面。當(dāng)門(mén)被閂鎖到容器部上時(shí)，前向晶片支撐件對(duì)容器中的晶片提供壓縮力，借此所述晶片在所述v形凹槽內(nèi)被保持于第一晶片邊緣嚙合部中的主要安放位置處，所述第一晶片邊緣嚙合部由第一聚合物形成。由第二聚合物形成的第二晶片嚙合部相對(duì)于所述安放位置軸向及/或沿圓周偏移，借此所述第二晶片嚙合部?jī)H在沖擊狀態(tài)或事件中被嚙合。在實(shí)施例中，第二聚合物比第一聚合物更軟且是沖擊狀態(tài)緩沖墊。所述沖擊狀態(tài)緩沖墊可為彈性材料。所述前開(kāi)口容器可為“fosb”，使得在晶片被水平裝載之后，門(mén)被應(yīng)用及閂鎖，且容器被向后旋轉(zhuǎn)90度，使得晶片被垂直定向以便裝運(yùn)。

在特別適合于接合式晶片的實(shí)施例中，晶片邊緣嚙合部界定凹槽且具有：主要安放位置，其位于所述凹槽的最底區(qū)域處；以及第二沖擊事件嚙合部，其相對(duì)于所述主要安放位置移置且由比所述主要位置處的材料更軟的材料形成。在本發(fā)明的實(shí)施例中，v形前向晶片支撐件或v形后向晶片支撐件具有第一表面，所述第一表面與接合式晶片的載體襯底側(cè)形成第一夾角且與經(jīng)薄化晶片側(cè)形成第二夾角。所述第二夾角大于所述第一夾角。在實(shí)施例中，晶片邊緣接納凹槽在端視圖或剖視圖中具有四個(gè)支腿，每一支腿對(duì)應(yīng)于所述凹槽的表面或面。所述晶片邊緣接納凹槽具有：第一支腿，其面對(duì)載體襯底面，所述第一支腿連接到第二支腿，其中接縫界定最深接納區(qū)域；所述第二支腿，其面對(duì)經(jīng)薄化晶片面；以及第三支腿，其連接到所述第二支腿且也面對(duì)經(jīng)薄化晶片面，所述第二支腿與所述第三支腿的接縫界定沖擊事件限制區(qū)域。在實(shí)施例中，后向晶片支撐件具有二列晶片嚙合部，所述晶片嚙合部具有帶四個(gè)支腿(及面)的晶片邊緣接納凹槽。在實(shí)施例中，晶片邊緣接納部并非依靠指狀物彈動(dòng)，也就是說(shuō)，所述接納部并非由用于每一晶片嚙合部的離散彈簧構(gòu)件支撐。

在實(shí)施例中，一種晶片容器具有多個(gè)晶片嚙合部，每一晶片嚙合部具有第一面及第二面，所述第一面與所述第二面在接縫處連接以界定用于接合式晶片的晶片邊緣接納凹槽，所述接合式晶片具有載體襯底側(cè)表面及經(jīng)薄化晶片側(cè)表面，當(dāng)所述接合式晶片安放在所述晶片邊緣接納凹槽中時(shí)，所述第一面及所述載體襯底側(cè)表面界定第一會(huì)聚區(qū)域，且所述第二面及經(jīng)薄化晶片側(cè)表面界定第二會(huì)聚區(qū)域。所述第一會(huì)聚區(qū)域比所述第二會(huì)聚區(qū)域“更尖”且“更窄”。所述第二會(huì)聚區(qū)域比所述第一會(huì)聚區(qū)域“更鈍”且“更寬”。所述晶片嚙合部可由剛性聚合物(例如聚碳酸酯)形成。

在實(shí)施例中，一種接合式晶片容器具有多個(gè)晶片嚙合部，每一晶片嚙合部具有凹槽，所述凹槽具有其第一邊限及第二邊限，其中每一第一邊限面對(duì)接納于所述凹槽中的晶片的襯底載體側(cè)，且所述第二邊限面對(duì)所述凹槽的經(jīng)薄化晶片側(cè)，晶片邊緣接納部在高度上經(jīng)定位成距所述第一邊限較近，第二邊限借此在沖擊狀態(tài)中為接合式晶片的經(jīng)薄化晶片側(cè)提供更大空隙。在實(shí)施例中，在正常安放區(qū)域外側(cè)提供被配置為沖擊狀態(tài)晶片嚙合部的多個(gè)輔助晶片嚙合部，以在沖擊狀態(tài)中嚙合接合式晶片。在實(shí)施例中，所述輔助晶片嚙合部提供與接合式晶片的彈性嚙合。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，一種前開(kāi)口晶片容器具有相對(duì)于晶片安放位置軸向移置的沖擊狀態(tài)晶片嚙合部。在本發(fā)明的實(shí)施例中，一種前開(kāi)口晶片容器具有除在沖擊狀態(tài)外不嚙合晶片的沖擊狀態(tài)晶片嚙合部。在本發(fā)明的實(shí)施例中，一種前開(kāi)口晶片容器具有由彈簧指狀物支撐的沖擊狀態(tài)晶片嚙合部。在本發(fā)明的實(shí)施例中，一種前開(kāi)口晶片容器具有呈彈性的沖擊狀態(tài)晶片嚙合部。在本發(fā)明的實(shí)施例中，一種前開(kāi)口晶片容器具有沖擊狀態(tài)晶片嚙合部，且與所述沖擊狀態(tài)晶片嚙合部相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)主要嚙合部是通過(guò)彼此上下包覆模制而形成。在本發(fā)明的實(shí)施例中，沖擊狀態(tài)

在本發(fā)明的實(shí)施例中，一種具有前向晶片支撐件的晶片容器具有中心基礎(chǔ)條帶，所述中心基礎(chǔ)條帶具有向外朝向晶片且橫向朝向晶片容器的各側(cè)延伸的多對(duì)對(duì)置懸伸彈簧指狀部，每一彈簧指狀部與被配置為墊的晶片邊緣接納部連接且成單體式。在實(shí)施例中，由彈性材料形成的中心條帶在所述中心基礎(chǔ)條帶上向下延伸，其中多個(gè)向內(nèi)伸出部朝向容器部的中心內(nèi)部延伸且在由前向晶片支撐件嚙合的晶片面上延伸，所述多個(gè)伸出部經(jīng)定位成除在沖擊狀態(tài)外不嚙合晶片。在實(shí)施例中，所述晶片是具有經(jīng)薄化晶片側(cè)的接合式晶片，且所述伸出部在所述經(jīng)薄化晶片側(cè)上延伸。

一種晶片容器具有：容器部，其具有開(kāi)口前部；及門(mén)，其用于閉合所述開(kāi)口前部，所述晶片容器具有前向晶片支撐件或后向晶片支撐件，所述前向晶片支撐件或后向晶片支撐件具有多個(gè)晶片邊緣嚙合部，每一晶片邊緣嚙合部為所述晶片中的一者界定靜態(tài)晶片安放位置。額外多個(gè)輔助晶片沖擊事件嚙合部定位于靜態(tài)晶片安放位置外側(cè)以?xún)H在沖擊狀態(tài)中嚙合晶片。在實(shí)施例中，所述輔助晶片沖擊嚙合部是彈性的。在實(shí)施例中，所述輔助晶片沖擊嚙合部是沿著所述前向晶片支撐件或后向晶片支撐件的長(zhǎng)度延伸的條帶的部分。在實(shí)施例中，所述輔助晶片沖擊嚙合部是沿向內(nèi)方向延伸的伸出部。

在實(shí)施例中，一種用于接合式晶片的晶片容器具有前向晶片支撐件或后向晶片支撐件，所述前向晶片支撐件或后向晶片支撐件具有第一晶片支撐件，所述第一晶片支撐件具有接合式晶片邊緣接納部，所述接合式晶片邊緣接納部具有接納接合式晶片的邊緣的凹槽，所述晶片容器進(jìn)一步具有輔助晶片支撐部，所述輔助晶片支撐部具有在靜態(tài)狀態(tài)中嚙合接合式晶片的第一嚙合部及定位于正常晶片安放區(qū)域外側(cè)且僅在沖擊狀態(tài)中接觸晶片的第二嚙合部。所述第一嚙合部及所述第二嚙合部可位于附接到所述第一晶片支撐件的單體式彈性條帶中。

在實(shí)施例中，當(dāng)前開(kāi)口晶片裝運(yùn)器被裝載時(shí)，晶片被水平安裝成安放在擱架上。所述門(mén)被應(yīng)用及閂鎖，從而使晶片跨過(guò)前向晶片支撐件及后向晶片支撐件上的斜坡以安放在晶片邊緣接納凹槽中。在前向支撐件中，所述斜坡是被配置為墊且與彈簧指狀部成一體的晶片邊緣接納部的部分。在門(mén)被應(yīng)用時(shí)，晶片邊緣首先嚙合所述墊，且所述墊及相應(yīng)彈簧指狀部偏轉(zhuǎn)，且隨后所述晶片邊緣可嚙合被配置為彈性沖擊狀態(tài)緩沖墊的輔助晶片支撐部。在嚙合緩沖墊后，所述緩沖墊隨著所述墊及彈簧指狀部繼續(xù)偏轉(zhuǎn)而偏轉(zhuǎn)。所述墊的偏轉(zhuǎn)距離小于所述墊及彈簧指狀部的偏轉(zhuǎn)距離。容器隨后被旋轉(zhuǎn)90度以使晶片垂直地布置。

在實(shí)施例中，一種前開(kāi)口晶片容器在前門(mén)及容器部的后側(cè)或后壁二者上具有主要晶片支撐部。所述主要晶片支撐部是由聚合物形成。所述容器還在前門(mén)及容器部的后側(cè)中的至少一者處具有輔助晶片支撐部。所述輔助晶片支撐部通過(guò)例如凸塊及孔口的協(xié)作式嚙合結(jié)構(gòu)附接到所述主要晶片支撐部。所述輔助晶片支撐部延伸達(dá)所述主要晶片支撐部的長(zhǎng)度且具有用于每一晶片的一系列嚙合部。所述輔助晶片支撐部是由比主要晶片支撐部聚合物更軟的材料形成。在實(shí)施例中，所述輔助晶片支撐部是由彈性材料形成。在實(shí)施例中，所述輔助晶片支撐部在晶片處于正常安放位置時(shí)使所述晶片與第一嚙合部嚙合，且在晶片處于沖擊狀態(tài)且從其正常安放位置移動(dòng)時(shí)使晶片與第二嚙合部嚙合。在實(shí)施例中，晶片僅在沖擊狀態(tài)中嚙合所述輔助晶片支撐部。在其它實(shí)施例中，所述輔助晶片支撐部可與前門(mén)或容器部的后側(cè)上的主要晶片支撐部分離。

本發(fā)明的實(shí)施例的特征及優(yōu)點(diǎn)是，在沖擊狀態(tài)中，對(duì)晶片載體中的晶片且特定來(lái)說(shuō)對(duì)接合式晶片提供增強(qiáng)的保護(hù)。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本文的發(fā)明的實(shí)施例的300mm晶片容器的透視圖。

圖2是圖1的前開(kāi)口晶片容器的側(cè)面透視圖。

圖3是圖1的晶片載體的容器部的正面透視圖。

圖4是圖1的晶片容器的前門(mén)的內(nèi)表面的透視圖，其說(shuō)明具有沖擊保護(hù)的晶片支撐系統(tǒng)。

圖5是圖1的晶片容器的前門(mén)的內(nèi)表面的透視圖，其中前向晶片支撐系統(tǒng)未就位。

圖6是圖5的門(mén)的晶片支撐件的透視圖。

圖7是圖1的晶片支撐件的后側(cè)的正視圖，所述后側(cè)面對(duì)門(mén)。

圖8是圖4的晶片支撐系統(tǒng)的分解圖。

圖9a是位于圖1的晶片容器的前門(mén)的內(nèi)側(cè)上的晶片支撐件的詳細(xì)透視圖。

圖9b是圖9a的晶片支撐件的更詳細(xì)透視圖，且其中晶片以虛線展示。

圖9c是穿過(guò)兩個(gè)相鄰晶片邊緣嚙合部的剖視圖，所述兩個(gè)相鄰晶片邊緣嚙合部?jī)烧呔徽故緸榕c接合式晶片嚙合。

圖9d是沖擊事件晶片嚙合緩沖墊的后側(cè)的透視圖，所述后側(cè)背對(duì)晶片。

圖10是圖3的后向晶片支撐件的正視圖。

圖11是圖10的晶片支撐件的后側(cè)的透視圖。

圖12是圖3的具有沖擊保護(hù)的后側(cè)晶片支撐系統(tǒng)的前側(cè)透視圖。

圖13是圖12的晶片支撐系統(tǒng)的分解透視圖。

圖14是具有適合于接合式晶片的沖擊特征的后向晶片支撐系統(tǒng)的側(cè)面正視圖。

圖15是前開(kāi)口晶片容器的示意圖，其中晶片安放在多個(gè)擱架上且門(mén)相對(duì)于前開(kāi)口移置。

圖16是圖15的前開(kāi)口晶片容器的示意圖，其中前門(mén)就位閉合。

圖17是圖15的前開(kāi)口晶片容器的示意圖。

圖18是將晶片以垂直運(yùn)輸定向懸置于中間的前向晶片支撐件及后向晶片支撐件的剖視圖。

圖19a是具有沖擊狀態(tài)緩沖墊的前向晶片容器的透視圖，所述沖擊狀態(tài)緩沖墊具有沿著主要晶片支撐部的中心向下延伸的波狀部。

圖19b是未附接輔助晶片支撐部的圖19a的主要晶片支撐部的透視圖。

圖19c是圖19a的彈性輔助晶片支撐部的透視圖；

圖19d是適合于附接到圖19b的主要晶片支撐部的另一彈性輔助晶片支撐部的透視圖。

圖19e是附接到主要晶片支撐部的圖19d的輔助晶片支撐部的剖視圖，其中晶片處于靜態(tài)狀態(tài)(無(wú)沖擊)。

圖19f是附接到主要晶片支撐部的圖19d的輔助晶片支撐部的剖視圖，其中晶片處于沖擊狀態(tài)，且薄晶片嚙合彈性沖擊嚙合部。

圖20是接合式晶片與圖19的晶片支撐件的嚙合的剖視圖。

圖21是晶片邊緣嚙合部的側(cè)面剖視圖，在受到晶片的壓縮負(fù)荷后，所述晶片邊緣嚙合部偏轉(zhuǎn)以使沖擊狀態(tài)緩沖墊能夠?qū)┞丁?/p>

圖22是已偏轉(zhuǎn)的圖19的晶片邊緣嚙合部的剖視圖，其中沖擊緩沖墊被暴露且相關(guān)聯(lián)晶片容器處于使晶片垂直的運(yùn)輸位置。

具體實(shí)施方式

參考圖1到6，晶片容器20大體包含容器部30及門(mén)32，容器部30及門(mén)32界定用于固持晶片34的開(kāi)口內(nèi)部33。所述容器部具有界定開(kāi)口前部38的門(mén)框架36、左側(cè)42、右側(cè)44、后側(cè)45、頂側(cè)46及底側(cè)48，所述側(cè)分別具有左側(cè)壁52、右側(cè)壁54、頂側(cè)壁56、后壁57及底壁58，每一壁具有相應(yīng)的面向內(nèi)側(cè)的表面及外表面。后壁57在鄰近頂壁及底壁處具有支腳59，以用于在將容器旋轉(zhuǎn)90度之后使所述容器依靠后側(cè)安放，例如以便運(yùn)輸容器。

前門(mén)32具有一對(duì)閂鎖機(jī)構(gòu)60、62、閂鎖收納部63及密封件64，密封件64環(huán)繞所述門(mén)的外圍66。所述門(mén)具有底架68、內(nèi)表面70及外表面72。

所述晶片容器在容器部上及前門(mén)的內(nèi)表面上具有晶片嚙合特征。在容器部中，晶片安放在左側(cè)壁及右側(cè)壁的內(nèi)表面處的晶片擱架80上且嚙合具有沖擊事件保護(hù)特征84的后向晶片支撐系統(tǒng)82。所述后向晶片支撐系統(tǒng)與前向晶片支撐系統(tǒng)協(xié)作，以將晶片以壓縮方式約束于其間，例如第6,267,245號(hào)美國(guó)專(zhuān)利中所說(shuō)明；參見(jiàn)圖11b。此專(zhuān)利由本申請(qǐng)案的所有人擁有且特此以引用方式并入本文中。本文中及‘245專(zhuān)利中所說(shuō)明的晶片容器歸屬于fosb(“frontopeningshippingbox(前開(kāi)口裝運(yùn)盒)”的縮寫(xiě))類(lèi)別。這些晶片容器被配置以接納及運(yùn)輸300mm晶片?？稍陂_(kāi)口前門(mén)中接納晶片，隨后將門(mén)附接及閂鎖到容器部，且隨后可將容器向后旋轉(zhuǎn)90度以將晶片垂直定向，例如圖17及18中所示。更專(zhuān)門(mén)地用在制作設(shè)施情景(而非裝運(yùn))中的用于300mm晶片的類(lèi)似晶片容器稱(chēng)為foup或前開(kāi)口統(tǒng)一匣。所揭示的發(fā)明可適合用在foup中且還可適用于用于其它晶片尺寸的容器。舉例來(lái)說(shuō)，還開(kāi)發(fā)出用于450mm晶片的前開(kāi)口晶片容器，且本文的發(fā)明將適合于并入到此類(lèi)容器中。

在所說(shuō)明實(shí)施例中，前向晶片支撐件及后向晶片支撐件中的每一者可具備沖擊事件保護(hù)且特別適合于接合式晶片。參考圖14、18及20，接合式晶片100具有載體襯底102、經(jīng)薄化晶片104及粘附層106，在加工期間，粘附層106將經(jīng)薄化層固定到載體襯底。所述接合式晶片具有經(jīng)薄化晶片側(cè)108、載體襯底側(cè)110、晶片邊緣112及邊緣隅角114。

圖4到9d及19a到20中提供前向晶片支撐件的細(xì)節(jié)。首先參考圖7到9d，前向晶片支撐件88具有兩個(gè)組件：主要晶片支撐部120及被配置為沖擊事件晶片嚙合緩沖墊122的輔助晶片支撐部。所述主要晶片支撐部具有矩形框架124，矩形框架124具有位于長(zhǎng)導(dǎo)軌128上的閂鎖部126。由所述矩形框架界定的窗口130框住中心基礎(chǔ)條帶134，中心基礎(chǔ)條帶134具有多對(duì)對(duì)置單體式懸伸彈簧指狀部136，彈簧指狀部136向外朝向晶片且橫向朝向晶片容器的各側(cè)延伸，每一彈簧指狀部與晶片邊緣接納部140連接且成單體式，晶片邊緣接納部140被配置為具有v形凹槽141的墊，v形凹槽141用于接納晶片100的邊緣。矩形框架124嚙合門(mén)32的內(nèi)表面70上的細(xì)長(zhǎng)凸肋144，且中心基礎(chǔ)條帶134安放在中心附接部146上，中心附接部146被配置為凸肋及結(jié)構(gòu)伸出部且附接有凸塊152，凸塊152嚙合基礎(chǔ)條帶中的孔口154。所述基礎(chǔ)條帶在條帶頂部及底部處附接到矩形框架，且在與容器部中的晶片嚙合時(shí)，左側(cè)上的彈簧指狀物及墊對(duì)中心基礎(chǔ)條帶提供的力矩被右側(cè)上的彈簧指狀物及墊所提供的力矩抵消。力的此平衡使得能夠使用較少結(jié)構(gòu)來(lái)支撐由前向晶片支撐件提供的壓縮力。

沖擊事件晶片嚙合緩沖墊122包含中心條帶160，中心條帶160具有從其延伸的多對(duì)162的臂164，所述對(duì)162的臂164與每一對(duì)168的彈簧指狀物及墊對(duì)應(yīng)。向內(nèi)延伸的伸出部172經(jīng)定位成相對(duì)于主要安放位置176軸向及/或沿圓周偏移。在實(shí)施例中，主要晶片支撐部120由剛性比沖擊事件緩沖墊122的聚合物更大的聚合物(例如聚碳酸酯、尼龍或聚乙烯)形成，沖擊事件緩沖墊122可為熱塑性彈性體或其它彈性材料。所述沖擊事件緩沖墊可例如通過(guò)突出部或凸塊180插入到主要晶片支撐部120中的孔口182中而進(jìn)行附接。在其它實(shí)施例中，可在晶片支撐件上為每一晶片提供個(gè)別離散沖擊事件緩沖墊，例如由圖8中的緩沖墊186所說(shuō)明。在其它實(shí)施例中，所述沖擊事件緩沖墊可包覆模制在主要晶片支撐部上(或反之亦然)。所述沖擊事件緩沖墊可經(jīng)定位成僅在沖擊狀態(tài)時(shí)被嚙合，也就是說(shuō)，在非沖擊狀態(tài)中不被嚙合，或者所述沖擊事件緩沖墊可經(jīng)定位成對(duì)其的嚙合度在非沖擊狀態(tài)期間比在沖擊狀態(tài)期間更小?；蛘?，所述沖擊事件緩沖墊可具有在正常非沖擊狀態(tài)中被嚙合的部分以及在沖擊狀態(tài)中被嚙合的另一部分。

參考圖19a到20，主要晶片支撐部188具有用于附接到前門(mén)的嚙合結(jié)構(gòu)189且具有被配置為沖擊狀態(tài)緩沖墊的輔助晶片支撐部192。圖19d說(shuō)明輔助晶片支撐部191的另一實(shí)施例。輔助晶片支撐部可為在主要晶片支撐部上沿長(zhǎng)度延伸的條帶，所述條帶具有波狀部193及向內(nèi)伸出部194?？蓪⒗巛o助晶片支撐部的凸塊196等協(xié)作式嚙合結(jié)構(gòu)固定到主要晶片支撐部中的孔口197中。在非沖擊狀態(tài)期間，晶片邊緣112可嚙合、輕微嚙合沖擊狀態(tài)緩沖墊，或者與沖擊狀態(tài)緩沖墊間隔開(kāi)。伸出部194可經(jīng)定位以在處于沖擊狀態(tài)時(shí)嚙合接合式晶片的經(jīng)薄化晶片側(cè)108，借此防止經(jīng)薄化晶片側(cè)接觸將較可能損壞經(jīng)薄化晶片的其它表面。圖19e說(shuō)明接合式晶片以靜態(tài)正常安放位置處于凹槽199及芯片偏轉(zhuǎn)區(qū)域273中。圖19f說(shuō)明沖擊狀態(tài)，其中接合式晶片100的經(jīng)薄化晶片部在沖擊偏轉(zhuǎn)接觸區(qū)域198處嚙合伸出部192。在沖擊狀態(tài)中，晶片可仍與墊嚙合或可不再與墊嚙合。在實(shí)施例中，輔助晶片支撐部可包覆模制在主要晶片支撐部上。

參考圖3及10到14，其說(shuō)明后向晶片支撐件82的實(shí)施例。所述后向晶片支撐件包含主要晶片支撐部200及沖擊事件緩沖墊202。所述主要晶片支撐部具有矩形框架210，矩形框架210具有導(dǎo)軌212，導(dǎo)軌212咬接或以其它方式嚙合后壁57以使后向晶片支撐件保持附接到后壁57。所述沖擊狀態(tài)緩沖墊可為如圖12及13中所說(shuō)明的條帶，或者可為針對(duì)每一晶片定位的離散緩沖墊。在非沖擊狀態(tài)中，所述沖擊狀態(tài)緩沖墊如同前向沖擊狀態(tài)緩沖墊可嚙合、局部地嚙合晶片邊緣，或者與晶片邊緣分離。在沖擊狀態(tài)時(shí)，嚙合度將增大，或者將發(fā)生嚙合。所述沖擊狀態(tài)緩沖墊可為彈性材料或者比主要后向晶片支撐件的材料更軟的其它材料。所述材料通常是聚合物。

參考圖13、14及18，后向主要晶片支撐部具有多個(gè)晶片邊緣嚙合部222，晶片邊緣嚙合部222總體呈現(xiàn)出u形(見(jiàn)元件226)且具有內(nèi)部v形凹槽228，內(nèi)部v形凹槽228包括用于晶片102的非沖擊安放位置232。所述v形凹槽在橫截面中具有一對(duì)面238、239或一對(duì)支腿242、244，其中接縫246連接所述面或支腿。所述接縫本質(zhì)上界定晶片的非沖擊安放位置且具有頂點(diǎn)248。晶片與面對(duì)晶片的載體襯底側(cè)110的面237之間的夾角250小于面對(duì)經(jīng)薄化晶片側(cè)108的面238與晶片之間的夾角。換句話說(shuō)，與由經(jīng)薄化晶片與面對(duì)經(jīng)薄化晶片的v形凹槽的面界定的區(qū)域272相比較，由載體襯底與面對(duì)載體襯底的v形凹槽的面界定的區(qū)域270朝向安放位置是更尖或更窄的。界定晶片偏轉(zhuǎn)區(qū)域273，其中晶片的邊緣預(yù)期在沖擊狀態(tài)中延伸。如其它視圖中所說(shuō)明，沖擊狀態(tài)緩沖墊適合于經(jīng)定位成在晶片延伸到晶片偏轉(zhuǎn)區(qū)域中時(shí)接觸晶片。上述配置在沖擊狀態(tài)中為經(jīng)薄化晶片提供更大空隙，使得較不可能發(fā)生經(jīng)薄化晶片與主要晶片支撐部的嚙合。還可為前向晶片支撐件的彈簧墊260提供此配置，也如圖18中所示。

主要后向晶片支撐件的晶片邊緣嚙合部222具有孔口280，孔口280可便于精確地模制組件且便于控制經(jīng)薄化晶片與晶片邊緣嚙合部之間的界面。在實(shí)施例中，孔口可接納提供沖擊狀態(tài)緩沖嵌件283的嵌件?？赏ㄟ^(guò)包覆模制工藝來(lái)模制此沖擊狀態(tài)緩沖嵌件并將其插入或結(jié)合到主要晶片支撐部。在實(shí)施例中，所述沖擊狀態(tài)緩沖嵌件是比晶片邊緣嚙合部的聚合物材料更軟的聚合物材料。雖然晶片邊緣嚙合孔口被說(shuō)明為在后向晶片支撐件中，但此類(lèi)晶片邊緣嚙合孔口還可用于前向晶片支撐件中。

參考圖15到17，示意性說(shuō)明的前開(kāi)口晶片容器300具有容器部302、前門(mén)304、界定晶片安放位置310的晶片擱架306、前向晶片支撐件314及后向晶片支撐件318。前向晶片支撐件具有彈簧320。在門(mén)打開(kāi)的水平位置中，晶片324被安放在所述擱架上。當(dāng)門(mén)被閂鎖到開(kāi)口前部326時(shí)，晶片由晶片支撐件314、318的晶片嚙合部330提升到如圖16中所示的運(yùn)輸位置327。所述晶片容器可被局部旋轉(zhuǎn)到圖17所示的位置以便運(yùn)輸。圖17說(shuō)明沖擊狀態(tài)，其中力撞擊容器的下部隅角從而造成晶片的移置，使得所述晶片嚙合沖擊狀態(tài)緩沖墊333。所述沖擊狀態(tài)緩沖墊可固定到晶片支撐件，或者可附接到前門(mén)壁或后壁。如所說(shuō)明的晶片324可為如本文中所述的接合式晶片，且其中經(jīng)薄化晶片側(cè)在圖15及16中是面向上的且在圖17中是面向右的，使得在沖擊狀態(tài)中與經(jīng)薄化晶片側(cè)嚙合。

參考圖21及22，本發(fā)明的實(shí)施例可在晶片邊緣嚙合部356的主要非沖擊安放位置353的兩側(cè)上具有沖擊狀態(tài)緩沖墊350。在前裝式晶片載體中，晶片360可嚙合晶片嚙合部的下部斜坡、跨過(guò)所述斜坡到達(dá)主要安放位置353且在門(mén)完全閉合后使彈簧部364及墊366偏轉(zhuǎn)，使得沖擊狀態(tài)緩沖墊350被暴露。在沖擊狀態(tài)中，所述沖擊狀態(tài)緩沖墊可用于保護(hù)晶片，例如防止與晶片邊緣嚙合部脫離且提供沖擊吸收。

本文中所使用的“沖擊狀態(tài)緩沖部”可指離散組件、或者組件的部分或區(qū)段。沖擊狀態(tài)緩沖墊及沖擊狀態(tài)緩沖部可由不止一種聚合物形成，例如，剛性聚合物與較軟及/或彈性聚合物的涂層或經(jīng)包覆模制部。

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本說(shuō)明書(shū)(包括以引用方式并入的參考文獻(xiàn)，包括任何所附權(quán)利要求、摘要及附圖)中所揭示的所有特征及/或如此揭示的任一方法或工藝的所有步驟都可組合成任一組合形式，至少一些此類(lèi)特征及/或步驟相互排斥的組合除外。

除非另有明確陳述，否則本說(shuō)明書(shū)(包括以引用方式并入的參考文獻(xiàn)、任何所附權(quán)利要求、摘要及附圖)中所揭示的每一特征可由用于相同、等效或類(lèi)似目的的替代特征替換。因此，除非另有明確陳述，否則所揭示的每一特征僅是一系列通用等效或類(lèi)似特征的一個(gè)實(shí)例。

本發(fā)明并不限于前述實(shí)施例的細(xì)節(jié)。本發(fā)明擴(kuò)展到本說(shuō)明書(shū)(包括任何以引用方式并入的參考文獻(xiàn)、任何所附權(quán)利要求、摘要及附圖)中所揭示的特征的任一新穎特征或任一新穎組合，或者擴(kuò)展到如此揭示的任一方法或工藝的步驟的任一新穎步驟或任一新穎組合。本申請(qǐng)案的所有章節(jié)中的上述參考文獻(xiàn)出于所有目的以引用方式全文并入本文中。

雖然本文中已說(shuō)明及描述特定實(shí)例，但所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將了解，可用旨在實(shí)現(xiàn)相同目的的任一布置來(lái)替代所示特定實(shí)例。本申請(qǐng)案希望涵蓋本主題的更改或變化。因此，希望使本發(fā)明由所附權(quán)利要求及其合法等效內(nèi)容以及以下說(shuō)明性方面界定。本發(fā)明的上述方面實(shí)施例僅說(shuō)明本發(fā)明的原理且不應(yīng)被視為限制性。相應(yīng)領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)想到對(duì)本文所揭示發(fā)明的其它修改，且所有此類(lèi)修改都被視為處于本發(fā)明的范圍內(nèi)。